JPS59201586A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
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- JPS59201586A JPS59201586A JP58075838A JP7583883A JPS59201586A JP S59201586 A JPS59201586 A JP S59201586A JP 58075838 A JP58075838 A JP 58075838A JP 7583883 A JP7583883 A JP 7583883A JP S59201586 A JPS59201586 A JP S59201586A
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- Japan
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- pulse
- circuit
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/617—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise for reducing electromagnetic interference, e.g. clocking noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
- H04N25/633—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current by using optical black pixels
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/72—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame transfer [FT]
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/745—Circuitry for generating timing or clock signals
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- Signal Processing (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は正確なりランプ動作を得る事のできる撮像装置
に関する。
に関する。
(従来技術)
一般にCCD等の固体イメージセンサにおいてはプルー
ミング防止の為に、受光面内−オーバー・フロー・ドレ
インを設けたシ、或いは表面再結合を利用して過剰キャ
リアを消滅させ受光面内の蓄積状態を制御するものが考
えられてぃる。
ミング防止の為に、受光面内−オーバー・フロー・ドレ
インを設けたシ、或いは表面再結合を利用して過剰キャ
リアを消滅させ受光面内の蓄積状態を制御するものが考
えられてぃる。
特に後者の方法によるものでは、受光面内の開口率を犠
牲にする事がないので感度が高く、又集積度を向上させ
る事ができるので水平解像度がアップする、等の利点を
有する。
牲にする事がないので感度が高く、又集積度を向上させ
る事ができるので水平解像度がアップする、等の利点を
有する。
第1図〜第3図はこのような表面再結合によるプルーミ
ング防止方法について説明する為の図で、第1図は一般
的なフレーム・トランスファー型CODの正面図である
。
ング防止方法について説明する為の図で、第1図は一般
的なフレーム・トランスファー型CODの正面図である
。
図中1は受光部で、感光性を有する複数の垂直転送レジ
スタから成る。
スタから成る。
又、2は蓄積部で、遮光された複数の垂直転送レジスタ
から成る。
から成る。
6は水平転送レジスタであって、蓄積部2の各垂直転送
レジスタ内の情報を同時に1ビツトシフトする事によシ
この水平転送レジスタに取シ込み、次いでレジスタ3を
水平転送動作させる事によシ出力アンプ4からビデオ信
号を得る事ができる。OBは垂直方向に遮光された垂直
転送レジスタ部である。
レジスタ内の情報を同時に1ビツトシフトする事によシ
この水平転送レジスタに取シ込み、次いでレジスタ3を
水平転送動作させる事によシ出力アンプ4からビデオ信
号を得る事ができる。OBは垂直方向に遮光された垂直
転送レジスタ部である。
一般に、受光部1の各垂直転送レジスタ内で形成された
情報は標準テレビジョン方式における垂直ブランキング
期間内に、蓄積部2に垂直転送され、次の垂直走査期間
内に水平転送レジスタ6よシ順次1行ずつ読み出される
。
情報は標準テレビジョン方式における垂直ブランキング
期間内に、蓄積部2に垂直転送され、次の垂直走査期間
内に水平転送レジスタ6よシ順次1行ずつ読み出される
。
尚、ここで受光部1、蓄積部2、水平転送レジスタ6は
夫々2相駆動されるものとし、夫々の転送電極をPl、
P2.P3.P4.PS、P6とし、その転送りロック
をφア4.φpz+φP31φP41φps+φP6と
する。
夫々2相駆動されるものとし、夫々の転送電極をPl、
P2.P3.P4.PS、P6とし、その転送りロック
をφア4.φpz+φP31φP41φps+φP6と
する。
第2図はこのような転送″diL極P1〜P6下のポテ
ンシャル・プロフィールを示す図であって、例えばP型
シリコン基板乙に絶縁層5を介して設けられた各電極下
には、イオン注入等によシポテンシャルの低い部分と高
い部分とが形成されておシ、例えば電極”2 + P4
+ ”6にローレベルの電圧−Vlを印加し、電極”
1+ PS + ”5にハイレベルの電圧v2を印加し
た時には、図中実線のようなポテンシャルが形成され、
電極P1 + PS + PSにローレベル電圧v1を
印加し、電極Pz l P41 ”b inハイレベル
成電圧2を印加した場合に番ま図中イ波線のようなポテ
ンシャルが形成される。
ンシャル・プロフィールを示す図であって、例えばP型
シリコン基板乙に絶縁層5を介して設けられた各電極下
には、イオン注入等によシポテンシャルの低い部分と高
い部分とが形成されておシ、例えば電極”2 + P4
+ ”6にローレベルの電圧−Vlを印加し、電極”
1+ PS + ”5にハイレベルの電圧v2を印加し
た時には、図中実線のようなポテンシャルが形成され、
電極P1 + PS + PSにローレベル電圧v1を
印加し、電極Pz l P41 ”b inハイレベル
成電圧2を印加した場合に番ま図中イ波線のようなポテ
ンシャルが形成される。
従りて電極P1+ PS r PSと電極”2 r ”
A t P6とに交番祇圧を互いに逆位相で印加する事
によりキャリアは一方向(図では右方向)に順次転送て
れていく。
A t P6とに交番祇圧を互いに逆位相で印加する事
によりキャリアは一方向(図では右方向)に順次転送て
れていく。
又、図中一点鎖線は電極に大きな正の′tに圧v5を印
加した場合のボテンシャルを示し、このポテンシャルの
ウェルは反転状態と、止る為、所定量以上の過剰なキャ
リア(・ゴ多数キャリアと再結合し消滅し−ごしまり。
加した場合のボテンシャルを示し、このポテンシャルの
ウェルは反転状態と、止る為、所定量以上の過剰なキャ
リア(・ゴ多数キャリアと再結合し消滅し−ごしまり。
第3図はこのような電極1花圧と内部のボテンシャルの
形状を半導体基板6の厚さ方向番てりいて示した図で、
図のよりにt極戒圧V5に対してはボテンシャル・ウェ
ルは浅くなシ、過剰キャリアは絶縁層との界面に2いて
多数キャリアと再結合する第2の状態となる。
形状を半導体基板6の厚さ方向番てりいて示した図で、
図のよりにt極戒圧V5に対してはボテンシャル・ウェ
ルは浅くなシ、過剰キャリアは絶縁層との界面に2いて
多数キャリアと再結合する第2の状態となる。
一方、1d極亀圧−■1に2いては第1の状態としての
アキュムンー/ヨン状態となシ、界面周辺に多数チャリ
アが集まシ易くなり、例えば不図示のチャネル・ストッ
パー領域からこの多数キャリアが供給される。
アキュムンー/ヨン状態となシ、界面周辺に多数チャリ
アが集まシ易くなり、例えば不図示のチャネル・ストッ
パー領域からこの多数キャリアが供給される。
従って例えばt極P2に電圧−■1を印加する事によっ
てバリアを形成した状態で、rに極P1に電圧−■1と
V5とを交互に印加する事によシ、は極P1下に蓄積さ
れる少数キャリアは所定量以下に制限される。
てバリアを形成した状態で、rに極P1に電圧−■1と
V5とを交互に印加する事によシ、は極P1下に蓄積さ
れる少数キャリアは所定量以下に制限される。
しかし、反面過剰なキャリアを効果的に消滅させる為に
は、蓄積期間中に半導体基板内にアキュムレーノヨン状
態と反転状!川とを交互に、しかも高速で形成してやら
なくてはならない為、′心力消費が太きいという問題が
ある。又、このようlx パルス制御を高速で行うとこ
のパルスに起因するノイズが信号に混入するという問題
がある。
は、蓄積期間中に半導体基板内にアキュムレーノヨン状
態と反転状!川とを交互に、しかも高速で形成してやら
なくてはならない為、′心力消費が太きいという問題が
ある。又、このようlx パルス制御を高速で行うとこ
のパルスに起因するノイズが信号に混入するという問題
がある。
第4図(a) 、 (b)はこのような問題を説明する
為の図である。図中1ootg後述のドライバー回路の
一部であってやはシ後述のクロックジェネレータからの
パルスφユbのタイミングに応じて所定のP−Pレベル
−Vl、V3の駆動パルス(以下A B パルスφAB
と呼ぶ)を供給する。
為の図である。図中1ootg後述のドライバー回路の
一部であってやはシ後述のクロックジェネレータからの
