JPS592085A - メモリ−体型デイスプレイ装置 - Google Patents
メモリ−体型デイスプレイ装置Info
- Publication number
- JPS592085A JPS592085A JP57109807A JP10980782A JPS592085A JP S592085 A JPS592085 A JP S592085A JP 57109807 A JP57109807 A JP 57109807A JP 10980782 A JP10980782 A JP 10980782A JP S592085 A JPS592085 A JP S592085A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- memory cell
- display
- data
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマイクロコンピュータ等の端末装置の1つであ
るディスプレイ装置、特にメモリと一体になったメモリ
一体型ディスプレイ装置に関する。
るディスプレイ装置、特にメモリと一体になったメモリ
一体型ディスプレイ装置に関する。
従来、マイクロコンピュータ等の端末装置の1つとして
陰極線管ディスプレイ装置(CRT)がある。このCR
Tは、V−RAMと呼ばれるディスプレイ用のメモリを
もっており、その中のある番′地に文字等のデータを書
き込めば、その番地に対応する画面上にこれらのデータ
が表示される。ところで、CRT 自身には記憶作用が
な(・のて、一定の画、而を表示しておく場合には、直
接メモリからデータを読出して表示する動作を周期的に
繰疎さなければならない。このように、中央処理装置(
CPU)以外の装置が直接メモリとデータのやりとりを
することをDMA (ダイレクトメモリアクセス)と言
って(・る。
陰極線管ディスプレイ装置(CRT)がある。このCR
Tは、V−RAMと呼ばれるディスプレイ用のメモリを
もっており、その中のある番′地に文字等のデータを書
き込めば、その番地に対応する画面上にこれらのデータ
が表示される。ところで、CRT 自身には記憶作用が
な(・のて、一定の画、而を表示しておく場合には、直
接メモリからデータを読出して表示する動作を周期的に
繰疎さなければならない。このように、中央処理装置(
CPU)以外の装置が直接メモリとデータのやりとりを
することをDMA (ダイレクトメモリアクセス)と言
って(・る。
DMAを行なっている間は普通CPUを止めて信号がパ
スライン上でぶつかるのを防ぐが、V −RAMの場合
にはディスプレイ用メモリは専用メモリが使われるので
、普段はy−RAMのパスをCPUから切り離しておき
、CPUからこのメモリへデータを書き込むときだけす
なわちDMAが行なわれていない期間(水平、垂直の帰
線期間等)にCPU側に切り替え、CPUが停止するの
はCPUのV−RAMへのアクセスとCRTコントロー
ラーによるDMAが重なった場合のみと・している。
スライン上でぶつかるのを防ぐが、V −RAMの場合
にはディスプレイ用メモリは専用メモリが使われるので
、普段はy−RAMのパスをCPUから切り離しておき
、CPUからこのメモリへデータを書き込むときだけす
なわちDMAが行なわれていない期間(水平、垂直の帰
線期間等)にCPU側に切り替え、CPUが停止するの
はCPUのV−RAMへのアクセスとCRTコントロー
ラーによるDMAが重なった場合のみと・している。
このように、従来の陰極線管ディスプレイ装置ではDM
Aが行なわれて(・ないタイミングを□ねらってCI)
Uからディスプレイ用メモリにデータを書き込んだ後、
CRTコントローラーがメモリに対してDMA動作をし
て表示を行なうようになっているため、V−RAMへの
アクセスとDMA動作が重なった分だけCPUの稼動率
が無くなって速度が遅くなり、また回路も複雑になる。
Aが行なわれて(・ないタイミングを□ねらってCI)
Uからディスプレイ用メモリにデータを書き込んだ後、
CRTコントローラーがメモリに対してDMA動作をし
て表示を行なうようになっているため、V−RAMへの
アクセスとDMA動作が重なった分だけCPUの稼動率
が無くなって速度が遅くなり、また回路も複雑になる。
