JPS5923347A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は＃）シ体に関し、更に、住しくけビスアゾ化合
物を含有する感）“１′；層を有する新規な１■子写真
感光体に凹する。

更に詳しくは高感度にしてかつ繰り返し使用するに適し
た高耐久性電子写刊感九体に関−１−る。

従来電子写ｆＬ感光体（でおいては、セレン、酸化ｉｌ
Ｉ＋、鉛、硫化カドミウム等の無機光導軍１体を主成分
とする感）し層を有するものが広く用いられていた。

しかし、こ）シらは感度、耐熱性、耐湿性、あるいは耐
刷性等において、必ずしも十分満足し得るものではなく
、また背圧セレン及び硫化カドミウムは毒性のために製
造」ム取り扱い上にもｊｕｌ約かあつ　／こ。

一方、有機）ａ　２．準電性化合物を主成分とする感光
層を有するｆｌ￥、子方４９感光体は、製造が比較的容
易であると製造コメトが低（・こと、円筒ドラム状、シ
ート状、いずれの形体もＴｉＪ能であること、取り扱い
が容易であること。また一般にセレン感光体が耐熱性に
劣り高温条件下で結晶化してしまうのに対し耐熱性に優
れ′Ｃいることなど多（の利点を有し近年多（の注目を
集めて（・る。

このような有機光導′α性化合物として（すポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾールが知られており、これと２、４．７
−）　１）二）・ロー９−フル側レノン等ノルイス酸と
から形成されろ電荷移動錯体を主成分とする感光層をイ
ラする電子写真感光体が１−でに実用化されていく）８
シかしこの感光体は感度及び耐刷性にｔ６い−（も必−
４゛シも満足できるもθ）ではない。

一方、光４電１；Ｉｇ　Ｉ！’）能のギヤリア発生機能
とキャリア輸送機能とをそれぞれ別個の物′Ｗに分相さ
せろよ５１ｃした積層型あるし・は分散型の機能分離型
市子写豹感）０体が知られている。このような機能外部
Ｊ、ＩＪＪ　ｆｆ１ｊ子写ＪＡ、感光体は各々の物賃の
選択範囲が広く帯γｆイ、特性、感度残留電位および耐
刷性等の電１子写［を特性にも；いて高性能化が比較的
達成しやすく中た汗童のｌ峙イ′１を有する電子写ｒ（
感光体を作成しやゴいという利点を持っている。電子写
真感光体の光導ＬＩＴ、件轡能のうちキャリア発生を主
として分＃１４１−るギートリア発生物質としては、従
来より種々のものが提案されＣいろ。たとえばａｌ：ｔ
ａ物質と１で無定形セレンがら形成されろキャリア発生
層がよ（知られているが、これは高温条件下で結晶化し
性能が劣化１−るという欠点を持っている。

また、）Ｃ導電性有機染料・顔料から（ＲＩｔＣキャリ
ア発生能の優れたものをキャリア発生物質として用いる
ことが種々提案されており、例えば特開昭５３−９５（
１３３号　　公報 特開昭５３−１３３４４５号　公Ｙｔ４特開昭５４−２
７３＞を号　　公報 特開昭５４−１２７４２号　　公報 特開昭５６−１１６０４０号　公報 米国特許第４０５２２１．（’１号明細書記載等のアゾ
化合物がすでに公知である。し、かしこれらのアゾ化合
物は感度、残留電位あるいは繰り返し使用した場合の安
定性等の特性において、必ずしも満足し得るものではな
く、キャリア輸送物質の選択範囲も限定されるなど、電
子写真プロセスの幅広い要求を充分に満足させるものは
未だ得られて℃・ブエいのが実状である。

本発明の目的は熱および光に刻して安定でかつキャリア
発生能に優れたビスアゾ化合物を含有する電−７−１７
，１，ｌ′ｊ、　７盛９Ｙコ１本を提伊η−ろことにあ
る。

本発明０）仙の目的は高感度にして残留′竜（ｉ’（が
小さくかつり・）ン吃１−１Φ）１１シてル、それらの
仕’「ｉ−１が変化しブ、【い面ｊ　久１′１　　の　
Ａ　ぐね　ノこりに了−−Ｆ４．　ＩＦＩ　　感　＞Ｙ
、　ｆ木ち・キ是供１−４）ことにある。

本発明０−戸ハにそのｌｌｌ＋の１ｊ的し鼾−明ン１１
１書の記載から明らかになノ）５゜ 右 本番ＵＪＩ、、哨ｉ　、以上σ）目的な咎成１べく鋭意
研究の鈷１竹、１・記、一般式〔１）で示されイ）ビス
ーアゾ化合′吻が感）゛〔４体の有力１１ｉψ分とし゛
〔ｆΦむき１１Ｆイ〕ことをＦｌい出し、本発明？完成
したものである。

一般式ｌ、１〕 Δ−Ｎ＝Ｎ−Δｒ、−Ｃｌヒｅｌｌ−Δｒ２−ＣＩＩ＝
Ｃ１１−△ｒ　３−　Ｎ　＝　Ｎ　−Ａ式中において、
Ａ１１．Δ１．はそれぞ］１．置換　未開４ｔ６　（１
）了１ｊ−レノ７、（鳴・表わし、好１じくけ１、償３
負４−イ１咋のフェニレン−’）’；　、　’　ＩＫ４
．４魚・未＋？’？塵のナフヂーレンー埜を表わし、史
に好ましくけ、ｊｉ’７　ｉｊへ・未置換のフェニレン
夷ミを表わす。

これらの基装置１角基としＣ用いし）れイ）ものは、例
えば炭素数１〜４の？１夕、換・未１６換のアルキル基
、（例えば、メチル基、エチル基、イ１ノフ゛ロビル基
、トリフルオロメチル基等）。

