JPS6231026A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6231026A JPS6231026A JP60170229A JP17022985A JPS6231026A JP S6231026 A JPS6231026 A JP S6231026A JP 60170229 A JP60170229 A JP 60170229A JP 17022985 A JP17022985 A JP 17022985A JP S6231026 A JPS6231026 A JP S6231026A
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- Japan
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- magnetic recording
- perpendicular magnetic
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- manufacturing
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電磁変換特性の”慶れた垂直磁気記録媒体の製
造方法に関する。
造方法に関する。
従来の技術
垂直磁気記録方式は短波長領域で優れた記録再生特性を
有しており、記録媒体としてＣｏ−Ｃｒなどの研究が盛
んである。Ｇｏ−Ｏｒ垂直磁気記録媒体（以下Ｑ−ｏ
−Ｏｒ膜という。）は、スパッタ法、蒸着法のいずれに
よっても作製可能である。特に後者の方法によれば生産
性が高いので、工業的に有利である。蒸着法によりＣｏ
−Ｃｒ膜を量産するには、巻取式真空蒸着法が用いられ
、これを実施する装置を第４図に示す。
有しており、記録媒体としてＣｏ−Ｃｒなどの研究が盛
んである。Ｇｏ−Ｏｒ垂直磁気記録媒体（以下Ｑ−ｏ
−Ｏｒ膜という。）は、スパッタ法、蒸着法のいずれに
よっても作製可能である。特に後者の方法によれば生産
性が高いので、工業的に有利である。蒸着法によりＣｏ
−Ｃｒ膜を量産するには、巻取式真空蒸着法が用いられ
、これを実施する装置を第４図に示す。
図において、（１）は高真空に排気された真空槽、（２
）は排気系、（３）は電子銃、（４）は電子ビーム、（
６）はＣｏ−Ｃｒ蒸発源、（７）は巻出し系、（８）は
回転方向、（９）は高分子基板、α〔はキャン、（ｌυ
はマスク、Ｑ２は巻取り系、を示す。
）は排気系、（３）は電子銃、（４）は電子ビーム、（
６）はＣｏ−Ｃｒ蒸発源、（７）は巻出し系、（８）は
回転方向、（９）は高分子基板、α〔はキャン、（ｌυ
はマスク、Ｑ２は巻取り系、を示す。
基板搬送系はＴｉ層を蒸着した基板９Ａ （以下蒸着基
板という。）を巻出し系（７）から回転方向（８）に沿
って巻出された長尺の蒸着基板９Ａをキャン（ＩＩに沿
って走行させ、電子銃（３）よりの電子ビーム（４）を
Ｃｏ−Ｃｒ蒸発源（６）に入射し、２個のマスク００間
の開口部より、Ｃｏ−Ｃｒ蒸発源（６）の蒸発粒子を蒸
着基板９Ａに蒸着した後巻取り系Ｏｚで巻取る。
板という。）を巻出し系（７）から回転方向（８）に沿
って巻出された長尺の蒸着基板９Ａをキャン（ＩＩに沿
って走行させ、電子銃（３）よりの電子ビーム（４）を
Ｃｏ−Ｃｒ蒸発源（６）に入射し、２個のマスク００間
の開口部より、Ｃｏ−Ｃｒ蒸発源（６）の蒸発粒子を蒸
着基板９Ａに蒸着した後巻取り系Ｏｚで巻取る。
蒸着法でＣｏ−Ｃｒ膜を形成する際には、基板温度を上
げることが保磁力の確保のために必要なことが知られて
いる。また、その際に高分子基板上に下地層として予め
Ｔｉ層を薄く形成した上にＣｏ −Ｏｒ膜を形成すれば
、高分子基板上に直接０ｏ−Ｏｒ膵を形成した場合より
も尚一層磁気特性が向上することが分っている。
げることが保磁力の確保のために必要なことが知られて
いる。また、その際に高分子基板上に下地層として予め
Ｔｉ層を薄く形成した上にＣｏ −Ｏｒ膜を形成すれば
、高分子基板上に直接０ｏ−Ｏｒ膵を形成した場合より
も尚一層磁気特性が向上することが分っている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、前記方法では前もってＴｉ層を蒸着した
蒸着基板を搬送系に装着するのでで１表面が酸化するの
で蒸着膜の配向が不充分で、電磁変換特性が必ずしも良