本発明はこのような問題点に鑑み提案されたもので、メ
モリと表示器を一体化したメモIJ 一体型ディスプレ
イ装置を提供することを目的とする。
モリと表示器を一体化したメモIJ 一体型ディスプレ
イ装置を提供することを目的とする。
本発明はV−RAMであるスタティック型RAMの各メ
モリセルに1対1に対応して表示素子である発光ダイオ
ード等を接続してメモリ一体型ディスプレイ装置とした
ものである。
モリセルに1対1に対応して表示素子である発光ダイオ
ード等を接続してメモリ一体型ディスプレイ装置とした
ものである。
以下、本発明を実施例の図面に従って説明する。第1図
は本発明の1実施例に係り、表示素子として発光ダイオ
−1’(LED)をスタティックRAMの各メモリセル
に接続したものである。
は本発明の1実施例に係り、表示素子として発光ダイオ
−1’(LED)をスタティックRAMの各メモリセル
に接続したものである。
jは64 (行)X16(列)X4=]024X4 =
4096ビツトのメモリセルマトリックスである。2は
メモリセルマトリックス1の各メモリセルに1対1対応
して接続されたLEDのマトリックスからなる表示器で
ある。3はアドレスA3゜A4.・・・・・・、A8の
入力によりメモリセルマトリックス1の行を選択する行
選択回路である。4はアドレスAO〜A2.A9 の
入力によりメモリセルマトリックス10列を選択する列
選択回路である。5はメモリセルマトリックスの各アド
レスのビットへのデータの入力を制御する入力データ制
御回路である。6は行選択回路3および列選択回路4で
選択されたメモリセルマトリックス1のアドレスにデー
タの入力(書き込み)あるいはそのアドレスのデータの
出力(読み出し)を行なう動式出力回路である。
4096ビツトのメモリセルマトリックスである。2は
メモリセルマトリックス1の各メモリセルに1対1対応
して接続されたLEDのマトリックスからなる表示器で
ある。3はアドレスA3゜A4.・・・・・・、A8の
入力によりメモリセルマトリックス1の行を選択する行
選択回路である。4はアドレスAO〜A2.A9 の
入力によりメモリセルマトリックス10列を選択する列
選択回路である。5はメモリセルマトリックスの各アド
レスのビットへのデータの入力を制御する入力データ制
御回路である。6は行選択回路3および列選択回路4で
選択されたメモリセルマトリックス1のアドレスにデー
タの入力(書き込み)あるいはそのアドレスのデータの
出力(読み出し)を行なう動式出力回路である。
チップセレクトcs=”o”′、ライトイネーズ/L/
WF、= ” 0 ” でl101〜工104 か
もデータが人力され、CS−” 0 ”、WE−”]”
でメメモリセルマトリックスかも読み出したデータがr
lo +〜l104に出力される。第2図はメモリセル
マトリックス1の回路図、第3図はそのメモリがN−M
OSの場合でその内部回路の回路図である。
WF、= ” 0 ” でl101〜工104 か
もデータが人力され、CS−” 0 ”、WE−”]”
でメメモリセルマトリックスかも読み出したデータがr
lo +〜l104に出力される。第2図はメモリセル
マトリックス1の回路図、第3図はそのメモリがN−M
OSの場合でその内部回路の回路図である。
T旧〜TIζ2はフリップフロップを構成するトラン、
ノスタである。LEDはこのフリップフロップに接続さ
れた表示用の発光ダイオードである。
ノスタである。LEDはこのフリップフロップに接続さ
れた表示用の発光ダイオードである。
フリップフロップの回路のバランスをとるために発光ダ
イオ−1−” LEDと同じ抵抗値を有する抵抗Rが発
光ダイオードLEDと対称に接続されている。XI、X
2.X3・・・・・・はX軸アドレス線、Yl、Y2゜
Y3・・・・・・はY軸アドレス線である。11は書き
込みアンプである。12は読み出し用のセンスアンプで
ある。TR5、TR6はX軸アルス選択のトランジスタ
、TR7、TR8はY軸アドレス選択のトランジスタで
ある。VDoは電源電圧である。
イオ−1−” LEDと同じ抵抗値を有する抵抗Rが発
光ダイオードLEDと対称に接続されている。XI、X
2.X3・・・・・・はX軸アドレス線、Yl、Y2゜
Y3・・・・・・はY軸アドレス線である。11は書き