炭素数１〜４の置換・未置換σ）アルコキシ基（例エバ
、メトキシ基、工ｌ・キシリル、２−１０ルエトキシ基
等）、ノ・ロゲン原子（塩素原子、臭素原子、弗素原子
、ヨウ素原子）、ンアノノ１（等１．＞ｌイ’Ｃ表的で
ある。

Ａｒ、は、置換・未置換のナフチレン基を表」）す。

この置換基として用℃・られるもσ）（′ｉ、ｆｌｌえ
Ｉ了）・ロゲン原子（塩素原子、臭素原子、１１４素ｊ
ｇ子、ヨウ素原子）、炭素数１〜４の置換・未１百Ｆへ
のアルコキシ基（例えばメトキシ基、工１・・■・ン、
ｌ、２−クロルエトキシ基等）が代表的である。

Ａ番ま ｔ２ 以下余白 り１１ で表わされろ。

Ｙは、水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、そのエ
ステル基、スルホ基、（Ｎ（ｆ！・未貿惰のカルバモイ
ル基、または置換・未置換のスルファモイル共を碧わし
、好ましくは、ｆｌ′１ｌｆ４・未Ｐ１″換のカルリ ｌ（４：水素原子、炭素〈り１〜４の１（（、，１グ５
・十Ｆ）置換のアルキル基、オ６よひ１首４ｑ１・未１
；σ換のアラルキル基、買換・朱１〜換のフェニル基 １（、：水素原子、炭素数１〜４の置換・未置換のアル
キル基、置換・未開ン一の芳香族複素環基（例えば置換
・未置換のフェニル基、置換・未置換のナフチル基、置
換・未置換のアンスリル基等）、または、置換・未置換
の芳香族複素環基（例えば買換・未ｊ屑換のカルバゾリ
ル基、＠換・未置換のジペンゾフリル基等） を表わす。

これらの基の置換基としては、例えば炭素数１〜４の置
換・未置換のアルギル基（例えばメチル基、エチル基、
イソプロピル基、３級ブヂル基、トリフルオロメチル基
等）、置換・未置換のアラルキル基（例えば、ベンジル
基、フェネチル基等）、ハロゲン原子（塩素原子、臭素
原子、弗素原子、ヨウ素原子）、炭素数１〜４の置換　
未置換のアルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基
、イソプロポキシ基、３級ブトキシ基、２−クロルエト
キシ基等）、ヒドロキシ基、置換・未置換のアリールオ
キシ基（例えば、Ｐ−クロルフェノキシ基、ｌ−ナフト
キシ基等）、アシルオキシ基、（例えば、アセチルオキ
シ基、Ｐ−シマノベンゾイルオキシ基等）、カルボキシ
基、そのエステル基（例シーばエトキーンカルホ゛ニル
Ｘ、Ｉｎ−）“ロモフエノＡ−ジカルボニル基等）、ツ
ノル　モイル基（例ニーニトロベンゾイルｇ等）、スル
ホ基、スルファモイル基（例えげ、アミノスルホニル基
、３級ブヂルアζノスルポニル基、Ｐ　＋、リルアミノ
スルホニル周等）、−１ミノ基、アノルアミノ基（例え
ば、ｒセヂルアミノ基、ベンゾイル−ｒミノ基等）、ス
ルオ／Ｖミドー瑞（イ列えば、ノクノスルホンアミトノ
１（，１″−トルエンスルホンアミドＪｋ　等）　、ノ
アノ基、二１・口塞等が塁げられろが、好十しくは炭素
数ｌ〜４σ）置換・未（Ｒ換のアルキルメチル基、エチ
ル基、イソプロピル基、（１リブチル基、トリフル爾ロ
メチル基等）、ノ＼ロゲン原子（塩素原子、臭素原子、
弗素原子、ヨウ素原子）、炭素数１〜４の置換　未置換
のアルコキシ基（例えば、メトキシ基，エトキシ基、イ
ソプロポキシ基、３級）川・キン基、２−クロルエトキ
ン基等）、ンアノ基、二１・口塞である。

Ｚは置換・未置換の芳香族炭素環、または置換・未置換
の芳香族複素環を形成するに必要な原子群であって、具
体的には例えば置換・未置換のベンゼン環、置換・未置
換のナフタレン環、置換・未置換のインドール環、置換
・未置換のカルバゾール環等を形成する原子群を表わす
。

これらの環を形成する原子群の１１ｑ換基としては、例
えばＲ４＋几、の置換基として挙げたような一連の１〃
換基が列挙されろが、好ましくはハロゲン原子（塩素原
子、臭素原子、弗素原子、ヨウ累原子）、スルホ基、ス
ルファモイル基（例えばアミンスルホニル基、３級ブチ
ルアミノスルホニル基、Ｐ−トリルアミンスルホニル基
等）である。

Ｒ，は水素原子、骨★−＋（６−−　　　　　二、置換
・未置換のアルキル基、置換・未−置換のアミン基、カ
ルボキシ基、カルボキシ基のニスデル基、置換・未置換
のカルバモイル基、シアン基でアリ好ましくは水素原子
、炭素数１〜４の置換・未置換のアルキル基（例えば、
メチル基、エチル基、イソプロピル基、３級ブチル基、
トリフルオロメチル店等）、ノーｒノ基である。

１（２は置換　未１１胃命のアリール基であり、好まし
くは買浄・未置換のフェニル基でこれらの基装置１斃、
Ｉちとしても・よ、例えばＨ４，Ｉｔ、、のＩｆ！ｖ換
基として挙げたような一律の置換基が列Ａ％されるが、
好ましくは・・ロゲン原イ（塩素原子、臭素原子、弗素
原子、ヨウ素原子）、炭素数１〜イの１１′ｇ換・未置
換のアルギル基（例えばメチル基、ニブ′ル基、イソプ
ロピル基、３　ｆ）；ブｆ−ル基、トリフルオロメチル
基等）、炭素数１〜４の置換・未１ｍ換の−ｒルコキン
基（例身ば、メトキン基、エトキン基、イソプロポキン
基、３級ブトキシ基、２−り「１ルエト−１７基、）で
ある。

