JPS59204543A - 積層導電フイルム - Google Patents
積層導電フイルムInfo
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- JPS59204543A JPS59204543A JP58080157A JP8015783A JPS59204543A JP S59204543 A JPS59204543 A JP S59204543A JP 58080157 A JP58080157 A JP 58080157A JP 8015783 A JP8015783 A JP 8015783A JP S59204543 A JPS59204543 A JP S59204543A
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- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 18
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 27
- 239000002585 base Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTLGFUHTYPXTTG-UHFFFAOYSA-M indium(3+);oxygen(2-);hydroxide Chemical compound [OH-].[O-2].[In+3] OTLGFUHTYPXTTG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920005597 polymer membrane Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高分子フィルム上Cコイオン性不純物の含有量
としてNaが500 ppb 、 C/が200 p
pb以下にした高分子層を設け、更(:該高分子層の上
(二酸化インジウムを主成分とする被膜を形成した積層
導電フィルムく1関するものである。
としてNaが500 ppb 、 C/が200 p
pb以下にした高分子層を設け、更(:該高分子層の上
(二酸化インジウムを主成分とする被膜を形成した積層
導電フィルムく1関するものである。
透明導電体としては、以前より酸化スズ、酸化インジウ
ム膜をガラス基板上C:形成したものが知られており今
日では各種ディスプレイの電極や透明な面発熱体等に広
く利用されている。
ム膜をガラス基板上C:形成したものが知られており今
日では各種ディスプレイの電極や透明な面発熱体等に広
く利用されている。
一方透明導電体フィルムは、従来のガラス基板を高分子
フィルム(二置き換えたものであり、薄くて、軽量、割
れない、フレキシブルである、加工性が良い、大面積が
可能等ガラス基板にない種々の特長を持っている。特に
液晶用の電極材料としては有望である。
フィルム(二置き換えたものであり、薄くて、軽量、割
れない、フレキシブルである、加工性が良い、大面積が
可能等ガラス基板にない種々の特長を持っている。特に
液晶用の電極材料としては有望である。
透明導電体のフィルム化はポリエステルフィルム(=よ
って始まったが通常2軸延伸法により作製するため、複
屈折を生じ、TN(ツイスト・ネマティック)液晶表示
素子の透明電極としては用いる事が出来ない。
って始まったが通常2軸延伸法により作製するため、複
屈折を生じ、TN(ツイスト・ネマティック)液晶表示
素子の透明電極としては用いる事が出来ない。
そのため、−軸延伸ポリエステルフィルムが液晶素子用
透明電極として検討されているが、これを用いる場合は
光学異方性の軸を液晶素子(=用いられる偏光板の軸と
厳密(ニ一致させなくてはならず、作業性が非常(−悪
い。又−軸延伸であるため熱時の収縮率と異方性があり
、光学的にも外観的(二も透明電極としての性能を損う
。
透明電極として検討されているが、これを用いる場合は
光学異方性の軸を液晶素子(=用いられる偏光板の軸と
厳密(ニ一致させなくてはならず、作業性が非常(−悪
い。又−軸延伸であるため熱時の収縮率と異方性があり
、光学的にも外観的(二も透明電極としての性能を損う
。
その他、セルロース系のフィルムなどが検討されている
が、耐熱性がなく液晶表示素子の加工工程でかなり変形
するため使用する事が困離である。
が、耐熱性がなく液晶表示素子の加工工程でかなり変形
するため使用する事が困離である。
従って、液晶表示素子用電極としては、特C:限定する
ものではないが透明性が良く、非晶質で耐熱性のあるフ
