JPH0336021A - 高硬度スタンパ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ディスクの複製用の高硬度スタンパ及びその
製造方法に関する。

〔従来の技術〕

極めて多量の光ディスクを複製する場合は、その複製用
の型としてスタンパが用いられる。このスタンパは原盤
によって作られる。

原盤およびスタンパは、次に述べるような方法によって
作られるのが一般的である。

情報信号は、光信号方式璽たは機械方式により原盤に記
録される。情報信号に対応した小孔（ピット）が原盤に
多数作られる０次に原盤の表面上に数百二から数千ｋＯ
銀の被膜を形成する。これは次に行なわれる電気鍍金の
ために表面を導体化させるためのものである。この銀Ｉ
−ｔ−陰極としてＮｉを電着させる。このＮｉ層を剥離
して第１の型が完成する。

次に、重クロム故カリ溶液に浸漬する等ＶＣよ、り剥離
処理（バッジベージ冒ン）がほどこされ、その表面側に
Ｎｉ電着が行なわれる。そして第１の型から剥離したも
のが第２の型である。この時第１の型の表面は銀であり
、第２の型の表面はＮｉでおる。

次に、前記と同様に第２の型に剥離処理をほどこし、そ
の表面にＮｉを電着させて、第２の型より剥離すること
によって最終の複製金型であるスタンバが完成する。こ
のようにして作られたスタンバを耐傷性の優れた長寿命
なものにするために従来から色々と工夫がされている。

例えば、特開昭５８−１５８０５７号公報にはスタンバ
の表面がｋｔ或はＯｒの窒化ＥＡを用いて強化されたも
のが開示され、特開昭５７−６４３０８号公報には、Ｎ
ｉスタンバの表面に、イオンブレーティング法により１
第四篇または第五属の元素の窒化物、炭化物資たは酸化
物もしくは、その複合物を被着腹として形成するものが
開示されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、特開昭５８−１５８０５７号公報に開示されて
いる技術については、工程が長い欠点があう、特開昭５
７−６４５０８号公報に開示されている技術にかいては
、工程数はあまシ増えないが、Ｎｉスタ／バの形状がで
きてから、硬度の硬い膜を真空成膜するので、信号面に
ごみを付けたう、傷を付けたシする機会が多くなるので
問題であった。又％　Ｎｉ母材に対し異質の膜を付ける
為、熱膨張係数に起因する熱応力や、成膜時の応力で、
スタンバが反る等の問題があった。

本発明の目的は、工程を長くせずに、信号面にごみや傷
を付けることなく、シかも反シのないスタンバを得るこ
とにある。さらにこのスタンバの製造方法を提供するこ
とにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の高硬度スタンバは、スタンバの信号面及びその
反対の面にスタンバ基体と熱膨張係数が近い熱伝導率が
高い金属の酸化物、窒化物、炭化物のセラミックまたは
これらの複化合物よυなる高硬度薄膜を形成したもので
ある。

そして、金属はＡｔ、　Ｃｒ、　　Ｚｒ、　　’ｌ’ａ
、ＷｌＭｇ、Ｔｉ、Ｍｎ％　Ｎｉである場合に効果的で
ある。

また、高ｄ度薄膜の纒さを数百へから数千人とすること
が効果的である。

本発明の高硬度スタンバの製造方法は、ガラスのｌＩＡ
盤の上にレーザビームで感光し現像されたフォトレジス
トを形成する第１工程と、前記フォトレジストの上に金
属の酸化物、窒化物または炭化物の高硬度薄膜を形成す
る第２工程と、この第２工程の次に導電膜及びＮｉ＃１
金を形成する第５工檜と、この第５工程の次にスタンバ
の裏面に金属の酸化物、値化物または炭化物の高硬度薄
膜を形成する第４工程と、この第４工程の次に前記ガラ
スの原盤からスタンバを剥がす第５工程から構成されて
いる。

そして、高硬度薄膜および導電膜は、真！２戒膜法で行
うことが効果的である。

〔作用〕

凹凸記録された原盤に、最終的にスタンバの４’ｆ１号
面を形成する高硬度材料を形成してから、導電膜及びＮ
ｉ鍍金を施こすので、Ｎｉスメンパ剥離後に高硬度薄膜
を形成するのに比べて、信号面が汚れたう、傷付いたシ
する機会が少ない。

また、Ｎｉスタンバの裏面に信号面と同じ材料が形成さ
れるので、Ｎｉスメンバの反り量を小さくできる。更に
レプリカ成形の金型に取付ける場合、裏面に挾み込まれ
る多少の異物が、スタンバ１に変形し、信号面に与える
影響をこの高硬度膜がやわらげる役目をする。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例１に図面を用いて説明する。

