JPH0117571B2 - - Google Patents

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JPH0117571B2
JPH0117571B2 JP13150582A JP13150582A JPH0117571B2 JP H0117571 B2 JPH0117571 B2 JP H0117571B2 JP 13150582 A JP13150582 A JP 13150582A JP 13150582 A JP13150582 A JP 13150582A JP H0117571 B2 JPH0117571 B2 JP H0117571B2
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JP
Japan
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group
substituted
unsubstituted
electrophotographic photoreceptor
carrier
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JP13150582A
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JPS5919948A (ja
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Osamu Sasaki
Akira Kinoshita
Kyoshi Sawada
Satoshi Goto
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
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Publication of JPS5919948A publication Critical patent/JPS5919948A/ja
Publication of JPH0117571B2 publication Critical patent/JPH0117571B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0679Disazo dyes
    • G03G5/0683Disazo dyes containing polymethine or anthraquinone groups

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は感光体に関し、更に詳しくはビスアゾ
化合物を含有する感光層を有する新規な電子写真
感光体に関する。 更に詳しくは高感度にしてかつ繰り返し使用す
るに適した高耐久性電子写真感光体に関する。 従来電子写真感光体においては、セレン、酸化
亜鉛、硫化カドミウム等の無機光導電体を主成分
とする感光層を有するものが広く用いられてい
た。しかし、これらは感度、耐熱性、耐湿性ある
いは耐刷性等において、必ずしも十分満足し得る
ものではなく、また特にセレン及び硫化カドミウ
ムは毒性のために製造上、取り扱い上にも制約が
あつた。 一方、有機光導電性化合物を主成分とする感光
層を有する電子写真感光体は、製造が比較的容易
であること、製造コストが低いこと、円筒ドラム
状、シート状、いずれの形体も可能であること取
り扱いが容易であること、また一般にセレン感光
体が耐熱性に劣り高温条件下で結晶化してしまう
のに対し耐熱性に優れていることなど多くの利点
を有し近年多くの注目を集めている。 このような有機光導電性化合物としては、ポリ
−N−ビニルカルバゾールが知られておりこれと
2,4,7−トリニトロ−9−フルオレノン等の
ルイス酸とから形成される電荷移動錯体を主成分
とする感光層を有する電子写真感光体がすでに実
用化されている。しかし、この感光体は感度及び
耐刷性においても必ずしも満足できるものではな
い。 一方、光導電性機能のキヤリア発生機能とキヤ
リア輸送機能とをそれぞれ別個の物質に分担させ
るようにした積層型あるいは分散型の機能分離型
電子写真感光体が知られている。このような機能
分離型電子写真感光体は各々の物質の選択範囲が
広く帯電特性、感度残留電位および耐刷性等の電
子写真特性において高性能化が比較的達成しやす
く、また任意の特性を有する電子写真感光体を作