ィルムを用いなくてはならない。そこで鋭意研究を行な
った結果、複屈折が位相差(ユして初度以内であり、か
つ光弾性常数が2.0 Im/η以下であり、更に20
0℃(二於ける熱収縮率が5%以下である高分子フィル
ムが最も適している事を見出した。
ものではないが透明性が良く、非晶質で耐熱性のあるフ
ィルムを用いなくてはならない。そこで鋭意研究を行な
った結果、複屈折が位相差(ユして初度以内であり、か
つ光弾性常数が2.0 Im/η以下であり、更に20
0℃(二於ける熱収縮率が5%以下である高分子フィル
ムが最も適している事を見出した。
しかしながら従来のガラス基板と異なりフィルムからの
イオン性不純物の拡散により液晶の劣化が生じる事が判
明した。特にアルカリ金属イオンや塩素イオンは著しい
影響を与える。そこでベースフィルムと同様C二、複屈
折が位相差にして40度以内で、光弾性常数が2.OI
I/η以下であり、且つ200℃に於ける熱収縮率が5
%以下であり、更にイオン性不純物の含有量としては、
出来る限り少ない事が望ましいが、生産性を考慮すると
Naが500 ppb 、 C/が200 g)pb以
下である高分子層をベースフィルム上(二設ける事によ
って、イオン性不純物の拡散を防ぎ、液晶の寿命を飛躍
的に向上する事が出来る積層導電フィルムを見出したの
で以下(二詳細C二説明する。
イオン性不純物の拡散により液晶の劣化が生じる事が判
明した。特にアルカリ金属イオンや塩素イオンは著しい
影響を与える。そこでベースフィルムと同様C二、複屈
折が位相差にして40度以内で、光弾性常数が2.OI
I/η以下であり、且つ200℃に於ける熱収縮率が5
%以下であり、更にイオン性不純物の含有量としては、
出来る限り少ない事が望ましいが、生産性を考慮すると
Naが500 ppb 、 C/が200 g)pb以
下である高分子層をベースフィルム上(二設ける事によ
って、イオン性不純物の拡散を防ぎ、液晶の寿命を飛躍
的に向上する事が出来る積層導電フィルムを見出したの
で以下(二詳細C二説明する。
まず第1C:液晶用として積層導電フィルムを用いる際
のベースフィルム並び(1第1層目の高分子層は、特(
二限定するものではないが、厚さC二かかわらず40度
以上の位相差があってはならない。通常耐型液晶表示素
子は明視野で用いるが、フィルムの複屈折が大きな場合
、地の部分が着色し、文字部分のコントラストが小さく
なるという欠点が生じる。従ってベースフィルム並びに
第1層目の高分子層の複屈折は全くない事が好ましいが
、生産工程(二於けるバラツキなども考慮した場合は、
複屈折の程度は厚さにかかわらず位相差にして40度が
限界である事を見出した。尚この測定は位相差メータ(
:て第1層目高分子層を設けたベースフィルムの主軸方
向の光波の速度差から生ずる位相差を測定する事により
得られる。
のベースフィルム並び(1第1層目の高分子層は、特(
二限定するものではないが、厚さC二かかわらず40度
以上の位相差があってはならない。通常耐型液晶表示素
子は明視野で用いるが、フィルムの複屈折が大きな場合
、地の部分が着色し、文字部分のコントラストが小さく
なるという欠点が生じる。従ってベースフィルム並びに
第1層目の高分子層の複屈折は全くない事が好ましいが
、生産工程(二於けるバラツキなども考慮した場合は、
複屈折の程度は厚さにかかわらず位相差にして40度が
限界である事を見出した。尚この測定は位相差メータ(
:て第1層目高分子層を設けたベースフィルムの主軸方
向の光波の速度差から生ずる位相差を測定する事により
得られる。
第2の条件として光弾性常数であるが、これはフィルム
に力を加え変形した場合に於ける複屈折の生じ易さを表
わしている常数である。
に力を加え変形した場合に於ける複屈折の生じ易さを表
わしている常数である。
一般にフィルム電極を用いた液晶セルC二於いては、フ
ィルム電極をセットする場合とか、フィルム電極を接着
する場合など、フィルム電極に張力や圧縮応力が加わる
ことがあるが、この際C二人きな複屈折を生じたのでは
第1の条件で記した如く表示のコントラストが小さくな
る。
ィルム電極をセットする場合とか、フィルム電極を接着
する場合など、フィルム電極に張力や圧縮応力が加わる
ことがあるが、この際C二人きな複屈折を生じたのでは
第1の条件で記した如く表示のコントラストが小さくな
る。
更C:重要な点は、フィルム電極を用いる場合は液晶の
曲面表示が行なわれる場合があり、この時フィルム(二
かなりの張力及び圧縮力が掛かるため、応力下C1於い
て大きな複屈折を生じる材料では同様の理由(=より表
