JPS59220933A - 半導体素子用モ−ルド樹脂の予熱装置 - Google Patents
半導体素子用モ−ルド樹脂の予熱装置Info
- Publication number
- JPS59220933A JPS59220933A JP58096027A JP9602783A JPS59220933A JP S59220933 A JPS59220933 A JP S59220933A JP 58096027 A JP58096027 A JP 58096027A JP 9602783 A JP9602783 A JP 9602783A JP S59220933 A JPS59220933 A JP S59220933A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- tablet
- mold
- resin
- microwave
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/46—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould
- B29C45/462—Injection of preformed charges of material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明ばＣＰＵ 、マイクロプロセッサ等の半導体装置
の製造に用込られる樹ｊ宿」１止装置におけるモールド
樹ｊ］ぽの予熱装置に関する。
の製造に用込られる樹ｊ宿」１止装置におけるモールド
樹ｊ］ぽの予熱装置に関する。
半導体樹脂封止装置は、第１図に示すように、リードフ
レーム／上にマウントされた半導体ペレット（図示せず
）を保制するために樹脂コにより封止する装置であり、
一般には仮数個の素子を同時に樹脂封止をするようにな
って因る。
レーム／上にマウントされた半導体ペレット（図示せず
）を保制するために樹脂コにより封止する装置であり、
一般には仮数個の素子を同時に樹脂封止をするようにな
って因る。
半導体樹脂封止装置は、第２図に示すように。
基本的には上型（金型）３およびこれと対をなす下型（
金型）ダと、その上型３と下型ｌの間に出入シしてリー
ドフレームを搬入、搬出するり−ドフレームローグ！と
、同じく下型グに設けられたボッ）４（第３図参照）内
にタブレット（封止樹脂を円柱状等に成形したもの〕を
挿入するタブレットローダ７とよシ成る。
金型）ダと、その上型３と下型ｌの間に出入シしてリー
ドフレームを搬入、搬出するり−ドフレームローグ！と
、同じく下型グに設けられたボッ）４（第３図参照）内
にタブレット（封止樹脂を円柱状等に成形したもの〕を
挿入するタブレットローダ７とよシ成る。
第３図は下型グの平面図であり、上型３との対向面に複
数のキャビティｔと隣接するキャピテイｔの相互間に樹
力旨注入用のボットｔが設けられている。図示しな−が
上型３にも下型グのキャビティ乙に対応して同様なキャ
ピテイが設けられている。なお、りはホット２からキャ
ビティ、ｒ′ＦＣ流励状態にある樹脂を等大するだめの
ゲートである。
数のキャビティｔと隣接するキャピテイｔの相互間に樹
力旨注入用のボットｔが設けられている。図示しな−が
上型３にも下型グのキャビティ乙に対応して同様なキャ
ピテイが設けられている。なお、りはホット２からキャ
ビティ、ｒ′ＦＣ流励状態にある樹脂を等大するだめの
ゲートである。
次に動作を説明する。まず、上型３が上昇し、上型３と
下型グの間にリードフレームローダｊが人シ込み、リー
ドフレーム／を下ｐ＋に搬入する。
下型グの間にリードフレームローダｊが人シ込み、リー
ドフレーム／を下ｐ＋に搬入する。
次いで、リードフレームローダｊが引込んだのちタブレ
ットローダ７がタブレットを搬入してポットを内に落し
込む。このとき、下型ｌはタブレットを溶かしてｇ励状
Ｊ心にしうる温度（／♂Ｏ℃）に加熱されている。次い
で、タブレットローダ７が引込んだのち上型３が下降し
て下型ｌと合わされる。これにより、上型３と上型ｌの
合せ面には相互のキャピテイ乙により、第１図の樹脂部
λに対応する形状のキャビティが形成さ社る。次いで、
ボッ）４内に設けられたプランジャーが上昇して流動樹
脂を押上げ、ゲートタを介して流動樹脂をキャビティ内