成しやすいという利点を持つている。電子写真感
光体の光導電性機能のうちキヤリア発生を主とし
て分担するキヤリア発生物質としては従来より
種々のものが提案されている。たとえば無機物質
として無定形セレンから形成されるキヤリア発生
層がよく知られているが、これは高温条件下で結
晶化し性能が劣化するという欠点を持つている。 また光導電性有機染料、顔料のうち特にキヤリ
ア発生能の優れたものをキヤリア発生物質として
用いることが種々提案されており例えば 特開昭53−95033号公報 特開昭53−133445号公報 特開昭54−12742号公報 特開昭56−116040号公報 米国特許第4052210号明細書記載等のアゾ化合
物がすでに公知である。しかしこれらのアゾ化合
物は感度、残留電位あるいは繰り返し使用した場
合の安定性等の特性において必ずしも満足し得る
ものではなく、またキヤリア輸送物質の選択範囲
も限定されるなど電子写真プロセスの幅広い要求
を充分に満足させるものは未だ得られていないの
が実状である。 本発明の目的は熱および光に対して安定でかつ
キヤリア発生能に優れたビスアゾ化合物を含有す
る電子写真感光体を提供することにある。 本発明の他の目的は高感度にして残留電位が小
さく、かつ繰り返し使用してもそれらの特性が変
化しない耐久性のすぐれた電子写真感光体を提供
することにある。 本発明の更にその他の目的は明細書の記載から
明らかになろう。 本発明者らは、以上の目的を達成すべく鋭意研
究の結果、下記一般式〔〕で示されるビスアゾ
化合物が感光体の有効成分として働き得ることを
見い出し、本発明を完成したものである。 一般式〔〕 式中、 X1、X2は、それぞれ、ハロゲン原子(塩素原
子、臭素原子、弗素原子、ヨウ素原子)、炭素数
1〜4の置換・未置換のアルキル基(例えば、メ
チル基、エチル基、イソプロピル基、n−ブチル
基、トリフルオロメチル基等)、炭素数1〜4の
置換・未置換のアルコキシ基(例えばメトキシ
基、エトキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキ
シ基、2−クロルエトキシ基等)、シアノ基を表
わし、但しX2は上記の基の他に水素原子である
場合もある。 Rは、炭素数1〜4の置換・未置換のアルキル
基(例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、2−クロルエチル基等)を表
わす。 Aは
【式】
【式】
【式】
【式】 で表わされる。 Yは、水素原子、ヒドロキシ基、カルボキシ
基、カルボキシのエステル基、スルホ基、置換・
未置換のカルバモイル基、または置換・未置換の
スルフアモイル基を表わし、好ましくは、置換・
未置換のカルバモイル基
【式】置換・ 未置換のスルフアモイル基
【式】であつ て、 R4は、水素原子、炭素数1〜4の置換・未置
換のアルキル基、および置換・未置換のアラルキ
ル基、置換・未置換のフエニル基であり R5は、水素原子、炭素数1〜4の置換・未置
換のアルキル基、置換・未置換の芳香族炭素環基
(例えば置換・未置換のフエニル基、置換・未置
換のナフチル基、置換・未置換のアンスリル基
等)または、置換・未置換の芳香族複素環基(例
えば置換・未置換のカルバゾリル基、置換・未置
換のジベンゾフリル基等) を表わす。 これらの基の置換基としては、例えば炭素数1
〜4の置換・未置換のアルキル基(例えばメチル
基、エチル基、イソプロピル基、3級ブチル基、
トリフルオロメチル基等)、置換・未置換のアラ
ルキル基(例えばベンジル基、フエネチル基等)
ハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、弗素原子、
ヨウ素原子)、炭素数1〜4の置換・未置換のア
ルコキシ基(例えばメトキシ基、エトキシ基、イ
ソプロポキシ基、3級ブトキシ基、2−クロルエ
トキシ基等)、ヒドロキシ基、置換・未置換のア
リールオキシ基(例えば、p−クロルフエノキシ
基、1−ナフトキシ基等)、アシルオキシ基、(例
えば、アセチルオキシ基、p−シアノベンゾイル
オキシ基等)、カルボキシ基、そのエステル基
(例えばエトキシカルボニル基、m−ブロモフエ
ノキシカルボニル基等)、カルバモイル基(例え
ばアミノカルボニル基、3級ブチルアミノカルボ
ニル基、アニリノカルボニル基等)、アシル基
(例えば、アセチル基、0−ニトロベンゾイル基
等)スルホ基、スルフアモイル基(例えば、アミ
ノスルホニル基、3級ブチルアミノスルホニル
