JPS59207643A - 集積回路素子のセラミツクパツケ−ジ - Google Patents
集積回路素子のセラミツクパツケ−ジInfo
- Publication number
- JPS59207643A JPS59207643A JP58082109A JP8210983A JPS59207643A JP S59207643 A JPS59207643 A JP S59207643A JP 58082109 A JP58082109 A JP 58082109A JP 8210983 A JP8210983 A JP 8210983A JP S59207643 A JPS59207643 A JP S59207643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- ceramic package
- circuit element
- parts
- corner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は集積回路素子のセラミックパッケージに関する
。
。
［発明の技術的背景］
一般に集積回路素子、特に混成集積回路素子は、セラミ
ックパッケージの上面部に設けられたキャビティ部に集
積回路チップを収容し、所定のボンディングを行なった
後、このキャビティ部を気密封止蓋で気密封止して製造
される。
ックパッケージの上面部に設けられたキャビティ部に集
積回路チップを収容し、所定のボンディングを行なった
後、このキャビティ部を気密封止蓋で気密封止して製造
される。
このセラミックパッケージのキャビティ部の気密封止は
、第１図および第２図に示したように、キャビティ部２
の周辺部に帯枠状メタライズ部３を形成して、その表面
に例えば金−錫合金からなるろう材層（図示せず）を形
成し、その上方からあらかじめ前記帯枠状メタライズ部
３に対応するメタライズ部が形成されているセラミック
製の気密封止蓋４を被着させて、気密封止蓋４に帯枠状
メタライズ部３表面のろう材を加熱融着させ、この気密
封止蓋４をセラミックパッケージ１に固定することによ
り行なわれる。
、第１図および第２図に示したように、キャビティ部２
の周辺部に帯枠状メタライズ部３を形成して、その表面
に例えば金−錫合金からなるろう材層（図示せず）を形
成し、その上方からあらかじめ前記帯枠状メタライズ部
３に対応するメタライズ部が形成されているセラミック
製の気密封止蓋４を被着させて、気密封止蓋４に帯枠状
メタライズ部３表面のろう材を加熱融着させ、この気密
封止蓋４をセラミックパッケージ１に固定することによ
り行なわれる。
［背景技術の問題点］
しかしながら、気密封止蓋４を前述した帯枠状メタライ
ズ部３表面に形成したろう材層でろう付けすることによ
りセラミックパッケージ１に固定すると、帯枠状メタラ
イズ部３の角部３ａでろう材が不足して隙間ができると
いう現象が起こる。
ズ部３表面に形成したろう材層でろう付けすることによ
りセラミックパッケージ１に固定すると、帯枠状メタラ
イズ部３の角部３ａでろう材が不足して隙間ができると
いう現象が起こる。
これは溶融したろう材の表面張力により、角部３ａの部
分のろう材が辺部３ ａ ／方向に引張られるためと考
えられるが、かかる状態でこの集積回路素子をプリント
基板等に実装すると、角部３ａ部分の隙間からリークが
おこったり、例えば自動はんだ付けを行なう場合に、こ
の隙間からキャビティ部２内にフラックスが混入したり
する原因となるので、角部３ａの部分にろう材を補給し
ながらろう付けを行なっているというのが現状であり、
そのために集積回路素子の製造における製造工程数が多
くなってしまうという問題がある。
分のろう材が辺部３ ａ ／方向に引張られるためと考
えられるが、かかる状態でこの集積回路素子をプリント
基板等に実装すると、角部３ａ部分の隙間からリークが
おこったり、例えば自動はんだ付けを行なう場合に、こ
の隙間からキャビティ部２内にフラックスが混入したり
する原因となるので、角部３ａの部分にろう材を補給し
ながらろう付けを行なっているというのが現状であり、
そのために集積回路素子の製造における製造工程数が多
くなってしまうという問題がある。
［発明の目的］
本発明はかかる事情に対処してなされたもので、気密封
止蓋をろう付けすることによるセラミックパッケージ１
の気密封止の際に、帯枠状メタライ ３− ズ部３の角部３ａでのろう材の補給を省略し、工稈の簡
略化を図りうる集積回路素子のセラミックパッケージの
提供を目的としている。
止蓋をろう付けすることによるセラミックパッケージ１
の気密封止の際に、帯枠状メタライ ３− ズ部３の角部３ａでのろう材の補給を省略し、工稈の簡
略化を図りうる集積回路素子のセラミックパッケージの
提供を目的としている。
［発明の概要］
すなわち本発明は、集積回路チップが収容されてボンデ
ィングされるキャビティ部の周囲に、気密封止蓋をろう
付けする帯枠状メタライズ部を形成してなる集積回路素
子のセラミックパッケージにおいて、前記帯枠状メタラ
イズ部の角部に膨大部を設けたことを特徴としている。
ィングされるキャビティ部の周囲に、気密封止蓋をろう
付けする帯枠状メタライズ部を形成してなる集積回路素
子のセラミックパッケージにおいて、前記帯枠状メタラ
