JPS5921038A - ペレツト剥離方法 - Google Patents

ペレツト剥離方法

Info

Publication number
JPS5921038A
JPS5921038A JP57130960A JP13096082A JPS5921038A JP S5921038 A JPS5921038 A JP S5921038A JP 57130960 A JP57130960 A JP 57130960A JP 13096082 A JP13096082 A JP 13096082A JP S5921038 A JPS5921038 A JP S5921038A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
adhesive
pellet
adhesive sheet
pellets
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57130960A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiro Yanagi
柳 明広
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Home Electronics Ltd
NEC Corp
Original Assignee
NEC Home Electronics Ltd
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Home Electronics Ltd, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Home Electronics Ltd
Priority to JP57130960A priority Critical patent/JPS5921038A/ja
Publication of JPS5921038A publication Critical patent/JPS5921038A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0442Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7402Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7412Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H10P72/7414Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7416Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/744Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or a wafer

Landscapes

  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は、一枚のウェーハより多数の半導体素子を得
る場合に、現在数〈実施されている粘着シー ト貼着力
式(・τおけるペレットill 11f技?ni vc
 関するもので”1)る。
背景技術 従来より1”7エーへの細分区画C′とに多数117)
素イを形成させて後、区1i!l IX分線に’i’A
って各べL・ットに分割するには、次に−示す粘着シー
ト貼米方式が一般に普及している。すなわち、第1図に
示すように、伸展性が良好゛なポリ塩化ビニル等の粘着
シー)lへ、多数の素子を形成済みのウー丁−/\2を
貼着させて、ウェーハ2十の素子区画境界線3゜3、・
・ (で沿って形成1.、、たスクライブ溝3’ + 
”’ 1・・・・・・で引裂き分割する方法で、粘着シ
ー 計1を矢10i4 、4 、・・・・・で示す」こ
うにつ3丁−)12とともに放射方向に引延すやり方を
採用している。しかし、このやり方は、粘着ジートコを
引延ず際に、ウェーハ2の中央部と周縁部とで廷びに差
が生じる。
換言すれば、ウェーハ全面に亘って均一に引延すことが
困難である。よってウェーハ2十の急激な延びが生じる
部分5,5.・・・・ においては、第2図に示すよう
に、分割時の引裂き衝撃によって微細なりラック6,6
.・・・・・・を招いたり、ペレット7.7.・・・・
・・ と粘着シー)1との接着力が著しく弱くなり位置