基、p−トリルアミノスルホニル基等)、アミノ
基、アシルアミノ基(例えば、アセチルアミノ
基、ベンゾイルアミノ基等)、スルホンアミド基
(例えば、メタンスルホンアミド基、p−トルエ
ンスルホンアミド基等)、シアノ基、ニトロ基等
が挙げられるが、好ましくは炭素数1〜4の置
換・未置換のアルキル基(例えばメチル基、エチ
ル基、イソプロピル基、(n)ブチル基、トリフ
ルオロメチル基等)、ハロゲン原子(塩素原子、
臭素原子、弗素原子、沃素原子)、炭素数1〜4
の置換・未置換のアルコキシ基(例えば、メトキ
シ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、3級ブト
キシ基、2−クロルエトキシ基等)、シアノ基、
ニトロ基である。 Zは置換・未置換の芳香族炭素環、または置
換・未置換の芳香族複素環を形成するに必要な原
子群であつて、具体的には例えば置換・未置換の
ベンゼン環、置換・未置換のナフタレン環、置
換・未置換のインドール環、置換・未置換のカル
バゾール環等を形成する原子群を表わす。 これらの環を形成する原子群の置換基として
は、例えばR4、R5の置換基として挙げたような
一連の置換基が列挙されるが、好ましくはハロゲ
ン原子(塩素原子、臭素原子、弗素原子、ヨウ素
原子)、スルホ基、スルフアモイル基(例えばア
ミノスルホニル基、3級ブチルアミノスルホニル
基、p−トリルアミノスルホニル基等)である。 R1は水素原子、置換・未置換のアルキル基、
置換未置換のアミノ基、カルボキシ基、そのエス
テル基、置換・未置換のカルバモイル基、シアノ
基であり好ましくは水素原子、炭素数1〜4の置
換・未置換のアルキル基(例えば、メチル基、エ
チル基、イソプロピル基、3級ブチル基、トリフ
ルオロメチル基等)、シアノ基である。 R2は置換・未置換のアリール基であり、好ま
しくは置換・未置換のフエニル基でこれらの基の
置換基としては例えばR4、R5の置換基として挙
げたような一連の置換基が列挙されるが、好まし
くはハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、弗素原
子、ヨウ素原子)、炭素数1〜4の置換・未置換
のアルキル基(例えばメチル基、エチル基、イソ
プロピル基、3級ブチル基、トリフルオロメチル
基等)、炭素数1〜4の置換・未置換のアルコキ
シ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプ
ロポキシ基、3級ブトキシ基、2−クロルエトキ
シ基)である。 R3は置換・未置換のアルキル基、置換・未置
換のアラルキル基および置換・未置換のアリール
基を表わすが、好ましくは炭素数1〜4の置換・
未置換のアルキル基(例えば、メチル基、エチル
基、イソプロピル基、3級ブチル基、トリフルオ
ロメチル基等)、置換・未置換のフエニル基(例
えば、フエニル基、p−メトキシフエニル基、m
−クロルフエニル基等)を表わす。〕すなわち、
本発明においては前記一般式〔〕で示されるビ
スアゾ化合物を電子写真感光体の感光層を構成す
る光導電性物質として用いることによりまたは本
発明のビスアゾ化合物の優れたキヤリア発生能の
みを利用し、これをキヤリアの発生と輸送とをそ
れぞれ別個の物質で行なう、機能分離型電子写真
感光体のキヤリア発生物質として用いることによ
り被膜物性に優れ、電荷保持力、感度、残留電位
等の電子写真特性に優れ、かつ繰り返し使用した
時にも被労劣化が少ない上、熱、光等において堅
穿で安定した特性を発揮し得る電子写真感光体を
作成することができる。 前記一般式〔〕で示される本発明に有用なビ
スアゾ化合物としては例えば次の構造式を有する
ものが挙げられるが、これによつて本発明のビス
アゾ化合物が限定されるものではない。 以上のごときビスアゾ化合物は、公知の方法に
より容易に合成することができる。 合成例 1 (例示化合物(K−3)の合成) J.Karnatak Univ.、9−10、31−3(1964〜
65)記載の方法に準じ、30.4gのp−ニトロ−o
−トルイジンより11.4gのo−メチル−p−ニト
ロベンズアルデヒドを得た。 (収率 35%) 一方、13.0gの2,5−ジメトキシ−p−キシ
リレンジブロマイドと13.2gのトリエチルフオス
アアイトを加熱溶融することにより17.1gの2,
5−ジメトキシ−p−キシリレンビスジエチルフ
オスフオネートを得た。(収率 98%) 次に、W.S.Wordsworth、W.D.Emmons、J.