第１図は本発明の一実施例を示すモデル化した断面図で
、第２５！３はそｏｆ１ｍ造方法の工程を示す断面図で
ある。

１はＮ上等のスタンパ基体、２は信号面側に形成した高
硬度薄膜、３は裏面に形成した高硬度薄膜を示す、４は
スタンパの信号ビットを示す。

高硬度薄膜２としてはＡｚ＋Ｃｒｔ　Ｚｒ＋Ｔａ＋Ｗ等
の金属酸化物、窒化物、炭化物等のセラミック材料がよ
い。

なお、高硬度薄膜２は、スタンパ基体１を構成するＮｉ
と熱膨張係数が近いこと及び熱伝導率が高いことが要求
されるので、ＡｔＩ　Ｃｒ　Ｉ　Ｚｒ　ＩＴａ＊Ｗの他
にＭｇｌＴｉｌＭｎ＋　Ｎｉの酸化物、窒化物、炭化物
そのセラミック材又はこれらの複化合物も用いることが
できる。

これらの高硬度薄膜２ｉ２はイオンブレーティングやス
パッタリング等の方法で数１００〜数１００ＯＡの厚さ
に緻密に形成される。

スタンパはプラスチックモールドの原盤として使われ、
数千回、数万回使われるうちビット４に相当する部分が
摩耗したシ傷付いたうする。スタンパの耐傷性はその硬
度に依存するので本実施例の様に表面に硬度の硬い層を
設けることは有効である。特にスパッタリングではビッ
トの凹凸に対してもｊＲｂ込みのよい膜形成ができるの
で適した方法である。

次に＄２図に沿って本発明の一実施例である製造方法に
ついて述べる。第２図（１）は、ガラス等の原盤５の上
にレーザビーム等で感光し、現像されたフォトレジスト
６が形成された状態を示す。

７は信号のビットを示す、従来方法ではこの後導電膜を
形成し、Ｎｉ鍍金する工程に移るが、本実施例では（２
）工程で先に述べた材料の高硬度薄膜２を数１００〜数
１００ＯＡの厚さにスパッタリング等の方法で形成する
０次の（３）工程では導電膜を形成（図中では省略）し
引続いてＮｉ鍍金を、（１２〜（Ｌ５ｍａ＋形成する。

高硬度薄膜の形成と導電膜の形成は真空成膜法で行なわ
れる。スタンパの厚さを均一にする為に必要に応じて裏
面研摩が施こされる０次Ｋ（４）工程では（２）工程と
同じ材料、同じ手段で高硬度薄膜５がほぼ同じ厚さに形
成される。（５）工程では（ガラス）原盤５から剥され
た本実施例のスタンパを示す、スタンパ基体１は高硬度
薄膜２と５で、サンドイッチ状に挾１れた構造になる。

本実施例によれば、高硬度薄膜の熱膨張係数がスタンパ
基体１のそれと多少異なっても反ったｂする事がなく、
又同じ形成法でつけた膜であるため膜にため込む応力も
ほぼ同程度とみなせるので反りの少ない多層構造のスタ
ンパができる。

又表面の高硬度膜の形成は、膜応力が少なく、薄膜の熱
膨張係数が、スタンパ基板１のそれに近い時にははぶ〈
事もできる。

又高硬度薄膜の形成と導電膜の形成は真空成膜法で行な
われるので、連続成形できるので、ゴミ付き、又は傷付
きの機会が少なくて済む利点がある。

〔発明の効果〕

本発明の高硬度薄膜が、表・裏にサンドイッチ上に形Ｊ
ｉ！された構造によりスタンパの反シの少ない、耐傷性
の着しく向上したものにする事ができた。又、高硬度薄
膜２成を導電膜形成の前に屯りてくる事によυ、ゴミ付
き、傷付きの少ない製造工程とする事ができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すスタンパの断面図、第
２図は本発明のスタンパ製造方法の工程を示す断面図で
ある。 １・・・・・・スタンパ基体、２・・・・・・高硬度薄
膜（表面）５・・・・・・高硬度薄膜２（裏面）、４・
・・・・・スタンパの信号ビット、５・・・・・・ガラ
ス原盤、６・・・・・・フォトレジスト、７・・・・・
・原盤の信号ビット。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、スタンパの信号面及びその反対の面にスタンパ基体
   と熱膨張係数が近い熱伝導率が高い金属の酸化物、窒化
   物、炭化物のセラミックまたはこれらの複化合物よりな
   る高硬度薄膜を形成したことを特徴とする高硬度スタン
   パ。 ２、前記金属Ａｌ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｇ、Ｔｉ
   、Ｍｎ、Ｎｉである請求項１記載の高硬度スタンパ。 ３、前記高硬度薄膜の厚さを数百Åから数千Åとした請
   求項１記載または請求項２記載の高硬度スタンパ。 ４、ガラスの原盤の上にレーザビームで感光し現像され
   たフォトレジストを形成する第１工程と、前記フォトレ
   ジストの上に金属の酸化物、窒化物または炭化物の高硬
   度薄膜を形成する第２工程と、この第２工程の次に導電
   膜及びＮｉ鍍金を形成する第３工程と、この第３工程の
   次にスタンパの裏面に金属の酸化物、窒化物または炭化
   物の高硬度薄膜を形成する第４工程と、この第４工程の
   次に前記ガラスの原盤からスタンパを剥がす第５工程か
   らなる高硬度スタンパの製造方法。 ５、前記高硬度薄膜及び導電膜は真空成膜法で行う請求
   項１記載の高硬度スタンパの製造方法。