示のコントラストを小さくするため好ましくない。
曲面表示が行なわれる場合があり、この時フィルム(二
かなりの張力及び圧縮力が掛かるため、応力下C1於い
て大きな複屈折を生じる材料では同様の理由(=より表
示のコントラストを小さくするため好ましくない。
従ってフィルム電極(二組いるベースフィルム並びに第
1層目高分子層は、応力下に於いて出来る限り複屈折を
生じない材質が好ましい。ここで種々の透明プラスチッ
クC二つき検討した結果、光弾性常数は2.0 mn/
Kgが限界であり、これ以下の値が好ましい。一般(−
光弾性定数の小さな材料としてはヤング率が大きく、即
ち歪が生じ難く、組成的には大きな分極率を有する分子
を含まない事が好 5− ましい。尚光弾性常数の測定は光弾性装置を用い、第1
層目高分子層を設けたベースフィルムC二かけた応力と
生じた光弾性縞の関係から求められる。
1層目高分子層は、応力下に於いて出来る限り複屈折を
生じない材質が好ましい。ここで種々の透明プラスチッ
クC二つき検討した結果、光弾性常数は2.0 mn/
Kgが限界であり、これ以下の値が好ましい。一般(−
光弾性定数の小さな材料としてはヤング率が大きく、即
ち歪が生じ難く、組成的には大きな分極率を有する分子
を含まない事が好 5− ましい。尚光弾性常数の測定は光弾性装置を用い、第1
層目高分子層を設けたベースフィルムC二かけた応力と
生じた光弾性縞の関係から求められる。
第三の条件としてベースフィルム並び(1第1層目高分
子層の熱的性質であるが、まず透明積層導電フィルムの
作製時金属酸化物の安定化のため100℃から200℃
の範囲で熱処理を行なうが、フィルム並びに第1層目高
分子層の収縮率が大きい場合(−は、金属酸化膜C1応
力集中が起り、シワやクラックが生じる。また電極パタ
ンに加工する工稈C=於いては、洗浄、乾燥等の工程を
数回経るが、 ′第1層目高分子層がついたベースフ
ィルムの熱収縮率が大きな場合は、バタン精度が損なわ
れ、その後の加工(:支障をきたす。その他液晶表示体
を組込んだ機器が比較的高温(=なる場合があり、この
様な環境では電極フィルムが収縮・変形し、その機能を
損なう恐れがある。この様な理由から液晶用電極(二組
いるフィルム並び(:第1層目高分子層は、耐熱性が必
要であり、最低限度200℃(二於ける収縮率が5%以
下である事が好ましい。
子層の熱的性質であるが、まず透明積層導電フィルムの
作製時金属酸化物の安定化のため100℃から200℃
の範囲で熱処理を行なうが、フィルム並びに第1層目高
分子層の収縮率が大きい場合(−は、金属酸化膜C1応
力集中が起り、シワやクラックが生じる。また電極パタ
ンに加工する工稈C=於いては、洗浄、乾燥等の工程を
数回経るが、 ′第1層目高分子層がついたベースフ
ィルムの熱収縮率が大きな場合は、バタン精度が損なわ
れ、その後の加工(:支障をきたす。その他液晶表示体
を組込んだ機器が比較的高温(=なる場合があり、この
様な環境では電極フィルムが収縮・変形し、その機能を
損なう恐れがある。この様な理由から液晶用電極(二組
いるフィルム並び(:第1層目高分子層は、耐熱性が必
要であり、最低限度200℃(二於ける収縮率が5%以
下である事が好ましい。
6−
第四(=液晶等に用いる場合には、フィルムからのイオ
ン性不純物の液晶への拡散が液晶の劣化や使用する電池
の寿命C:大きな影響を与える。又。
ン性不純物の液晶への拡散が液晶の劣化や使用する電池
の寿命C:大きな影響を与える。又。
酸化インジウム層への拡散によっても電気特性の不安定
さく二つながる。特にアルカリ金属イオンや塩素イオン
は液晶に著しい影響を与える事を見出した。
さく二つながる。特にアルカリ金属イオンや塩素イオン
は液晶に著しい影響を与える事を見出した。
従ってガラス基板にかわってフィルム化する場合(:は
、どうしてもイオン性不純物の液晶や酸化インジウム層
への拡散を防止する必要がある。このためベースフィル
ムの樹脂の精製段階で不純物イオンを除去すれば良いが
、生産性の低下(二つながる。しかしながら第1層高分
子層は0.1〜10μm程度であり、ベースフィルム1
00μm(二対して1/1゜〜1/1000の樹脂量で
済むため、第1層高分子層(1於いて不純物イオンを除
去する様(1精製する方が生産性向上C二つながる。
、どうしてもイオン性不純物の液晶や酸化インジウム層
への拡散を防止する必要がある。このためベースフィル
ムの樹脂の精製段階で不純物イオンを除去すれば良いが
、生産性の低下(二つながる。しかしながら第1層高分
子層は0.1〜10μm程度であり、ベースフィルム1