Am.Chem.Soc.、83、1733(1961)記載の方法に
準じ、上記に準備した10.0gのo−メチル−p−
ニトロベンズアルデヒドと13.2gの2,5−ジメ
トキシ−p−キシリレンビスジエチルフオスネー
トを氷冷下DMF中ナトリウムメチラートの存在
下に反応させ、10.9g(収率79%)の2,5−ジ
メトキシ−1,4−ビス(2−メチル−4−ニト
ロスチリル)ベンゼンを得た後にDMF中鉄−塩
酸によりジニトロ体を還元し、7.2gの2,5−
ジメトキシ−1,4−ビス(2−メチル−4−ア
ミノスチリル)ベンゼンを得た。 (収率 76%) このようにして得た2,5−ジメトキシ−1,
4−ビス(2−メチル−4−アミノスチリル)ベ
ンゼン4.00g(0.01モル)を20mlの濃塩酸と60ml
の水の混合液に分散し、1.52g(0.022モル)の
亜硝酸ナトリウムを水5mlに溶かした水溶液を内
温0〜5℃に保ちながら滴下し、同温度で1時間
撹拌反応させた。反応後、少量の残渣を別し
液に42%ホウ弗化水素酸水溶液30mlを加え、析出
した沈澱を取し、水洗した後乾燥した。 収量5.86g(98%) 得られたテトラゾニウム塩2.99g(0.005モル)
を30mlのDMFに溶解し、次の反応に使用するテ
トラゾニウム塩溶液とした。 次に2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸アニリド
(ナフトールAS)2.63g(0.01モル)とトリエタ
ノールアミン2.70g(0.02モル)を300mlのDMF
に溶解し、内温を5〜10℃に保ちつゝ、上記によ
り調整したテトラゾニウム塩溶液を滴下し、滴下
後同温度で2時間撹拌し、更に室温下2時間撹拌
反応させた。 反応後析出した沈澱を取し、DMF次にアセ
トンで洗浄し乾燥することにより目的のビスアゾ
化合物を得た。 収量3.94g(83%) 融点300℃以上 赤外吸収スペクトルでν=1670cm-1にアミド吸
収およびFD−マススペクトルにm/e=949の分
子イオンピークが現われたことから目的の化合物
が合成されたことを確認した。 含成例 2 (例示化合物(K−6)の合成) 合成例1と同様にして得られた2,5−ジメト
キシ−1,4−ジスチリルベンゼン−2′,2″−ジ
−ジメチル−4′,4″−ビスジアゾニウムビステト
ラフルオロボレート2.99g(0.005モル)と2−
ヒドロキシ−3−ナフトエ酸−3′−ニトロアニリ
ド(ナフトールAS−BS)3.08g(0.01モル)を
氷冷した300mlのDMFに溶解した。内温を5〜10
℃に保ちつつ、1.23g(0.015モル)の酢酸ナト
リウムを10mlの水に溶解した水溶液を1時間を要
し滴下した。その後室温にて3時間撹拌反応させ
た。 反応後、析出した沈澱を取、水洗後、DMF
次にアセトンで洗浄し乾燥して目的のビスアゾ化
合物を得た。 収量4.42g(85%) 融点300℃以上 赤外吸収スペクトルでν=1670-1にアミド吸収
およびFD−マススペクトルにm/e=1039の分
子イオンピークが現われたことから目的の化合物
が合成されたことを確認した。 合成例 3 (例示化合物(K−11)の合成) J.Karnatak Univ.9−10、31−3(1964〜65)
記載の方法に準じ34.5gのo−クロル−p−ニト
ロアニリンより11.5gのo−クロル−p−ニトロ
ベンツアルデヒドを得た。 (収率 31%) 一方、13.0gの2,5−ジメトキシ−p−キシ
リレンジブロマイドと13.2gのトリエチルフオス
フアイトを加熱溶融することにより、17.1gの
2,5−ジメトキシ−p−キシリレンジエチルフ
オスフオネートを得た。(収率 98%) 次に、W.S.Wordsworth、W.D.Emmons、J.
