JPS59215751A - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
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- JPS59215751A JPS59215751A JP58090182A JP9018283A JPS59215751A JP S59215751 A JPS59215751 A JP S59215751A JP 58090182 A JP58090182 A JP 58090182A JP 9018283 A JP9018283 A JP 9018283A JP S59215751 A JPS59215751 A JP S59215751A
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランジスタ、サイリスタ、ダイオ−従来の絶
縁形半導体装置は内部絶縁形で、第1図に示す構造が一
般的である。第1図(a)は前記半導体装置の断面模式
図であqf)<外部筐体取付用穴18を有する金属支持
体16上に半田層11を介してセラミック等の絶縁板1
2、外部リード14、半導体チップ20が積層され、内
部リード13で体が樹脂17でおおわれている。第1図
(b)は全体の外幌状態を示している。
縁形半導体装置は内部絶縁形で、第1図に示す構造が一
般的である。第1図(a)は前記半導体装置の断面模式
図であqf)<外部筐体取付用穴18を有する金属支持
体16上に半田層11を介してセラミック等の絶縁板1
2、外部リード14、半導体チップ20が積層され、内
部リード13で体が樹脂17でおおわれている。第1図
(b)は全体の外幌状態を示している。
本装置では電気的に金属支持体16は半導体チップ20
とは絶縁され、外部リード14.15のみに接続されて
いて絶縁形半導体装置を形成しているが、内部構造に示
す様に絶縁の為の部品点数が半田層11を3点、絶縁板
12、外部リード14を各1点とい9ように非常に多く
、部品代及び製る放熱板との絶縁をはかる他の構造とし
て、半導体チップ20を金属支持体16に直接とシ付け
、半導体チップ20を封止する樹脂17で金属支持体1
6の全体をおおうことが考えられる。しかし、かかる構
造は樹脂モールド工程ft、施こすことが実質的にでき
ない・すなわち、モールド型内に半導体チップ20’c
有する金属支持体16を固定する必媛上、この固定部V
C樹脂″f破値することができない。すなわち、モール
ド型内に金属支持体16を置くと金属支持体裏面を樹脂
でおおえないし、金属支持体16をなんらかの押え手段
で挟持するとその部分を樹脂でおおえない。この樹脂で
おおわれない部分が存在するために、半導体装置全体を
樹脂で被覆することはできなかった◎本発明によれば、
半導体チップを載置する金属支持板に形成した取付用穴
(−あらかじめ絶縁被覆全形成しておく。この内表面絶
縁化の一方法としては絶縁性ビスを取り付けることがで
きる。この取付用穴の絶縁性部分でモールド型内の位置
決め固定を行い、取付用穴内面および各外部リードの先
端を除く全体が樹脂でおおわれた半今体装置を得る・ 次に、図面を参照して、本発明をエリ詳細[説明する。
とは絶縁され、外部リード14.15のみに接続されて
いて絶縁形半導体装置を形成しているが、内部構造に示
す様に絶縁の為の部品点数が半田層11を3点、絶縁板
12、外部リード14を各1点とい9ように非常に多く
、部品代及び製る放熱板との絶縁をはかる他の構造とし
て、半導体チップ20を金属支持体16に直接とシ付け
、半導体チップ20を封止する樹脂17で金属支持体1
6の全体をおおうことが考えられる。しかし、かかる構
造は樹脂モールド工程ft、施こすことが実質的にでき
ない・すなわち、モールド型内に半導体チップ20’c
有する金属支持体16を固定する必媛上、この固定部V
C樹脂″f破値することができない。すなわち、モール
ド型内に金属支持体16を置くと金属支持体裏面を樹脂
でおおえないし、金属支持体16をなんらかの押え手段
で挟持するとその部分を樹脂でおおえない。この樹脂で
おおわれない部分が存在するために、半導体装置全体を
樹脂で被覆することはできなかった◎本発明によれば、
半導体チップを載置する金属支持板に形成した取付用穴
(−あらかじめ絶縁被覆全形成しておく。この内表面絶
縁化の一方法としては絶縁性ビスを取り付けることがで
きる。この取付用穴の絶縁性部分でモールド型内の位置
決め固定を行い、取付用穴内面および各外部リードの先
端を除く全体が樹脂でおおわれた半今体装置を得る・ 次に、図面を参照して、本発明をエリ詳細[説明する。
本発明の一実施例を第2図に示す。第2図(a)は断面
図であるが、金属支持体16の外部筐体取付用の穴18
の部分に絶縁性の中尺ビス19を取り付ける一方、半導
体チップ20は半田層11を介して直接金属支持体16
上に接続されている。封止用樹脂17は絶縁性ビス19
の一部及び外部リード15と金属支持体16より延長さ
れた外部リード14を除いて全体を包み込む様に形成さ
れている。絶縁性ビス19の一部がおおわれないのは金
属支持体16の裏面に回り込む樹脂17の厚みを一定に
する為樹脂17をモールド成形する際成形用金型の一部
に支持体16を支えるビン全押し当てる為その部分は樹
脂17が流れ込まない様になグている。
図であるが、金属支持体16の外部筐体取付用の穴18
の部分に絶縁性の中尺ビス19を取り付ける一方、半導
体チップ20は半田層11を介して直接金属支持体16
上に接続されている。封止用樹脂17は絶縁性ビス19
