JPS59208741A - 半導体ウエ−ハ用吸着チヤツク装置 - Google Patents
半導体ウエ−ハ用吸着チヤツク装置Info
- Publication number
- JPS59208741A JPS59208741A JP58084309A JP8430983A JPS59208741A JP S59208741 A JPS59208741 A JP S59208741A JP 58084309 A JP58084309 A JP 58084309A JP 8430983 A JP8430983 A JP 8430983A JP S59208741 A JPS59208741 A JP S59208741A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- suction
- semiconductor wafer
- attracting
- vacuum
- light beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0616—Monitoring of warpages, curvatures, damages, defects or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/50—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/78—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using vacuum or suction, e.g. Bernoulli chucks
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- Gripping Jigs, Holding Jigs, And Positioning Jigs (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体ウェーハを処理するため、真空吸着
して保持しておく、半導体ウェーハ用吸着ナヤツク装置
に関する。
して保持しておく、半導体ウェーハ用吸着ナヤツク装置
に関する。
従来この種の装置として、第１図に縦断面図で示すもの
があった。ｔｌ）は半導体ウェーハの吸着板で、上面は
吸着面（ｌａ）になっており、複数の吸引孔（ｌｂ）か
設りられている。（２）は吸着板＋１＋の裏面に気密に
固着された囲い体で、真空吸引連結管（３）が接続され
、真空ポンプ（図示は略す）に結合されている。
があった。ｔｌ）は半導体ウェーハの吸着板で、上面は
吸着面（ｌａ）になっており、複数の吸引孔（ｌｂ）か
設りられている。（２）は吸着板＋１＋の裏面に気密に
固着された囲い体で、真空吸引連結管（３）が接続され
、真空ポンプ（図示は略す）に結合されている。
上記従来の吸着チャック装置の動作は、次のよう（こな
る。半導体ウェーハ（４）を吸着板（１）の吸着面（１
ａ）上に載せ、真空ポンプにより囲い体（２）内を排気
すると、吸引孔（１ｂ）の負圧吸引作用により半導体ウ
ェーハ（４）は吸着面（１ａ）に密着する。
る。半導体ウェーハ（４）を吸着板（１）の吸着面（１
ａ）上に載せ、真空ポンプにより囲い体（２）内を排気
すると、吸引孔（１ｂ）の負圧吸引作用により半導体ウ
ェーハ（４）は吸着面（１ａ）に密着する。
従来の吸着チャック装置は、半導体ウェーハ（４）を吸
引蜜漬するのみで、半導体ウェーハ（４）自体がもって
いるひずみによる反り状態を知ることはできなかった。
引蜜漬するのみで、半導体ウェーハ（４）自体がもって
いるひずみによる反り状態を知ることはできなかった。
このため、半導体ウェーハ（４）は処理工程において、
パターン乱れやプローブ接触不良など生じるおそれかあ
った。
パターン乱れやプローブ接触不良など生じるおそれかあ
った。
この発明は、上記従来装置の欠点を除くためになされた
もので、半導体ウェーハを真空吸着する吸着板に、１対
宛の吸引孔を光ビームの入射角と反射角をなす角度に傾
斜して複数個所に設け、これらの入射側の吸引孔に対し
光ビーム源から光ビームを投射し、吸着板上の半導体ウ
ェーハ面からの反射光ビームを反射側の吸引孔を通して
出し、光検出器で光量を検出するようにし、真空吸着前
と吸着後での双方の光量を比較し、半導体ウェーハの反
り状態が検出されるようにし、反りの著しい半導体ウェ
ーハを未然に排除１選別ができ、生産性が向上される半
導体ウェーハ用吸着チャック装置を提供することを目的
としている。
もので、半導体ウェーハを真空吸着する吸着板に、１対
宛の吸引孔を光ビームの入射角と反射角をなす角度に傾
斜して複数個所に設け、これらの入射側の吸引孔に対し
光ビーム源から光ビームを投射し、吸着板上の半導体ウ
ェーハ面からの反射光ビームを反射側の吸引孔を通して