１シ、は置換・未置換σ）アルギル基、１Ｎ換・未置換
のアラルキル基および置換・未置換のアリール基を表わ
すが、好止しくは炭素数１〜４の買換・床置−のアルギ
ル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、
３級ブチル基、トリフルオロメチルＸ：等）、置換・未
置換のフェニル基（例えば、フェニル基、Ｐ−メトキシ
フェニル基、ｍ　−クロルフェニル基等）を表わす。

すなわち、本発明においては前記一般式〔１〕で示され
るビスアゾ化合物？電子写真ｌＩ＆九体の感光層を構成
する光導可、性物ノ質として１■１（・ることによりま
たは本発明のビスアゾ化合物の優′Ｊまたキャリア発生
能のみを利用し、これをギートリアの発生と輸送とをそ
れぞれ別個の物質で行／、ｃ５゜機能分離！す電子写ｎ
感落体のキャリー７発生物質として用いることにまり波
膜物性に慶れ、電荷保揚力・感度・残留電位等のりＩイ
、子方、ｊｉ、　ＩＩ’を性に優れ、かつ、繰り返しく
吏用した時にも波力劣化が少ない」二１．林、光等にお
いて堅牢で安定した特性を発揮し得ろ電、子方ｎ感光体
を作成することができイ）。

前記−・般式〔１〕で示されろ本発明に有用／工ビスア
ゾ化合物としては例えば、次の構造式を有１−ろものが
誉げられシ）がこれに−二って本発明のビスアゾ例示化
合物 （Ｋ−１） 仁 （１く Ｃ／）− （１く （Ｋ−４） （Ｋ−８１ （１＼　−９） （Ｋ−１１） （１（−１：（） （１〜　１４） ４ （Ｋ−１，６） （Ｋ−１７） （Ｋ−１８） （Ｋ−２１） （Ｋ−２２）（ （Ｋ−２３） Ｋ−２５） ）Ｋ　−２ｆｉ） （Ｋ−２７） （Ｋ−２９） （Ｋ−３２） （Ｋ−３５） （Ｋ−３７） （ Ｋ−３（＋＋ （Ｋ−４（＋） Ｃ）Ｉ＝Ｃ８− 以下余白 （Ｋ−４５） （Ｋ−４６） Ｋ−４７） １＜−４Ｊ（） −４９１ （Ｋ−５０） （Ｋ−５１） （Ｋ−５２） （Ｋ−５３） （Ｋ−５５） （Ｋ−５６） （ ｌ ニー６１　） １ （Ｋ−６２） ＣＨｌ （Ｋ−６３） すＩ］ （Ｋ−ｆｉ６） （Ｋ−６７） ｌ −１Ｎ＝へ （）ｔニー６９） ｋ−７ｎ）　　　　　　　　　　　−Ｎ＝”（Ｋ−７１
） （Ｋ−７５） 〒１１゜ 以上のごとき、ビスアゾ化合物は公知の方法により容易
に合成することができる。

合成例（１）（例示化合物（Ｋ−５）の合成）Ｂｕｕ−
（１ｏｉ、　　ａｎｄ　　Ｌｅｃｏｃｑ、　　Ｊ、　　
：　　　Ｊ、　　Ｃｂｅｍ、　　Ｓｏｃ、　　、　　１
　９　４　６　　。

８３０　記載の方法に従って、１．５．６９　（０，１
モル）の２．６−シメチルナフタレンと３５．６．５１
　（・０．２モル）のＮ−ブロムコハク酸イミドとをベ
イシイルバー副キサイドの存在下四塩化炭素、中で反応
させることにより、１９．４ｇのα、αｌ−ジブロムー
２，６−シメチルナフタレンを得た。（収￥Ａ６２％）
次に１５．７．９　（０，０５モル）のα、α′−ジブ
ロムー２゜６−シメチルナフタレンと１６．６ｇ（０，
１モル）の亜すン酸トリエヂルを加熱溶解することによ
って、２０、８．ｐの２，６−シメチルナフタレンーα
、α′−ビスジエチルフォスフォ卑−トを得た。（収率
９７％）次にＷ、　Ｓ、　Ｗｏｒｄｓｗａ　ｒ　ｔｈ　
、　Ｗ、　Ｄ、　Ｅｎｘｎｏｎｓ　、　Ｊ、　Ａｍ、　
Ｃｈｅｍ。

３ｏｃ、　、里、１７３３　（１９６１）　　記載の方
法に準じ、上記に準備した１７．１．９　（０，０４モ
ル）の２，６−ジメヂルナフタレンーα、α′−ビスジ
エヂルフォスフォネートと１２．ＩＪ　（０，０８モル
）のｐ−ニトロベンズアルデヒドをナトリウムメチラー
ト存在下Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド中で反応させる
ことにより１４、０．９の２．６−ビス（ｐ−ニトロス
チリル）ナフタレンを得た。（収率８２％） 得られた２、６−ビス（ｐ−ニトロスチリル）ナフタレ
ン８．４．９（０，０２モ／ｌ／）を′）：（法により
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド中鉄と塩酸で還元し、５
．９ｇの２，６−ビス（ｐ−アミノスチリル）ナフタレ
ンを得た。（収率８１％） このようにして得た２、６−ビス（ｐ−アミノスチリル
）ナフタレン３．６３．ｐ　（０，０１モル）を２０　
ｍｌの濃塩酸と６０　ｍｌの水の混合液に分散し、１．
５２ｇ（０，０２２モル）の亜硝酸ナトリウムを水５ｍ
／！に溶かした水溶液を内温を０〜５℃に保ちながら滴
下し、同温度で１時間攪拌反応させた。反発後少量の残
渣を炉別し、炉液に４２％ホウ弗化水紫酸水溶液３０ｙ
＋Ｊを加え、析出した沈澱を戸数し水洗した後乾燥した
。収量５．５４ｇ（収率９９％）得られたテトラゾニウ
ム塩２．８０ｇ（０，００５モル）を５０ｄのＮ、Ｎ−
ジメチルホルムアミドに溶解し、次に２−ヒドロキシ−
３−ナフトエ酸アニリド（ナフト−ルＡＳ）２．６３ｇ
（０，０１モル）とトリエタノールアミン２．７０．！
；’（０，０２モル）を５００ｍ７！ｃ７）Ｎ、Ｎ−ジ
メチルホルムアミドに溶解し、内温を、５〜１０℃に保
ちつつ上Ｈ己によりｉｔ’ｊ　！Ｉ（％　したテトラゾ
ニウム塩溶液を滴下し、滴下後回温度で２時間攪拌し更
に室温下２時間（ｌ拌反応させた、。