パルスφユbのタイミングに応じて所定のP−Pレベル
−Vl、V3の駆動パルス(以下A B パルスφAB
と呼ぶ)を供給する。
101.109 Vi微分用コンデンサ、102.10
8はバイアス用ダイオード、104,107 u )ラ
ンジスタ、103.106は平r斤用コンデンサ、10
5は電極P1の電極間に形成され定容量である。
8はバイアス用ダイオード、104,107 u )ラ
ンジスタ、103.106は平r斤用コンデンサ、10
5は電極P1の電極間に形成され定容量である。
第4図(1))は各部の波形を示す図である。第4図(
1))に基づき第4図(a)の動作全説明する。
1))に基づき第4図(a)の動作全説明する。
同図(1))の如くパルスφa’bが入力されると、そ
の立ち上がシでトランジスタ107.りZ OLJ L
、容量105から4源−■1に向かって電流iABが流
れ容量]05には電源〜■1が印加されて光はされる。
の立ち上がシでトランジスタ107.りZ OLJ L
、容量105から4源−■1に向かって電流iABが流
れ容量]05には電源〜■1が印加されて光はされる。
又、パルスφabの立ち上がりではトランジスタ104
が019し4源+■5が容量Cに印加され、この底圧v
5で尤にされる。この場合、電極間容量105V′i等
i萌的に数1000PFの入力容量を持っている為電圧
−■1とV3のパルス(以FABパルスφABと略す)
金印加すると瞬間的に数A(アンペア)の微分電流が流
れてしまう。この4流が撮像素子のシリコン基板を流れ
ると、シリコン基板の抵抗は数10 m%の呟を有する
ので結局数10 mVのノイズ(ここでばABノイズと
呼ぶ)を発生してしまう。このノイズを@滅するために
、シリコン基板の抵抗を小さくしたシ、ABパルスの立
ち上が如、立ちドが)特注をゆるやかにして微分電流の
絶対1直を小ぢくする方法が考えられるが、こnらの方
法によっても数mvのABノイズは残る。
が019し4源+■5が容量Cに印加され、この底圧v
5で尤にされる。この場合、電極間容量105V′i等
i萌的に数1000PFの入力容量を持っている為電圧
−■1とV3のパルス(以FABパルスφABと略す)
金印加すると瞬間的に数A(アンペア)の微分電流が流
れてしまう。この4流が撮像素子のシリコン基板を流れ
ると、シリコン基板の抵抗は数10 m%の呟を有する
ので結局数10 mVのノイズ(ここでばABノイズと
呼ぶ)を発生してしまう。このノイズを@滅するために
、シリコン基板の抵抗を小さくしたシ、ABパルスの立
ち上が如、立ちドが)特注をゆるやかにして微分電流の
絶対1直を小ぢくする方法が考えられるが、こnらの方
法によっても数mvのABノイズは残る。
ところで撮像素子から出刃畑れる信号の標準的なレベル
は、通常数100 mVであり、かり撮約100 mV
オーダーとなる。
は、通常数100 mVであり、かり撮約100 mV
オーダーとなる。
にりて一般的なムービー撮1遼に於いて、特に被写体が
暗い場合に上記のABノイズが無視し得ない程度に1I
f1i面上に表わ6る。
暗い場合に上記のABノイズが無視し得ない程度に1I
f1i面上に表わ6る。
又、一般に撮像素子の出力1g号は、フラング回路と呼
ばれる直流再生回路において、光学的に遮光でれた部分
OEに対応した信号が黒基準信−号としてクランプぜれ
る。そしてこのF!A基準信号の期間において、パルス
を8;l:給すると、前記黒基準信号にABノイズが重
畳してしまう。
ばれる直流再生回路において、光学的に遮光でれた部分
OEに対応した信号が黒基準信−号としてクランプぜれ
る。そしてこのF!A基準信号の期間において、パルス
を8;l:給すると、前記黒基準信号にABノイズが重
畳してしまう。
従って、この信号をクランプすると、前記ABノイズに
起因したり2ンプ電位の変動が生じ、ディスプレイ上で
は線引き状の低周波ノイズとなってIi!]i質を著し
く劣化させてしまう。
起因したり2ンプ電位の変動が生じ、ディスプレイ上で
は線引き状の低周波ノイズとなってIi!]i質を著し
く劣化させてしまう。
このり2/グc1位の変動率は、前述の標準信号レベル
(100mV)とABノイズのレベル(数mV )の比
だけでは決定されないが、り2ング効果、ガンマ特性′
4分考慮してもNTSO信号レベルで数10mVのノイ
ズとして残る事が確められた。又、このような現象は、
特にAEパルスφABをTV同期(ψ1]えば水平同期
)と非同期とした場合、或いは被写体の輝度レベル等に
応じてABパルスの繰返えし周期を変化させた場合、ク
ランプパルスとABノイズの位相が変化した場合等に於
tAて著しい。
(100mV)とABノイズのレベル(数mV )の比
だけでは決定されないが、り2ング効果、ガンマ特性′
4分考慮してもNTSO信号レベルで数10mVのノイ
ズとして残る事が確められた。又、このような現象は、
特にAEパルスφABをTV同期(ψ1]えば水平同期
)と非同期とした場合、或いは被写体の輝度レベル等に
応じてABパルスの繰返えし周期を変化させた場合、ク
ランプパルスとABノイズの位相が変化した場合等に於
tAて著しい。
又、撮像デバイスの受光面に於ける蓄積状態を制御する
為の他の方法として標準テレビジョン方式のフィールド
周期で受光面に於ける蓄積を行なわせつつ、実質的な蓄
積時間を制御する為に、蓄積4荷を1フイールド内に一
旦クリアする方法が知られている。
為の他の方法として標準テレビジョン方式のフィールド
周期で受光面に於ける蓄積を行なわせつつ、実質的な蓄
積時間を制御する為に、蓄積4荷を1フイールド内に一
旦クリアする方法が知られている。
以下このような蓄積状態制御の方法に於ける問題につき
説明する。
説明する。
通常のビデオカメラは、垂直同期信号に同期して撮像し
た場合、垂直同期信号のくシ返えしし、FAJきの速い
被写体を撮影するような場合、ブレのないシャープな画
像を得るためにはンヤソタースピードを可変に特に高速
4+11に1jJiにすることが必要であり、特にワン
ショット撮影を行うステイルビデオシステムにおいては
不可欠である。
た場合、垂直同期信号のくシ返えしし、FAJきの速い
被写体を撮影するような場合、ブレのないシャープな画
像を得るためにはンヤソタースピードを可変に特に高速
4+11に1jJiにすることが必要であり、特にワン
ショット撮影を行うステイルビデオシステムにおいては
不可欠である。
1/60Sよシも短いンヤッタースピードを得ようとす
る場合には、例えばロータリーシャッター等を垂直同期
信号に同期させて使うなどの方法があるが、露光時間が
短かぐなって行くと、機構的な追従が難しくなった)、
或いl−1:機構的に複雑化するなどの欠点があった。
る場合には、例えばロータリーシャッター等を垂直同期
信号に同期させて使うなどの方法があるが、露光時間が
短かぐなって行くと、機構的な追従が難しくなった)、
或いl−1:機構的に複雑化するなどの欠点があった。
また、これに対し、信号処理的な方法として第5図のよ
うな方法がある。即ち、通常の蓄積・転送という駆動周
期に対して、この方法は図中すのような垂直転送りロッ
クを受光部の転送1極に適宜のタイミングで供給する事
によシ映像期間中に撮像素子に蓄積された1よ荷を受光
面内のオーバー70−ドレインを介して一旦捨てて、時
刻t1よシ新たな蓄積を始めるという方法である。この
方法によると格別な機構を必要としないために小型化が
可能であるというメリットかある。しかし、映像期間中
番こbのようなパルスを発生させるために、撮像素子よ
、!7読み出した信号に第4図(b)と同様パルスのも
it込みが残シ、画像に悪い影響を与えろ。第6図はフ
ラングパルスと映像信号の関係で1ちる。通常は撮像素
子の一部を遮光し、その部分の出力を基準点(オプティ
カルブラック)レベルとしてりランプするのであるが、
映像期間中に前述のクリアパルスbを発生させると、そ
のもれ込み分が出力信号分aに重畳した形(第7図a/
)で現われるので、クランプ部分にこのもれ込み分が
かかつてしまうと、黒レベルが変動してしまい、数Hに
亘って輝度レベルが変化してしまうという欠点があった
。
うな方法がある。即ち、通常の蓄積・転送という駆動周
期に対して、この方法は図中すのような垂直転送りロッ
クを受光部の転送1極に適宜のタイミングで供給する事
によシ映像期間中に撮像素子に蓄積された1よ荷を受光
面内のオーバー70−ドレインを介して一旦捨てて、時
刻t1よシ新たな蓄積を始めるという方法である。この
方法によると格別な機構を必要としないために小型化が
可能であるというメリットかある。しかし、映像期間中
番こbのようなパルスを発生させるために、撮像素子よ
、!7読み出した信号に第4図(b)と同様パルスのも
it込みが残シ、画像に悪い影響を与えろ。第6図はフ
ラングパルスと映像信号の関係で1ちる。通常は撮像素
子の一部を遮光し、その部分の出力を基準点(オプティ
カルブラック)レベルとしてりランプするのであるが、
映像期間中に前述のクリアパルスbを発生させると、そ
のもれ込み分が出力信号分aに重畳した形(第7図a/
)で現われるので、クランプ部分にこのもれ込み分が
かかつてしまうと、黒レベルが変動してしまい、数Hに
亘って輝度レベルが変化してしまうという欠点があった
。
(目 的)
本発明は上述の如き技術の欠点を解消し得る正候なりラ
ンプが可能な撮像装置を提供する事を目的としている。
ンプが可能な撮像装置を提供する事を目的としている。
本発明の他の目的は、AEIノイズの混入が少なく、か
つ消費電力が少なく、しかもブルーミング防止効果の高
い撮像装置を提供する事にある。
つ消費電力が少なく、しかもブルーミング防止効果の高
い撮像装置を提供する事にある。
本発明の更に他の目的はABノイズによる映像信号の劣
化を効果的に抑制し得る撮像装置i!i:(i−提供す
る事にある。
化を効果的に抑制し得る撮像装置i!i:(i−提供す
る事にある。