出し、光検出器で光量を検出するようにし、真空吸着前
と吸着後での双方の光量を比較し、半導体ウェーハの反
り状態が検出されるようにし、反りの著しい半導体ウェ
ーハを未然に排除１選別ができ、生産性が向上される半
導体ウェーハ用吸着チャック装置を提供することを目的
としている。
第２図はこの発明の一実施例による半導体ウェーハ用吸
着チャック装置の縦断面図である。（＋＋口ま半導体ウ
ェーハの吸着板で、（ｌｌａ）は吸着面である。吸着板
（１１）には、中心部に吸引孔（ｌｌｂ）が設けられ、
中心部から所定の半径位置に円周方向に対し複数個所に
、吸着面（ｌｌａ）側から所定の傾斜角で１対宛の吸引
孔（ｌｌｃ）、 （ｌｌｄ）が貫通している。
着チャック装置の縦断面図である。（＋＋口ま半導体ウ
ェーハの吸着板で、（ｌｌａ）は吸着面である。吸着板
（１１）には、中心部に吸引孔（ｌｌｂ）が設けられ、
中心部から所定の半径位置に円周方向に対し複数個所に
、吸着面（ｌｌａ）側から所定の傾斜角で１対宛の吸引
孔（ｌｌｃ）、 （ｌｌｄ）が貫通している。
（１２）は吸着板（１１）の裏面に気密に固着てれ機械
的に保持し、かつ、真２ｍを形成する囲い体で、真空吸
引連結管（３）が接続され、真空ポンプ（図示は略す）
に結合されている。（１２ａ）及び（１２ｂ）は上記各
吸引孔（，１ｌｃ）及び（ｌｉｄ）の傾斜方向に連通ず
る窓孔で、光を透す透明拐からなる透明カバー（ｌ鵠に
よりそれぞれ気密にふさがれている。（１４）は各入射
側の吸引孔（１１０）に光ビームを投射する光ビーム源
、０５）は各反射側の吸引孔（１１ｄ）から出た反射光
を検出する光検出器である。
的に保持し、かつ、真２ｍを形成する囲い体で、真空吸
引連結管（３）が接続され、真空ポンプ（図示は略す）
に結合されている。（１２ａ）及び（１２ｂ）は上記各
吸引孔（，１ｌｃ）及び（ｌｉｄ）の傾斜方向に連通ず
る窓孔で、光を透す透明拐からなる透明カバー（ｌ鵠に
よりそれぞれ気密にふさがれている。（１４）は各入射
側の吸引孔（１１０）に光ビームを投射する光ビーム源
、０５）は各反射側の吸引孔（１１ｄ）から出た反射光
を検出する光検出器である。
１対宛の吸引孔（ｌｌｃ）と（ｌｌａ）とは、吸着面（
１１ａ）に接した半導体ウェーハの面が整反射平面であ
ったとした場合の、入射角と反射角をなす角度関係にし
て設けである。
１１ａ）に接した半導体ウェーハの面が整反射平面であ
ったとした場合の、入射角と反射角をなす角度関係にし
て設けである。
上記一実施例の吸着チャック装置の動作は、次のように
なる。第３図に示すように、吸着板（＋＋）の吸着面（
ｌｌａ ）に半導体ウェーハ（４）を載せる。このとき
は１だ真空吸引前であり、半導体ウェーハ（４）は１点
鎖線で示すようにひずみにより反っており、吸糸面（ｌ
ｌａ）との間にすき間ができている。
なる。第３図に示すように、吸着板（＋＋）の吸着面（
ｌｌａ ）に半導体ウェーハ（４）を載せる。このとき
は１だ真空吸引前であり、半導体ウェーハ（４）は１点
鎖線で示すようにひずみにより反っており、吸糸面（ｌ
ｌａ）との間にすき間ができている。
ここで各党ビーム源（１４）から入射光ビームＰを投射
すると、透明カバー（１３）を透過して吸引孔（ｌｌｃ
）を通り、半導体ウェーハ（４）面に当り迷光ビームＱ
が現われ、吸引孔（ｌｌｄ）内を通って出る反射光ビー
ムＲは光お−が減少する。続いて、真空ポンプにより囲
い体（１２１内を真空状態に吸引すると、半導体ウェー
ハ（４）は真空吸引でれ２点鎖線で示すように、Ｉｆｉ
府面（ｌｌａ ）に密浴しすき間がなくなって平面状態
になり、反射光ビームＲの光量は最大となる。
すると、透明カバー（１３）を透過して吸引孔（ｌｌｃ
）を通り、半導体ウェーハ（４）面に当り迷光ビームＱ
が現われ、吸引孔（ｌｌｄ）内を通って出る反射光ビー
ムＲは光お−が減少する。続いて、真空ポンプにより囲
い体（１２１内を真空状態に吸引すると、半導体ウェー
ハ（４）は真空吸引でれ２点鎖線で示すように、Ｉｆｉ
府面（ｌｌａ ）に密浴しすき間がなくなって平面状態
になり、反射光ビームＲの光量は最大となる。
したがって、光検出器（１５）により、真空ポンプの動
作前と動作中とに対する、各吸引孔（ｌｌｄ）を通って
出る反射光ビームＲの光量を検出し比較することにより
、半導体ウェーノｉ４）の反り状態が検知され、これに
対する処置をとることができ、処理工程における不具合
をなくすることができる。
作前と動作中とに対する、各吸引孔（ｌｌｄ）を通って
出る反射光ビームＲの光量を検出し比較することにより
、半導体ウェーノｉ４）の反り状態が検知され、これに
対する処置をとることができ、処理工程における不具合
をなくすることができる。
なお、上記実施例では、吸着板（１１）に１対宛の吸引
孔（ｌｌｃ）と（ｌＸａ）を半径方向に対し両側の２箇
所宛設けたが、必要によりさらに多く配設し、これらの