Am.Chem.Soc.、83、1733(1961)記載の方法に
準じ、上記に準備した10.0gのo−クロル−p−
ニトロベンズアルデヒドと13.2gの2,5−ジメ
トキシ−p−キシリレンビスジエチルフオスフオ
ネートを氷冷下DMF中、ナトリウムメチラート
存在下に反応させることによつて11.0g(収率73
%)の2,5−ジメトキシ−1,4−ビス(2−
クロル−4−トロスチリル)ベンゼンを得た後に
DMF中鉄−塩酸によりジニトロ体を還元し、7.7
gの2,5−ジメトキシ−1,4−ビス(2−ク
ロル−4−アミノスチリル)ベンゼンを得た。
(収率 80%) このようにして得た2,5−ジメトキシ−1,
4−ビス(2−クロル−4−アミノスチリル)ベ
ンゼン4.41g(0.01モル)を20mlの濃塩酸と60ml
の水の混合液に分散し、1.52g(0.022モル)の
亜硝酸ナトリウムを水5mlに溶かした水溶液を内
温0〜5℃に保ちながら滴下し、同温度で1時間
撹拌反応させた。 反応後、少量の残渣を別し、液に42%ホウ
弗化水素酸水溶液30mlを加え、析出した沈澱を
取し、水洗した後乾燥した。 収量6.26g(98%) 得られたテトラゾニウム塩3.19g(0.005モル)
を50mlのDMFに溶解し、次の反応に使用するテ
トラゾニウム塩溶液とした。 次に2−ヒドロキシ−3−ナフトエ酸アニリド
(ナフトールAS)2.63g(0.01モル)とトリエタ
ノールアミン2.70g(0.02モル)を300mlのDMF
に溶解し、内温を5〜10℃に保ちつつ、上記によ
り調整したテトラゾニウム塩溶液を滴下し、滴下
後同温度で2時間撹拌し、更に室温下2時間撹拌
反応させた。 反応後、析出した沈澱を取しDMF次にアセ
トンで洗浄し乾燥することにより目的のビスアゾ
化合物を得た。 収量4.16g(84%) 融点300℃以上 赤外線吸収スペクトルでν=1670cm-1にアミド
吸収およびFD−マススペクトルにm/e=990の
分子イオンピークが現われたことから目的の化合
物が合成されたことを確認した。 合成例 4 (例示化合物(K−14)の合成) 合成例3と同様にして得られた2,5−ジメト
キシ−1,4−ジスチリル−2′,2″−ジクロル−
4′,4″−ビスジアゾニウムビステトラフルオロボ
レート3.19g(0.005モル)と2−ヒドロキシ−
3−ナフトエ酸−3′−ニトロアニリド(ナフトー
ルAS−BS)3.08g(0.01モル)を氷冷した300ml
のDMFに溶解した。内温を5〜10℃に保ちつつ、
1.23g(0.015モル)の酢酸ナトリウムを10mlの
水に溶かした水溶液を1時間を要し滴下した。 その後、室温にて3時間撹拌反応させた。反応
後、析出した沈澱を取し水洗後DMF次にアセ
トンで洗浄し乾燥して目的のビスアゾ化合物を得
た。 収量4.75g(88%) 融点300℃以上 赤外吸収スペクトルでν=1670cm-1にアミド吸
収およびFD−マススペクトルにm/e=1080の
分子イオンピークが現われたことから目的の化合
物が合成されたことを確認した。 本発明のビスアゾ化合物は優れた光導電性を有
し、これを用いて電子写真感光体を製造する場合
導電性支持体上に本発明のビスアゾ化合物を結着
剤中に分散した感光層を設けることにより製造す
ることができる。また、他の方法として本発明の
ビスアゾ化合物の持つ光導電性のうち、特に優れ
たキヤリア発生能を利用するキヤリア発生物質と
して用い、これと組み合わせて有効に作用し得る
キヤリア輸送物質と共に用いることにより、積層
型あるいは分散型のいわゆる機能分離型電子写真
感光体とすることも可能である。 電子写真感光体の機械的構成は、種々の形態が
知られているが、本発明の電子写真感光体は、そ
れらのいずれの形態をもとり得る。通常は、第1
図〜第6図の形態である。第1図および第3図で
は導電性支持体1上に前述のビスアゾ化合物を主
成分とするキヤリア発生層2と、キヤリア輸送物
質を主成分として含有するキヤリア輸送層3との
積層体より成る感光層4を設ける。第2図および
第4図に示すように、この感光層4は導電性支持
体上に設けた中間層5を介して設けてもよい。こ
のように感光層4を二層構成としたときに最も優
れた電子写真特性を有する電子写真感光体が得ら
れる。また、本発明においては第5図および第6
図に示すように前記キヤリア発生物質7をキヤリ
ア輸送物質を主成分とする層6中に分散せしめて
成る感光層4を導電性支持体1上に直接あるいは
中間層5を介して設けてもよい。 本発明のビスアゾ化合物をキヤリア発生物質と
して用いた場合、これと組み合わせて用いられる
キヤリア輸送物質としては、トリニトロフルオレ