くない。
蒸着基板を搬送系に装着するのでで１表面が酸化するの
で蒸着膜の配向が不充分で、電磁変換特性が必ずしも良
くない。
問題点を解決するための手段
本発明は、基体上にＴｉ層及びＣｏ−Ｃｒ層を順次真空
蒸着してなる垂直磁気記録媒体の製造方法において、Ｔ
ｉ層が形成されてからＣｏ−Ｃｒ層が形成されるまでの
残留ガスａＥＰと、前記両層が形成される間隔時間Ｔと
の積の値ＰＴが ｐＴ＜ｘ、ｓＸ １０＝ｔｏｒｒ−ｓ
ｅｃ となるよう蒸着するとともに前記Ｔの賃を Ｔ≧
１０ ｓｅｃとしたものである。
蒸着してなる垂直磁気記録媒体の製造方法において、Ｔ
ｉ層が形成されてからＣｏ−Ｃｒ層が形成されるまでの
残留ガスａＥＰと、前記両層が形成される間隔時間Ｔと
の積の値ＰＴが ｐＴ＜ｘ、ｓＸ １０＝ｔｏｒｒ−ｓ
ｅｃ となるよう蒸着するとともに前記Ｔの賃を Ｔ≧
１０ ｓｅｃとしたものである。
作用
本発明の製造方法の作用は次のようになる。
Ｔ１下地層の形成後、速やかにＣｏ−Ｃｒ層を形成する
ことにより、Ｔｉ下地層表面の酸化を防ぐことができ、
これによりＣ！ｏ−Ｏｒ層のエピタキシャル成長を促進
し、Ｃ！ｃ−Ｏｒ層の結晶配向性を高め、電磁変換特性
を向上させることができる。
ことにより、Ｔｉ下地層表面の酸化を防ぐことができ、
これによりＣ！ｏ−Ｏｒ層のエピタキシャル成長を促進
し、Ｃ！ｃ−Ｏｒ層の結晶配向性を高め、電磁変換特性
を向上させることができる。
実施例
本発明の製造方法を説明する。
第１図は本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法（以下製
造方法という。）を実施する一実施例の装置、第２図は
Ｃｏ−Ｃｒ膜Ｃ軸分散半値巾△θ５０とＰ（残留ガス）
とＴ（Ｔ１蒸着〜Ｇ！ｏ−Ｏｒ蒸着間の時間間隔）の関
係図、第３図はＤ５０ （ＫＢＰ工）と△θ５０との関
係図、を示す。
造方法という。）を実施する一実施例の装置、第２図は
Ｃｏ−Ｃｒ膜Ｃ軸分散半値巾△θ５０とＰ（残留ガス）
とＴ（Ｔ１蒸着〜Ｇ！ｏ−Ｏｒ蒸着間の時間間隔）の関
係図、第３図はＤ５０ （ＫＢＰ工）と△θ５０との関
係図、を示す。
図において、先述の第４図の符号と同一符号は同一部品
を示す。
を示す。
基板搬送系は、巻出し系（７）から回転方向（８）に沿
って巻出された長尺の高分子基板（９）が、キャンａＣ
に沿って走行中にで土層及びＣｏ−Ｃｒ層をマスク０υ
の開口部において蒸着された後に巻取り系α２に巻取ら
れる構造となっている。
って巻出された長尺の高分子基板（９）が、キャンａＣ
に沿って走行中にで土層及びＣｏ−Ｃｒ層をマスク０υ
の開口部において蒸着された後に巻取り系α２に巻取ら
れる構造となっている。
第１図の構成において、Ｔ１層が形成されてからＣｏ−
Ｃｒ層が形成されるまでの時間（以下これを間隔時間Ｔ
と呼ぶ。）を、マスク巾及び基板走行速度によって変え
た。またＴ≧１０ ｓｅｃではＴｉ層のみを形成し直ち
に走行停止して基板（９）をキャンＱｌ入側まで巻戻し
てＣｏ−Ｃｒ層を形成した。
Ｃｒ層が形成されるまでの時間（以下これを間隔時間Ｔ
と呼ぶ。）を、マスク巾及び基板走行速度によって変え
た。またＴ≧１０ ｓｅｃではＴｉ層のみを形成し直ち
に走行停止して基板（９）をキャンＱｌ入側まで巻戻し
てＣｏ−Ｃｒ層を形成した。
様々な真空度Ｐ（但し残留ガス圧）に対して間隔時間Ｔ
を変えた時のＣｏ−Ｃｒ膜のＣ軸分散半値巾△θ５０と
間隔時間との関係を第２図に示す。
を変えた時のＣｏ−Ｃｒ膜のＣ軸分散半値巾△θ５０と
間隔時間との関係を第２図に示す。
おおむねＰＴ≧１．５ Ｘ １０ ｔｏｒｒ・ｓｅｃ
となるとΔθ５０が７０以上でしかも急激に大きくなっ
ている。
となるとΔθ５０が７０以上でしかも急激に大きくなっ
ている。
なおＴ１とＣｏ−Ｃｒを別々のキャンで形成した場合に
も同様の結果を得た。但しこの場合はＴ≧２ｓｅａ Ｌ
／か実現できなかった。
も同様の結果を得た。但しこの場合はＴ≧２ｓｅａ Ｌ
／か実現できなかった。
一方、Ｃｏ−Ｃｒ層の厚み３０００八〇、飽和磁化Ｍｓ
”’ ６００ ｇａｕｓｓのＣｏ−Ｃｒ膜にギャップ
長０．１０μｍのフェライトリングヘッドを組み合わせ
た記録再生におけるＫＢＰ工 Ｄ５０と△θ５０の関係
は第３図のようになり、△θ５０〉７°ではＤ５０値が
急激に低下する。なお、高分子基板上に直接Ｃｏ−Ｃｒ
層を形成した場合のΔθ５ｏは Ｐ＝６Ｘ１０ ｔｏ