各吸引孔（ｌｌｃ）及び（Ｉｎ）に対応する光ビーム源
（１４）及び光検出器（１６）を設置してもよく、多数
個所からの光量データ群により、半導体ウェーノ・（４
）の反り状態の分布を知ることができる。
孔（ｌｌｃ）と（ｌＸａ）を半径方向に対し両側の２箇
所宛設けたが、必要によりさらに多く配設し、これらの
各吸引孔（ｌｌｃ）及び（Ｉｎ）に対応する光ビーム源
（１４）及び光検出器（１６）を設置してもよく、多数
個所からの光量データ群により、半導体ウェーノ・（４
）の反り状態の分布を知ることができる。
以上のように、この発明によれは、半導体ウェーハを真
空吸引により保持する吸着板に、１対宛の吸引孔を光ビ
ームの入射角と反射角をなす角度に傾斜して設け、光ビ
ームを入射側の吸引孔に入射し、吸着板の吸着面上の半
導体ウェーノ・下面からの反射光ビームを反射側の吸引
孔を通して出し、光検出器で光量を検出するようにした
ので、真空吸着前と吸着状態とにおける双方の反射光ビ
ームの光搦、を比較すること（こより、反導体ウェーハ
の反り状態が検出、把握でき、処理工程でパターン描画
装置や自動ウエーハブローバ等へ適用することにより、
バクーン乱れやプローブ接触不良を起こずような、反り
の著しい半導体ウェーハを検出して未然に排除１選別す
ることができ、生産性が向上される。
空吸引により保持する吸着板に、１対宛の吸引孔を光ビ
ームの入射角と反射角をなす角度に傾斜して設け、光ビ
ームを入射側の吸引孔に入射し、吸着板の吸着面上の半
導体ウェーノ・下面からの反射光ビームを反射側の吸引
孔を通して出し、光検出器で光量を検出するようにした
ので、真空吸着前と吸着状態とにおける双方の反射光ビ
ームの光搦、を比較すること（こより、反導体ウェーハ
の反り状態が検出、把握でき、処理工程でパターン描画
装置や自動ウエーハブローバ等へ適用することにより、
バクーン乱れやプローブ接触不良を起こずような、反り
の著しい半導体ウェーハを検出して未然に排除１選別す
ることができ、生産性が向上される。
第１図は従来の半導体ウェーハ用真空チャック装置眞の
縦断面１メ）、第２図はこの発明の一実施例による半導
体ウェーハ用真空チャック装置の概要縦断面図、第３図
は第２図の装置の動作状態を示す部分拡大断面図である
。 図において、４・・・半導体ウェーハ、１１・・・吸着
板、１１ ａ−＝吸着面、ｌｌｂ 、 ｌｌｃ 、 １
ｌｄ−吸引孔、コ、２・・・囲い体、１２ａ 、 １２
ｂ・・・窓孔、１３・・・透明カバー、１４・・・光ビ
ーム源、１５・・・光検出器。 なり、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄
縦断面１メ）、第２図はこの発明の一実施例による半導
体ウェーハ用真空チャック装置の概要縦断面図、第３図
は第２図の装置の動作状態を示す部分拡大断面図である
。 図において、４・・・半導体ウェーハ、１１・・・吸着
板、１１ ａ−＝吸着面、ｌｌｂ 、 ｌｌｃ 、 １
ｌｄ−吸引孔、コ、２・・・囲い体、１２ａ 、 １２
ｂ・・・窓孔、１３・・・透明カバー、１４・・・光ビ
ーム源、１５・・・光検出器。 なり、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄
Claims (1)
- 上面が半導体ウェーハの吸着面をなし、この吸着面に接
する半導体ウェーハ面に対し入射角と反射角とをなす角
展に双方が傾斜してありられたｌ討死の吸引孔が複数個
所に配設された吸着板、この吸着板の裏面を気密に囲っ
て固尤妊れ真空室を形成し外部の真空ポンプにより負圧
にされるようにしてあり、底部に上記各１対宛の吸引孔
に対応するｔ′Ｌ置にそれぞれ窓孔があけられ、これら
の窓孔が透明カバーで気密にふ坏がれである囲い体、こ
の囲い体の背部にそれぞれ配置てれ、光ビームを上記透
明カバーを透し上記入射側の吸引穴全通して上記吸着面
上の半導体ウェーハの面（こ投射する複数の元ビーム源
、及び上記囲い体の背部にそれぞれ配置され、上記半導
体ウェーハ面から反射し上記反射側の吸引孔を通り上記
透明カバーを透して出た反射光ビームの光量を検出する
複数の光検出器を備え、上記半導体ウェーハの真空吸着
前と吸着後とにおける反射光ビームの光量を比較し、半
導体ウェーハの反りの状態が検知されるようにした半導
体ウェーハ用吸着チャック装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084309A JPS59208741A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 半導体ウエ−ハ用吸着チヤツク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084309A JPS59208741A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 半導体ウエ−ハ用吸着チヤツク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208741A true JPS59208741A (ja) | 1984-11-27 |
