JPS5922236A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5922236A JPS5922236A JP57132726A JP13272682A JPS5922236A JP S5922236 A JPS5922236 A JP S5922236A JP 57132726 A JP57132726 A JP 57132726A JP 13272682 A JP13272682 A JP 13272682A JP S5922236 A JPS5922236 A JP S5922236A
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- Japan
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- reduce
- parmalloy
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- recording
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に適した垂直磁気記録媒体の製造
方法に関する。
方法に関する。
短波長記録特性の優れた磁気記録方式としで、垂直記録
方式がある。この方式においては媒体の膜面に垂直方向
に磁化容易軸がある垂直磁気記録媒体が必要となる。こ
のような媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜面
に垂直方向を向き、したがって信号が短波長になる程媒
体内反磁界は減少し、優れた再生出力が得られる。垂直
（１社気記録媒体は高分子材料あるいは非磁性金属等の
非磁性利料から成る基板上に、ＧｏとＯｒを主成分とし
、膜面に垂直方向に磁化容易１ｔＧＩ＋を有する磁性層
（以下この磁性層をｃｏ −Ｏｒ垂直磁化膜と呼ぶ）を
スパッタリング法あるいは真空蒸着法により形成したも
のである。
方式がある。この方式においては媒体の膜面に垂直方向
に磁化容易軸がある垂直磁気記録媒体が必要となる。こ
のような媒体に信号を記録すると残留磁化は媒体の膜面
に垂直方向を向き、したがって信号が短波長になる程媒
体内反磁界は減少し、優れた再生出力が得られる。垂直
（１社気記録媒体は高分子材料あるいは非磁性金属等の
非磁性利料から成る基板上に、ＧｏとＯｒを主成分とし
、膜面に垂直方向に磁化容易１ｔＧＩ＋を有する磁性層
（以下この磁性層をｃｏ −Ｏｒ垂直磁化膜と呼ぶ）を
スパッタリング法あるいは真空蒸着法により形成したも
のである。
しかし非磁性基板上に直接にＧｏ−Ｏｒ垂直磁化膜を形
成した垂直磁気記録媒体（以下この媒体を単層膜媒体と
呼ぶ）は、信号を記録再生する際の効率が低い。これを
改善するために２層膜媒体が開発されている。これは非
磁性基板とＧｏ−Ｏｒ垂直磁化膜との間に、膜面内に磁
化容易軸を有するパーマロイ膜を設けたものである。こ
の様な構造イ牟 を有する２層膜媒体を用いれば、単層膜託比べ記録効率
及び再生効率が改善され、特に、公知の袖助磁極励磁型
垂直ヘッドにょシ信号を記録再生Ｊる際の効率改善が顕
著である。
成した垂直磁気記録媒体（以下この媒体を単層膜媒体と
呼ぶ）は、信号を記録再生する際の効率が低い。これを
改善するために２層膜媒体が開発されている。これは非
磁性基板とＧｏ−Ｏｒ垂直磁化膜との間に、膜面内に磁
化容易軸を有するパーマロイ膜を設けたものである。こ
の様な構造イ牟 を有する２層膜媒体を用いれば、単層膜託比べ記録効率
及び再生効率が改善され、特に、公知の袖助磁極励磁型
垂直ヘッドにょシ信号を記録再生Ｊる際の効率改善が顕
著である。
Ｇｏ−Ｏｒ垂直磁化膜を得るためには、稠密六方構造の
Ｃ軸を膜面に垂直方向に配向させることが必要であるが
、２層膜媒体の場合にはＧｏ−Ｏｒ膜のＣ軸配向性が、
下地であるパーマロイ膜の配向性に影響嘔れる。この原
因としてはＧＧ−Ｏｒ膜形成時のエピタキシーの効果が
考えられ、パーマロイ膜上にＣ軸配向性の良いＣ０−０
ｒ膜を得るためニハ、パーマロイ膜の（１１１）面が膜
