JPS6032486A - 電荷転送型固体撮像素子 - Google Patents
電荷転送型固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS6032486A JPS6032486A JP58141039A JP14103983A JPS6032486A JP S6032486 A JPS6032486 A JP S6032486A JP 58141039 A JP58141039 A JP 58141039A JP 14103983 A JP14103983 A JP 14103983A JP S6032486 A JPS6032486 A JP S6032486A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vertical
- register
- charge
- smear
- signal
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体基板上に光電変換素子および各素子の
光学情報を取出す電荷移送素子（ＣｈａｒｇｅＣｏｕｐ
ｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ、以下ＣＣＤと略称スル。）固体
撮像素子に関するものである。
光学情報を取出す電荷移送素子（ＣｈａｒｇｅＣｏｕｐ
ｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ、以下ＣＣＤと略称スル。）固体
撮像素子に関するものである。
固体撮像素子は現行のテレビジョン放送で使用されてい
る撮像用電子管並みの解像力を備えた撮像板を必要とし
、このため垂直方向に５００個、水平方向に８００〜１
０００個を配列した絵素（光電変換素子）マトリックス
とそれに相当する走査素子が必要となる。したがって、
上記固体撮像素子は高集積化が必要なＭＯ８大規模回路
技術を用いて作られ、構成素子として一般にＣＯＤある
いはＭＯＳ）ランジスタ等が使用されている。
る撮像用電子管並みの解像力を備えた撮像板を必要とし
、このため垂直方向に５００個、水平方向に８００〜１
０００個を配列した絵素（光電変換素子）マトリックス
とそれに相当する走査素子が必要となる。したがって、
上記固体撮像素子は高集積化が必要なＭＯ８大規模回路
技術を用いて作られ、構成素子として一般にＣＯＤある
いはＭＯＳ）ランジスタ等が使用されている。
第１図（ａ）に低雑音を特徴とするＣＣＤ型固体撮像素
子の基本構成を示す。１は例えば光ダイオードから成る
光電変換素子、２および３は光電変換素子群に蓄積され
た光信号を信号検出回路の出力端４に取り出すだめの垂
直ＣＯＤシフトレジスタ、および水平シフトレジスタで
ある。５．６は各々垂直シフトレジスタ、水平シフトレ
ジスタを駆動するクロックパルス製作するりＩコツクツ
くルス発生器である。ここでは２相のクロックツ々ルス
発生器を図示したが、４相あるいは３相いずれのクロッ
ク形態を採用してもよい。甘だ、７ ｉｌ、 尤ダイオ
ードに蓄積された電荷を垂直シフトレジスタ２に送り込
む転送デートを示している。本素子はこのままの形態で
は白黒撮像素子となり、」二部にカラーフィルタを積層
すると各光ダイ、４−−ドは色情報を備えることになり
カラー撮像素−Ｐとなる。
子の基本構成を示す。１は例えば光ダイオードから成る
光電変換素子、２および３は光電変換素子群に蓄積され
た光信号を信号検出回路の出力端４に取り出すだめの垂
直ＣＯＤシフトレジスタ、および水平シフトレジスタで
ある。５．６は各々垂直シフトレジスタ、水平シフトレ
ジスタを駆動するクロックパルス製作するりＩコツクツ
くルス発生器である。ここでは２相のクロックツ々ルス
発生器を図示したが、４相あるいは３相いずれのクロッ
ク形態を採用してもよい。甘だ、７ ｉｌ、 尤ダイオ