に注入する。注入が完了すると、樹脂は熱硬化性なので
短時間で硬化する。次いで、上型３を上昇させ、ａｔ）
ＪＷ封止された半導体装置が第１図に示す態様で取出さ
れて封止工程を終了する。なお、その後の工程で各キャ
ビティに分離されるが、本発明とは関係ないので説明は
ぎ略する。
ットローダ７がタブレットを搬入してポットを内に落し
込む。このとき、下型ｌはタブレットを溶かしてｇ励状
Ｊ心にしうる温度（／♂Ｏ℃）に加熱されている。次い
で、タブレットローダ７が引込んだのち上型３が下降し
て下型ｌと合わされる。これにより、上型３と上型ｌの
合せ面には相互のキャピテイ乙により、第１図の樹脂部
λに対応する形状のキャビティが形成さ社る。次いで、
ボッ）４内に設けられたプランジャーが上昇して流動樹
脂を押上げ、ゲートタを介して流動樹脂をキャビティ内
に注入する。注入が完了すると、樹脂は熱硬化性なので
短時間で硬化する。次いで、上型３を上昇させ、ａｔ）
ＪＷ封止された半導体装置が第１図に示す態様で取出さ
れて封止工程を終了する。なお、その後の工程で各キャ
ビティに分離されるが、本発明とは関係ないので説明は
ぎ略する。
上述の半導体樹脂封止装置において、ボッ）７内にタブ
レットを投入した後タブレットが常温から溶融成形温度
（／７（７−／２０℃）に達するまでには数秒〜士数秒
かかる。この時間はタブレットの大きさによりて異なる
。生産性向上の見地から成形サイクル時間を短縮するた
めには樹脂が熱硬化するまでに要する時間を短くする必
要がある。そのために一般には樹脂内の硬化促進剤を増
量して硬化速度を上げる方法を採っている。しかし、こ
の硬化促進剤の増量は製品の耐湿性を低下させるので好
ましくない。
レットを投入した後タブレットが常温から溶融成形温度
（／７（７−／２０℃）に達するまでには数秒〜士数秒
かかる。この時間はタブレットの大きさによりて異なる
。生産性向上の見地から成形サイクル時間を短縮するた
めには樹脂が熱硬化するまでに要する時間を短くする必
要がある。そのために一般には樹脂内の硬化促進剤を増
量して硬化速度を上げる方法を採っている。しかし、こ
の硬化促進剤の増量は製品の耐湿性を低下させるので好
ましくない。
一方、金型内で樹脂タブレットを予熱する場合にどうし
てもある一定の時間が必要となる。
てもある一定の時間が必要となる。
もし予熱が不充分な場合には成形時間が長くなったり、
ワイヤー流れが起こる。このことは、マイクロプロセッ
サ等の大型素子をモールドする場合には特に問題となる
。葦だ、加熱温度を高くすると加熱時間の短縮が可能と
なるものの、成形榮件の不安定化を招き未元填が起こる
。
ワイヤー流れが起こる。このことは、マイクロプロセッ
サ等の大型素子をモールドする場合には特に問題となる
。葦だ、加熱温度を高くすると加熱時間の短縮が可能と
なるものの、成形榮件の不安定化を招き未元填が起こる
。
このように、金型のホットを内に予Ｉ’ｓ ｐＡなしの
タブレットを投入し、予熱を行うことは、成形時間、製
品の品質に与える影暗が犬きく種々の問題が生じること
となる。
タブレットを投入し、予熱を行うことは、成形時間、製
品の品質に与える影暗が犬きく種々の問題が生じること
となる。
そこで、ボッ）Ｊ内にタブレットを投入する前にタブレ
ットを予熱して半溶融状態にしておくことによシ成形サ
イクル時間を短縮する等の方法により上述の問題を解決
することが考えられる。予熱装置として、例えば高周波
（３７０ＭＨ２）による加熱（いわゆる高周波〃口熱）
を用いることが考えられるが、特にマルチポット式金型
に用いる小タブレットに適用する場合に、タブレットの
大きさに合せて加熱電極を小さくシ、かつ接近させなけ
れば均一な予熱ができないという問題がある。
ットを予熱して半溶融状態にしておくことによシ成形サ
イクル時間を短縮する等の方法により上述の問題を解決
することが考えられる。予熱装置として、例えば高周波
（３７０ＭＨ２）による加熱（いわゆる高周波〃口熱）
を用いることが考えられるが、特にマルチポット式金型
に用いる小タブレットに適用する場合に、タブレットの
大きさに合せて加熱電極を小さくシ、かつ接近させなけ
れば均一な予熱ができないという問題がある。
本発明は複数個のモールド樹脂を金型に投入する前に容
易かつ均一に予熱することができ、さらに、モールド装