本発明の更に他の目的は受光部に於ける蓄積状態を制御
し得ると共に、この制御に伴なうノイズがり2ング動作
に影響を与えないようにした撮像装置を提供することに
ある。
し得ると共に、この制御に伴なうノイズがり2ング動作
に影響を与えないようにした撮像装置を提供することに
ある。
(実施例)
以下実施例に基づき本発明を詳述する。
第8図は本発明の撮像装置の構成の第1の実施例を示す
図で、図中501は撮像手段としてのイメージセンサで
あって、第1図に示したようなCODであっても良いし
、MOS iiX Yアドレスイメージセンナでめって
も良い。
図で、図中501は撮像手段としてのイメージセンサで
あって、第1図に示したようなCODであっても良いし
、MOS iiX Yアドレスイメージセンナでめって
も良い。
本実施例では第1図示のフレームトランスファー型CO
Dを用いた場合につき説明する。
Dを用いた場合につき説明する。
506はこのCODイメージセンサの伝送に必要な転送
パルスφP亡φP6及び前述のアンチプルーミングパル
スφABを供給する読み出し手段としてのドライバー回
路であり、507はこれらパルスの内φP1〜φP64
のタイミング信号を形成する第1のクロックジェネレー
ターである。
パルスφP亡φP6及び前述のアンチプルーミングパル
スφABを供給する読み出し手段としてのドライバー回
路であり、507はこれらパルスの内φP1〜φP64
のタイミング信号を形成する第1のクロックジェネレー
ターである。
514は蓄積制御手段又#1再結合制御手段としての第
2のクロックジェネレーターであって、該クロックジェ
ネレーター514のタイミング信号φabに基づき、ド
ライバー回路5C16#−1: A BノくルスφAB
を形成し、イメージセンサの″電極P1に供給する。
2のクロックジェネレーターであって、該クロックジェ
ネレーター514のタイミング信号φabに基づき、ド
ライバー回路5C16#−1: A BノくルスφAB
を形成し、イメージセンサの″電極P1に供給する。
508 Vi基準発振器、509に水平クロツクカウン
タであシ、発振器508の出力パルスをカウントし、水
平同期信号等を形成する。510は垂直クロックカウン
タであ勺、水平クロックカウンタ509の出力としての
水平同期信号をカウントし垂直同期信号等を出力する。
タであシ、発振器508の出力パルスをカウントし、水
平同期信号等を形成する。510は垂直クロックカウン
タであ勺、水平クロックカウンタ509の出力としての
水平同期信号をカウントし垂直同期信号等を出力する。
511はデコーダーであって、カウンタ509゜510
の出力状態に応じて各種のタイミングパルスを出力する
。
の出力状態に応じて各種のタイミングパルスを出力する
。
即ち、複合同期信号c−sync’e’複合ブラ/キン
グ信号C,ELK、転送パルスφP1〜φP6等の為の
タイミング信号を出力し、ドライバー回路506に供給
する。
グ信号C,ELK、転送パルスφP1〜φP6等の為の
タイミング信号を出力し、ドライバー回路506に供給
する。
又、デコーダー511はアンドゲート515と共に本発
明に係る禁止手段を形成している。
明に係る禁止手段を形成している。
即ち、第9図示のようなタイミングでローレベルのjD
NABLJ(!−AB信号を出力する事によシ、第2ク
ロツクジエネレーターの出力に対し禁止をかけている。
NABLJ(!−AB信号を出力する事によシ、第2ク
ロツクジエネレーターの出力に対し禁止をかけている。
512はD7リノグ70ツブでありを形成している。
父、この7リツグ70ツグのクロック入力には発振器5
08の出力が入力てれている。
08の出力が入力てれている。
又、ノリツブ70ツブ512のQ出力とJiJABLE
・AI3信号との論理積がANDゲート516に於いて
パルスφabとして形成される。
・AI3信号との論理積がANDゲート516に於いて
パルスφabとして形成される。
又、デコーダー511に第9図示のようなタイミングで
クランプパルスCPOBを後述のクランプ回路505に
対して出力する。り2ンプパルス0POBがハイレベル
の間クランプ動作が行なわれる。
クランプパルスCPOBを後述のクランプ回路505に
対して出力する。り2ンプパルス0POBがハイレベル
の間クランプ動作が行なわれる。
又、デコーダー511i□ゴイメージセンサー501の
水平転送りロックと同期したナングリングパルスSUM
Pをサンプル・ホールド回路502に対して出力する。
水平転送りロックと同期したナングリングパルスSUM
Pをサンプル・ホールド回路502に対して出力する。
又、ドライバー回路506の出力の内複合同期信号C−
G7nQ複合ブランキング信号0 、 BLK等はプロ
セス回路504に供給きれている。
G7nQ複合ブランキング信号0 、 BLK等はプロ
セス回路504に供給きれている。
又、プロセス回路504の出力は記録装]吐505に供
給されている。
給されている。
第9図は第8図示回路の動作タイミングを示す図で、第
9図に基づき以下第8図示回路の動作につき説明する。
9図に基づき以下第8図示回路の動作につき説明する。
イメージセンサ−501は基本的には第1のクロックジ
ェネレーター507で形成された各種タイミングパルス
に基づくドライバー回路506の出力によシ駆動される
。
ェネレーター507で形成された各種タイミングパルス
に基づくドライバー回路506の出力によシ駆動される
。
即ち、標準テレビジョン方式に対応した水平垂直走査を
行ない、点順次のビデオ信号を出力する。
行ない、点順次のビデオ信号を出力する。
又、この点順次信号を次段のテンプル・ホールド回路に
於いて順次サンプルホールドする事によシ、前記点順次
信号のデユーディーを広げると共にノイズを除去する。
於いて順次サンプルホールドする事によシ、前記点順次
信号のデユーディーを広げると共にノイズを除去する。
従ってこのサンプル・ホールド回路502の出力Vより
ル0は第9図示のようになる。尚、ここでイメージセン
サ501の遮光部OBの出力は水平ブランキング期間H
−ELKのバックポーチに於いて得られる。
ル0は第9図示のようになる。尚、ここでイメージセン
サ501の遮光部OBの出力は水平ブランキング期間H
−ELKのバックポーチに於いて得られる。
又、このサンプルホールド回路502の出力はり2ング
回路505に於いて、第9図示のクランプパルスapo
B#cよってクランプされる。クランプ回路503の出
力はプロセス回路に於いてγ補正、アパーチャー補正等
の補正を受けると共にち複合同期信号や複合ブランキン
グ信号と混合されてから、記録装置505に導びかれる
。
回路505に於いて、第9図示のクランプパルスapo
B#cよってクランプされる。クランプ回路503の出
力はプロセス回路に於いてγ補正、アパーチャー補正等
の補正を受けると共にち複合同期信号や複合ブランキン
グ信号と混合されてから、記録装置505に導びかれる
。
ここで本実施例では再結合制御手段としての第2のクロ
ックジェネレータ514から第9図示のような所定の期
間だけパルスφabが出力され、これがABパルスφA
Eとしてイメージセンサの電極P1又はP2に選択的に
印加される。
ックジェネレータ514から第9図示のような所定の期
間だけパルスφabが出力され、これがABパルスφA
Eとしてイメージセンサの電極P1又はP2に選択的に
印加される。
、 、ハルスφaB+−jパルスφp+又1dパルスφ
P2に17・イールドずつ交互に重畳されるよう、ドラ
イバー506においてスイッチング制御が為されている
。
P2に17・イールドずつ交互に重畳されるよう、ドラ
イバー506においてスイッチング制御が為されている
。
又、パルスφP、とφP2とは1フイ一ルド分だけ位相
がずれて29、従りてフィールド扮にポテンシャルウェ
ルとポテンシャルバリアの位置が’uL M p j
l P 2の分だけずれる。これによってインターレー
スが為される。
がずれて29、従りてフィールド扮にポテンシャルウェ
ルとポテンシャルバリアの位置が’uL M p j
l P 2の分だけずれる。これによってインターレー
スが為される。
面、前6己パルスφAB&まボテンシャルバリアを形成
していない方のα極に対して重畳きれる。
していない方のα極に対して重畳きれる。
パルスφabがa極P1に印加されている間はパルスφ
P1ば0ボルトに切換えられる。又、パルスφabが電
極P2に印加されているif5はパルスφpzFioボ
ルトに切換えられる。
P1ば0ボルトに切換えられる。又、パルスφabが電
極P2に印加されているif5はパルスφpzFioボ
ルトに切換えられる。
従ってABパルスφAEが電極P1又はP2に印加され
ている間は所足量以上の過剰電荷に表面再結合してしま
いプルーミング等が防止される。
ている間は所足量以上の過剰電荷に表面再結合してしま
いプルーミング等が防止される。
尚、アンチブルーミングパルスφABは垂直転送期間中
は作用しないように為されている。
は作用しないように為されている。
父、本実施例では、禁止手段として機能するデコーダー
511の出力JICNABLg−ABによシフランプパ
ルス0FOBのハイレベルの期間即ちクランプ動作が行
なわれる間ABパルスφABはカントされ、一定の¥I
C立が供給される。
511の出力JICNABLg−ABによシフランプパ
ルス0FOBのハイレベルの期間即ちクランプ動作が行
なわれる間ABパルスφABはカントされ、一定の¥I
C立が供給される。
従って、パルスφABの印加に伴l°りて発生するノイ
ズ(第9図示)によシフランプレベルが変動するおそれ
はない。
ズ(第9図示)によシフランプレベルが変動するおそれ
はない。
又、本実施例では、クランプパルスC!POBがノ・イ
レベルとなるタイミングt。よシ時間τだけ余裕をみた
早いタイミングtbからクランプ終T時点である時点t
(1までの間ABパルスφABの変動を禁止しているが