ードに蓄積された電荷を垂直シフトレジスタ２に送り込
む転送デートを示している。本素子はこのままの形態で
は白黒撮像素子となり、」二部にカラーフィルタを積層
すると各光ダイ、４−−ドは色情報を備えることになり
カラー撮像素−Ｐとなる。
第１図（ｂ）は上記ＣＣＤ撮像素子の心臓部となる画素
の構造を示したものである。８′は垂直レジスタを構成
する電極（通常第１層、第２層の多結晶シリコンで作ら
れる）、９は′〆Ｉ元極と基板１２を絶縁する酸化膜（
一般にゲート酸化膜と称されている）、１１は各画素の
絶にじＪ１事ｍ、’ｉｒ、行う酸化膜（通常ゲート酸化
膜のｌＯ〜２０１ｔ″Ｉｌび〕膜厚に選ばれる）である
。また、１０ｔよｔｒ ｔ： ＋３ ？、・埋め込み型
にするための不純物層（表面）ζｌ！ （：（′、Ｊ）
（Ｄ場合は木屑は不要）、１は光ダイオード用不純物
層であり、いずれの層も基板とは逆導電型の不純物原子
により作られる。
の構造を示したものである。８′は垂直レジスタを構成
する電極（通常第１層、第２層の多結晶シリコンで作ら
れる）、９は′〆Ｉ元極と基板１２を絶縁する酸化膜（
一般にゲート酸化膜と称されている）、１１は各画素の
絶にじＪ１事ｍ、’ｉｒ、行う酸化膜（通常ゲート酸化
膜のｌＯ〜２０１ｔ″Ｉｌび〕膜厚に選ばれる）である
。また、１０ｔよｔｒ ｔ： ＋３ ？、・埋め込み型
にするための不純物層（表面）ζｌ！ （：（′、Ｊ）
（Ｄ場合は木屑は不要）、１は光ダイオード用不純物
層であり、いずれの層も基板とは逆導電型の不純物原子
により作られる。
固体撮像素子は衆知のように小型、軽量、メインテナン
スフリー、低消費′成力など電子管に較べて固体化に伴
なう多くの利点を有しており次期撮像デバイスとして将
来が期待されているものである。しかし乍ら、現行素子
を用いて撮像しモニタ上に再生像を出すと輝度の高い光
学情報パターン（すなわち、明るいパターン）の上下に
も縦縞状のパターンが現れ画質を著しく低下させている
。
スフリー、低消費′成力など電子管に較べて固体化に伴
なう多くの利点を有しており次期撮像デバイスとして将
来が期待されているものである。しかし乍ら、現行素子
を用いて撮像しモニタ上に再生像を出すと輝度の高い光
学情報パターン（すなわち、明るいパターン）の上下に
も縦縞状のパターンが現れ画質を著しく低下させている
。
これは固体素子に特有の現象でありスメアと呼ばれてい
る。一方、とのスメアは電子管の場合には発生しない。
る。一方、とのスメアは電子管の場合には発生しない。
したがって、電子管なみの画質を備えた固体撮像素子を
実現するために、さらには用途を拡大するためにも現在
スメアの低減が固体素子開発上の大きな課題となってい
る。
実現するために、さらには用途を拡大するためにも現在
スメアの低減が固体素子開発上の大きな課題となってい
る。
本発明の目的は上記の問題を解決すること、すなわちＣ
ＣＤ型固体撮像素子のスメアを除去し画質の改善を図る
ことにある。
ＣＤ型固体撮像素子のスメアを除去し画質の改善を図る
ことにある。
本発明は上記目的を達成するため信号電荷を転送する垂
直ＣＯＤシフトレジスタとは別にスメア電荷を転送する
垂直ＣＯＤシフトレジスタを信号転送用垂直ＣＯＤシフ
トレジスタの近辺に設け、両レジスタの送り出す出力（
信号電荷、スメア電荷）の差を取ることにより信号成分
中に含まれたスメア成分を除去するようにし真の信号電
荷を得るようにしたものである。
直ＣＯＤシフトレジスタとは別にスメア電荷を転送する
垂直ＣＯＤシフトレジスタを信号転送用垂直ＣＯＤシフ
トレジスタの近辺に設け、両レジスタの送り出す出力（
信号電荷、スメア電荷）の差を取ることにより信号成分
中に含まれたスメア成分を除去するようにし真の信号電
荷を得るようにしたものである。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