イズ部の角部に膨大部を設けたことを特徴としている。
［発明の実施例］
以下、本発明の詳細を図面に示す一実施例に基づいて説
明する。
明する。
第３図は本発明の一実施例である集積回路素子のセラミ
ックパッケージの外観を示したもので、第２図と共通す
る部分には共通の符号を付しである。
ックパッケージの外観を示したもので、第２図と共通す
る部分には共通の符号を付しである。
図において符号１はセラミックパッケージで、中央部に
集積回路チップが収容されてボンディングされるキャビ
ティ部２が設けられている。
集積回路チップが収容されてボンディングされるキャビ
ティ部２が設けられている。
このキャピテイ部２の周囲には帯枠状メタライズ部６が
形成されており、帯枠状メタライズ部６の角部６ａには
膨大部６ｂが設けられている。ざらに帯枠状メタライズ
部６の表面には、その形状に対応して金−錫合金のろう
材層が形成されている。
形成されており、帯枠状メタライズ部６の角部６ａには
膨大部６ｂが設けられている。ざらに帯枠状メタライズ
部６の表面には、その形状に対応して金−錫合金のろう
材層が形成されている。
しかして本発明の集積回路のセラミックパッケージでは
上記帯枠状メタライズ部６上にろう材が供給されるが、
帯枠状メタライズ部６の角部６ａには膨大部６ｂにより
、辺部６ａ′よりもろう材が多く供給される。
上記帯枠状メタライズ部６上にろう材が供給されるが、
帯枠状メタライズ部６の角部６ａには膨大部６ｂにより
、辺部６ａ′よりもろう材が多く供給される。
したがって、ろう付けの際に溶融した角部６ａのろう材
が辺部５ ａ Ｌへ流れても膨大部６ｂには充分なろう
材が残るので、角部６ａのろう材の不足を生ずることが
ない。
が辺部５ ａ Ｌへ流れても膨大部６ｂには充分なろう
材が残るので、角部６ａのろう材の不足を生ずることが
ない。
上記帯枠状メタライズ部は例えば微細なモリブデンとマ
ンガンを混合したものを所定のパターンでセラミックパ
ッケージ表面に塗布し、次にこれを還元性雰囲気中で焼
成することにより形成される。
ンガンを混合したものを所定のパターンでセラミックパ
ッケージ表面に塗布し、次にこれを還元性雰囲気中で焼
成することにより形成される。
４一
本発明のセラミックパッケージは、角部に膨大部を設け
た帯枠状メタライズ部の表面にろう材層を形成し、その
上に金属製、またはその帯枠状メタライズ部に対応する
同様な帯枠状メタライズ部が形成されたセラミック製の
気密封止蓋を不活性ガス雰囲気中で被着させてろう付【
プし、セラミックパッケージのキャビティ部を気密封止
する。
た帯枠状メタライズ部の表面にろう材層を形成し、その
上に金属製、またはその帯枠状メタライズ部に対応する
同様な帯枠状メタライズ部が形成されたセラミック製の
気密封止蓋を不活性ガス雰囲気中で被着させてろう付【
プし、セラミックパッケージのキャビティ部を気密封止
する。
なお、本発明の集積回路素子のセラミックパッケージは
かかる実施例に限定されるものではない。
かかる実施例に限定されるものではない。
すなわち、セラミックパッケージ上に形成したメタライ
ズ部の表面に、あらかじめろう材層を形成せずに、メタ
ライズ部の形状に対応する形状の、例えば金−錫合金か
らなるろう付は部材を作り、それをメタライズ部と気密
封止蓋の間に介挿させてろう付けし気密封止蓋を融着固
定してもよい。
ズ部の表面に、あらかじめろう材層を形成せずに、メタ
ライズ部の形状に対応する形状の、例えば金−錫合金か
らなるろう付は部材を作り、それをメタライズ部と気密
封止蓋の間に介挿させてろう付けし気密封止蓋を融着固
定してもよい。
これは特にセラミックパッケージが大型の混成集積回路
素子の場合に有効である。
素子の場合に有効である。
また、先に述べた実施例では、帯枠状メタライズ部の角
部の外側に膨大部が設けられているが、第４図に符号７
ｂで示したように帯枠状メタライズ部の角部の内側や、
第５図において符号８ｂで示したように帯枠状メタライ
ズ部の内外両側に膨大部を設けてもよい。
部の外側に膨大部が設けられているが、第４図に符号７
ｂで示したように帯枠状メタライズ部の角部の内側や、
第５図において符号８ｂで示したように帯枠状メタライ
ズ部の内外両側に膨大部を設けてもよい。
さらに第４図および第５図に示したように帯枠状メタラ
イズ部からセラミックパッケージの外周部に向かって帯
枠状メタライズ部に加熱端子部９を形成しておくことに
より、電気抵抗加熱によるろう付（プ作業を可能にして
もよい。
イズ部からセラミックパッケージの外周部に向かって帯
枠状メタライズ部に加熱端子部９を形成しておくことに
より、電気抵抗加熱によるろう付（プ作業を可能にして
もよい。
［発明の効果］
本発明の集積回路素子のセラミックパッケージは、セラ
ミックパッケージのキャビティ部に気密封１Ｌ器をろう
付けする際、従来単に帯枠状であったメタライズ部の角
部に膨大部が設けられているので、その上にろう材層を
形成した後にろう付けを行なえば、角部でのろう材の不
足を防止することができる。したがって従来必要であっ
た帯枠状メタライズ部の角部でのろう材の補給を不要と
し、Ｔ程の簡略化を図ることができる。
ミックパッケージのキャビティ部に気密封１Ｌ器をろう
付けする際、従来単に帯枠状であったメタライズ部の角
部に膨大部が設けられているので、その上にろう材層を