、これはABノイズの立下多部分がクランプ時に於(八
てビデオ信号に混入しないようにする為である。
レベルとなるタイミングt。よシ時間τだけ余裕をみた
早いタイミングtbからクランプ終T時点である時点t
(1までの間ABパルスφABの変動を禁止しているが
、これはABノイズの立下多部分がクランプ時に於(八
てビデオ信号に混入しないようにする為である。
又、本実7+m例では光学像をイメージセンナに入射し
ている1…、常時ABパルスを供給するので41なく、
はぼ水平ブランキング期間にのみ供給しているので画面
上のノイズを抑制し得る。
ている1…、常時ABパルスを供給するので41なく、
はぼ水平ブランキング期間にのみ供給しているので画面
上のノイズを抑制し得る。
しかも節4効来も病い。
ルスを印加するようにしてAるので一層プルールスを供
給してもTV画面内にはほとんどABノイズは混入しな
い事が確められた。
給してもTV画面内にはほとんどABノイズは混入しな
い事が確められた。
尚、本実施例ではイメージセンナとして2相、駆動方式
のフレーム・トランスファー型QCiD i例に挙げて
説明し、しかも1画素を形成する2つの電極の円の一方
を電圧−■1と+■3との間で振動させる事によシ過剰
電荷を表面再結合するようにしているが、例えば3相以
上の駆動方式であっても本発明が適用できる事Fi明ら
かである。
のフレーム・トランスファー型QCiD i例に挙げて
説明し、しかも1画素を形成する2つの電極の円の一方
を電圧−■1と+■3との間で振動させる事によシ過剰
電荷を表面再結合するようにしているが、例えば3相以
上の駆動方式であっても本発明が適用できる事Fi明ら
かである。
又、本実施例でばABパルスの周波数が比較的高い例を
示しているが、この周波数は低くても良く、その場合に
本発明はクランプ動作中にこのパルスの立上シや立下シ
等の変動部が入り込まないようにする為にABパルスの
立上り、立下シを禁止するものも含む。
示しているが、この周波数は低くても良く、その場合に
本発明はクランプ動作中にこのパルスの立上シや立下シ
等の変動部が入り込まないようにする為にABパルスの
立上り、立下シを禁止するものも含む。
又、本実施例では転送電極の1つにAllパルスを印加
する事によシミ荷再結合動作を行なっているが、ボテン
シャル−ウェル上に転送は極以外の4荷再結合の為の電
極をdけ、この電極にABパルスを供給するようにして
も良い。
する事によシミ荷再結合動作を行なっているが、ボテン
シャル−ウェル上に転送は極以外の4荷再結合の為の電
極をdけ、この電極にABパルスを供給するようにして
も良い。
又、本実施例では、少なく゛ともクランプ中は受光部の
蓄積状態を制御する為の信号が変化しないようにしてい
るが、この間に受光部のポテンシャル・ウェルに対して
印加されるφABのレベルは第5図に於ける電圧レベル
−V1でるっても良い。
蓄積状態を制御する為の信号が変化しないようにしてい
るが、この間に受光部のポテンシャル・ウェルに対して
印加されるφABのレベルは第5図に於ける電圧レベル
−V1でるっても良い。
又、本実施例ではAEパルスを水平ブランキング期間及
びその前後に供給するよう構成して込るが、本発明はク
ランプ中を除き撮像中は常時ABパルスを供給するよう
にしたものも含む。
びその前後に供給するよう構成して込るが、本発明はク
ランプ中を除き撮像中は常時ABパルスを供給するよう
にしたものも含む。
次に、本発明の第2の実施例について説明する。本実施
例は受光部の蓄積時間を制御するように構成した場合の
クランプの安定化を図るものである。
例は受光部の蓄積時間を制御するように構成した場合の
クランプの安定化を図るものである。
説明の簡略化のため、以下、周知の1相駆瞬クレームト
ランスフアー型COD (以下FTCOD ト略す)を
例にと9説明をする。尚、1相FTCODの基本構造に
第1図示のものと同じであるので一部同じ符4iを用い
て説明する。第10図(a)は1相FTCODの受光部
1及び蓄積部2の境界附近の構成の詳細を示すもので、
図中、OB、OW、VB。
ランスフアー型COD (以下FTCOD ト略す)を
例にと9説明をする。尚、1相FTCODの基本構造に
第1図示のものと同じであるので一部同じ符4iを用い
て説明する。第10図(a)は1相FTCODの受光部
1及び蓄積部2の境界附近の構成の詳細を示すもので、
図中、OB、OW、VB。
VWは1組によシ受光部1の各撮像セル2A及び蓄積部
2の各記憶セル6Aを構成する互いにボテンシャルの異
なる領域で、夫々のポテンシャルウェル、(、P(OB
)、P(OW)、P(VB)、P(VW)で表わすとす
ると、P(CB) > P(OW)、P(VE) >
P(VWンとなる様に形成されておシ、そして受光部1
に於ける領域aB、cwに対してはそれらの上に共通電
極(透明成極)2Bが、また蓄積部2に於ける領域OB
、Ofに対してはそれらの上に共通電極6Eが夫々形成
されていて、これら電極2E、 3ffiに相対的にロ
ウ・レベルの電圧(例えば−15ボルト)が附与される
と、上記4領域間のポテンシャルウェルの関係は、P(
CB) > p(cw) > p(vB)> p(vv
)となシ、また、相対的にハイ・レベルの電圧(例えば
0ボルト)が附与されると、P(VB) > P(VW
) > P(OB) > P(Oi+/) ト& ル様
+r 形成されている。O8はチャネル・ストッパ、A
Bけこれよシもバリアの高さにして低いアンチ・ブルー
ミングこバリア、ODはオーバー・フロー・ドレインで
、蓄積部2の各セル3Aは水平方向番てq夫々チャネル
・ストッパaSによシ区水平方向には、3セル毎に夫々
チャネル・ストッパC81アンチプルーミング・バリT
AB&び両側にアンチ・ブルーミング・バリアAflを
有するオーバー・フロー・ドレインODが配きれること
により区画されている。尚、本実施例では図示の如く、
受光部1に於けるアンチ・プルーミング・バリアAB及
びオーバー・フロー・ドレインOD(・ま、受光部1に
於ける、蓄積部2に最も近接したゴー終の1行に位置す
るセル2人の領域VWの部位に於いて溶積部2に於ける
チャネル・ストッパ(C対して接続されている。
2の各記憶セル6Aを構成する互いにボテンシャルの異
なる領域で、夫々のポテンシャルウェル、(、P(OB
)、P(OW)、P(VB)、P(VW)で表わすとす
ると、P(CB) > P(OW)、P(VE) >
P(VWンとなる様に形成されておシ、そして受光部1
に於ける領域aB、cwに対してはそれらの上に共通電
極(透明成極)2Bが、また蓄積部2に於ける領域OB
、Ofに対してはそれらの上に共通電極6Eが夫々形成
されていて、これら電極2E、 3ffiに相対的にロ
ウ・レベルの電圧(例えば−15ボルト)が附与される
と、上記4領域間のポテンシャルウェルの関係は、P(
CB) > p(cw) > p(vB)> p(vv
)となシ、また、相対的にハイ・レベルの電圧(例えば
0ボルト)が附与されると、P(VB) > P(VW
) > P(OB) > P(Oi+/) ト& ル様
+r 形成されている。O8はチャネル・ストッパ、A
Bけこれよシもバリアの高さにして低いアンチ・ブルー
ミングこバリア、ODはオーバー・フロー・ドレインで
、蓄積部2の各セル3Aは水平方向番てq夫々チャネル
・ストッパaSによシ区水平方向には、3セル毎に夫々
チャネル・ストッパC81アンチプルーミング・バリT
AB&び両側にアンチ・ブルーミング・バリアAflを
有するオーバー・フロー・ドレインODが配きれること
により区画されている。尚、本実施例では図示の如く、
受光部1に於けるアンチ・プルーミング・バリアAB及
びオーバー・フロー・ドレインOD(・ま、受光部1に
於ける、蓄積部2に最も近接したゴー終の1行に位置す
るセル2人の領域VWの部位に於いて溶積部2に於ける
チャネル・ストッパ(C対して接続されている。
次に第10図(b)は上記1相F’TOCDのfj積都
2及び水平レジスタ部6の境界附近の構成の詳細を示す
もので、図中、第10図(a)に於けると同一の符号の
ものは既述と全く同じ構成のもので3ちる。図示の如く
、水平レジスタ部6に於いても電荷の転送方向に沿って
偵欠配されたOB、 OW。
2及び水平レジスタ部6の境界附近の構成の詳細を示す
もので、図中、第10図(a)に於けると同一の符号の
ものは既述と全く同じ構成のもので3ちる。図示の如く
、水平レジスタ部6に於いても電荷の転送方向に沿って
偵欠配されたOB、 OW。
VB、VWの各領域の1但を以ってその各転送セル4A
が構成されておυ、且つ、各セル4Aは夫々記憶部乙の
異なりた列に対応させられている。
が構成されておυ、且つ、各セル4Aは夫々記憶部乙の
異なりた列に対応させられている。
更に詳しくは、水平レジスタ部6と蓄積部2との間には
CBの領域が介在させられており、各転送セル4Aはそ
の領域OVvの部位に於いて、この介在させられたCB
の領域を介して各記憶セル6への領域VWに対して対向
させられでいるものである。尚、4Eは各転送セル4A
の領域OB及びCW並ひに上記介在墓せられfc領域O
Bに対して設けられた共2[!i屯電極ある。
CBの領域が介在させられており、各転送セル4Aはそ
の領域OVvの部位に於いて、この介在させられたCB
の領域を介して各記憶セル6への領域VWに対して対向
させられでいるものである。尚、4Eは各転送セル4A
の領域OB及びCW並ひに上記介在墓せられfc領域O
Bに対して設けられた共2[!i屯電極ある。
斯かる構成のCODにあっては、上記谷成極2g、 3
ff、 4Bに対する附与妊圧を夫々ハイ・レベルとロ
ウ・レベルとの1目jで交互させると、< <trは受
光部1では第10図(a)中に矢印A、A’で示す様I
こ、また、蓄積部2でViW、 1013(a) 、
(b)中に矢印B、B’で示す様に、また、蓄積部2と
水平レジスタ部6との間では第1o11(b)中に矢印