面に平行になるように結晶を成長させなければならない
。
Ｃ軸を膜面に垂直方向に配向させることが必要であるが
、２層膜媒体の場合にはＧｏ−Ｏｒ膜のＣ軸配向性が、
下地であるパーマロイ膜の配向性に影響嘔れる。この原
因としてはＧＧ−Ｏｒ膜形成時のエピタキシーの効果が
考えられ、パーマロイ膜上にＣ軸配向性の良いＣ０−０
ｒ膜を得るためニハ、パーマロイ膜の（１１１）面が膜
面に平行になるように結晶を成長させなければならない
。
（１１１）配向性の優れたパーマロイ膜を形成するため
には、膜の平均の析出速度と真空蒸着装置内部の酸素分
圧どの比Ｘが限定された状態で蒸着されたＴｉ膜上に、
パーマロイ膜を形成すればよいことが実験の結果間らか
になった。
には、膜の平均の析出速度と真空蒸着装置内部の酸素分
圧どの比Ｘが限定された状態で蒸着されたＴｉ膜上に、
パーマロイ膜を形成すればよいことが実験の結果間らか
になった。
本発明はＸを限定してＴｉを蒸着することにより、その
上に配向性の優れた、パーマロイ膜及びＣｏ−Ｏｒ膜を
形成する方法、すなわち、特性の優れた２層膜媒体を形
成する方法を提供するものである。
上に配向性の優れた、パーマロイ膜及びＣｏ−Ｏｒ膜を
形成する方法、すなわち、特性の優れた２層膜媒体を形
成する方法を提供するものである。
以下に第１図〜第４図を用いて本発明を説明する。
２層膜媒体においては、Ｇｏ−Ｏｒ膜の（Ｃ０２）面に
関するロッキング曲線の半値幅△０５ｏを１８度以下に
しないと、信号を記録再生する際の特性が悪い。第１図
に１例を示す。なお△θＳＯＶｉ（００２）面の配向の
分散を表現していると考えられ、この値が小さい程配向
性が良い。第１図の縦軸１Ｉｉ２層膜媒体に波長０．５
μｍの信号を記録再生した際の出力の相対値を示し、横
軸はＧｏ−Ｏｒ膜のへθ５ｏ を示す。壕だ記録及び再
生用ヘッドとしては補助磁極励磁型垂直ヘッドを使用し
、２層膜媒体におけるパーマロイ膜及びＧｏ−Ｏｒ膜の
膜厚をいずれも０．２μｍとした。△θ５ｏが１８度以
上になると出力が急激に劣化する。この原因は、△ＯＳ
Ｏが１８度以下ではＧｏ−１３ｒ膜の残留磁化は膜面に
垂直方向を向いているが、１８度を越えると膜面内を向
いてし寸うためではないかと思われる。
関するロッキング曲線の半値幅△０５ｏを１８度以下に
しないと、信号を記録再生する際の特性が悪い。第１図
に１例を示す。なお△θＳＯＶｉ（００２）面の配向の
分散を表現していると考えられ、この値が小さい程配向
性が良い。第１図の縦軸１Ｉｉ２層膜媒体に波長０．５
μｍの信号を記録再生した際の出力の相対値を示し、横
軸はＧｏ−Ｏｒ膜のへθ５ｏ を示す。壕だ記録及び再
生用ヘッドとしては補助磁極励磁型垂直ヘッドを使用し
、２層膜媒体におけるパーマロイ膜及びＧｏ−Ｏｒ膜の
膜厚をいずれも０．２μｍとした。△θ５ｏが１８度以
上になると出力が急激に劣化する。この原因は、△ＯＳ
Ｏが１８度以下ではＧｏ−１３ｒ膜の残留磁化は膜面に
垂直方向を向いているが、１８度を越えると膜面内を向
いてし寸うためではないかと思われる。
第２図には種々の配向性のパーマロイ膜上にＧ。
−Ｏｒ 膜を形成した場合の、パーマロイ膜の（１１１
）面に関するロッキング曲線の半値幅△θ５０’と、Ｇ
ｏ−Ｏｒ膜の（００２）面に関するロッキング曲線の半
値幅△θ５０ との関係を示す。この図から、△θ５
０ を小さくするためには、△θ５０′を小さくする必
要があり、△θ５０を１８度以下にするためには、△θ
ｓｏ’を２６度以下にしなければならないことがわかる
。すなわち、記録再生特性の優れた２層膜媒体を得るた
めには、パーマロイ膜の△０５ｏ′を２６度以下にする
ことが要求される。
）面に関するロッキング曲線の半値幅△θ５０’と、Ｇ
ｏ−Ｏｒ膜の（００２）面に関するロッキング曲線の半
値幅△θ５０ との関係を示す。この図から、△θ５
０ を小さくするためには、△θ５０′を小さくする必
要があり、△θ５０を１８度以下にするためには、△θ
ｓｏ’を２６度以下にしなければならないことがわかる
。すなわち、記録再生特性の優れた２層膜媒体を得るた
めには、パーマロイ膜の△０５ｏ′を２６度以下にする
ことが要求される。