本発明の骨子となるＣＣＤｍ撮像素子の構成お工び構造
を第３図に示す。同図（ａ）において２は光夕。
を第３図に示す。同図（ａ）において２は光夕。
イオードｌに蓄積された光信号電荷を転送する信号転送
用垂直ＣＯＤシフトレジスタ、１３は絶縁分離帯１４を
狭んで垂直ＣＣＤシフトレジスタ２の横に設けた垂直Ｃ
ＯＤシフトレジスタ、また１５はこれら２つの垂直レジ
スタの送ってきた電荷を転送するＣＣＤシフトＶ・ジス
タである。一方、同図（ｂ）は同図（ａ）に示した光ダ
イオード部（垂直レジスタを含む）の構造を示したもの
で、１０は垂直レジスタ２を形成する埋め込みチャンネ
ル用不純物層、１６は垂直レジスタ１３を形成する埋め
込みチャンネル用不純物層であり、これら埋め込み層の
上部にはゲート酸化膜９を介して共通の電極８−１．８
−２が設けられる。また、１４′は同図（ａ）に示した
絶縁分離帯１４に相当するが、これは画素の分離を行う
酸化膜１１と同じ酸化膜を用いて形成すればよい（した
がって、１４′は酸化膜１１と同じ工程で製作される）
。また、絶縁性を向上するため必要に応じて酸化膜１１
．１４’の下には基板と同型の不純物層１７（例えば基
板がＰ型の場合ポロン原子を形成してもよい。
用垂直ＣＯＤシフトレジスタ、１３は絶縁分離帯１４を
狭んで垂直ＣＣＤシフトレジスタ２の横に設けた垂直Ｃ
ＯＤシフトレジスタ、また１５はこれら２つの垂直レジ
スタの送ってきた電荷を転送するＣＣＤシフトＶ・ジス
タである。一方、同図（ｂ）は同図（ａ）に示した光ダ
イオード部（垂直レジスタを含む）の構造を示したもの
で、１０は垂直レジスタ２を形成する埋め込みチャンネ
ル用不純物層、１６は垂直レジスタ１３を形成する埋め
込みチャンネル用不純物層であり、これら埋め込み層の
上部にはゲート酸化膜９を介して共通の電極８−１．８
−２が設けられる。また、１４′は同図（ａ）に示した
絶縁分離帯１４に相当するが、これは画素の分離を行う
酸化膜１１と同じ酸化膜を用いて形成すればよい（した
がって、１４′は酸化膜１１と同じ工程で製作される）
。また、絶縁性を向上するため必要に応じて酸化膜１１
．１４’の下には基板と同型の不純物層１７（例えば基
板がＰ型の場合ポロン原子を形成してもよい。
次に、本発明の素子のスメア除去動作を第４図を用いて
説明する。素子に光が入射すると光ダイオード下に入っ
た光は半導体基板中で光電荷１８を発生１−４ この電
荷は光ダイオードの形成する接合容量に蓄積される。一
方、垂直レジスタおよび転送ゲート領域には光が入射し
ては困るため、通常電極８の上部にはしや光膜などが設
けられる。
説明する。素子に光が入射すると光ダイオード下に入っ
た光は半導体基板中で光電荷１８を発生１−４ この電
荷は光ダイオードの形成する接合容量に蓄積される。一
方、垂直レジスタおよび転送ゲート領域には光が入射し
ては困るため、通常電極８の上部にはしや光膜などが設
けられる。
しかし乍ら、しや光をしてもこの領域へ漏洩する光が存
在し、この漏洩光によってやはり光電荷１９を発生する
。電荷１９は垂直レジスタ内に拡散しスメアを発生する
（これが、従来素子におけるスメア発生メカニズムであ
る。本発明の素子においては、このスメア′屯荷は（ｉ
’を弓転送用垂直レジスタ１０Ｆ２）の中にも入るが（
このＴｂ；荷を１９−Ａで示す）、垂直レジスタ１０（
２１に隣接して設けた垂直レジスタ１６０．３１にも入
る（この電荷を１９−Ｂで示す）。この結果、信号転送
用レジスタはスメア電荷Ｓ′を含んだ信号１に荷Ｑ（イ
梵ｌ’Ｑ＋ｓ’）を運び、スメア転送用垂直レジスタＪ
６はスメア′屯荷Ｓを運ぶことになる。両１１（直し・
ジスタを介して送られた電荷（（１）、＋Ｓ’）Ｊ、・
、Ｌび：（１１：水平レジスタ１５の隣接ビット内に送
り込−まれ（矢印２０’−ｘ、２０−２で示す）、その
後水平レジスタを二重転送駆動させることにより出力４