反応後析出した沈澱を戸数し、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルム
アミド次にアセトンで洗浄し、乾燥することにより目的
のビスアゾ化合物を？ｒＩだ。

収量　４．１ｇ（収率９１％） 融点　３００℃以上 赤外ＩＨ収スペクトルでν＝　１６７０　ｃｍＡにアミ
ド吸収、およびＦＤ−マススペクトルＬ　’／ｅ　＝９
１１　ノ分子イオンピークが現われたことから、目的の
化合物が合成されたことを確認した。

合成例（２）（例示化合物（Ｋ−９）の合成）合成例（
１）と同様にして得られた２、６−ジスチリルナフタレ
ン−４／４″−ビスジアゾニウムビステトラフルオルボ
レー）　２．８０　ｇ（０，００５モル）と２−ヒドロ
キシ−３−ナフトエ酸−２，／　４　／−ジメチルアニ
リド　（ナフトールＡ　Ｓ　−ＭＸ）　　２．９１　、
！ｉ＋（０，０１モル）を氷冷した５００ｄのＮ、Ｎ−
ジメチルホルムアミドに溶解した。内温を５〜ｌＯ℃に
保ちつつ１．２ａ　、ｐ（０，０１５モ／ｌ／）　ノ酢
酸す；・リウムを１０ｍ１の水に溶解した水溶液を１時
間を要し滴下した。その後室温にて、３時間攪拌反応さ
せた。反応後析出した沈澱を戸数し水洗後、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルホルムアミド次にアセトンで洗浄し乾燥して目的
のビスアゾ化合物を得た。

１■量　４．２６ｇ（収率８８％） 融点　３００℃以上 赤外線吸収スペクトルでシフ１６フ０ｃｒｎにアミド吸
収およびＦＤ−マススペクトルにｒＶｅ＝９６７の分子
イオンピークが現われたことから目的の化合物が合成さ
れたことを確認した。

合成例（３）（例示化合物（Ｋ−１７）の合成）出１原
料を２，７−シメチルナフタレンとしたほかは合成例（
１）の反応経路に従い、５．１０ｇの２，７−ジスチリ
ルナフタレン−４／４／′−ビスジアゾニウムビステト
ラフルオロボレートをイひた。

上記に得られた２、７−ジスチリルナフタレン−４、’
４’′−ビスジアゾニウムビス・ツートラフルオロｄ（
レート２．８０　ｇ（０，００５モル）を５０ＴＬｌの
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドに溶解し、次の反応に使
用するテトラゾニウム塩溶液とした。

次に２−ヒドロキシ−３−ナフ、トエ酸アニリド。

（ナフトールＡＳ）２．６３．９（０，０１モル）とト
リエタノ−ｐｖ７　ミン２．７０　！？（０，０２％ル
）を５００　１ｎｔのＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミドに
溶解し、内温を５〜１０℃に保ちつつ上記によりＷ１フ
整した。

テトラゾニウム塩溶液を滴下し滴下後回温度で２時間攪
拌し更に室温下２時間攪拌反応させた。

反応後析出した沈澱を戸数し、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルム
アミ１次にアセトンで洗浄し、乾燥することにより目的
のビスアゾ化合物を得た。

収量　４．２．ｊａｉ＋（収率９２％）融点　３００℃
以上 赤外吸収スペクトルでν＝　１．６７０　ｃｍ−’にア
ミド吸収、およびＦＤ−マススペクトルにｍ／ｅ　＝　
９１１の分子イオンピークが現われたことから、目的の
化合物が合成されたことを確認した。

合成例（４）（例示化合物（Ｋ−１９）の合成）合成例
（１）と同様にして得られた２、７−ジスチリルナフタ
レン−４／、４１乙ビスジアゾニウムビステトラフルオ
四ボレート２．８０　ｇ（０，００５モル）と２−ヒド
ロキシ−３−ナフトエ酸−２７，４／’−ジメチルアニ
　リ　　ド　　（す　）　ト　−　ル　ＡＳ　　−Δ１
丁　Ｘ）　　　２．９１　　、！９（０，０１モル）を
氷冷した５００罰のＮ、Ｎ−ジメヂルホルムアミドに溶
解した。内温を５〜１０°Ｃに保ちつつ、１．２３　ｇ
（０，０１５％ル）　（７）酢酸ナトリウムをｉｏ　ｍ
ｅ　（７）水に溶解した水溶液を１時間を要し滴下した
。その後室温にて３時間攪拌反応させた。反発後析出し
た沈澱を炉腹し水洗後、Ｎ、、Ｎ−ジメチルポルムアミ
ド次にアセトンで洗浄し、乾燥して目的のビスアゾ化合
物を得た。

収量　４．３０５’（収率８９％） 融点　３００℃以上 赤外線吸収スペクトルでシュ１６フ０ｃｒｎにアミド吸
収およびＦＤ−マススペクトルにｎ’／ｅ　＝　９６７
の分子イオンピークが現われたことから目的の化合物が
合成されたことを確認した。