置との組み合せが容易であり、モールド樹脂の金型への
搬入作条を自動化するに通し、加えて半導体素子の梢ｈ
ハ封止り成形サイクル特開を短縮することが可ｒｊｋな
予熱装置ｄを提供することを目的とする。
易かつ均一に予熱することができ、さらに、モールド装
置との組み合せが容易であり、モールド樹脂の金型への
搬入作条を自動化するに通し、加えて半導体素子の梢ｈ
ハ封止り成形サイクル特開を短縮することが可ｒｊｋな
予熱装置ｄを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明による予熱装置は、
半導体素子の樹脂封止装置において、モールド用金型に
モールド樹脂を充填する前に当該モールド樹脂を予熱す
る装置であって、 マイクロ波発生源と、このマイクロ波発生源に接続され
終端が完全反射終端に形成された等波管と、この導波管
内部に前記マイクロ波によって形成される複数電界分布
の中心部のそれぞれに合わせて前記モールド樹脂を位置
させる複数の位置決め手段とを備えたことを特徴とする
ものである。
モールド樹脂を充填する前に当該モールド樹脂を予熱す
る装置であって、 マイクロ波発生源と、このマイクロ波発生源に接続され
終端が完全反射終端に形成された等波管と、この導波管
内部に前記マイクロ波によって形成される複数電界分布
の中心部のそれぞれに合わせて前記モールド樹脂を位置
させる複数の位置決め手段とを備えたことを特徴とする
ものである。
以下、本発明を図示する実〃ル例に基づいて説明する。
第１の例
第１図に本発明による予熱装置の基本的な構成を示す。
この予熱装置はマイクロ波（例えば１、ｚｕｊＯＭＨｚ
）を発生するマイクロ波発生装置／Ｑと、このマイクロ
波発生装置１０Ｋ接続された導波管ｌ／Ａ、／／Ｂおよ
び／／Ｃと、導波管１／Ｂ中にタブレットを搬入するだ
めの位置決め装置／コとから構成される。
）を発生するマイクロ波発生装置／Ｑと、このマイクロ
波発生装置１０Ｋ接続された導波管ｌ／Ａ、／／Ｂおよ
び／／Ｃと、導波管１／Ｂ中にタブレットを搬入するだ
めの位置決め装置／コとから構成される。
マイクロ波発生装置１０としてはマグネトロンを用いて
いる。導波管／／Ａ、／／Ｂ、／／Ｃは例えば方形導波
管を用いることができ、具体的か断ｍｌ内寸法例を第５
図に示しておく。第５図（ａ）（ｂ）はタブレットの大
きさに合わせて用意した例を示している。
いる。導波管／／Ａ、／／Ｂ、／／Ｃは例えば方形導波
管を用いることができ、具体的か断ｍｌ内寸法例を第５
図に示しておく。第５図（ａ）（ｂ）はタブレットの大
きさに合わせて用意した例を示している。
導波管／／Ａ、／／Ｂの伝送路中には反射波への影響を
阻止して損失を防ぐためにサーキュレータ／３が介在さ
れている。このサーキュレータ／３は３開口接合形であ
シ、入力開口がマイクロ波発生装置１０に入力０ｉＩ１
等波管／／Ａを介して接続され、出力開口の１つが方向
性結合器ｌ弘を介してタブレットが搬入される出力側等
波音ｌｌＢに接続されてしる。また、他の出力開口は反
射波を吸収するための導波管１／Ｃに接続されている。
阻止して損失を防ぐためにサーキュレータ／３が介在さ
れている。このサーキュレータ／３は３開口接合形であ
シ、入力開口がマイクロ波発生装置１０に入力０ｉＩ１
等波管／／Ａを介して接続され、出力開口の１つが方向
性結合器ｌ弘を介してタブレットが搬入される出力側等
波音ｌｌＢに接続されてしる。また、他の出力開口は反
射波を吸収するための導波管１／Ｃに接続されている。
この導波管／／Ｃの先端には無反射終端器１５が設けら
れている。易は放熱フィンである。方向性結合器／’ｆ
＜Ｋは入力電力検出器／６および反射電力検出器１７が
設けられ、タブレットに対する放射電力の調整のために
供せられるようになっている。
れている。易は放熱フィンである。方向性結合器／’ｆ
＜Ｋは入力電力検出器／６および反射電力検出器１７が
設けられ、タブレットに対する放射電力の調整のために
供せられるようになっている。
出力導波管１／ＢＩＩＣはタブレットを帳波管路内に搬
入し、所定の位置に位置決めするための位置決め手段Ｊ
が俵数設けられている（第２図）。すなわち、導波管／
／Ｈには等波管内部に供給されるマイクロ波によって形
成されるＨａの電界分布Ｅの中心に対応して導波管／／
Ｈの上下壁を貫通する導入孔１５がそれぞれ設けられて