にスメア電荷Ｓ１信号Ｑ＋Ｓを時間順次に（９，互に）
得ることができる。
在し、この漏洩光によってやはり光電荷１９を発生する
。電荷１９は垂直レジスタ内に拡散しスメアを発生する
（これが、従来素子におけるスメア発生メカニズムであ
る。本発明の素子においては、このスメア′屯荷は（ｉ
’を弓転送用垂直レジスタ１０Ｆ２）の中にも入るが（
このＴｂ；荷を１９−Ａで示す）、垂直レジスタ１０（
２１に隣接して設けた垂直レジスタ１６０．３１にも入
る（この電荷を１９−Ｂで示す）。この結果、信号転送
用レジスタはスメア電荷Ｓ′を含んだ信号１に荷Ｑ（イ
梵ｌ’Ｑ＋ｓ’）を運び、スメア転送用垂直レジスタＪ
６はスメア′屯荷Ｓを運ぶことになる。両１１（直し・
ジスタを介して送られた電荷（（１）、＋Ｓ’）Ｊ、・
、Ｌび：（１１：水平レジスタ１５の隣接ビット内に送
り込−まれ（矢印２０’−ｘ、２０−２で示す）、その
後水平レジスタを二重転送駆動させることにより出力４
にスメア電荷Ｓ１信号Ｑ＋Ｓを時間順次に（９，互に）
得ることができる。
出力４に得られる信号波形を第３図（ａ）に示す。
各光ダイオードの信号を区別して１〜１１という記号で
表ｙと（Ｓｌ、Ｑｉ＋Ｓｔ′）、（８２，Ｑ２＋Ｑ”）
。
表ｙと（Ｓｌ、Ｑｉ＋Ｓｔ′）、（８２，Ｑ２＋Ｑ”）
。
・・・・・・、 （８ＩＩ、 Ｑｎ＋Ｓｎ勺がｌ１ｌｉ
Ｎ次得られている。この信号からスメア成分を除去する
手段として、例えば第３図（Ｃ）に示すような信号処理
回路を考えることができる。ここで、２１は信号とスメ
ア信号を振り分けるサンプリング回路、サンプリング回
路により選別されたスメア信号は遅延回路２２を通して
差動回路２３に入力される。一方、サンプリング回路に
より選別された信号は直接差動回路に入力される。ここ
で、遅延回路２２の遅延時間をｔｄ（同図（ａ）に示す
）に設定すればスメア信号Ｓの位相は時間ｔｄだけずれ
て信号Ｑ−１−８’の位相と一致するので、回路２３で
両信号の差を取ることにより、出力２４にはスメア成分
のみが除去された真の光信号Ｑ（第３図（ｂ）に示す）
を得ることができる。上記のスメア成分除去動作におい
ては暗黙のうちに両垂直レジスタに拡散するスメア電荷
量が等しい（Ｓ＝８’ ）と仮定している。一方、２つ
の垂直レジスタの面積等が極端に異ったり、両レジスタ
領域の間で素子構造上の差異があったりすると両垂直レ
ジスタに拡散するスメア電荷量は等しくなくなる（ＳＯ
８’ ）。この場合は２２と２３の間（または２１と２
３０間）に増幅回路あるいは減衰回路を挿入しｓ＝ｓ’
となるよう調節すればよい。
Ｎ次得られている。この信号からスメア成分を除去する
手段として、例えば第３図（Ｃ）に示すような信号処理
回路を考えることができる。ここで、２１は信号とスメ
ア信号を振り分けるサンプリング回路、サンプリング回
路により選別されたスメア信号は遅延回路２２を通して
差動回路２３に入力される。一方、サンプリング回路に
より選別された信号は直接差動回路に入力される。ここ
で、遅延回路２２の遅延時間をｔｄ（同図（ａ）に示す
）に設定すればスメア信号Ｓの位相は時間ｔｄだけずれ
て信号Ｑ−１−８’の位相と一致するので、回路２３で
両信号の差を取ることにより、出力２４にはスメア成分
のみが除去された真の光信号Ｑ（第３図（ｂ）に示す）
を得ることができる。上記のスメア成分除去動作におい
ては暗黙のうちに両垂直レジスタに拡散するスメア電荷
量が等しい（Ｓ＝８’ ）と仮定している。一方、２つ
の垂直レジスタの面積等が極端に異ったり、両レジスタ
領域の間で素子構造上の差異があったりすると両垂直レ
ジスタに拡散するスメア電荷量は等しくなくなる（ＳＯ
８’ ）。この場合は２２と２３の間（または２１と２
３０間）に増幅回路あるいは減衰回路を挿入しｓ＝ｓ’
となるよう調節すればよい。
第４図は第２図（ａ）の素子構成を実現する第２図（ｂ