ノンあるいはテトラニトロフルオレノンなどの電
子を輸送しやすい電子受容性物質のほか、ポリ−
N−ビニルカルバゾールに代表されるような複素
環化合物を側鎖に有する重合体あるいはトリアゾ
ール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾ
ール誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリアリールア
ルカン誘導体、フエニレンジアミン誘導体、ヒド
ラゾン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、トリ
アリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、ス
チルベン誘導体等の正孔を輸送しやすい電子供与
性物質が挙げられるが、本発明に用いられるキヤ
リア輸送物質は、これらに限定されるものではな
い。 二層構成の感光層4を構成するキヤリア発生層
2は、導電性支持体1もしくはキヤリア輸送層3
上に直接あるいは必要に応じて接着層もしくはバ
リヤー層などの中間層を介して、次の方法によつ
て形成することができる。 M−(1) ビスアゾ化合物を適当な溶媒に溶解した
溶液をあるいは必要に応じて結着剤を加え混合
溶解した溶液を塗布する方法。 M−(2) ビスアゾ化合物をボールミル、ホモミキ
サー等によつて分散媒中で微細粒子とし、必要
に応じて結着剤を加え混合分散した分散液を塗
布する方法。 キヤリア発生層の形成に使用される溶媒あるい
は分散剤としては、n−ブチルアミン、ジエチル
アミン、エチレンジアミン、イソプロパノールア
ミン、トリエタノールアミン、トリエチレンジア
ミン、N,N−ジメチルホルムアミド、アセト
ン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、ジ
クロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチ
ルスルホキシド等が挙げられる。 キヤリア発生層あるいはキヤリア輸送層に結着
剤を用いる場合は任意のものを用いることができ
るが、疎水性で、かつ誘電率が高く、電気絶縁性
のフイルム形成性高分子重合体を用いるのが好ま
しい。 このような高分子重合体としては、例えば次の
ものを挙げることができるが、もちろんこれらに
限定されるものではない。 P−(1) ポリカーボネート P−(2) ポリエステル P−(3) メタクリル樹脂 P−(4) アクリル樹脂 P−(5) ポリ塩化ビニル P−(6) ポリ塩化ビニリデン P−(7) ポリスチレン P−(8) ポリビニルアセテート P−(9) スチレン−ブタジエン共重合体 P−(10) 塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重
合体 P−(11) 塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 P−(12) 塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン
酸共重合体 P−(13) シリコン樹脂 P−(14) シリコン−アルキツド樹脂 P−(15) フエノール−ホルムアルデヒド樹脂 P−(16) スチレン−アルキツド樹脂 P−(17) ポリ−N−ビニルカルバゾール これらの結着剤は単独で、あるいは2種以上の
混合物として用いることができる。 このようにして形成されるキヤリア発生層2の
厚さは0.01μm〜20μmであることが好ましいが更
に好ましくは0.05μm〜5μmである。また、キヤ
リア発生層あるいは感光層が分散系の場合、ビス
アゾ化合物の粒径は5μm以下であることが好ま
しく、更に好ましくは1μm以下である。 本発明の電子写真感光体の構成に用いられる導
電性支持体上1としては、アルミニウム板、ステ
ンレス板などの金属板やアルミニウム合金などの
合金板のほか、紙あるいはプラスチツクフイルム
などの支持体上にアルミニウム、パラジウム、金
などの金属薄片をラミネートもしくは蒸着によつ
て設けたもの、あるいは導電性ポリマー、酸化イ
ンジウム、酸化スズなどの導電性化合物の層を同
じく紙あるいはプラスチツクフイルムなどの支持
体上に塗布もしくは蒸着によつて設けたものが用
いられる。 接着層あるいはバリヤー層などの中間層5とし
ては、前記感光層の結着剤として用いられる高分
子重合体のほか酸化アルミニウムなどが用いられ
る。 本発明の電子写真感光体は、以上のような構成
であつて後述する実施例からも明らかなように帯