いる。このように、電界分布Ｅの中心と導入孔７ｇとを
対応させることにより、魯人孔／ｇ内に搬入されるタブ
レ：ｙ）、２／の中心部の加熱温度を外周部の加熱温度
よりも高くすることができ、その結果、従来間聡とされ
ていた内部温良の上昇の遅れを解消することができる。
入し、所定の位置に位置決めするための位置決め手段Ｊ
が俵数設けられている（第２図）。すなわち、導波管／
／Ｈには等波管内部に供給されるマイクロ波によって形
成されるＨａの電界分布Ｅの中心に対応して導波管／／
Ｈの上下壁を貫通する導入孔１５がそれぞれ設けられて
いる。このように、電界分布Ｅの中心と導入孔７ｇとを
対応させることにより、魯人孔／ｇ内に搬入されるタブ
レ：ｙ）、２／の中心部の加熱温度を外周部の加熱温度
よりも高くすることができ、その結果、従来間聡とされ
ていた内部温良の上昇の遅れを解消することができる。
それとともに、内部温度に比して外周部温度が低くなシ
、シたがって、タブレットの形状の変形をきたすことな
く容易にボッ）＆内に搬入できるので取扱いが容易とな
る。
、シたがって、タブレットの形状の変形をきたすことな
く容易にボッ）＆内に搬入できるので取扱いが容易とな
る。
谷尋人孔ｌざのピッチは欧州マイクロ波のＴ波艮りでい
る。つまシ、導波管／／Ｂの終端２７は完全反射端とな
っておシ、反射したマイクロ波を再び導入孔を内に置い
たタブレット２／に供給することによシ照射電力の効率
化を図るためである。
る。つまシ、導波管／／Ｂの終端２７は完全反射端とな
っておシ、反射したマイクロ波を再び導入孔を内に置い
たタブレット２／に供給することによシ照射電力の効率
化を図るためである。
導入孔１ｇ内にタブレッ）、２／を４Ｉｕ人するために
、導入孔ｌざの開口部にはマイクロ波の外部へのもれを
防止するとともにタブレットコ／をガイドするチョーク
／９が突べされている。そして、この導入孔／ざ内には
、例えばテフロン（商品名）等の耐熱性非金属物質から
なる筒状の保持共２．０が設けられている。そしてこの
保持共、２０の下端開口部にシャッタｎ等の開閉装置を
設けておくことによシ、保持共２０の上端開口からタプ
レク）、２／を投入し、予熱後シャフタＪを開くことに
よシ予熱されたタブレット２／を下型ｌのポット内に自
動投入するようにすることができ、タブレット２／の供
給と予熱の工程を自動化することができる ２’／−は
プランジャを示している。
、導入孔ｌざの開口部にはマイクロ波の外部へのもれを
防止するとともにタブレットコ／をガイドするチョーク
／９が突べされている。そして、この導入孔／ざ内には
、例えばテフロン（商品名）等の耐熱性非金属物質から
なる筒状の保持共２．０が設けられている。そしてこの
保持共、２０の下端開口部にシャッタｎ等の開閉装置を
設けておくことによシ、保持共２０の上端開口からタプ
レク）、２／を投入し、予熱後シャフタＪを開くことに
よシ予熱されたタブレット２／を下型ｌのポット内に自
動投入するようにすることができ、タブレット２／の供
給と予熱の工程を自動化することができる ２’／−は
プランジャを示している。
第７図は予熱装置の放射電力をパラメータとして予熱時
間（ｓｅｅ ）とタブレットの中心温度（”ｃ）の関係
を示したものである。なお、マイクロ波の周波数は−２
４’ ｊ ＯＦｉｉＩ（ｚ ％タブレットの大きさは直
径／ｌｌ＋ｕ、重さ３．♂Ｉのものである。この第７図
かられかることは、極めて短時間で予熱することができ
、したがって成形サイクル時間の短縮化が可能である点
、さらに供給電力を適宜選択することによシ、予熱時間
の調整をすることで所望の温度上昇特性を得ることがで
きるということである。
間（ｓｅｅ ）とタブレットの中心温度（”ｃ）の関係
を示したものである。なお、マイクロ波の周波数は−２
４’ ｊ ＯＦｉｉＩ（ｚ ％タブレットの大きさは直
径／ｌｌ＋ｕ、重さ３．♂Ｉのものである。この第７図
かられかることは、極めて短時間で予熱することができ
、したがって成形サイクル時間の短縮化が可能である点
、さらに供給電力を適宜選択することによシ、予熱時間
の調整をすることで所望の温度上昇特性を得ることがで
きるということである。
なお、本発明の変形態様として各導波管１／ Ａ 。
／／Ｃをフレキシブル導波管とすることによシ、導入孔