ずれを生じたりする欠点があった。
これらの欠点があると、単にウェーハ2をペレット’7
.’7.・・・・・・に分割する作業性の低下たけでな
く、ペレットマウントエ゛程へ供給する能率へも悪影普
する問題がある。
そこで、」二記問題解決のために1.第3図に示すヨウ
に、ウェーハ2′\スクライブ溝を形成する際に、ダイ
サ8により粘着シート1’lHで切り込み、ウェーハ2
を完全区画カットするスルーカット溝9.9.・・・・
・・を設けるやり方が考えられる。ところが、このやり
方は、粘着シート10表面粘着層をも削ることとなるの
で、粘着剤11 、11.・・・・・がウェーハ2上や
ダイサ8に付着してし捷い、ペレツ)7,7.・・・・
・・を汚染してしまう問題があった。
またウェーハ2を完全に区画カットしても、各々のペレ
ット?、7.・・・・・・の裏面は、粘着シート1に貼
着されたままであり、ペレット剥離作業が困難である新
な問題を生じていた。
発明の開示 この発明は、上述の事情を検討・考察した結果提唱され
たもので、粘着シートの引勉しを行わないスルーカット
溝を股″けるやり方を採るにもかかわらず、従来よりの
問題を解決した独特の特徴があるものである。すなわち
、この発明は、粘着シートの粘着剤に紫外線硬化性樹脂
を用いて、つ工−ハヲ粘着シートへ貼着し、ペレットの
区画毎にスルーカット溝を設けるダイシング作業後、貼
着構体へ紫外線を照射して粘着シートの粘着力を低下さ
せ、ペレット剥離棒にてウェーハ突き上げや衝撃を与え
るしごき等の物理的手段によってペレット剥離を行う方
法とするものである。したがって、この発明は、粘着シ
ート貼着方式を採るにもかかわらず、従来の諸欠点を排
除し、しかもペレットマウント工程に好適な利点をもた
らすことができるものである。
発明実施のための最良の形態 第4図〜第8図は、この発明の一実施例となるペレット
剥離方法による剥離作業工程を示している。まず第4図
は、ウエーノ1貼着構体10の断面図で、11は、透明
なポリ塩化ビニル製シート12の表面に紫外線硬化性の
アクリル系粘着剤13を塗着形成した粘着シートで、例
えば、拡散法によりPyk合を形成して各区画区分毎に
多数のトランジスタ等の素子を作ったウエーノ\14を
貼着したものである。この時ウエーノX14は、この実
施例では従来の一例を示した第3図の構体と少し異り、
ベレツ) 15,15.・・・・・・の区画区分線16
 、16゜・・・・・・に沿って切削するスルーカット
溝17.l’7゜・・・・・・を、ウエーノ114の厚
さ寸法tより若干率さい深さ寸法8に設定されている。
つぎに第5図は、ウェーハ貼着構体10への紫外線照射
工程を示す棚5略構成図で、ウエーノ1貼着構体lOは
、そのシート12側を上面にして基台18上に載置し、
第6図にて明らかなように、ウエーノ\14の剥離不要
な斜線で示した端縁部対応部12′及びその外方を紫外
線遮光マスク19にて覆い、つまり、ペレッ)15,1
5.・・・・・ 粘着状態の中央部分を露出室20に設
定している。そして、21,21.・・・・・・ 5− は、紫外線発生源である高圧水銀灯、22,22゜・・
・・・ は高圧水銀灯21 、21 、・・・・・・よ
り発生した紫外線23,23.・・・・ を平行線群に
束ねて露出室20へ照射きせるための放物線形凹面鏡で
ある。
以上の工程によって紫外線を照射されたウェーハ貼着構
体10は、剥離すべきペレツ)15,15゜・・・・・
・が貼着されている粘着剤12が、硬化して粘着力が著
しく低下している。例えば、J工5ZO237規格によ
った粘着力試験結果では、初期粘着力が9 e g /
 25冑であったものが、0〜59 / 25 tts
程度に低下することが確認されている。しかし粘着剤1
3は硬化してもペレット15,15.・・・・・・を接
着していることには変りないので、従来の第2図に示さ
れたようなペレット位置ずれを生じる恐れはない。、そ
の原因は、紫外線によって粘着剤の分子構造が固相状態
に近づき粘性は低下するが、接着エネルギは分子構造の
変化にもかかわらず粘着剤へ吸着される公知の接着理論
に基〈ものと考えられる。
さて、紫外線を照射されたウェーハ貼着構体lO6− は、第7図に示すように、筒状保持グイ23とその外周
枠体24と((よって粘着シート]1の外周端縁部]]
′を挾みイ」け゛されて張架され、任意のベレット15
へ−L方より真空吸引コレット25を接近させてj♂き
、下方よりシート12を介したま1ヘレツ)15のみを
剥離棒26により突き上げてウェー八貼着構体10より
引き千切るとともに真空吸引コレット25へ吸着させて