00μm(二対して1/1゜〜1/1000の樹脂量で
済むため、第1層高分子層(1於いて不純物イオンを除
去する様(1精製する方が生産性向上C二つながる。
そこで種々の高分子膜(二つき鋭意検討した結果、Na
が5001)1)b %(Jが200 pf)b以下の
条件を満足する高分子層を設ける事C二よって信頼性試
験である(資)℃、90%RHの環境下C1於いて実用
可能な1000時間の使用C:耐える事を見出したもの
である。
が5001)1)b %(Jが200 pf)b以下の
条件を満足する高分子層を設ける事C二よって信頼性試
験である(資)℃、90%RHの環境下C1於いて実用
可能な1000時間の使用C:耐える事を見出したもの
である。
第1層目の高分子層の厚さは特c″−限定しないが、0
.1〜10μmの範囲が好ましい。厚さ0.1−未満で
は連続的な膜を形成しないため、目的とするイオン性不
純物防止を達成する事は困難である。又10μmを越え
た厚さでは、基板である高分子フィルムのフレキシビリ
ティ−が失なわれたり、表面Cニスラックが入ったりし
て好ましくない。
.1〜10μmの範囲が好ましい。厚さ0.1−未満で
は連続的な膜を形成しないため、目的とするイオン性不
純物防止を達成する事は困難である。又10μmを越え
た厚さでは、基板である高分子フィルムのフレキシビリ
ティ−が失なわれたり、表面Cニスラックが入ったりし
て好ましくない。
以上記した様に従来のガラス基板(1変ってフィルムベ
ース(−よる透明導電性フィルムを用いる事C二より、
軽くて、薄く、フレキシブルである新しいタイプの液晶
素子の作製が可能になると共に、生産面に於いては取扱
いが容易で打抜き加工も可能であり、生産性を飛躍的(
=向上する事が出来る。
ース(−よる透明導電性フィルムを用いる事C二より、
軽くて、薄く、フレキシブルである新しいタイプの液晶
素子の作製が可能になると共に、生産面に於いては取扱
いが容易で打抜き加工も可能であり、生産性を飛躍的(
=向上する事が出来る。
更(:性能面ではフィルムからのイオン性不純物の液晶
への拡散を防止したため、寿命の大巾な向上が計られる
。
への拡散を防止したため、寿命の大巾な向上が計られる
。
以上主として液晶用の電極材料(二ついて述べたが、高
分子フィルム上C:イオン性不純物の少ない高分子層を
設け、更C二金属層を被覆した積層導電フィルムは、他
の用途においてもフィルムからのイオン性不純物の拡散
を防ぎ、イオン性不純物(二よる悪影響、例えば種々の
電気特性の低下を防止することが出来、液晶用の電極材
料同様きわめて有用なものである。
分子フィルム上C:イオン性不純物の少ない高分子層を
設け、更C二金属層を被覆した積層導電フィルムは、他
の用途においてもフィルムからのイオン性不純物の拡散
を防ぎ、イオン性不純物(二よる悪影響、例えば種々の
電気特性の低下を防止することが出来、液晶用の電極材
料同様きわめて有用なものである。
以下実施例より更に本発明の詳細な説明する。
実施例
ベースフィルムとしては、100μm厚のポリエーテル
サルフォンフィルムを用い、第1層目高分子層としてイ
オン性不純物を充分除去したエポキシアクリレート樹脂
をスピナー4岸厚(:コートし、更(ニインジウム酸化
物層をaoo A厚(ニスバッタ法により設は積層導電
フィルムを作成した。この際の第1層目高分子層のイオ
ン性不純物の量はNaが50Of)I)bであり、(J
が200 ppbであった。又、第1層目高分子層を設
けたベースフィルムの複屈折は21度であり、光弾性常
数は1.76 tm / Kgであり。
サルフォンフィルムを用い、第1層目高分子層としてイ
オン性不純物を充分除去したエポキシアクリレート樹脂
をスピナー4岸厚(:コートし、更(ニインジウム酸化
物層をaoo A厚(ニスバッタ法により設は積層導電
フィルムを作成した。この際の第1層目高分子層のイオ
ン性不純物の量はNaが50Of)I)bであり、(J
が200 ppbであった。又、第1層目高分子層を設
けたベースフィルムの複屈折は21度であり、光弾性常
数は1.76 tm / Kgであり。
200℃に於ける収縮率は1.0%であった。この積層
9− 導電フィルムを用いて液晶表示体用のセルを作製し、8
0℃90%RHの環境下で信頼性試験を行なった結果を
第1表(二示す。
9− 導電フィルムを用いて液晶表示体用のセルを作製し、8
0℃90%RHの環境下で信頼性試験を行なった結果を
第1表(二示す。
又、比較例として第1表中の/I61、/I62は同一
ペースフィルム(=イオン性不純物の除去レベルをかえ
たエポキシアクリレート樹脂を同様c:4μm厚Cニコ