実験の結果、膜の平均の析出速度と真空蒸着装置内部の
酸素分圧との比Ｘを１．６ Ｘ １ｏ６＝秒・Ｔｏｒｒ 以上にして蒸着したＴｉ膜上に、パーマロイ膜を形成す
ると、△θｓｄが２６度以下の膜が得られることが明ら
かになった。このことを以下に説明する。
酸素分圧との比Ｘを１．６ Ｘ １ｏ６＝秒・Ｔｏｒｒ 以上にして蒸着したＴｉ膜上に、パーマロイ膜を形成す
ると、△θｓｄが２６度以下の膜が得られることが明ら
かになった。このことを以下に説明する。
第３図には、種々の配向性のＴｉ膜上にパーマロイ膜を
形成した場合の、Ｔｉ膜の（００２）面に関するロッキ
ング曲線の半値幅Δ０５ｏ“と、パーマロイ膜の（１１
’１）面に関するロッキング曲線の半値幅△ｖ５０’
との関係を示す。この図から、△θｓｏ’を２６度以
下にするためには、△θ５ｏ″を１４度以下にする必要
のあることがわかる。Ｔ１膜を真空蒸着法で形成する場
合にｄ：、膜の析出速度、残留ガスの種類及び量が膜の
配向性に大きな影響を及ぼす。クライオポンプにて蒸着
装置内部をＩ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒの真空度にしてか
ら、アルゴン。
形成した場合の、Ｔｉ膜の（００２）面に関するロッキ
ング曲線の半値幅Δ０５ｏ“と、パーマロイ膜の（１１
’１）面に関するロッキング曲線の半値幅△ｖ５０’
との関係を示す。この図から、△θｓｏ’を２６度以
下にするためには、△θ５ｏ″を１４度以下にする必要
のあることがわかる。Ｔ１膜を真空蒸着法で形成する場
合にｄ：、膜の析出速度、残留ガスの種類及び量が膜の
配向性に大きな影響を及ぼす。クライオポンプにて蒸着
装置内部をＩ Ｘ １０−６Ｔｏｒｒの真空度にしてか
ら、アルゴン。
窒素及び酸素を蒸着装置内部Ｖこ導入し、Ｔｉを蒸着し
て特性を調べると、膜の析出速度及び酸素が影響を及ぼ
すことが明らかになった。アルゴン及び窒素は、２ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒ ｉで導入して検討したが、Ｔｉ
膜に及ぼす影響は見られなかった。膜の析出速度と酸素
分圧は、いずれもＴｉ蒸着膜の特性に影響を及ぼすが−
それぞれが独立ではなく、これらの比Ｘの形で影響して
いた。第４図にＴｉ蒸着膜の△θ５ｏ″とＸとの関係を
示す０第４図よシΔθ５Ｄ“を１４度以下にするために
は、Ｘを１．６×、０６Ａ−一 以上にしなければなら
ないこと秒・Ｔｏｒｒ がわかる。
て特性を調べると、膜の析出速度及び酸素が影響を及ぼ
すことが明らかになった。アルゴン及び窒素は、２ Ｘ
１０−’ Ｔｏｒｒ ｉで導入して検討したが、Ｔｉ
膜に及ぼす影響は見られなかった。膜の析出速度と酸素
分圧は、いずれもＴｉ蒸着膜の特性に影響を及ぼすが−
それぞれが独立ではなく、これらの比Ｘの形で影響して
いた。第４図にＴｉ蒸着膜の△θ５ｏ″とＸとの関係を
示す０第４図よシΔθ５Ｄ“を１４度以下にするために
は、Ｘを１．６×、０６Ａ−一 以上にしなければなら
ないこと秒・Ｔｏｒｒ がわかる。
以上述べたように、Ｘを１．５ Ｘ １０６−友−以秒
・Ｔｏｒｒ 」二にしてＴｉ膜を蒸着し、その上にパーマロイ膜を介
してｃｏ −Ｏｒ膜を形成することによシ、△θ５゜が
１８度以下の、特性の優れた２層膜媒体が得られる。
・Ｔｏｒｒ 」二にしてＴｉ膜を蒸着し、その上にパーマロイ膜を介
してｃｏ −Ｏｒ膜を形成することによシ、△θ５゜が
１８度以下の、特性の優れた２層膜媒体が得られる。
次により具体的に本発明の実施例を述べる。Ｘを、×、
Ｏ・〜ヲ［−としてＴｉ膜を真空蒸着法秒・Ｔｏｒ ｒ により作製し、その上に同じく真空族Ｎ法により、パー
マロイ膜及び（３ｏ−Ｃｒ膜を作製した。出来た膜の△
θ５０ 、△θ５０’ 及び△θ５ｏ″は、そｔぞれ７
度９度及び８度であシ、２層膜媒体として優れたもので
あった０以上のように、本発明の製造方法によれは、垂
直記録方式に適し特性のすぐれた２層膜媒体が容易に得
られる。
Ｏ・〜ヲ［−としてＴｉ膜を真空蒸着法秒・Ｔｏｒ ｒ により作製し、その上に同じく真空族Ｎ法により、パー
マロイ膜及び（３ｏ−Ｃｒ膜を作製した。出来た膜の△