、ベレット]5の剥離を行う。PJ A部を拡大して示
す第8図は、ベレツ) J5の剥離中の状態である。
以1−の実施例で示したベレット剥離方法は、つニー八
貼着構体〕Oのシー)12の引廷ばしを行わずに、しか
も粘着剤]2を削り取ることなくベレン)15,15.
・・・・・ を剥離することができるので、ペレット剥
離離における位置ずねや汚染の危険性が皆無となり、そ
の上に、照射する紫外線のマスキングを適宜パターン変
化させて所望のベレットのみを選択的に、先行パイロッ
ト剥離させることが可能である。1な、このベレット剥
離方法は、スルーカット溝17.〕7.・・・・・・を
ウェーへ切断寸前捷で深く切り込むこノーがてきるので
、ベレットの切断側面が従来よりも著しく整い、べl〜
フットの区画4法が細かい場合でも作業性を損わない利
点がある。
尚、以−にの実施例は、物理的な剥離手段として、突き
上げるf段を採ったが、この発明は、紫外線照射によっ
て、ベレツ)15,15.・・・・・・の粘着力を低下
させでいるので、第9図に示ずようにつ工−ノX貼着構
体JOを一ト側より水平に1.ごき棒27にてしごき、
−斉に多数のベレツl−15、]、 5 。
を完全カットしてやり、剥離1−でもよい。要し するこの発明における物理的剥離手段は、引き離し力と
なる衝撃を加えるためのものである。
この発明によれば、ベレット剥Mにおいて、従来不都合
にも併発していたべt〜・ツト位置づれや破損全防止で
き、1〜かもウェーハ中の一部のベレットのみの先行剥
離テストが可能であり、剥離作業が完壁となる。そして
さらに、べt−ットの切断側面を整わずことができ、ウ
ェーへのベレット化歩留り向上、高品質化にも寄与する
優れた諸効果がある。
【図面の簡単な説明】
第11図は、従来のウェー八貼着構体の斜視図、第2図
はそのベレット分割時の分割不良状態の要部斜視図、第
3図はウェーハのスルーカットを行う方式の貼着構体の
断面図、第4図はこの発明の一実施例であるベレット剥
離方法にて使用するつニー八貼着構体の断面図、第5図
はその紫外線照射工程を示す概略構成図、第6図は、そ
の貼着構体に紫外線遮光マスキングを施した平面図、第
7図は、その貼着一体よりベレット剥離を行う断面視概
略構成図、第8図は、第7図における円A部を拡大した
要部断面図、第9図は、この発明のその′他の実施例に
て使用ウェー八貼着構体のペレット剥離を行う要部拡大
断面図である。 10・・・・・・ウェー八貼着構体、 11・・・・・・粘着シート、   12・・・・・・
シート、13・・・・・・粘着剤、 15.15.・・・・・ ・・・・・・ベレット、 9
− 23 、23 、・・・・・・・・・・・ 紫外線、2
6・・・・・剥離棒、  27・・・・ しごき棒。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 朱子を多数1し成47j)みのウェーハを粘着シートに
    貼着して、憲子区両ことに々゛イシング後ペレットに−
    /し・−キング[−1個々のペレットを粘着シートより
    剥離する方法に関して、前記粘着シートの粘着剤に紫外
    線?1lll化性樹脂を用いて5ダイシング後詰着構休
    −\紫外線を照射して粘着シートの粘着力を低丁させて
    、剥離棒にてのウェーへ突き上げや(資)撃を与える1
    〜どき等の物理的手段により剥離′させることを特徴と
    するペレット剥離方法。
JP57130960A 1982-07-27 1982-07-27 ペレツト剥離方法 Pending JPS5921038A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57130960A JPS5921038A (ja) 1982-07-27 1982-07-27 ペレツト剥離方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57130960A JPS5921038A (ja) 1982-07-27 1982-07-27 ペレツト剥離方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62115388A Division JPS63211644A (ja) 1987-05-12 1987-05-12 半導体ペレットの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5921038A true JPS5921038A (ja) 1984-02-02