ｒｒにおいて約１０°であった。従って、Ｆ Ｔ （１
，５Ｘ１０ ｔｏｒｒ ・ｓｅｅとして、Ｃｏ−Ｃ！
ｒ層／Ｔ１層／高分子基板なる構成をとれば優れた垂直
磁気記録媒体を得ることができる。
”’ ６００ ｇａｕｓｓのＣｏ−Ｃｒ膜にギャップ
長０．１０μｍのフェライトリングヘッドを組み合わせ
た記録再生におけるＫＢＰ工 Ｄ５０と△θ５０の関係
は第３図のようになり、△θ５０〉７°ではＤ５０値が
急激に低下する。なお、高分子基板上に直接Ｃｏ−Ｃｒ
層を形成した場合のΔθ５ｏは Ｐ＝６Ｘ１０ ｔｏ
ｒｒにおいて約１０°であった。従って、Ｆ Ｔ （１
，５Ｘ１０ ｔｏｒｒ ・ｓｅｅとして、Ｃｏ−Ｃ！
ｒ層／Ｔ１層／高分子基板なる構成をとれば優れた垂直
磁気記録媒体を得ることができる。
発明の効果
本発明は真空蒸着法により、基板上にＴ１層を形成した
後にＣｏ −Ｏｒ層を形成する際に真空度Ｐと両蒸着層
を形成する間隔時間ＴをＰＴ＜１．５ Ｘ １０−３ｔ
ｏｒｒ−８ｅｃとなるようにするものであり、結晶配向
性の優れたＣｏ−Ｃｒ膜を量産できる。
後にＣｏ −Ｏｒ層を形成する際に真空度Ｐと両蒸着層
を形成する間隔時間ＴをＰＴ＜１．５ Ｘ １０−３ｔ
ｏｒｒ−８ｅｃとなるようにするものであり、結晶配向
性の優れたＣｏ−Ｃｒ膜を量産できる。
すなわち本発明では、電磁変換特性の優れたＣｏ−Ｃｒ
垂直磁化膜を真空蒸着法で形成できる。
垂直磁化膜を真空蒸着法で形成できる。
゛ 第１図は本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法を実
施する一実施例の装置、第２図はΔθ５ｏとＰ及びＴの
関係図、第３図はＤ５０と△θ５ｏの関係図、第４図は
従来例の垂直磁気記録媒体の製造方法を実施する装置、
を示す。 １：真空槽 ２：排気系 ３：電子銃４：電子ビー
ム ５：Ｔ１蒸発源 ６：０ｏ−Ｏｒ蒸発源 ７：巻出し系８：回転方向
９：高分子基板 ｌＯ：キャンＩＪ：マスク 」
２：巻取り系 特許出願人 松下電器産業株式会社代理人弁理士
阿 部 功第１凶 第２図 第３図
施する一実施例の装置、第２図はΔθ５ｏとＰ及びＴの
関係図、第３図はＤ５０と△θ５ｏの関係図、第４図は
従来例の垂直磁気記録媒体の製造方法を実施する装置、
を示す。 １：真空槽 ２：排気系 ３：電子銃４：電子ビー
ム ５：Ｔ１蒸発源 ６：０ｏ−Ｏｒ蒸発源 ７：巻出し系８：回転方向
９：高分子基板 ｌＯ：キャンＩＪ：マスク 」
２：巻取り系 特許出願人 松下電器産業株式会社代理人弁理士
阿 部 功第１凶 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）基体上にＴｉ層及びＣｏ−Ｃｒ層を順次真空蒸着
してなる垂直磁気記録媒体の製造方法において、Ｔｉ層
が形成されてからＣｏ−Ｃｒ層が形成されるまでの残留
ガス圧Ｐと、前記両層が形成される間隔時間Ｔとの積の
値ＰＴがＰＴ＜１．５×１０＾−＾３ｔｏｒｒ・ｓｅｃ
となるよう蒸着することを特徴とする垂直磁気記録媒体
の製造方法。 - （２）前記Ｔの値をＴ≧１０ｓｅｃとすることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60170229A JPS6231026A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60170229A JPS6231026A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6231026A true JPS6231026A (ja) | 1987-02-10 |
Family
ID=15901058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60170229A Pending JPS6231026A (ja) | 1985-07-31 | 1985-07-31 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6231026A (ja) |
-
1985
- 1985-07-31 JP JP60170229A patent/JPS6231026A/ja active Pending
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