0 、 C′で示す様に、そして、また、水平レンスタ
部6では第10図(b)中に矢印り、O’で示す様に多
動し、これによシ、電荷の受光部1から蓄積部2への垂
直転送、蓄積部2から水平レジスタ部3へのステップ伝
送、そして、水平レジスタ部5内での水平転送の各作用
が得られることになる訳である。尚、どう迄もなく、受
光期間中、即ち、光情報の蓄積期間中は、受光部1の屯
+Lj!、2Eに対する附与旺圧はロウ若しくUハイ・
レベルに維持されて、光励起によ!l1発生した重荷は
各セル2への領域VW(ロウ・レベルの場合)若しりV
i領域CW(ハイ・レベルの場合)に蓄積されるもので
ある。そして、この時に例えば光量過多によって電荷の
オーバー・フローを生じた場合には、アンチ・ブルーミ
ング バリアAB(il−越える電荷のオーバー・フロ
ー分がオーバー・フロー・ドレインODに流れ込み、ク
リアされる。或いは受光期間中は、成極21C対する電
圧を中間レベル(例えは−7ボルト)に維持することに
よシポテンシャルのta 係i: P(OB ) =P
(VB) ) P(OW) −P(VW)となる様にし
て、光励起+Cよシ発生した心術が領域ctv、vwの
夫々に蓄積される様にしく即ち、これは等価的に領域C
B及びCWから成る撮像セル並びに領域VB及び’vw
から成る撮像セルを形成したことに外ならない)、そし
て、「延性の、受光部1がら蓄積部2への垂直転送に際
、し、上記電圧を中間レベルからロウ・レベル(−15
ボルト)若しくはハイ・レベル(0ボルト)に切換える
こと【cよp領域CWの蓄積電荷と領域v viの蓄積
電荷とを適宜加算して1ライン分の信号となし、この加
算の組合せを奇数フィールドと偶数フィールドとで変え
る(即ち、これは、上記准圧tI−P間レベルからロウ
・レベルに切換えるか、ハイ・レベルに切換えるかによ
って変わる)ことにょジインターレース機能を得る様に
しても良いものである。
ff、 4Bに対する附与妊圧を夫々ハイ・レベルとロ
ウ・レベルとの1目jで交互させると、< <trは受
光部1では第10図(a)中に矢印A、A’で示す様I
こ、また、蓄積部2でViW、 1013(a) 、
(b)中に矢印B、B’で示す様に、また、蓄積部2と
水平レジスタ部6との間では第1o11(b)中に矢印
0 、 C′で示す様に、そして、また、水平レンスタ
部6では第10図(b)中に矢印り、O’で示す様に多
動し、これによシ、電荷の受光部1から蓄積部2への垂
直転送、蓄積部2から水平レジスタ部3へのステップ伝
送、そして、水平レジスタ部5内での水平転送の各作用
が得られることになる訳である。尚、どう迄もなく、受
光期間中、即ち、光情報の蓄積期間中は、受光部1の屯
+Lj!、2Eに対する附与旺圧はロウ若しくUハイ・
レベルに維持されて、光励起によ!l1発生した重荷は
各セル2への領域VW(ロウ・レベルの場合)若しりV
i領域CW(ハイ・レベルの場合)に蓄積されるもので
ある。そして、この時に例えば光量過多によって電荷の
オーバー・フローを生じた場合には、アンチ・ブルーミ
ング バリアAB(il−越える電荷のオーバー・フロ
ー分がオーバー・フロー・ドレインODに流れ込み、ク
リアされる。或いは受光期間中は、成極21C対する電
圧を中間レベル(例えは−7ボルト)に維持することに
よシポテンシャルのta 係i: P(OB ) =P
(VB) ) P(OW) −P(VW)となる様にし
て、光励起+Cよシ発生した心術が領域ctv、vwの
夫々に蓄積される様にしく即ち、これは等価的に領域C
B及びCWから成る撮像セル並びに領域VB及び’vw
から成る撮像セルを形成したことに外ならない)、そし
て、「延性の、受光部1がら蓄積部2への垂直転送に際
、し、上記電圧を中間レベルからロウ・レベル(−15
ボルト)若しくはハイ・レベル(0ボルト)に切換える
こと【cよp領域CWの蓄積電荷と領域v viの蓄積
電荷とを適宜加算して1ライン分の信号となし、この加
算の組合せを奇数フィールドと偶数フィールドとで変え
る(即ち、これは、上記准圧tI−P間レベルからロウ
・レベルに切換えるか、ハイ・レベルに切換えるかによ
って変わる)ことにょジインターレース機能を得る様に
しても良いものである。
次に、以上に説明したCODを対象にした場合の本発明
の実施例について第11因を参照して説明する。−11
1図は上記(極2Eに対して附与式れる制御信号φ工、
1他3Eに対して附与される制御信号φ日及び′(社)
極4Eに対して耐与される水平転送パルス列φTについ
て示すものでうる。
の実施例について第11因を参照して説明する。−11
1図は上記(極2Eに対して附与式れる制御信号φ工、
1他3Eに対して附与される制御信号φ日及び′(社)
極4Eに対して耐与される水平転送パルス列φTについ
て示すものでうる。
先ず、奇数フィールドの読み出しに際しては奇数フィー
ルド期間に先行する垂直ブランキング期間の開始と共に
、上記制御信号も及びφSとして互いに同期した垂直転
送パルス列φニー1 及びφB−1が附与される。ここ
で各セル2A、5Aの垂直方向の配列数、即ち、行数を
共にnとするとき、上記パルス列φニー1.φS−1は
共にn 11ffiのノくルスを含むものであシ、そし
てこの時のノくルス周波数をfとすると、斯かる垂直転
送ノ(ルス列φニー1.φB−1が附与されること(て
よシフ×n、即ち、数Hの期jij内に受光部1から蓄
積部2へと′α句の垂直転送が行われる。そして、この
後、受光部1でI″i新らたなtt荷の蓄積が開始され
る訳であるが、そのために制御信号φ工は例えばロウ・
レベル(−15ボルト)若しくは中間レベル(−7ボル
ト)に維持される。
ルド期間に先行する垂直ブランキング期間の開始と共に
、上記制御信号も及びφSとして互いに同期した垂直転
送パルス列φニー1 及びφB−1が附与される。ここ
で各セル2A、5Aの垂直方向の配列数、即ち、行数を
共にnとするとき、上記パルス列φニー1.φS−1は
共にn 11ffiのノくルスを含むものであシ、そし
てこの時のノくルス周波数をfとすると、斯かる垂直転
送ノ(ルス列φニー1.φB−1が附与されること(て
よシフ×n、即ち、数Hの期jij内に受光部1から蓄
積部2へと′α句の垂直転送が行われる。そして、この
後、受光部1でI″i新らたなtt荷の蓄積が開始され
る訳であるが、そのために制御信号φ工は例えばロウ・
レベル(−15ボルト)若しくは中間レベル(−7ボル
ト)に維持される。
その後、上記制御信号φSとしてステップ転送パルス列
φS−2が上記蓄積部2に附与されると共に、これに対
応して上記水平レジスタ部3に水平転送パルス列φTが
附与され、これにより蓄積部2の記憶電荷が1ライン分
ずつ、順次水平レジスタ部3を通じて読み出される様に
なる。
φS−2が上記蓄積部2に附与されると共に、これに対
応して上記水平レジスタ部3に水平転送パルス列φTが
附与され、これにより蓄積部2の記憶電荷が1ライン分
ずつ、順次水平レジスタ部3を通じて読み出される様に
なる。
以上の様にして奇数フィールドの読み出しが終了すると
、伏く垂直ブランキング期間に於て再び垂直転送パルス
列φニー1及びφ8−2が1jft与芒れて電荷の垂直
転送が行われ、その後受光部1では再び゛電荷の蓄積が
開始される一方、蓄積部2及び水平レジスタ部3に対し
再び夫々ステップ転送パルス列φト2及び水平転送パル
ス列φTが附与されて偶数フィールドの匿み出しが行わ
れる様になる。
、伏く垂直ブランキング期間に於て再び垂直転送パルス
列φニー1及びφ8−2が1jft与芒れて電荷の垂直
転送が行われ、その後受光部1では再び゛電荷の蓄積が
開始される一方、蓄積部2及び水平レジスタ部3に対し
再び夫々ステップ転送パルス列φト2及び水平転送パル
ス列φTが附与されて偶数フィールドの匿み出しが行わ
れる様になる。
以上の様にして奇数フィールド及び偶数フィールドの読
み出しが交互的に繰り返えされる。
み出しが交互的に繰り返えされる。
これに対し、本実施例では、必要に応じて、例えば、蓄
積部2からの記憶電荷の読み出し中適当な時期に於て、
受光部1に対し垂直転送パルス列φニー1と同等の心術
クリア・パルス列行−2が附与される。即ち、これによ
シ受光部1では電荷の、蓄積部2へ向けての垂+i1.
li送が行われる訳であるが、この時、蓄積部2は電
荷のステップ転送モードにあって、受光部1から送られ
て来る4荷をその垂直転送に合わせて取り込む状態にな
いだめに結果的に受光部1でには荷のオーバー・70−
を生じ、そしてそれはオーバー・フロー・ドレインoD
(g1o図(a))に流れ込んでクリアされることにな
る。ここで、電荷クリア・パルス列φI−2としては、
少なくとも上記のライン数n 、IJ上のノくルスが附
与でれるものである。また、その周波数f′については
任意であり、高周波にすることによシ゛屈荷クリアを極
く短詩IH1のうちに行い得る効果があり0但しあまシ
高周波にすると周囲の様に電荷の転送効率が悪化してク
リアの効率が悪くなる。他方、低周波をてするとクリア
ζて時間を要して、電荷の蓄積部2への流入の機会が増
して影響を与え易くなるので、これらを考慮して適宜選
ばれるべきである。勿論、f’=fであっても良い。こ
れにより従来の、1垂直間期期間にほぼ対応したTに対
し、これよシもはるかに短かい、例えば第1図中、T1
で示す如き時間を得ることが出来るものである。そして
この場合の蓄積時間は、第1図中、クリア・パルス列φ
ニー2に対して矢印を附して示す様に、例えば、垂直ブ
ランキング期間の開始から起算した、クリア・ノ(ルス
列φニー2の附与開始迄の時間T2を制御して、該)く
ルス列φニー2の附与タイミングを変化させることで適
宜変化させることが出来るものである。
積部2からの記憶電荷の読み出し中適当な時期に於て、
受光部1に対し垂直転送パルス列φニー1と同等の心術
クリア・パルス列行−2が附与される。即ち、これによ
シ受光部1では電荷の、蓄積部2へ向けての垂+i1.