）とは異なる実施例を示した図である。ここでは、垂直
レジスタ２（１０）と１３α６）を電気的に絶縁するた
めに第２図（ｂ）で設けた厚い酸化膜１４′は使用せず
ゲート領域と同じ薄い酸化膜が使われている。
）とは異なる実施例を示した図である。ここでは、垂直
レジスタ２（１０）と１３α６）を電気的に絶縁するた
めに第２図（ｂ）で設けた厚い酸化膜１４′は使用せず
ゲート領域と同じ薄い酸化膜が使われている。
この様に薄い酸化膜を用いると一般的にはしきい値電圧
は低くなり両レジスタ間の絶縁性は低下するので、これ
を防止するため（すなわち、しきい値電圧を上げるため
）、不純物層１０と１６の間の領域に第２図（ｂ）に示
した１７−１ （１７−２１よりも濃度の高い不純物層
２５を形成すればよい。ここで、不純物の型は１７−１
（１７−２１と同じであり基板がＰ型の場合はボロン
原子をイオン打ち込みすればよい。
は低くなり両レジスタ間の絶縁性は低下するので、これ
を防止するため（すなわち、しきい値電圧を上げるため
）、不純物層１０と１６の間の領域に第２図（ｂ）に示
した１７−１ （１７−２１よりも濃度の高い不純物層
２５を形成すればよい。ここで、不純物の型は１７−１
（１７−２１と同じであり基板がＰ型の場合はボロン
原子をイオン打ち込みすればよい。
第５図は本発明のＣＣＤ型撮像素子の第２図とは別の実
施例を示す図である。ここでは、水平レジスタが２列設
けられており、３−１は信号転送用レジスタ２の運んで
きた信号（Ｑ、＋８Ｍを出力４−１に向けて転送する水
平レジスタ、３−２はスメア転送用レジスタ１３の運ん
できたスメアＳを出力４−２に向けて転送する水平レジ
スタである。ここで、水平レジスタは２相、３相、ある
いは４相いずれのクロックツくルスにより駆動してもよ
い。本構成の素子においては出力４−１および４−２に
同時に２種類の信号Ｑ−＋−８’、Ｓが得られるので、
第２図の構成素子のスメア除去のために設けた第３図の
遅延回路は不要となり、出力４−１．４−２に得られた
両信号を直接差動回路２３に入力することによりその出
力２４にスメア。
施例を示す図である。ここでは、水平レジスタが２列設
けられており、３−１は信号転送用レジスタ２の運んで
きた信号（Ｑ、＋８Ｍを出力４−１に向けて転送する水
平レジスタ、３−２はスメア転送用レジスタ１３の運ん
できたスメアＳを出力４−２に向けて転送する水平レジ
スタである。ここで、水平レジスタは２相、３相、ある
いは４相いずれのクロックツくルスにより駆動してもよ
い。本構成の素子においては出力４−１および４−２に
同時に２種類の信号Ｑ−＋−８’、Ｓが得られるので、
第２図の構成素子のスメア除去のために設けた第３図の
遅延回路は不要となり、出力４−１．４−２に得られた
両信号を直接差動回路２３に入力することによりその出
力２４にスメア。
成分の除去された真の光信号を得ることができる。
以下、２つの構成素子について説明したが、第２図、第
５図いずれの実施例においてもスメア用垂直レジスタの
幅（ＤＳ）は信号用垂直レジスタの幅（ＤＱ ）より小
さい場合（ｎｓ＜Ｄｑ）を示した。
５図いずれの実施例においてもスメア用垂直レジスタの
幅（ＤＳ）は信号用垂直レジスタの幅（ＤＱ ）より小
さい場合（ｎｓ＜Ｄｑ）を示した。
これはスメア電荷量は通常信号電荷量の１／１００程度
もしくはそれ以下と小さい、という現実に基づいている
。必要な画素集積度ｆ：満せば勿論１）ｓ＝ＤＱに設計
してもよい。ただし、将来集積度を向上するためには転
送電θＩ量の小さいスメア用垂直レジスタの幅１）ｓは
極力小さく設計するのが望ましい。また、第５図に示し
た水・Ｉ／、 （、−、＞スタの幅についても、スメア
用水ゝドレジー又” ：ｌ−２の幅を信号用水平レジス
タの幅より小さく設計することが可能である。
もしくはそれ以下と小さい、という現実に基づいている
。必要な画素集積度ｆ：満せば勿論１）ｓ＝ＤＱに設計