形成した後にろう付けを行なえば、角部でのろう材の不
足を防止することができる。したがって従来必要であっ
た帯枠状メタライズ部の角部でのろう材の補給を不要と
し、Ｔ程の簡略化を図ることができる。
第１図は従来の集積回路素子のセラミックパッケージの
外観を示す斜視図、第２図は従来のセラミックパッケー
ジの外観を示す平面図、第３図は本発明の一実施例のセ
ラミックパッケージの外観を示す平面図、第４図および
第５図は本発明の他の実施例の外観を示す平面図である
。 １・・・・・・・・・セラミックパッケージ２・・・・
・・・・・キャビティ部 ３．６．７．８ ・・・・・・・・・帯枠状メタライズ部４・・・・・・
・・・気密封止蓋 ５・・・・・・・・・端子ビン ３ａ １６ａ 、７ａ 、３ａ ・・・・・・・・・角 部 ６ｂ１７ｂ、８ｂ ・・・・・・・・・膨大部 ９・・・・・・・・・加熱端子部 代理人弁理士 須 山 佐 −
外観を示す斜視図、第２図は従来のセラミックパッケー
ジの外観を示す平面図、第３図は本発明の一実施例のセ
ラミックパッケージの外観を示す平面図、第４図および
第５図は本発明の他の実施例の外観を示す平面図である
。 １・・・・・・・・・セラミックパッケージ２・・・・
・・・・・キャビティ部 ３．６．７．８ ・・・・・・・・・帯枠状メタライズ部４・・・・・・
・・・気密封止蓋 ５・・・・・・・・・端子ビン ３ａ １６ａ 、７ａ 、３ａ ・・・・・・・・・角 部 ６ｂ１７ｂ、８ｂ ・・・・・・・・・膨大部 ９・・・・・・・・・加熱端子部 代理人弁理士 須 山 佐 −
Claims (3)
- （１）集積回路チップが収容されてボンディングされる
キャビティ部の周囲に、気密封止蓋をろう付けする帯枠
状メタライズ部を形成してなる集積回路素子のセラミッ
クパッケージにおいて、前記帯枠状メタライズ部の角部
に膨大部を設けたことを特徴とする集積回路素子のセラ
ミックパッケージ。 - （２）帯枠状メタライズ部の表面には、気密封止蓋をろ
う付けするろう材層があらかじめ形成されでいる特許請
求の範囲第１項記載の集積回路素子のセラミックパッケ
ージ。 - （３）集積回路素子は、混成集積回路素子である特許請
求の範囲第１項または第２項記載の集積回路素子のセラ
ミックパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58082109A JPS59207643A (ja) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | 集積回路素子のセラミツクパツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58082109A JPS59207643A (ja) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | 集積回路素子のセラミツクパツケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59207643A true JPS59207643A (ja) | 1984-11-24 |
Family
ID=13765234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58082109A Pending JPS59207643A (ja) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | 集積回路素子のセラミツクパツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59207643A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4926240A (en) * | 1989-03-28 | 1990-05-15 | Motorola, Inc. | Semiconductor package having recessed die cavity walls |
| US7442582B2 (en) | 1997-07-14 | 2008-10-28 | Infineon Technologies Ag | Method for producing a chip-substrate connection |
-
1983
- 1983-05-11 JP JP58082109A patent/JPS59207643A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4926240A (en) * | 1989-03-28 | 1990-05-15 | Motorola, Inc. | Semiconductor package having recessed die cavity walls |
| US7442582B2 (en) | 1997-07-14 | 2008-10-28 | Infineon Technologies Ag | Method for producing a chip-substrate connection |
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