li送が行われる訳であるが、この時、蓄積部2は電
荷のステップ転送モードにあって、受光部1から送られ
て来る4荷をその垂直転送に合わせて取り込む状態にな
いだめに結果的に受光部1でには荷のオーバー・70−
を生じ、そしてそれはオーバー・フロー・ドレインoD
(g1o図(a))に流れ込んでクリアされることにな
る。ここで、電荷クリア・パルス列φI−2としては、
少なくとも上記のライン数n 、IJ上のノくルスが附
与でれるものである。また、その周波数f′については
任意であり、高周波にすることによシ゛屈荷クリアを極
く短詩IH1のうちに行い得る効果があり0但しあまシ
高周波にすると周囲の様に電荷の転送効率が悪化してク
リアの効率が悪くなる。他方、低周波をてするとクリア
ζて時間を要して、電荷の蓄積部2への流入の機会が増
して影響を与え易くなるので、これらを考慮して適宜選
ばれるべきである。勿論、f’=fであっても良い。こ
れにより従来の、1垂直間期期間にほぼ対応したTに対
し、これよシもはるかに短かい、例えば第1図中、T1
で示す如き時間を得ることが出来るものである。そして
この場合の蓄積時間は、第1図中、クリア・パルス列φ
ニー2に対して矢印を附して示す様に、例えば、垂直ブ
ランキング期間の開始から起算した、クリア・ノ(ルス
列φニー2の附与開始迄の時間T2を制御して、該)く
ルス列φニー2の附与タイミングを変化させることで適
宜変化させることが出来るものである。
尚、ここで上述の様に、上記受光部1からの(社)荷の
クリアは該受光部1に設けられたオーバー・フロー・ド
レインODを利用して行われるものであるが、この電荷
のクリアについてのみ考えれば、上記オーバー・フロー
・ドレインOJ)は、クリえば本注出願人に係る先の特
願昭57−218882号に於いて提案きれている様に
、受光部1と蓄積部2との境界附近のみに設ける様にし
ても良いものである。
クリアは該受光部1に設けられたオーバー・フロー・ド
レインODを利用して行われるものであるが、この電荷
のクリアについてのみ考えれば、上記オーバー・フロー
・ドレインOJ)は、クリえば本注出願人に係る先の特
願昭57−218882号に於いて提案きれている様に
、受光部1と蓄積部2との境界附近のみに設ける様にし
ても良いものである。
次に以上に説明した制御信号及びパルス列を得るための
回路系の具体例について第12図を参照して説明する。
回路系の具体例について第12図を参照して説明する。
第12図に於いて、211は所定周波数の基準クロック
・パルスを発生する発振回路、212は該発振回路21
1からの基進クロック・パルスに基づき、第11図で説
明したパルス列φニー1.φ8−1゜φB2を含む制御
信号φS、φT及び出力アンプ部45に対するリセット
・パルス列φR1並びにテレビジョン用垂直同期信号”
So及び水平同期信号H2C更に第1図示の遮光部に対
応したタイミングで出力さnるハイレベルのフラングパ
ルスC!POBを形成するタイピング信号発生回路で、
これは周知の如く、分周器、カウンタ、ROM、ノリツ
ブフロップ、ロジック・ゲート等を以って構成てれてい
る。尚、斯かるタイミング信号発生回路については既に
周知のものであるから、ここではその詳細についての説
明は割愛する。
・パルスを発生する発振回路、212は該発振回路21
1からの基進クロック・パルスに基づき、第11図で説
明したパルス列φニー1.φ8−1゜φB2を含む制御
信号φS、φT及び出力アンプ部45に対するリセット
・パルス列φR1並びにテレビジョン用垂直同期信号”
So及び水平同期信号H2C更に第1図示の遮光部に対
応したタイミングで出力さnるハイレベルのフラングパ
ルスC!POBを形成するタイピング信号発生回路で、
これは周知の如く、分周器、カウンタ、ROM、ノリツ
ブフロップ、ロジック・ゲート等を以って構成てれてい
る。尚、斯かるタイミング信号発生回路については既に
周知のものであるから、ここではその詳細についての説
明は割愛する。
213は上β己発振回路211からのクロック・パルス
を分周して電荷クリア・パルス列φニー2の基いとなる
周波数f′のクロック・パルスを得るための分周回路、
214は上記タイミング信号発生回路212からの水平
同期信号useの立下ptカウントするプリセッタブル
・カウンタで、同回路212からの垂直同期信号VaC
を反転するインバーター215のハイ出力によシリセッ
トされる。
を分周して電荷クリア・パルス列φニー2の基いとなる
周波数f′のクロック・パルスを得るための分周回路、
214は上記タイミング信号発生回路212からの水平
同期信号useの立下ptカウントするプリセッタブル
・カウンタで、同回路212からの垂直同期信号VaC
を反転するインバーター215のハイ出力によシリセッ
トされる。
216ri上記カウンタ214に対するプリセント回路
、217は蓄積時間選択用の、し1]えば、ディジタル
・コード・スイッチで、該スイッチ217の操作により
プリセット回路216を通じてカウンタ214に対し、
例えば、第11図で説明した電荷蓄積時間T1に対応し
たデータをプリセットする。ここで、上記カウンタ21
4は例えは1垂直向期期間(1フイ一ルド期間)内に含
まれる水平同期信号数(例えば250程度)にほぼ対応
した数(例えば256)の最大カウント谷址を有してい
るものであシ、従って、上記プリセット回路216を通
じて面積時間T1に応じたデータ全プリセットすること
によシ該カウンタ214のキャリー出力は実質的に第1
1図で述べた期間T2を規定することになる。218V
i上記タイミ゛ング信号発生回路212からの垂直同期
信号■scの立下シによってリセットされると共に、カ
ウンタ214のキャリー出力の立°ドシによってセット
される7リツグ・70ツブ、219F′i上V己分周回
路213の出力パルスの立下シをカウントするカウンタ
で、ここでは上記クリップ・70ソゲ218のζ出力の
ハイにょシリセットされると共に、(n+m)カウント
でキャリ出力を発生する様に為されている。ここでmは
数10程度のマージンである。220は上d己7リツブ
・70ツブ218のζ出力の立下シによってリセットさ
れると共に上記カウンタ219のキャリ出力を反転させ
るインバータ221の出力の立下シによってセットされ
るクリップフロップ、222は分周回路213の出力パ
ルスと上記クリップ・70ツブ220のζ出力と前記り
2ンプパルス0POBの反転出力とを受けるアンド回路
で、その出力が電荷クリア・パルス列φI−2となる。
、217は蓄積時間選択用の、し1]えば、ディジタル
・コード・スイッチで、該スイッチ217の操作により
プリセット回路216を通じてカウンタ214に対し、
例えば、第11図で説明した電荷蓄積時間T1に対応し
たデータをプリセットする。ここで、上記カウンタ21
4は例えは1垂直向期期間(1フイ一ルド期間)内に含
まれる水平同期信号数(例えば250程度)にほぼ対応
した数(例えば256)の最大カウント谷址を有してい
るものであシ、従って、上記プリセット回路216を通
じて面積時間T1に応じたデータ全プリセットすること
によシ該カウンタ214のキャリー出力は実質的に第1
1図で述べた期間T2を規定することになる。218V
i上記タイミ゛ング信号発生回路212からの垂直同期
信号■scの立下シによってリセットされると共に、カ
ウンタ214のキャリー出力の立°ドシによってセット
される7リツグ・70ツブ、219F′i上V己分周回
路213の出力パルスの立下シをカウントするカウンタ
で、ここでは上記クリップ・70ソゲ218のζ出力の
ハイにょシリセットされると共に、(n+m)カウント
でキャリ出力を発生する様に為されている。ここでmは
数10程度のマージンである。220は上d己7リツブ
・70ツブ218のζ出力の立下シによってリセットさ
れると共に上記カウンタ219のキャリ出力を反転させ
るインバータ221の出力の立下シによってセットされ
るクリップフロップ、222は分周回路213の出力パ
ルスと上記クリップ・70ツブ220のζ出力と前記り
2ンプパルス0POBの反転出力とを受けるアンド回路
で、その出力が電荷クリア・パルス列φI−2となる。
223 id上記タイミング信号発生回路212からの
パルス列φニー1と上記アンド回路222からの重荷ク
リア・パルス列φニー2とを受けるオア回路で、この出
力は受光部2に対する制飾信号術となる。又、カウンタ
219、インバータ221、ノリツブフロップ220等
によシ本発明に係る蓄積制御手段又はクリア手段が構成
されている。
パルス列φニー1と上記アンド回路222からの重荷ク
リア・パルス列φニー2とを受けるオア回路で、この出
力は受光部2に対する制飾信号術となる。又、カウンタ
219、インバータ221、ノリツブフロップ220等
によシ本発明に係る蓄積制御手段又はクリア手段が構成
されている。
以上の構成に於て、不図示の電源回路から給電が開始さ
れると各回路が作動を開始し、そして、タイミング信号
発生回路212よシ各種制御信号乃至パルスよシナニー
1.φ日(φ日−1.φB−2LφT、φR2VSO・
I(SC及び0POEの出力が開始される。そしてこの
時、垂直同期信号■scの立ドシによシフリップ・フロ
ップ218がリセットされてそのζ出力がハイになり、
これによシヵウンタ219がリセット状態(カウント不
能状態)に設定される。
れると各回路が作動を開始し、そして、タイミング信号
発生回路212よシ各種制御信号乃至パルスよシナニー
1.φ日(φ日−1.φB−2LφT、φR2VSO・
I(SC及び0POEの出力が開始される。そしてこの
時、垂直同期信号■scの立ドシによシフリップ・フロ
ップ218がリセットされてそのζ出力がハイになり、
これによシヵウンタ219がリセット状態(カウント不
能状態)に設定される。
また、垂直同期信号■sc全反転させるインバータ21
5のハイ出力によシカウンタ214カリセットされ、そ
して、これはその後、水平同期信号l(日Cをカウント
する様&Cなる。この1日]、OCDでは1に荷の、受
光部1から蓄積部2への垂直転送並びに、その後の、電
荷の、蓄積部2がらの読み出しが行われている訳である
が、ここで、上記カウンタ214はその最大カウント容
量からプリセット回路216からの、磁荷畜積時間T1
に対応したプリセット・データを差℃引いた1直をカウ
ントし終るとキャリ出力を発生し、そしてその立下シに
よシフリップ・70ツブ218がセットされてそのζ出
力はロウになる。これにょシカウンタ219はそのリセ