θ５０ 、△θ５０’ 及び△θ５ｏ″は、そｔぞれ７
度９度及び８度であシ、２層膜媒体として優れたもので
あった０以上のように、本発明の製造方法によれは、垂
直記録方式に適し特性のすぐれた２層膜媒体が容易に得
られる。
第１図は２層膜媒体に信号を記録し再生した場合の出力
の△θ５ｏ依存性を示す図、第２図はパーマロイ膜上に
Ｃｏ−０ｒ膜を形成した場合のパーマロイ膜のへ０５０
’とＱｏ−Ｃｒ膜の△θ５ｏとの関係を示す図、−第３
図はＴｉ膜上にパーマロイ膜を形成した場合のＴｉ膜の
Δθ５ｏ“とパーマロイ膜の△θ５０′との関係を示す
図、第４図はＴｉ蒸着膜のＸと△／１５Ｇ“との関係を
示す図である。 第１図 ｔθｓｏ （度） 第２図 ハθ昂（贋）
の△θ５ｏ依存性を示す図、第２図はパーマロイ膜上に
Ｃｏ−０ｒ膜を形成した場合のパーマロイ膜のへ０５０
’とＱｏ−Ｃｒ膜の△θ５ｏとの関係を示す図、−第３
図はＴｉ膜上にパーマロイ膜を形成した場合のＴｉ膜の
Δθ５ｏ“とパーマロイ膜の△θ５０′との関係を示す
図、第４図はＴｉ蒸着膜のＸと△／１５Ｇ“との関係を
示す図である。 第１図 ｔθｓｏ （度） 第２図 ハθ昂（贋）
Claims (1)
- 基板上にＴｉ膜が形成され、その上にパーマロイ膜を介
して、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、ＣＯとＯｒ
を主成分とする磁性層が形成されて成る垂直磁気記録媒
体を製造するに際し、１１Ｊ記Ｔ１膜を真空蒸着法によ
シ、膜の平均の析出速度と真空蒸着装置内部の酸素分圧
との比が１．５ Ｘ １０’特徴とする垂直磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57132726A JPS5922236A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57132726A JPS5922236A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922236A true JPS5922236A (ja) | 1984-02-04 |
Family
ID=15088144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57132726A Pending JPS5922236A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922236A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63201913A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Sony Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS63317922A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-26 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
-
1982
- 1982-07-28 JP JP57132726A patent/JPS5922236A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63201913A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Sony Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS63317922A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-26 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
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