Family

ID=15046650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57130960A Pending JPS5921038A (ja) 1982-07-27 1982-07-27 ペレツト剥離方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5921038A (ja)

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6031918A (ja) * 1983-07-29 1985-02-18 関西日本電気株式会社 半導体ウエ−ハダイシング用接着シ−ト
JPS60189938A (ja) * 1984-03-12 1985-09-27 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの保護方法
JPS60196956A (ja) * 1984-03-12 1985-10-05 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPS60201646A (ja) * 1984-03-27 1985-10-12 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの固定方法
JPS60201647A (ja) * 1984-03-27 1985-10-12 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの固定方法
JPS60201642A (ja) * 1984-03-27 1985-10-12 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの処理方法
JPS60201643A (ja) * 1984-03-27 1985-10-12 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの処理方法
JPS60223139A (ja) * 1984-04-18 1985-11-07 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPS60172345U (ja) * 1984-04-23 1985-11-15 日東電工株式会社 紫外線照射装置
JPS6197848A (ja) * 1984-10-19 1986-05-16 Nippon Kako Seishi Kk 半導体チツプの製造法
JPS61187248A (ja) * 1985-02-14 1986-08-20 Bando Chem Ind Ltd 半導体ウエハ−のダイシング方法
JPS6254776A (ja) * 1985-09-04 1987-03-10 Bando Chem Ind Ltd 感圧接着性シート
JPS6254778A (ja) * 1985-09-04 1987-03-10 Bando Chem Ind Ltd 感圧接着性シート
JPS6254777A (ja) * 1985-09-04 1987-03-10 Bando Chem Ind Ltd 感圧接着性シート
JPS6254937A (ja) * 1985-09-04 1987-03-10 Bando Chem Ind Ltd 半導体ウエハ−のダイシング方法
JPS62189112A (ja) * 1986-02-17 1987-08-18 ウシオ電機株式会社 粘着シ−ト処理装置
JPS62189110A (ja) * 1986-02-17 1987-08-18 ウシオ電機株式会社 粘着シ−ト処理装置
JPS62189111A (ja) * 1986-02-17 1987-08-18 ウシオ電機株式会社 粘着シ−ト処理装置
JPS62216244A (ja) * 1986-03-17 1987-09-22 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS62190352U (ja) * 1986-05-22 1987-12-03
JPS6343342A (ja) * 1986-08-08 1988-02-24 Bando Chem Ind Ltd 半導体ウエハ−のダイシング方法
JPH01136350A (ja) * 1987-11-20 1989-05-29 Nec Kansai Ltd 半導体装置の製造方法
JPH01139224A (ja) * 1987-11-26 1989-05-31 Fujitsu Ltd 切断済半導体チップの剥離方法
JPH03167839A (ja) * 1989-11-28 1991-07-19 Nec Kansai Ltd ダイシング方法
JPH03278444A (ja) * 1990-09-07 1991-12-10 Bando Chem Ind Ltd 半導体ウエハーのダイシング方法
JPH0766474A (ja) * 1993-08-31 1995-03-10 Jgc Corp 炭酸ガスレーザ装置
US5637395A (en) * 1984-03-12 1997-06-10 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Thin adhesive sheet for working semiconductor wafers
EP1458012A3 (en) * 2003-03-12 2006-05-10 Nitto Denko Corporation Ultraviolet light irradiating method and an apparatus using the same
CN102278935A (zh) * 2011-04-25 2011-12-14 北京大学 Coms器件辐照位移损伤区在沟道相对位置的估算方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4911434A (ja) * 1972-05-30 1974-01-31
JPS49114345A (ja) * 1973-02-28 1974-10-31
JPS5190565A (ja) * 1975-02-07 1976-08-09

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4911434A (ja) * 1972-05-30 1974-01-31
JPS49114345A (ja) * 1973-02-28 1974-10-31
JPS5190565A (ja) * 1975-02-07 1976-08-09