してもよい。ただし、将来集積度を向上するためには転
送電θＩ量の小さいスメア用垂直レジスタの幅１）ｓは
極力小さく設計するのが望ましい。また、第５図に示し
た水・Ｉ／、 （、−、＞スタの幅についても、スメア
用水ゝドレジー又” ：ｌ−２の幅を信号用水平レジス
タの幅より小さく設計することが可能である。
以下、実施例を用いて詳卸１に説明したように、本発明
のように信号転送用車丙、ＣＣＤシフトレジスタの他に
もう一つにせ信号を東める垂直ＣＣＤシフトレジスタを
設は両レジスタの送り出す信号の差を取ることにより光
信号中に含まれたスメア成分を除去することができ画質
を著しく改善することができる。本発明は従来と同じプ
ロセス技術によって製作できる。また余分の垂直ＣＯＤ
シフトレジスタが増えるため一見画素の集積度を落とす
ようにみえるが、スメア成分は光信号より十分小さいの
で本レジスタに与える面積は十分小さくて済むので集積
度の低下は殆んど問題ない程度に抑えることができる、
等本発明の実用価呟は極めて高いものである。
のように信号転送用車丙、ＣＣＤシフトレジスタの他に
もう一つにせ信号を東める垂直ＣＣＤシフトレジスタを
設は両レジスタの送り出す信号の差を取ることにより光
信号中に含まれたスメア成分を除去することができ画質
を著しく改善することができる。本発明は従来と同じプ
ロセス技術によって製作できる。また余分の垂直ＣＯＤ
シフトレジスタが増えるため一見画素の集積度を落とす
ようにみえるが、スメア成分は光信号より十分小さいの
で本レジスタに与える面積は十分小さくて済むので集積
度の低下は殆んど問題ない程度に抑えることができる、
等本発明の実用価呟は極めて高いものである。
なお、上記の実施例はＣＯＤ素子の中で最も一般的に採
用されているインターライン型ＣＣＤ撮像素子を例にと
って説明したが、本発明はもう１つの方式であるフレー
ムトランスファ型のＣＣＤ撮像素子にも全く同様に適用
できることは自明である。
用されているインターライン型ＣＣＤ撮像素子を例にと
って説明したが、本発明はもう１つの方式であるフレー
ムトランスファ型のＣＣＤ撮像素子にも全く同様に適用
できることは自明である。
第１図は従来のＣＣＤ型撮像素子の構成および構造を示
す図、第２図は本発明のＣＣＩ）型撮汀素子の骨子とな
る構成および構造を示す図、第３図。 は第２図のＣＣＤ型撮像素子のスメア除去動作を示す図
、第４図は第２図のＣＣＤＣＣ型撮像素子現する別の構
造を示す図、第５図は第２図とは別の構成を持つ本発明
のＣＣＤ型撮像素子の実施例■ １ 図 （０−） （ｂ） 葛 Ｚ 図 （ｂン 第 ３ 図 ＜Ｃ＞ ■ ４ 図 １乙 第 ５ 図
す図、第２図は本発明のＣＣＩ）型撮汀素子の骨子とな
る構成および構造を示す図、第３図。 は第２図のＣＣＤ型撮像素子のスメア除去動作を示す図
、第４図は第２図のＣＣＤＣＣ型撮像素子現する別の構
造を示す図、第５図は第２図とは別の構成を持つ本発明
のＣＣＤ型撮像素子の実施例■ １ 図 （０−） （ｂ） 葛 Ｚ 図 （ｂン 第 ３ 図 ＜Ｃ＞ ■ ４ 図 １乙 第 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、同一半導体基板上に二次元状に配列した光電変換素
子、該素子の蓄積した光信号電荷を転送する垂直ＣＯＤ
シフトレジスタおよび水平ＣＯＤシフトレジスタを集積
化したＣＣＤ型固体撮像素子において、信号電荷を転送
する該垂直ＣＯＤシフトレジスタの近辺に光信号以外の
にせ信号電荷を運ぶ垂直ＣＯＤシフトレジスタを設け、
２つの該垂直ＣＯＤシフトレジスタの出力する信号電荷
の差を取ることにより真の光信号成分のみが得られるよ
うにしたことを特徴とする型取 荷積透型固体撮像素子。 ２、にせ信号電荷を転送する前記垂直ＣＯＤシフトレジ
スタの電荷蓄積容量を光信号電荷を転送する前記垂直Ｃ
ＯＤシフトレジスタの電荷蓄積容量より小さくしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電荷転送型固
体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141039A JPS6032486A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 電荷転送型固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58141039A JPS6032486A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 電荷転送型固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032486A true JPS6032486A (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=15282811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58141039A Pending JPS6032486A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 電荷転送型固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032486A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4962412A (en) * | 1987-01-29 | 1990-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus without isolation regions |
| US5126815A (en) * | 1988-03-07 | 1992-06-30 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Position sensor and picture image input device |
| US5432551A (en) * | 1991-11-15 | 1995-07-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Interline transfer image sensor |
-
1983
- 1983-08-03 JP JP58141039A patent/JPS6032486A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4962412A (en) * | 1987-01-29 | 1990-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus without isolation regions |
| US5126815A (en) * | 1988-03-07 | 1992-06-30 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Position sensor and picture image input device |
| US5432551A (en) * | 1991-11-15 | 1995-07-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Interline transfer image sensor |
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