本発明のビスアゾ化合物は優れた光導電性を有し、これ
を用いて電子写真感光体を製造する場合、導電性支持体
上に、本発明のビスアゾ化合物を結着剤中に分散した感
光層を設けることにより製造することができる。また他
の方法として、本発明のビスアゾ化合物の持つ光３７Ｊ
　７［Ｉ性のうち、特に優れたギヤリア発生能を利用す
るギヤリア発生物質として用い、これと組み合わゼて有
効に作用し得るキャリア輸送物質と共に用いることによ
り、積層型、あるいは分散型のいわゆる機能分離型電子
写真感光体とすることも可能である。

電子写真感光体の機械的構成は、種々の形態が知られて
いるが、本発明の電子写真感光体は、それらのいずれの
形態をもとり得る。

通常は、第１図〜第６図の形態である。第１図および第
３図では導電性支持体■上に前述のビスアゾ化合物を主
成分とするキャリア発生層２と、キャリア輸送物質を主
成分として含有するキャリア輸送３との積層体より成る
感光層４を設ける。

第２図および第４図に示すようにこの感光層４は導電性
支持体上に設けた中間層５を介して設けてもよい。この
ように感光層４を二層構成としたときに最も優れた電子
写真特性を有する電子写真感光体が得られる。また本発
明においては、第５図および第６図に示すように、前記
ギヤリア発生物質７をキャリア輸送物質を主成分とする
ＷＪＧ中に分散せしめて成る感光層４を、導電性支持体
１上に直接あるいは、中間Ｍ５を介して設けてもよい。

本発明のビスアゾ化合物をキャリア発生物質として用い
た場合、これと和み合わせて用いられるキャリア輸送物
質としては、トリニトロフルオレノンあるいはテトラニ
トロフルオレノンなどの電子を輸送しやすい電子受容性
物質のほか、ボＩＪ−Ｎ−ビニルカルバゾールに代表さ
れるような複素環化合物を側鎖に有する重合体あるいは
トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダ
ゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ボリアリールアルカ
ン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン肪導
体、アミノ置換カルコン誘導体、ト１ノアリールアミン
誘導体、ノノルノ（ゾールＳカ導体、スチルベン誘導体
等の正孔を輸送しやすしＸｍ子９号与性物質が挙げられ
るが、本発明に用いら才するキーヤリア輸送物質はこれ
らに限定されるもので番、！なｌ／）。

二層構成の感光層４を構成、するキ　ＩＪア発生層２は
、導電性支持体１もしく（１片＋　ＩＪア輸送層３上に
、直接あるいは必要に応じて、接着層もしくはバリヤ一
層などの中間層を介して、υ（の方法Ｇこよって形成す
ることができる。

Ｍ　−（＋）　　ビスアゾ化合物を適当な溶媒に溶解し
た溶液を、あるいは必要に応じて結着剤を加え混合溶解
した溶液を塗布する方法。

Ｍ　−（２）　　ビスアゾ化合物をボールミルザー等に
、Ｌっで分散媒中で微細粒子とし、必要に応じて結着剤
を加え混合分散した分数液を塗布する方法。

キャリア発生層の形成に使用される溶媒あるし１は分散
剤としては、ｎ−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチ
レンジアミン、イソプロパノ−、ルアミン、トリエタノ
ールアミン、トリエヂレンジアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホ
ルム、ジクロロエタンジク四ロメタン、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソプロ
）ニア　−ル、酢ｅエヂル、酢酸ブヂル、ジメチルスー
ルホキシド等が挙げられる。

キャリア発生層あるいはギヤリア輸送層に結着剤を用い
る場合は任意のものを用いることができるが、疎水性で
かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性高分子
重合体を用いるのが好ましい。

このような高分子重合体としては、例えば次のものを挙
げることができるが、もちろんこれらに限定されるもの
ではない。

Ｐ　−（１）　　ポリカーボネート Ｐ　−（２）　　ポリエステル Ｐ　−（３）　　メタクリル樹脂 Ｐ　−（４）　　アクリル樹脂 Ｐ　−（５）　　ポリ塩化ビニル Ｐ　−（６）　　ホ“り塩化ビニリデンＰ　−（７）　
　ポリスチレン Ｐ　−（８）　　ポリビニルアセテートＰ　−（９）　
　スチレン−ブタジェン共重合体Ｐ−１ｆＯ）　　塩化
ビニリデン−アクリロニトリル共重合体 Ｐ−αＩ）塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体Ｐ−（１７
１塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 ｐ−ｃ＋＋ｐ　　シリコン樹脂 Ｐ　−０４）　　シリコン−アルキッドｖＪＪＵ旨Ｐ　
−１１５）　　フェノ−Ａ／−ｒｊｚルムアルデヒド樹
脂樹脂−（１６＋　　スチレン−アルキ、ド樹脂Ｐ−α
η　ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールこれらの結着剤は、
単独であるいは２種以上の混合物として用いることがで
きる。

このようにして形成されるキャリア発生層２の厚さは、
０．０１μｍ−２０μｍであることが好ましいが更に好
ましくは、Ｏ，０，５μｍ〜ｂμｍ、である０またキャ
リア発生層あるいは感光層が分散系の場合ビスアゾ化合
物の粒径は５μｍ以下であることが好ましく、更に好ま
しくは１μｍ以下である。

本発明の電子￥真盛光体の構成に用いられる導電性支持
体１としてはアルミニウム板ステンレス板などの金属板
のほか、合金板（例えばアルミニウム合金板）等また、
紙あるいはプラスチックフィルムなどの支持体上にアル
ミニウム、パラジウム、金などの金属薄片をラミネート
もしくは蒸着によって設けたものあるいは導電性ポリマ
ー酸化インジウム酸化スズなどの導電性化合物の層を、
同じく紙あるいはプラスチックフィルムなどの支持体上
に塗布もしくは蒸着によって設けたものが用いられる。