込みアンプである。12は読み出し用のセンスアンプで
ある。TR5、TR6はX軸アルス選択のトランジスタ
、TR7、TR8はY軸アドレス選択のトランジスタで
ある。VDoは電源電圧である。
このフリップフロップにデータを書き込む場合には、X
軸アドレス線XiおよびY軸アドレス線Ylを共にロー
レベルにすると、トランジスタTR5〜TR8が全てオ
ンして書き込みアンプ11の出力と′フリップフロップ
が導通ずる。そして書き込みアンプ110人力をハイレ
にルにするど、その出力はそれぞれローレベル、ハイレ
ベルとなり、フリップフロップ内の電流は抵抗R→トラ
ンジスタT、R1→トランノスタTR4に流れる。
軸アドレス線XiおよびY軸アドレス線Ylを共にロー
レベルにすると、トランジスタTR5〜TR8が全てオ
ンして書き込みアンプ11の出力と′フリップフロップ
が導通ずる。そして書き込みアンプ110人力をハイレ
にルにするど、その出力はそれぞれローレベル、ハイレ
ベルとなり、フリップフロップ内の電流は抵抗R→トラ
ンジスタT、R1→トランノスタTR4に流れる。
したがって、フリップフロップにば’ 0 ”が記憶さ
れると共に発光ダイオードLEDは点燈しない。書き込
みアンプ110入力をハイレベルにすると、その出力は
それぞれハイレベル、ローレベルとなり、フリップフロ
ップ内の電流は発光ダイオードLED−トランジスタT
R2→トランジスタTR3に流れる。したがって、フリ
ップフロップにはI“が記憶されろと共に発光ダイオー
ドLEDが点燈する。なお、このフリップフロップの状
態は次に新たにこのフリップフロップを選択してデータ
を書き込むまで保持される。
れると共に発光ダイオードLEDは点燈しない。書き込
みアンプ110入力をハイレベルにすると、その出力は
それぞれハイレベル、ローレベルとなり、フリップフロ
ップ内の電流は発光ダイオードLED−トランジスタT
R2→トランジスタTR3に流れる。したがって、フリ
ップフロップにはI“が記憶されろと共に発光ダイオー
ドLEDが点燈する。なお、このフリップフロップの状
態は次に新たにこのフリップフロップを選択してデータ
を書き込むまで保持される。
このように、X軸アドレス、Y軸アドレスを指定して書
き込みアンプ110入力をハイレベルにすることにより
、表示器2の任意の位置の発光ダイオードを点燈させて
、表示器2に文字、図形等をドツト表示することがてき
る。読み込みの場合は、爾き込みの場合と同様にX軸ア
ドレスlX+、y41+アドレス、%lYlを共にロー
レベルにすると、ノリツブフロップの内容がセンスアン
ゾ12により出力さね、る。
き込みアンプ110入力をハイレベルにすることにより
、表示器2の任意の位置の発光ダイオードを点燈させて
、表示器2に文字、図形等をドツト表示することがてき
る。読み込みの場合は、爾き込みの場合と同様にX軸ア
ドレスlX+、y41+アドレス、%lYlを共にロー
レベルにすると、ノリツブフロップの内容がセンスアン
ゾ12により出力さね、る。
本実施例では、発光グイ・オーI5を各メモリセルの内
部回路に直接、組込んだが、発光ダイオ−1°を外柵け
にしてメモリセルマトリックス1と表示器2を別個にす
ることもてきる。また、第4図のように、バイポーラの
メモリセルにも、同唾に発光ダイオードを接続すること
ができる。
部回路に直接、組込んだが、発光ダイオ−1°を外柵け
にしてメモリセルマトリックス1と表示器2を別個にす
ることもてきる。また、第4図のように、バイポーラの
メモリセルにも、同唾に発光ダイオードを接続すること
ができる。
本発明は、以」−説明したように、ディスプレイ用メモ
リとディスプレイ装置を一体化したので、メモリにデー
タの省き込みと同時に表示を行なうことができ、従来の
陰極紛管ディスプレイ装置ノようにCRTコントローラ
によるDMA動作が不要になるためCPtJを1 (1
0%動作状態とてきることにより実行速度が大幅に早く
なる。
リとディスプレイ装置を一体化したので、メモリにデー
タの省き込みと同時に表示を行なうことができ、従来の
陰極紛管ディスプレイ装置ノようにCRTコントローラ
によるDMA動作が不要になるためCPtJを1 (1
0%動作状態とてきることにより実行速度が大幅に早く
なる。
また、平面形ブイスジレイであるため奥行の寸法が大幅