ートしたもの2種類(=、更にインジウム酸化物を30
0X厚(二作成した積層導電フィルムを用いて作製した
液晶表示体用セルの結果である。
ペースフィルム(=イオン性不純物の除去レベルをかえ
たエポキシアクリレート樹脂を同様c:4μm厚Cニコ
ートしたもの2種類(=、更にインジウム酸化物を30
0X厚(二作成した積層導電フィルムを用いて作製した
液晶表示体用セルの結果である。
尚この際のイオン性不純物の量として、腐1はNaがi
ppm、かツCIが200 ppbであり、/I62は
Naが500 ppbであり、CATが400 pI)
bであった。
ppm、かツCIが200 ppbであり、/I62は
Naが500 ppbであり、CATが400 pI)
bであった。
更に第1表中の/i63は、同一のベースフィルムC二
直接インジウム酸化物を300 !厚(二形成した導電
フィルムを用いて作製した液晶表示体セルの結果である
。尚この際のベースフィルム中のイオン性不純物の量は
Naが106 pf)mでCIが142ppmテあ−っ
だ。
直接インジウム酸化物を300 !厚(二形成した導電
フィルムを用いて作製した液晶表示体セルの結果である
。尚この際のベースフィルム中のイオン性不純物の量は
Naが106 pf)mでCIが142ppmテあ−っ
だ。
第1表で明らかな様C:、本実施例による積層導電フィ
ルムを用いた液晶表示体用セルは、(資)℃、 10− 90%RHの環境下の信頼性試験で実用可能なioo。
ルムを用いた液晶表示体用セルは、(資)℃、 10− 90%RHの環境下の信頼性試験で実用可能なioo。
時間の寿命を記録しており、飛躍的(二性能を向上させ
る事が判かる。
る事が判かる。
11−
Claims (1)
- 高分子フィルムの片面もしくは両面(二、イオン性不純
物含有量としてNaが5001)pb%CIが200
ppb以下の高分子層を設け、更(:該高分子層の少な
くとも片面上に酸化インジウムを主成分とする被膜を形
成した積層導電フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58080157A JPS59204543A (ja) | 1983-05-10 | 1983-05-10 | 積層導電フイルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58080157A JPS59204543A (ja) | 1983-05-10 | 1983-05-10 | 積層導電フイルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59204543A true JPS59204543A (ja) | 1984-11-19 |
| JPS6251738B2 JPS6251738B2 (ja) | 1987-10-31 |
Family
ID=13710462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58080157A Granted JPS59204543A (ja) | 1983-05-10 | 1983-05-10 | 積層導電フイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59204543A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01168331A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-03 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 有機金属化合物の飽和方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4960367A (ja) * | 1972-10-14 | 1974-06-12 |
-
1983
- 1983-05-10 JP JP58080157A patent/JPS59204543A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4960367A (ja) * | 1972-10-14 | 1974-06-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6251738B2 (ja) | 1987-10-31 |
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