接着層あるいはバリア一層などの中間層５としては、前
記感光層の結着剤として用いられる高分子重合体のばか
酸化アルミニウムなどが用いられる。

本発明の電子写真感光体は以上のような構成であって、
後述する実施例からも明らがなように、帯電特性、画像
形成特性に優れており特に繰り返し使用したときも疲労
劣化が少なく、耐久性が優れたものである。

以下本発明の実施例を具体的に説明するがこれにより本
発明の実施即様が限定されるものではない。

ポリエステルのフィルム上に゛ｒルミニウム箔をラミネ
ートして成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニ
ル−無水マレイン酸共重合体「エスレノク人４Ｆ−１０
Ｊ（種水化学社製）より成る厚さ０．０５μｍの中間層
を設けその上に、例示化合物（Ｉぐ−５）２重量部を１
，２−ジク口々エラ２１４０重景部に分散混合した液を
乾燥後の膜厚が。、５μｍになるようにして塗布し、キ
ャリア発生層を形成した。

次いで、ｌ−７エニルー３−（ｐ−ジエチルアミノスチ
リル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−ヒラソ
リン６重量部と、ポリエステル「バイｏ　ン’２００　
Ｊ　　（東洋紡績社製）　１０重置部とを、１．２−ジ
クロロエタン（３）重量部中に溶解し、この溶液を乾燥
後の膜厚が１０μｍ　になるように塗布してキャリア輸
送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。

この電子写真感光体について、静Ｔ′１１複写紙試験装
置「Ｓ　Ｐ　−４２８型」　（川口電気製作新製）を用
イテダイナミ、タ方式で電子写真特性を測定した。

前記感光体の感光層表面を帯電圧−６，Ｏｋｖ　　で５
秒間帯電せしめた時の表面電位ＶＡ、次いでタングステ
ンランプの光を感光体表面におりる照度が３５１１１Ｘ
になるようにして照射し、表面電位ＶＡを半分に減衰さ
せるのに要する露光量（半減露光量）Ｅｊ４　（１ｕｘ
−ｓｅｃ　）　、並びに３０１ｕｘｌｓｅｃのＤ％光量
で開光した後の表面電位（残留電位）　ＶＲをそれぞれ
求めた。

また同様の測定を１００回繰り返して行なった。

結果は第１表に示す通りである。

キャリア発生物質として下記ビスアゾ化合物を用いた他
は、実施例１と同様に′して比較用感光体この比較用電
子写真感光体について実施例１と同様にして測定を行な
ったところ、第２表に示すような結果を得た。

この比較用電子写真感光体について実塵例１と同様の測
定を行なったところ、ＶＡ　＝　−９９０Ｖ１Ｅ３Ａ＝
　９．４１ｕｘ−ｓｅｃ　、　ＶＲ＝　−１５Ｖであっ
た。

以上の結果から明らかなように本発明の電子写真感光体
は、比較用電子写真感光体に比べその初期特性において
著しく優れたものである。

実施例３、による本発明の電子写真感光体と比較例２に
よる比較用電子写真感光体の各々を、電子写真複写機「
Ｕ−Ｂｔｘ　２０００　ＲＪ　（小西六写真工業社細）
に装置して、帯電・露光・クリーニングの操作を２，０
００回繰り返して耐久試験を行なった後、直ちに再び実
施例１におけると同様の測定を行なった。結果は第４表
に示す通りである。

第４表 ２、０００回耐久試験後の特性 この結果から明らかなように、比較例２の電子写真感光
体の特性の劣化が著しく大きいのに比べ、実施例３の本
発明の電子写真感光体は、２．０００回の帯電・露光の
繰り返しにおいても、その特性が初期とほとんど変わら
ず安定していることがわかる。

実施例１で用いたＳ電性支・持体止に、例示化合物（Ｋ
−１３）　２重位部と、ポリカーボネート「パンライ）
　Ｌ　−１２５０Ｊ　（帝人化成社製）２重量部を、１
．２−ジクロロエタン１４０重量部に分散混合した液を
、乾燥後の膜厚が１μｍになるように塗布して、キャリ
ア発生層を形成した。

次いで、３−（ｐ−メトキシスチリル）−９−（ｐ−メ
トギシフェニル）カルバゾール６　重ｉｍと、メタクリ
ル樹脂「了クリペット」　（三菱レイヨン社ＩＮ）１０
重爪部とを、■、２−ジクロロエタン９０重量部に溶解
した液を、乾燥後の膜厚が１０　ｔｔｍになるように塗
布してキャリア輸送層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。

この電子写真感光体について実施例１と同様に測定した
ところＥ３Ａ＝　１．５１ｕｘ−ｓｅｃ　、　ＶＲ＝　
ＯＶ　’ｒであった。

実施例１で用いた中間層を設けた導電性支持体上に、例
示化合物（Ｋ−１６）の２％エチレンジアミン溶液を、
乾燥後の膜厚が０．３μｍ　になるように塗布し、キャ
リア発生層を形成した。

さらにその上にｐ−（Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ）ベンツ
アルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン６１！！１
ｇと、ポリカーボネート［ニーピロンＳ−１０００Ｊ　
（三菱ガス化学社製）１０重ｆｆｉ部とを、１，２−ジ
クロロエタン叩重量部に溶解し、乾燥後の膜厚が１４μ
ｍになるように塗布して、キャリア輸送層を珍成し、本
発明の電子写真感光体を作成した。

この電子写真感光体について、実施例１と同様にして測
定したところ、Ｅ３Ａ＝　１．６１ｕｘ−ｓｅｃ　。

ＶＲ＝　Ｏｖ　であった。

また、この電子写真感光体を電子写真複写機［Ｕ　−Ｂ
ｏｘ　２０００　ＲＪ　（小西六写真工業社製）に装置
し、画像の複写を行なったところ、原画に忠実でコント
ラストが高く階調性の優れた鮮明な複写画像を得た。こ
れは、連続１０．０００　　回繰り返しても初期と同様
の複写画像が得られた。