に小さくなり、スペース上非常に不利となる。さらに、
CRTコントローラ、ビデオ信号発生器等の周辺回路が
不要になる。なお、キャラクタを表示する場合にはキャ
ラクタコードをキャラクタデータに変換するためのソフ
トウェアが必要となりソフトウェア−\の負担が太き(
なるが、V−RAMをCPUのアトゝレス空間の中に配
しているようなコンピュータ、つまりCRTコントロー
ラによるDMAが行なわれるたびにCPUが停止するよ
うな方式の物においてドツトグラフィックスを表示する
場合に本ディスプレイ装置を使用すれば、その実行速度
は2倍〜3倍程度速くなる。
に小さくなり、スペース上非常に不利となる。さらに、
CRTコントローラ、ビデオ信号発生器等の周辺回路が
不要になる。なお、キャラクタを表示する場合にはキャ
ラクタコードをキャラクタデータに変換するためのソフ
トウェアが必要となりソフトウェア−\の負担が太き(
なるが、V−RAMをCPUのアトゝレス空間の中に配
しているようなコンピュータ、つまりCRTコントロー
ラによるDMAが行なわれるたびにCPUが停止するよ
うな方式の物においてドツトグラフィックスを表示する
場合に本ディスプレイ装置を使用すれば、その実行速度
は2倍〜3倍程度速くなる。
第1図は本発明、の1実施例に係るメモリ一体型ディス
プレイ装置のブロック図、第2図はそのメモリセルマト
リックスの回路図、第3図はN−MOSのメモリセルに
発光ダイオードを組込んだ実施例の回路図、第4図は・
ζイボーラのメモリセルに発光ダイオードを組込んだ実
施例の回路図である。 I・・・・メモリセルマトリックス 2・・・・・・表示器 L E D・・・表示素子 特許出願人 新日本電気株式会社 代理人若林 忠 第 1 図
プレイ装置のブロック図、第2図はそのメモリセルマト
リックスの回路図、第3図はN−MOSのメモリセルに
発光ダイオードを組込んだ実施例の回路図、第4図は・
ζイボーラのメモリセルに発光ダイオードを組込んだ実
施例の回路図である。 I・・・・メモリセルマトリックス 2・・・・・・表示器 L E D・・・表示素子 特許出願人 新日本電気株式会社 代理人若林 忠 第 1 図
Claims (2)
- (1) スタティック型ランダムアクセスメモリの各
メモリセルに、1対1に対応して接続される表示素子に
よって構成され、各メモリセルへのデータの書き込みに
よって上記表示素子の制御が行なわれることを特徴とす
るメモリ一体型ディスプレイ装置。 - (2) 表示素子が発光ダイオードである特許請求の
範囲第1項に記載のメモリ一体型ディスプレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109807A JPS592085A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | メモリ−体型デイスプレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109807A JPS592085A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | メモリ−体型デイスプレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592085A true JPS592085A (ja) | 1984-01-07 |
Family
ID=14519699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57109807A Pending JPS592085A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | メモリ−体型デイスプレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592085A (ja) |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP57109807A patent/JPS592085A/ja active Pending
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