の一部及び外部リード15と金属支持体16より延長さ
れた外部リード14を除いて全体を包み込む様に形成さ
れている。絶縁性ビス19の一部がおおわれないのは金
属支持体16の裏面に回り込む樹脂17の厚みを一定に
する為樹脂17をモールド成形する際成形用金型の一部
に支持体16を支えるビン全押し当てる為その部分は樹
脂17が流れ込まない様になグている。
このように、本発明では半導体装置を外部筐体に取シ付
けた時筐体と半導体チップ20との電気的絶縁は樹脂1
7及び絶縁性ビス19を介して取られる事になシ外部絶
縁形構造となる。内部構造は先に説明した従来の内部絶
縁形に比べ部品点数が2点(半田層11及び絶縁性ピス
ト9)に減り・部品代及び加工費が大幅に削減され、安
価に製造する事が出きる。
けた時筐体と半導体チップ20との電気的絶縁は樹脂1
7及び絶縁性ビス19を介して取られる事になシ外部絶
縁形構造となる。内部構造は先に説明した従来の内部絶
縁形に比べ部品点数が2点(半田層11及び絶縁性ピス
ト9)に減り・部品代及び加工費が大幅に削減され、安
価に製造する事が出きる。
第1図(a)および(b)は従来の内部絶縁形半導体装
置の断面図および平面図である。第2図(a)および(
b)は本発明の一実施例による外部絶縁形半導体装置の
断面図および平面図である◎ 11・・・・・・半田層、12・・・・・・絶縁板、1
3・・団・内部リード接続線、14・旧・・外部リード
、15・・・・・・外部リード、16・・・・・・金属
支持体、17・・団・樹脂、18・・・・・・外部筐体
との接続用の穴、19・・・・・・絶縁性中太ビス、F
20−・・半1444−’、−ッフ:ll (θ) /fi (b) とaシ ロ (#))
置の断面図および平面図である。第2図(a)および(
b)は本発明の一実施例による外部絶縁形半導体装置の
断面図および平面図である◎ 11・・・・・・半田層、12・・・・・・絶縁板、1
3・・団・内部リード接続線、14・旧・・外部リード
、15・・・・・・外部リード、16・・・・・・金属
支持体、17・・団・樹脂、18・・・・・・外部筐体
との接続用の穴、19・・・・・・絶縁性中太ビス、F
20−・・半1444−’、−ッフ:ll (θ) /fi (b) とaシ ロ (#))
Claims (1)
- 外部との機械的取付の為に設けられた穴の側面に絶縁材
τ取り付け、該絶縁貸の一部および外部への電気接続用
リード部を除いて樹脂封止金施したことを特徴とする樹
脂封止形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58090182A JPS59215751A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | 樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58090182A JPS59215751A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215751A true JPS59215751A (ja) | 1984-12-05 |
Family
ID=13991341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58090182A Pending JPS59215751A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59215751A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4750030A (en) * | 1983-01-17 | 1988-06-07 | Nec Corporation | Resin-molded semiconductor device having heat radiating plate embedded in the resin |
| US8207601B2 (en) | 2005-12-29 | 2012-06-26 | Infinen Technologies Ag | Electronic component and a method of fabricating an electronic component |
-
1983
- 1983-05-23 JP JP58090182A patent/JPS59215751A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4750030A (en) * | 1983-01-17 | 1988-06-07 | Nec Corporation | Resin-molded semiconductor device having heat radiating plate embedded in the resin |
| US8207601B2 (en) | 2005-12-29 | 2012-06-26 | Infinen Technologies Ag | Electronic component and a method of fabricating an electronic component |
| DE112005003802B4 (de) * | 2005-12-29 | 2013-12-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauteils |
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