キＹリア発生物質として下記ビスアゾ化合物を用いた他
は実施例６と同様にして、比較用電子琴この比較用電子
写真感光体について、実施例６と同様にして画像の複写
を行なったところ、初期の画像は良好であったが、繰り
返し複スを行なうに従い次第にカブリが増加し、ｉ、ｏ
ｏｏ−回の繰り返しで、もはやカブリの大きい、コント
ラストの低い不鮮明な画像しか得られなかった。

ポリエステルフィルムにアルミニウムを蒸着した上に、
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体［エ
スレックＭＰ−１０Ｊ（接水化学社製）から成る厚さ０
．０５μｍの中間層を設け、その上に例示化合物（Ｋ−
２３）３重量部と、１，１−ビス（４−Ｎ、Ｎ−ジエチ
ルアミノ−２−メチルフェニ／Ｉ／）−１−フェニルメ
タン６重量部と、ポリカーボネート「パンライ）Ｌ−１
２５０，Ｊ（量大化Ｊ＆　社１７）１０重量部とを、１
，２−ジクロロエタン１００重量部中に加え、ボールミ
ルでよく分散混合した液を乾燥後の膜厚が１０μｍ　に
なるように塗布して、本発明の電子写真感光体を作成し
た。

この電子写真感光体について静ｍ複写紙試験装置「Ｓ　
Ｐ　−４２８型」　（川口電機製作新製）を用い、ダイ
ナミック方式で電子写真特性を測定した。

感光層表面を＋６　ＫＶ　で５秒間帯電し、次いでタン
グステンランプの光を感光層表面における照度が３５１
ｕｘ、になるようにし′で半減露光ｍ　（Ｅ３Ａ）を求
めたところ、Ｅ３Ａ　＝　１．６　ｌｕｘ・ｓｅｃであ
り、さらに３０１ｕｘ−ｓｅｃのｎ光量を与えたときの
表面電位ギヤリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物
を用いた他は実施例７と同様にして、比較用電子写真感
光体を作成した。

この比較用電子写真感光体について、実施例７と同様に
して、測定したところ、Ｅ％＝　１２．４１ｕｘｓｅｃ
　Ｎ　ＶＲ＝＝　−８４Ｖであり、実施例７の本発明の
電子写真感光体に比べ、感度、残留電位とも著しく劣っ
たものであった。

実施例１で用いた中間層を設けた導電性支持体上に、例
示化合物（Ｋ−９）２爪＠部と、■、２−ジクロロエタ
ン１００重量部とをよく分散混合し、乾燥後の膜厚が０
．３μｍ　になるように塗布してキャリア発生層を形成
した。

次いでその上に、キャリア輸送物質として下記ヒドラゾ
ン誘導体６重量部と、ポリエステル［バイロン２００Ｊ
（東洋紡績社製）　１０重量部に溶解し第７表 感光体は感度、残留電位等の電子写真特性においポリエ
ステルフィルム上にアルミニウム箔をラミネートして成
る導電性支持体上に塩化ビニル−酢酸ビニル−無ホマレ
イン酸共重合体［エスレックＭＰ−１０Ｊ　　（留水化
学社製）より成る厚さ０．０５μｍ　の中間層を設け、
その上に例示化合物（Ｋ−１８）５ｇとポリカーボネー
ト樹脂［パンライトＬ−１２５０Ｊ　（今人化成社製）
３．３ｇとをジクロ・ロメタン１００ｍ／に加え、ボー
ルミルで６ｎｙ　ｒ＋０分散した分散液を乾燥時の膜厚
が１０μｍになるようにして塗布し、電子写真感光体を
作成した。

以上のようにして得られた感光体を帯電圧を＋６　ＫＶ
　　に代えた他は実施例１と同様にして９％とＶＲを測
定した。

１回目の結果はＥ３Ａ＝　２．９１ｕｘ−ｓｃｃおよび
ＶＲ＝＋１０Ｖであった。

実施例１で用いた中間層を設けた導電性支持体上に、例
示化合物（■ぐ−３３）２バ（駅部と１，２−ジクロロ
エタン１００重量部とをよく２分散混合し、乾燥後の膜
厚が０．３μｍ　になるように塗布してキャリア発生層
を作成した。

次いでその上にキャリア輸送物質として３−（ｐ−メト
キシスチリル）−９−（ｐ−メトキシフェニル）°カル
バゾール６重量部とポリカーボネート〔パンライトＬ−
１２５０）（今人化成社製）　１０重量部とを、１，２
−ジクロロエタン９０重量部に溶解した液を乾燥後の膜
厚が１０　ｔｌｍ　　になるように塗布してキャリア輸
送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。

この電子写真感光体について、５℃及びω℃の室内温度
における電子写真特性を、実施例１と同様にして測定し
た。結果を第７表に示す。

第７表 以上の結果から明らかなように、本発明の電子写真感光
体は高温においても感度、残留電位特性が良好であり、
熱に対して安定であることがわかる０ 実施例１で用いた中間層を設けた導電性支持体上に例示
化合物（Ｋ−３９）２重量部と、１，２−ジクロルエタ
ン９０重量部とをよく分散混合し、乾燥後の膜厚が０．
３μｍになるように塗布して、キャリア発生層を作成し
た。

このキャリア発生層について、３０ｃ１ｎｌＩｌれた位
置に２．ｋｗ郵埠の超高圧水銀ランプ（東芝製）を置き
、加分間ｕｖ光を照射した。次に、このｕｖ、光照射済
みのキャリア発生層の上にキャリア発生物質として、ｐ
−（Ｎ、Ｎ−ジェヂルアミノ）ベンズアルデヒド−１，
１−ジフ１ニルヒドラ１２フ重景部とポリカーボネート
〔パンライトＬ−１２５０，１（今人化成社製）　１０
重量部１Ｘとを、１，２−ジクロルエタン９０重量部に
溶解した液を、乾燥後の膜厚が１２μｍになるように塗
布してキャリア輸送層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。