ットを解かれることによυ分周回路216からのパルス
の立下シをカウントし始め、また、この時、7リツプ・
70ツブ218のQ出力の立下りによりフリップフロッ
プ220がリセットされてその(出力が7・イになる。
5のハイ出力によシカウンタ214カリセットされ、そ
して、これはその後、水平同期信号l(日Cをカウント
する様&Cなる。この1日]、OCDでは1に荷の、受
光部1から蓄積部2への垂直転送並びに、その後の、電
荷の、蓄積部2がらの読み出しが行われている訳である
が、ここで、上記カウンタ214はその最大カウント容
量からプリセット回路216からの、磁荷畜積時間T1
に対応したプリセット・データを差℃引いた1直をカウ
ントし終るとキャリ出力を発生し、そしてその立下シに
よシフリップ・70ツブ218がセットされてそのζ出
力はロウになる。これにょシカウンタ219はそのリセ
ットを解かれることによυ分周回路216からのパルス
の立下シをカウントし始め、また、この時、7リツプ・
70ツブ218のQ出力の立下りによりフリップフロッ
プ220がリセットされてその(出力が7・イになる。
これによりアンド回路222は分周回路216からの周
波数f′のパルス列を出力する様になシ、そして、これ
は、オア回路225を通じて電荷クリア・パルス列φニ
ー2として出力される様になる。
波数f′のパルス列を出力する様になシ、そして、これ
は、オア回路225を通じて電荷クリア・パルス列φニ
ー2として出力される様になる。
これによI) CODでは受光部1から、それ迄に、即
ち、第11図のJtJ]間T2間開2蓄積された゛は荷
が上述した作用によってクリアされる様になる。
ち、第11図のJtJ]間T2間開2蓄積された゛は荷
が上述した作用によってクリアされる様になる。
そして、カウンタ219 ft、 n + mをカウン
トし終ると、次の(n+m+1)カウント目でキャリ出
力を発生する訳であるが、この時の、該キャリ出力を反
転させるインバータ221の出力の立下シによりフリッ
プ・フロップ220がセットされてその(出力はロウに
なシ、これによシアンド回路222からのパルス列、即
ち、クリア・パルス列φニー2の出力が断たれる様にな
る。ぞしてその後、はぼ成行蓄積時間T1が経過すると
、CODでは上述した様に電荷の、受光部1から蓄積部
2への垂1ば転送が行なわれその後、水平レジスタ部3
を通じて読み出される様になる。以丁、同様の動作が繰
り返えされる。
トし終ると、次の(n+m+1)カウント目でキャリ出
力を発生する訳であるが、この時の、該キャリ出力を反
転させるインバータ221の出力の立下シによりフリッ
プ・フロップ220がセットされてその(出力はロウに
なシ、これによシアンド回路222からのパルス列、即
ち、クリア・パルス列φニー2の出力が断たれる様にな
る。ぞしてその後、はぼ成行蓄積時間T1が経過すると
、CODでは上述した様に電荷の、受光部1から蓄積部
2への垂1ば転送が行なわれその後、水平レジスタ部3
を通じて読み出される様になる。以丁、同様の動作が繰
り返えされる。
以上の様にして、CODの受光部1の鉱荷蓄積時間とし
て1垂直向期期間Tよシも短A時間T1が得られる様に
なる。そして、本実施しJに於ては、この時間T、は、
ディジタル・コード・スイッチ217を操作してカウン
タ214にズ1するプリセット匝を変えること(Cよシ
圧意に変化させ得る。
て1垂直向期期間Tよシも短A時間T1が得られる様に
なる。そして、本実施しJに於ては、この時間T、は、
ディジタル・コード・スイッチ217を操作してカウン
タ214にズ1するプリセット匝を変えること(Cよシ
圧意に変化させ得る。
又、本実施例ではハイレベルのクランプパルスがタイミ
ング信号発生回路212よシ出力されている間はアンド
回路222の出力がローレベルとなる様構成されてAる
。即ち、タイミング信号発生回路212からのクランプ
パルスを反転した後、アンド回路222に入力するよう
構成しているのでこのアンド回路222にょシ本発明に
係る禁出手段が形成されている。
ング信号発生回路212よシ出力されている間はアンド
回路222の出力がローレベルとなる様構成されてAる
。即ち、タイミング信号発生回路212からのクランプ
パルスを反転した後、アンド回路222に入力するよう
構成しているのでこのアンド回路222にょシ本発明に
係る禁出手段が形成されている。
尚、電荷クリアの為のパルスφニー2は元々n+mだけ
供給されるよう構成されているからクジング期間中これ
全カットしたとしても受光部1全体の電荷をドレインを
介して排出する事が可能である。
供給されるよう構成されているからクジング期間中これ
全カットしたとしても受光部1全体の電荷をドレインを
介して排出する事が可能である。
尚、上記タイミング信号発生回路212からの制御信号
乃至パルス列φS(φs−1.φ5−2)lφT及びφ
R並びに、オア回路223からの制御1G号φ工(φト
1゜φニー2)は心安に応じて填圧調整回路等でレベル
を調整され′/?C後、CCD1←C附与でれるもので
ある。
乃至パルス列φS(φs−1.φ5−2)lφT及びφ
R並びに、オア回路223からの制御1G号φ工(φト
1゜φニー2)は心安に応じて填圧調整回路等でレベル
を調整され′/?C後、CCD1←C附与でれるもので
ある。
尚、第12図の例でi−1:電荷蓄積時間T1をディジ
タル・コード・スイッチ217の操作により選択し得る
様にしているが、これは、例えば、被撮像体の明るでの
情報等に基づいて自動的に調節する様にしても良いもの
である。第13図は、その場合の2つの例を示すもので
ある。
タル・コード・スイッチ217の操作により選択し得る
様にしているが、これは、例えば、被撮像体の明るでの
情報等に基づいて自動的に調節する様にしても良いもの
である。第13図は、その場合の2つの例を示すもので
ある。
先ず、第16図(a)はCODの出力に基づいて自動制
御する様にした場合の例を示すもので、図に於て、22
4(σCCDの出力、若しくは、これを処理することに
よって得られる越1]及信号のビーり検出回路、225
シま上記垂直向ル」信号VSC金反転させるインバータ
226のハイ出力に応答して該ビーク検出回路224の
出力をホールドするサンプル・ホールド回路、227は
該サンプル・ホールド回路226の出力をA / D
i侠するA’/D変換回路、228は該fi−/ D変
ゴ灸回路227の、b力データを蓄積時間データに変換
するデータ変俣回路で、その出力は第12図のプリセッ
ト回路215C附与される。ここで、該データ変侠回路
228け、CODの出力の輝度レベルが^もければ高い
程、A/D変挨変格回路227なるデータを出力するも
のとすれば、これと逆比’/1lBlj係の、即ち、よ
シ小さなデータを出力する芽に構成されるものである。
御する様にした場合の例を示すもので、図に於て、22
4(σCCDの出力、若しくは、これを処理することに
よって得られる越1]及信号のビーり検出回路、225
シま上記垂直向ル」信号VSC金反転させるインバータ
226のハイ出力に応答して該ビーク検出回路224の
出力をホールドするサンプル・ホールド回路、227は
該サンプル・ホールド回路226の出力をA / D
i侠するA’/D変換回路、228は該fi−/ D変
ゴ灸回路227の、b力データを蓄積時間データに変換
するデータ変俣回路で、その出力は第12図のプリセッ
ト回路215C附与される。ここで、該データ変侠回路
228け、CODの出力の輝度レベルが^もければ高い
程、A/D変挨変格回路227なるデータを出力するも
のとすれば、これと逆比’/1lBlj係の、即ち、よ
シ小さなデータを出力する芽に構成されるものである。
即ち、ここでは、A/ DfM回路227の出力データ
が第11図で述べた期間T2に対応していると理解すれ
ば良い訳である。
が第11図で述べた期間T2に対応していると理解すれ
ば良い訳である。
229 idナンブル・ホールドロ路225によるピー
ク検出回路224の出力のホールドが光rした後に該ビ
ークゆ出回路224を、新らたなビークIL1の検出の
ためにクリアするべく設けらJ’した迎延回路である。
ク検出回路224の出力のホールドが光rした後に該ビ
ークゆ出回路224を、新らたなビークIL1の検出の
ためにクリアするべく設けらJ’した迎延回路である。
また、第16図(b)に示すレリは、CODの受光部1
が受ける光と回等の光を測定して、その測定値iC基づ
いて自th fttli仰する様にした場合の例を示す
もので、これは、第13図(a)に於けるピーク(検出
回路224(及び遅延回路229)を、CODの受光部
1が受&−する光と同等の光を受ける様に為された測定
部子250aを有する測定回路260で置換して、その
6(す矩出力をナンプル・ホールド回路225の人力と
する様にしたものである。
が受ける光と回等の光を測定して、その測定値iC基づ
いて自th fttli仰する様にした場合の例を示す
もので、これは、第13図(a)に於けるピーク(検出
回路224(及び遅延回路229)を、CODの受光部
1が受&−する光と同等の光を受ける様に為された測定
部子250aを有する測定回路260で置換して、その
6(す矩出力をナンプル・ホールド回路225の人力と
する様にしたものである。
斯くして、この第13図に示す2つ例によれば、COD
の受光部1のlシ荷蓄積時間T1を被撮像体の明るさの
前報番て基づいて自動制イ即することが可能となる。
の受光部1のlシ荷蓄積時間T1を被撮像体の明るさの
前報番て基づいて自動制イ即することが可能となる。
尚、本メ施ThJで(1受光部の電荷を所定の一部に束
中させる讃によ’) 甑hill的にオーバーフローを
起こし、このオーバー70−した電荷を排出する為のド
レインを設ける事によって受光部のクリアと行なってい
るが、例えば受光部内にドレインを設けると共(C1受
光部内の各受光領域のta荷をポテンシャルレベルの1
シリ倒町1巨なバリア又Qゴゲートを介して選択的に罰
i己ドレインに排出し得るよう構成したものに於ても、
本発明を適用可能である事は言う葉でもない。即ち、こ
の場合」ζも、やはりフラング’4−’ bi前前記バ
リススゲートのボテン7−t’ルレベルを2テ化させな
いよう禁止手段全働かせる争により、クランプ動作の誤
動作を防止できろ。
中させる讃によ’) 甑hill的にオーバーフローを
起こし、このオーバー70−した電荷を排出する為のド
レインを設ける事によって受光部のクリアと行なってい
るが、例えば受光部内にドレインを設けると共(C1受
光部内の各受光領域のta荷をポテンシャルレベルの1