電特性、画像形成特性に優れており、特に繰り返
し使用したときも疲労劣化が少なく、耐久性が優
れたものである。 以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、
これにより本発明の実施態様が限定されるもので
はない。 実施例 1 ポリエステルのフイルム上にアルミニウム箔を
ラミネートして成る導電性支持体上に塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体「エスレ
ツクMF−10」(積水化学社製)より成る厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上に例示化合物
(K−2)2重量部を1,2−ジクロルエタン140
重量部に分散混合した液を乾燥後の膜厚が0.5μm
になるようにして塗布し、キヤリア発生層を形成
した。 次いで、1−フエニル−3−(p−ジエチルア
ミノスチリル)−5−N,N−ジエチルアミノフ
エニル)−ピラゾリン6重量部と、ポリエステル
「バイロン200」(東洋紡績社製)10重量部とを1,
2−ジクロロエタン90重量部中に溶解し、この溶
液も乾燥後の膜厚が10μmになるように塗布して
キヤリア輸送層を形成し、本発明の電子写真感光
体を作成した。 この電子写真感光体について、静電複写紙試験
装置「SP−428型」(川口電気製作所製)を用い
てダイナミツク方式で電子写真特性を測定した。 前記感光体の感光層表面を帯電圧−6.0KVで5
秒間帯電せしめた時の表面電位VA、次いでタン
グステンランプの光を感光体表面における照度が
35luxになるようにして照射し、表面電位VAを
半分に減衰させるのに要する露光量(半減露光
量)E1/2(lux・sec)、並びに30lux・secの露光
量で露光した後の表面電位(残留電位)VRをそ
れぞれ求めた。 また同様の測定を100回繰り返して行なつた。
結果は第1表に示す通りである。
【表】 比較例 1 キヤリア発生物質として下記ビスアゾ化合物を
用いた他は、実施例1と同様にして比較用感光体
を作成した。 この比較用電子写真感光体について実施例1と
同様にして測定を行なつたところ、第2表に示す
ような結果を得た。
【表】 以上の結果から明らかなように、本発明の電子
写真感光体は比較用電子写真感光体に比べ感度、
残留電位および繰り返しの安定性において極めて
優れたものである。 実施例 2 キヤリア発生物質として、例示化合物(K−
7)を用いたほかは実施例1と同様にして本発明
の電子写真感光体を作成した。この電子写真感光
体について実施例1と同様にして測定を行なつた
ところ、第3表に示す結果を得た。
【表】 実施例 3 ポリエステルフイルムにアルミニウムを蒸着し
た上に実施例1で用いた中間層を設け、更にその
上に例示化合物(K−11)2重量部を1,2−ジ
クロロエタン140重量部に分散混合した液を乾燥
後の膜厚が0.5μmになるように塗布し、キヤリア
発生層を形成した。 次いで、p−(N,N−ジエチルアミノ)ベン
ズアルデヒド−1,1−ジフエニルヒドラゾン6
重量部と、ポリカーボネート〔パンライト L−
1250〕(帝人化成社製)10重量部とを1,2−ジ
クロロエタン90重量部に溶解した液を乾燥後の膜
厚が12μmになるように塗布してキヤリア輸送層
を形成し、本発明の電子写真感光体を作成した。 この電子写真感光体について、実施例1と同様
にして測定を行なつたところ、VA=−1010v、E
1/2=1.5lux・sec、VR=0vであつた。 比較例 2 キヤリア発生物質として下記ビスアゾ化合物を
用いた他は実施例3と同様にして比較用電子写真
感光体を作成した。 この比較用電子写真感光体について、実施例1
と同様の測定を行なつたところ、VA=−940v、
E1/2=8.0lux・sec、VR=−85vであつた。 以上の結果から明らかなように本発明の電子写
真感光体は、比較用電子写真感光体に比べ、その
初期特性において著しく優れたものである。 実施例 4 実施例3による本発明の電子写真感光体と比較
例2による比較用電子写真感光体の各々を電子写
真複写機「U−Bix2000R」(小西六写真工業社
製)に装置して、帯電・露光・クリーニングの操
作を2000回繰り返して耐久性試験を行なつた後直
ちに再び実施例1におけると同様の測定を行なつ
た。結果は第4表に示す通りである。
【表】 この結果から明らかなように比較例2の電子写
真感光体の特性の劣化が著しく大きいのに比べ、
実施例3の本発明の電子写真感光体は、2000回の
帯電・露光の繰り返しにおいても、その特性が初