この電子写真感光体について、実施例１と同様キャリア
発生層形成後にｕｖ光を照射しないほかは、実施例１４
と同様にして、本発明の電子写真゛感光体を作成し、実
施例１と同様の測定を行なった。結果を第８表に示す。

写真感光体は、ｕ、　ｖ光照射に対して感度、残留電位
特性に優れ、受容電位の変動量も小さく、光に対して安
定であることが理解できる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図はそれぞれ本発明の電子写真感光体の機
械的構成例について示す断面図である。 １・・・導電性支持体　　　２・・・キャリア発生層３
・・・キャリア輸送層　　４・・・感゛光層５・・・中
間層 ６・・・キャリア輸送物質を含有する層７・・・キャリ
ア発生物質 代理人　　桑　原　義　美 手続補正書 １眉和５８イｌ　１０月２７日 特許庁長官若杉和夫　殿 １　事件の表示 昭和５７年特許願第　１３４５９５　　リ。 ２　発明の名称 感　　光　　体 ３　補止ｋｌ′る者 事件との関係　特許出願人 住　所　　東京都新宿区西新宿１丁口２６番２号名　称
　（１２７１小西六写真工業株式会社代表取締役　　川
　　本　信　彦 ４代理人 〒１９１ 居　所　　東京都日野市さくら町１計地４ヶ ）・ ４ ６、　補正の対象 明１ｍＢの「特許請求の範囲」の欄及び「発明の詳細な
説明」の欄 ７、　補正の内容 （イ）特許Ｊｉｆｆ求の範囲を別紙の如く補正する。 （ロ）　発明の詳細な説明を次の如く補正する。 （ａｔ　　明細書第３頁ｉ１５行の「であると」を「で
あること、」と訂正する。 （ｂ）　　明ａ＄第７頁第１行の「イリグ０ピル基」を
「イソプロピル基」と訂正する。 （ｃ）　　明細Ｖ第９頁の下から第２行の「ｐ−シアノ
ベンゾイル」を「ｐ−シアノベンゾイル」と訂正する。 （別紙） ｌ特許請求の範囲 （１）導電性支持体上に、下記−Ｎｉｖ式〔Ｉ〕で示さ
れるビスアゾ化合物を含有する感光層を有することを特
徴とする感光体。 一般式ＣＩ） Ａ　Ｎ＝Ｎ−Ａｒ、Ｃｌｌ＝ＣＨＡｒｔ　（ＪＩ＝ＣＩ
Ｉ　Ａｒ３　Ｎ＝Ｎ　Ａ〔式中、八ｒｌ　Ｔ　Ａｒｌは
、それぞれ置換・未置換のアリーレンを表わし、Ａｒ２
は、前換二　未置換のナフチレン基を表わゴー。 Ａは、 であって、Ｙ：水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基
、カルボキシ基のエステル基、スルホ基、置換・未置換
のカルバモイル基または置換・未置換のスルファモイル
基。 ２：＠、換・未置換の芳香族炭素環または置換・未置換
の芳香族複素環を構成するに必要な原子群。 Ｒ１：水素原子、置換・未置換のアルキル基、ａｍ・未
置換のアミン基、カルボキシ基、カルボキシ基のエステ
ル基、置換・未置換のカルバモイル基、シアン基。 Ｒパ置換・未置換のアリール基。 ｎｓ：Ｒ換・未置換のアルキル基、置換・未置換のアラ
ルキル基またはＶ換・未置換のアリール基。 を表わす。〕 （２）　　前記感光層がキャリア発生物質とキャリア発
生物質を含有し、当該キャリア発生物質が前記一般式Ｃ
Ｉ”ｌで表わされるビスアゾ化合物である特許請求の範
囲第一項記載の感光体。 ｑＡ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１１導電性支持体上妬、下記一般式〔１〕で示される
   ビスアゾ化合物を含有する感光層を有することをＩＩ￥
   徴とする感光体。 一般式〔１〕 Ａ−Ｎ＝Ｎ−Ａｒ、−ＣＩ＝ＣＩ−（−Δｒ、　−ＣＩ
   −１＝ｃＨ−Ａｒ、−Ｎ　＝Ｎ　−Ａ〔式中、Ａｒ、　
   、　Ａｒ、は、それぞオシ１Ｎ換・未置換のアリーレン
   船１つじＡｒ２Ｉ−１，、屑換未未置換のナフチレン基
   を表わす。 ０１（ であって、Ｙ：水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基
   、カルボキシ基のエステル糸、スルホ力；、置換・木ｆ
   ｖｔ、１色のカルバモイル基−また暑商換・未開１（の
   スルフｒモイル基。 Ｚ：置換・未ｆｉ￥換の芳香族炭素環または置換・未置
   換の芳香族炭素環を構成する）Ｋ必要な原子群。 １１、ｚ水素原子、置換・未置換のアルギル基、詔１色
   ・−Ｅ２　ｒ１？？４１％の了ミノ基、カルボキン基、
   カルボキン基のエステル基、置換・未置換のカルバモイ
   ル基、ヅアノノ、ｌ、０ （（２：　匿　険　・　米　ＩＬ矛換の　７′　リ　−
   　ル井。 ＩＮ、：（＃〜゛換・未１〆Ｃ′換のアルキル法、１ト
   ツ換未買換のアラルギル基またはＩＮ？：　４色・未置
   換のアリール基。 を表わす。］ （２）＾；１記感光感光層アリア発牛物質とキアリア輸
   送ｌ吻質を含、臼し、当該キアリア発生′吻′１１がｒ
   ｔｉＪ記一般式〔ＩＪで表わされろビスアゾ化合物であ
   る特￥［ｔａｒ＋求の範囲第一項記載の感光体。