ｌＳを任意の金型ボットにまで容易に移動することがで
き、設計上の自由度を確保することができる。また、以
上の例ではモールド樹脂としてタブレットを用すたが、
導波管／／Ｂの導入孔１ｇ内に保持具、２０を挿入して
おくことによシ、粉末状のモールド樹脂を用することも
できる。
ｌＳを任意の金型ボットにまで容易に移動することがで
き、設計上の自由度を確保することができる。また、以
上の例ではモールド樹脂としてタブレットを用すたが、
導波管／／Ｂの導入孔１ｇ内に保持具、２０を挿入して
おくことによシ、粉末状のモールド樹脂を用することも
できる。
以上の通シ、本発明によれば、導”波管路中にモールド
樹脂を搬入してマイクロ波による加熱を行うため、モー
ルド樹脂の形態やその大小にかかわらず均一、かつ短時
間で予熱することができる。
樹脂を搬入してマイクロ波による加熱を行うため、モー
ルド樹脂の形態やその大小にかかわらず均一、かつ短時
間で予熱することができる。
また、導波管には各租界分布中心に対応して複数の位置
決め手段を設けたので、複数のモールド樹脂を同時に予
熱することができ、したがって半導体素子の成形サイク
ル時間の短縮化が図れる。また、予熱をすることができ
るので、従来の如く金型において加熱する場合よシ成形
不良の発生率が減少するため製品の品質向上を図ること
ができる。
決め手段を設けたので、複数のモールド樹脂を同時に予
熱することができ、したがって半導体素子の成形サイク
ル時間の短縮化が図れる。また、予熱をすることができ
るので、従来の如く金型において加熱する場合よシ成形
不良の発生率が減少するため製品の品質向上を図ること
ができる。
さらに、マイクロ波による予熱？ためモールド樹脂の内
部の加熱を迅速に行うことができ、上述のようにモール
ド樹脂が電界分布の中心に位置合せされるので外周部温
度より内部温度を高くすることができ、したがって温度
を適当に設定することによシモールド樹脂の変形を起こ
すことなく理想的な予熱状態を保持しうる。この結果、
金型に投入する場合等の作業工程を自動化することが可
能となる。
部の加熱を迅速に行うことができ、上述のようにモール
ド樹脂が電界分布の中心に位置合せされるので外周部温
度より内部温度を高くすることができ、したがって温度
を適当に設定することによシモールド樹脂の変形を起こ
すことなく理想的な予熱状態を保持しうる。この結果、
金型に投入する場合等の作業工程を自動化することが可
能となる。
第１図はリードフレーム上の半導体ベレットを樹脂封止
した例を示す平面図、 第２図は従来の半導体樹脂封止装置の基本的構成を示す
立面図、 第３図は下金型の例を示す平面図、 第≠図は本発明による予熱装置の構成を示す概要図、 第５図（ａＨｂ）は導波管の開口形状寸法例を示す説明
図、 第６図は位置決め手段の構成例を示す断面図、第７図は
本発明による予熱装置における予熱時間とタブレット中
心温度の関係を示す説明図である。 ｌ・・・リートフレーム コ・・・固化したモールド樹脂 ３・・・上型 ≠・・・下型 ｔ・・・ポット １０・・・マイクロ波発生装置 ／／Ａ、／／Ｂ、／／Ｃ・・・導波管 １ｇ・・・導入孔 、２０・・・保持具 ニド・・タブレット ｎ・・・無反射終端器 ノＪ・・・位置決め手段 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第２図 第３図 第４図 ６ 第５図 （ａ） （ｂ） 第６図 第７図 酵 −１ 予熱時間（ｓｅｃ ）
した例を示す平面図、 第２図は従来の半導体樹脂封止装置の基本的構成を示す
立面図、 第３図は下金型の例を示す平面図、 第≠図は本発明による予熱装置の構成を示す概要図、 第５図（ａＨｂ）は導波管の開口形状寸法例を示す説明
図、 第６図は位置決め手段の構成例を示す断面図、第７図は
本発明による予熱装置における予熱時間とタブレット中
心温度の関係を示す説明図である。 ｌ・・・リートフレーム コ・・・固化したモールド樹脂 ３・・・上型 ≠・・・下型 ｔ・・・ポット １０・・・マイクロ波発生装置 ／／Ａ、／／Ｂ、／／Ｃ・・・導波管 １ｇ・・・導入孔 、２０・・・保持具 ニド・・タブレット ｎ・・・無反射終端器 ノＪ・・・位置決め手段 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第２図 第３図 第４図 ６ 第５図 （ａ） （ｂ） 第６図 第７図 酵 −１ 予熱時間（ｓｅｃ ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ４半導体素子の樹脂封止装置において、モールド用金型