シリ倒町1巨なバリア又Qゴゲートを介して選択的に罰
i己ドレインに排出し得るよう構成したものに於ても、
本発明を適用可能である事は言う葉でもない。即ち、こ
の場合」ζも、やはりフラング’4−’ bi前前記バ
リススゲートのボテン7−t’ルレベルを2テ化させな
いよう禁止手段全働かせる争により、クランプ動作の誤
動作を防止できろ。
(効 果)
以上説明した如く、本発明(てよれVゴナなくともタラ
ンプ回路によるフラング動f′ト中は幕i′状、弗全制
御する為の信号の変1にを禁止する禁止手段を設けたの
で、lI!ii面内しこ痔引き上の低周波ノイズが混入
する事がなくなる。
ンプ回路によるフラング動f′ト中は幕i′状、弗全制
御する為の信号の変1にを禁止する禁止手段を設けたの
で、lI!ii面内しこ痔引き上の低周波ノイズが混入
する事がなくなる。
又、クランプ動作中は電荷再結合の為の1に号の変化を
禁止しているので、ブルーミング〃二防止できるだけで
なく、クランプ動作も安定する。
禁止しているので、ブルーミング〃二防止できるだけで
なく、クランプ動作も安定する。
又、クランプ動作中は蓄積時間制御の為の電荷クリア状
態の変化を禁止しているのでシャッター効果が得られる
だけでなく、クランプ動作が正確となる、等多くの効果
を有する。
態の変化を禁止しているのでシャッター効果が得られる
だけでなく、クランプ動作が正確となる、等多くの効果
を有する。
第1図はイメージセンナの例を示す図、第2図は各成極
rのポテンシャル・プロフィールのしUを示す図、第6
図は成極は立に応じたボテンンヤル4註を示す図、第4
図(a) 、 (b)ばABノイズの発生原因を説明す
る為の図、第5図(まクリアパルスによる蓄積時間制御
方法について示す図、第6図はクリアパルスとクランク
パルスノ関係(てついて示す図、第7図は第5、第6図
示の」4合番て於ける欠点を説明する図、第8図は本発
明の撮像装置の柩1天施例図、第9図はそのタイミング
図、第10図<e、)、 <b>は本発明の撮像装置の
第2 $ IIM □W’dを説1カする為のFTCO
Dの一極配置例を示す図、第11図は第2実施例のタイ
ミング図、第12図は第2英施例の構成例を示す図、第
13図(a) 、 (b)は大々第12図示構成の変形
例を示す図である。 1・・・受光部 515、222・・禁止手段としての論理回路514・
・・再結合制御手段としての第2のクロックジェネレー
ター cpoB・・・クランクパルス φAB、−ABパルス φニー2・・・クリアパルス 511 ・・・デコーダー 212・・ タイミング信号発生回路 219・・・カウンタ 221 ・・・インバーター 220・・・フリッグ70ッグ OB 4 %r ’;”% β〜ル 56 (−一一一儒嗜雫1−−−−レーー町−1トシ■1−ト
11■−−■曜C1− 7りρ
rのポテンシャル・プロフィールのしUを示す図、第6
図は成極は立に応じたボテンンヤル4註を示す図、第4
図(a) 、 (b)ばABノイズの発生原因を説明す
る為の図、第5図(まクリアパルスによる蓄積時間制御
方法について示す図、第6図はクリアパルスとクランク
パルスノ関係(てついて示す図、第7図は第5、第6図
示の」4合番て於ける欠点を説明する図、第8図は本発
明の撮像装置の柩1天施例図、第9図はそのタイミング
図、第10図<e、)、 <b>は本発明の撮像装置の
第2 $ IIM □W’dを説1カする為のFTCO
Dの一極配置例を示す図、第11図は第2実施例のタイ
ミング図、第12図は第2英施例の構成例を示す図、第
13図(a) 、 (b)は大々第12図示構成の変形
例を示す図である。 1・・・受光部 515、222・・禁止手段としての論理回路514・
・・再結合制御手段としての第2のクロックジェネレー
ター cpoB・・・クランクパルス φAB、−ABパルス φニー2・・・クリアパルス 511 ・・・デコーダー 212・・ タイミング信号発生回路 219・・・カウンタ 221 ・・・インバーター 220・・・フリッグ70ッグ OB 4 %r ’;”% β〜ル 56 (−一一一儒嗜雫1−−−−レーー町−1トシ■1−ト
11■−−■曜C1− 7りρ
Claims (3)
- (1)被写体像を電気情報に変換し蓄積する受光部と、
該受光部4C於ける蓄積状態を制御する為の信号を出力
する蓄積制御手段と、前記受光部から読み出された電気
情報の一部をクランプするクランプ手段と、少なくとも
該クランプ手段によるクランプ中に於ける前記制御手段
の出力信号の変化を禁止する禁止手段とを有する撮像装
置。 - (2)被写体像を所定の極性の電荷情報に変換する撮像
手段と、該撮像手段内の前記電荷情報を他の極性の成句
と再結合させる為の信号を出力する再結合制御手段と、
前記撮像手段の出力の一部をり2ングするクランプ手段
と、少なくとも該クランプ手段によるクランプ中に於け
る前記制御手段の出力の変化を禁止する禁止手段とを有
する撮像装置。 - (3)被写体像を電気情報に変換し蓄積する受光部と、
該受光部に於ける電気情報を周期的に読み出す為の読み
出し手段と、該読み出し手段による周期的読み出し動作
とは別に、前記受光部に於ける電気情報をクリアする為
の信号を出力するクリア手段と、前記受光部から読み出
された電気情報の一部をクランプするクランプ手段と、
少なくとも該クランプ手段によるり2ンプ中&C於ける
前記クリア手段の出力の変化を禁止する禁止手段とを有
する撮像装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075838A JPS59201586A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 撮像装置 |
| DE19843416058 DE3416058A1 (de) | 1983-04-28 | 1984-04-30 | Bildaufnahmeeinrichtung |
| US06/861,715 US4644403A (en) | 1983-04-28 | 1986-05-12 | Image pickup apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58075838A JPS59201586A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201586A true JPS59201586A (ja) | 1984-11-15 |
| JPH0134508B2 JPH0134508B2 (ja) | 1989-07-19 |
Family
ID=13587734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58075838A Granted JPS59201586A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 撮像装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4644403A (ja) |
| JP (1) | JPS59201586A (ja) |
| DE (1) | DE3416058A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59185475A (ja) * | 1983-04-06 | 1984-10-22 | Canon Inc | 固体撮像素子の駆動方法 |
| DE3501138A1 (de) * | 1984-01-18 | 1985-07-18 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Bildaufnahmevorrichtung |
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| AU2015230978B2 (en) | 2014-03-21 | 2020-01-23 | DePuy Synthes Products, Inc. | Card edge connector for an imaging sensor |
Family Cites Families (8)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5827712B2 (ja) * | 1975-12-25 | 1983-06-10 | 株式会社東芝 | コタイサツゾウソウチ |
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| NL8000998A (nl) * | 1980-02-19 | 1981-09-16 | Philips Nv | Vaste stof opneemcamera met een halfgeleidende photogevoelige trefplaat. |
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| US4498105A (en) * | 1982-05-27 | 1985-02-05 | Rca Corporation | Field-transfer CCD imagers with reference-black-level generation capability |
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-
1983
- 1983-04-28 JP JP58075838A patent/JPS59201586A/ja active Granted
-
1984
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-
1986
- 1986-05-12 US US06/861,715 patent/US4644403A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4644403A (en) | 1987-02-17 |
| JPH0134508B2 (ja) | 1989-07-19 |
| DE3416058A1 (de) | 1984-10-31 |
| DE3416058C2 (ja) | 1990-08-16 |
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