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6031918A (ja) * 1983-07-29 1985-02-18 関西日本電気株式会社 半導体ウエ−ハダイシング用接着シ−ト
US6010782A (en) * 1984-03-12 2000-01-04 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Thin adhesive sheet for working semiconductor wafers
JPS60189938A (ja) * 1984-03-12 1985-09-27 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの保護方法
JPS60196956A (ja) * 1984-03-12 1985-10-05 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板
US5637395A (en) * 1984-03-12 1997-06-10 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Thin adhesive sheet for working semiconductor wafers
US5714029A (en) * 1984-03-12 1998-02-03 Nitto Electric Industrial Co., Ltd. Process for working a semiconductor wafer
JPS60201646A (ja) * 1984-03-27 1985-10-12 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの固定方法
JPS60201647A (ja) * 1984-03-27 1985-10-12 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの固定方法
JPS60201642A (ja) * 1984-03-27 1985-10-12 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの処理方法
JPS60201643A (ja) * 1984-03-27 1985-10-12 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの処理方法
JPS60223139A (ja) * 1984-04-18 1985-11-07 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPS60172345U (ja) * 1984-04-23 1985-11-15 日東電工株式会社 紫外線照射装置
JPS6197848A (ja) * 1984-10-19 1986-05-16 Nippon Kako Seishi Kk 半導体チツプの製造法
JPS61187248A (ja) * 1985-02-14 1986-08-20 Bando Chem Ind Ltd 半導体ウエハ−のダイシング方法
JPS6254778A (ja) * 1985-09-04 1987-03-10 Bando Chem Ind Ltd 感圧接着性シート
JPS6254777A (ja) * 1985-09-04 1987-03-10 Bando Chem Ind Ltd 感圧接着性シート
JPS6254937A (ja) * 1985-09-04 1987-03-10 Bando Chem Ind Ltd 半導体ウエハ−のダイシング方法
JPS6254776A (ja) * 1985-09-04 1987-03-10 Bando Chem Ind Ltd 感圧接着性シート
JPS62189110A (ja) * 1986-02-17 1987-08-18 ウシオ電機株式会社 粘着シ−ト処理装置
JPS62189112A (ja) * 1986-02-17 1987-08-18 ウシオ電機株式会社 粘着シ−ト処理装置
JPS62189111A (ja) * 1986-02-17 1987-08-18 ウシオ電機株式会社 粘着シ−ト処理装置
JPS62216244A (ja) * 1986-03-17 1987-09-22 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS62190352U (ja) * 1986-05-22 1987-12-03
JPS6343342A (ja) * 1986-08-08 1988-02-24 Bando Chem Ind Ltd 半導体ウエハ−のダイシング方法
JPH01136350A (ja) * 1987-11-20 1989-05-29 Nec Kansai Ltd 半導体装置の製造方法
JPH01139224A (ja) * 1987-11-26 1989-05-31 Fujitsu Ltd 切断済半導体チップの剥離方法
JPH03167839A (ja) * 1989-11-28 1991-07-19 Nec Kansai Ltd ダイシング方法
JPH03278444A (ja) * 1990-09-07 1991-12-10 Bando Chem Ind Ltd 半導体ウエハーのダイシング方法
JPH0766474A (ja) * 1993-08-31 1995-03-10 Jgc Corp 炭酸ガスレーザ装置
EP1458012A3 (en) * 2003-03-12 2006-05-10 Nitto Denko Corporation Ultraviolet light irradiating method and an apparatus using the same
US7091499B2 (en) 2003-03-12 2006-08-15 Nitto Denko Corporation Ultraviolet irradiating method and an apparatus using the same
CN102278935A (zh) * 2011-04-25 2011-12-14 北京大学 Coms器件辐照位移损伤区在沟道相对位置的估算方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5921038A (ja) ペレツト剥離方法
JP3177149B2 (ja) 粘着テープ用基材、該基材を用いた粘着テープ、および該基材の製造方法
KR101215105B1 (ko) 스텔스 다이싱용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
US5714029A (en) Process for working a semiconductor wafer
JP2005123382A (ja) 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
KR940022799A (ko) 디엠디(dmd)를 절단한 후의 웨이퍼 처리방법
JPH09105896A (ja) 液晶表示素子製造用治具及びそれを用いた液晶表示素子の製造方法
JPS6279649A (ja) 半導体ダイシング方法
JP2024150706A5 (ja) バックグラインド用粘着性フィルム
WO2018181510A1 (ja) 粘着シート
JP7714346B2 (ja) 樹脂組成物、表面の保護方法、及び、被加工物の加工方法
JP2012084760A (ja) ダイシング−ダイボンディングテープ
JP2638155B2 (ja) 半導体チップの製造方法
JPS63211644A (ja) 半導体ペレットの製造方法
JPH0252705A (ja) 半導体ウェーハの分割方法
JP4578600B2 (ja) 光感応性粘着テープ及びその製造方法
KR101899804B1 (ko) 올레드 패널의 슬리밍 방법
JPS60201647A (ja) 半導体ウエハの固定方法
TWI906443B (zh) 半導體晶片的製造方法
JPH0582639A (ja) 紫外線硬化型粘着シート
JPS60201646A (ja) 半導体ウエハの固定方法
JP3222090U (ja) ダイボンドダイシングシート
JPS6197848A (ja) 半導体チツプの製造法
KR910010041B1 (ko) 펠릿 박리 방법
JP2010106106A (ja) 自発巻回性粘着シート及び自発巻回性粘着シートを使用した被着体の加工方法