| JPS6311776B2 JPS6311776B2 (ja) | 1988-03-16 |
Family
ID=13826890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58084309A Granted JPS59208741A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 半導体ウエ−ハ用吸着チヤツク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59208741A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6484728A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Tokyo Electron Ltd | Alignment |
| JPH0989997A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Hioki Ee Corp | 基板検査装置用吸引式基板固定具 |
| EP0926708A3 (en) * | 1997-12-23 | 2003-08-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Method and apparatus for processing semiconductor wafers |
| JP2008053302A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板検知機構および基板収容容器 |
| JP2010029929A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| JP2014033057A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Murata Mfg Co Ltd | 基板吸着装置 |
| JP2019016714A (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板反り検出装置及び基板反り検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1983
- 1983-05-12 JP JP58084309A patent/JPS59208741A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6484728A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-30 | Tokyo Electron Ltd | Alignment |
| JPH0989997A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Hioki Ee Corp | 基板検査装置用吸引式基板固定具 |
| EP0926708A3 (en) * | 1997-12-23 | 2003-08-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Method and apparatus for processing semiconductor wafers |
| JP2008053302A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板検知機構および基板収容容器 |
| JP2010029929A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| JP2014033057A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Murata Mfg Co Ltd | 基板吸着装置 |
| JP2019016714A (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板反り検出装置及び基板反り検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6311776B2 (ja) | 1988-03-16 |
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