にモールドａｌＨｆｔを充填する前に当該モルト樹脂を
予熱する装置であって、 マイクロ波発生源と、このマイクロ波発生源と、このマ
イクロ波発生源に接続され終瑞が完全反射終瑞に形成さ
れた導波管と、この導波管内部に前記マイクロ波によっ
て形成される仮数電界分布の中心部のそれぞれに合わせ
て前記モールド樹脂を位置させる複数の位置決め手段と
を備えたことを特徴とする半導体素子用モールド樹脂の
予熱装置。 λ、特許請求の範囲’ｄ４１ｆＡ記１ｉの装＆において
、モールド樹脂はタブレット状に形成されていることを
特徴とする半導体素子用モールド４＆ｊ Ｊｌばの予熱
装置。 ３、特許請求の範囲第、２項記載の装置におじで、タブ
レット状モールド樹脂は小型のものであることを特徴と
する半導体素子用モールド樹脂の予熱装置。 グ、特許請求の範囲第／項記ｌ戚の装置において、モー
ルド樹脂は粉末状に形成されていることを特徴とする半
導体素子用モールド樹脂の予熱装置。 ！、特許請求の範囲第１唄、第２項、第３項または第１
項記載の装置において、導波管はサーキュレータを介し
て接続されていることを特徴とする半導体素子用そ−ル
ド樹脂の予熱装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58096027A JPS59220933A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 半導体素子用モ−ルド樹脂の予熱装置 |
| GB08413715A GB2141909B (en) | 1983-05-31 | 1984-05-30 | Apparatus for preheating mold resin for a semiconductor device |
| US06/615,463 US4577078A (en) | 1983-05-31 | 1984-05-30 | Apparatus for preheating mold resin for a semiconductor device |
| DE19843420280 DE3420280A1 (de) | 1983-05-31 | 1984-05-30 | Vorrichtung zum vorwaermen von pressharz fuer eine halbleitervorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58096027A JPS59220933A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 半導体素子用モ−ルド樹脂の予熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59220933A true JPS59220933A (ja) | 1984-12-12 |
| JPS6355862B2 JPS6355862B2 (ja) | 1988-11-04 |
Family
ID=14153889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58096027A Granted JPS59220933A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 半導体素子用モ−ルド樹脂の予熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59220933A (ja) |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP58096027A patent/JPS59220933A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6355862B2 (ja) | 1988-11-04 |
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