期とほとんど変わらず安定していることがわか
る。 実施例 5 実施例1で用いた導電性支持体上に例示化合物
(K−15)2重量部と、ポリカーボネート「パン
ライトL−1250」(帝人化成社製)2重量部を1,
2−ジクロロエタン140重量部に分散混合した液
を乾燥後の膜厚が1μmになるように塗布してキ
ヤリア発生層を形成した。 次に3−(p−メトキシスチリル)−9−(p−
メトキシフエニル)カルバゾール6重量部と、メ
タクリル樹脂「アクリペツト」(三菱レイヨン社
製)100重量部とを1,2−ジクロルエタン90重
量部に溶かした液を乾燥後の膜厚が10μmになる
ように塗布してキヤリア輸送層を形成し、本発明
の電子写真感光体を作成した。 この電子写真感光体について実施例1と同様に
測定したところ、E1/2=1.7lux・sec、VR=0vで
あつた。 実施例 6 実施例1で用いた中間層を設けた導電性支持体
上に例示化合物(K−16)の2%エチレンジアミ
ン溶液を乾燥後の膜厚が0.3μmになるように塗布
し、キヤリア発生層を形成した。 さらに、その上にp−(N,N−ジエチルアミ
ノ)ベンツアルデヒド−1,1−ジフエニルヒド
ラゾン6重量部と、ポリカーボネート「ユーピロ
ンS−1000」(三菱ガス化学社製)10重量部とを
1,2−ジクロロエタン90重量部に溶解し、乾燥
後の膜厚が14μmになるように塗布してキヤリア
輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体を作成
した。 この電子写真感光体について実施例1と同様に
して測定したところ、E1/2=1.5lux・sec、VR
0vであつた。 また、この電子写真感光体を電子写真複写機
「U−Bix2000R」(小西六写真工業社製)に装置
し、画像の複写を行なつたところ、原画に忠実で
コントラストが高く、階調性の優れた鮮明な複写
画像を得た。これは連続10000回繰り返しても初
期と同様の複写画像が得られた。 比較例 3 キヤリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物
を用いた他は実施例6と同様にして比較用電子写
真感光体を作成した。 この比較用電子写真感光体について、実施例6
と同様にして画像の複写を行なつたところ、初期
の画像は良好であつたが、繰り返し複写を行なう
に従い次第にカブリが増加し、1000回の繰り返し
試験を行なつたがカブリの大きいコントラストの
低い不鮮明な画像しか得られなかつた。 実施例 7 ポリエステルフイルムにアルミニウムを蒸着し
た上に塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸
共重合体「エスレツクMF−10」(積水化学社製)
から成る厚さ0.05μmの中間層を設け、その上に
例示化合物(K−24)3重量部と、1,1−ビス
(4−N,N−ジエチルアミノ−2−メチルフエ
ニル)−1−フエニルメタン6重量部と、ポリカ
ーボネート「パンライトL−1250」(帝人化成社
製)10重量部とを、1,2−ジクロロエタン100
重量部中に加え、ボールミルでよく分散混合した
液を乾燥後の膜厚が10μmになるように塗布して
本発明の電子写真感光体を作成した。 この電子写真感光体について静電複写紙試験装
置「SP−428型」(川口電機製作所製)を用いダ
イナミツク方式で電子写真特性を測定した。 感光層表面を+6KVで5秒間帯電し、次いで
タングステンランプの光を感光層表面における照
度が35luxになるようにして半減露光量(E1/2)
を求めたところ、E1/2=2.6lux・secであり、さ
らに30lux・secの露光量を与えたときの表面電位
(残留電位)はVR=0vであつた。 比較例 4 キヤリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物
を用いた他は、実施例7と同様にして比較用電子
写真感光体を作成した。 この比較用電子写真感光体について、実施例7
と同様にして測定したところ、E1/2=12.4lux・
sec、VR=−84vであり、実施例7の本発明の電
子写真感光体に比べ、感度、残留電位とも著しく
劣つたものであつた。 実施例 8 実施例1で用いた中間層を設けた導電性支持体
上に、例示化合物(K−5)2重量部と、1,2
−ジクロロエタン100重量部とをよく分散混合し
乾燥後の膜厚が0.3μmになるように塗布してキヤ
リア発生層を形成した。 次いで、その上にキヤリア輸送物質として下記
ヒドラゾン誘導体6重量部と、ポリエステル「バ
イロン200」(東洋紡績社製)10重量部 に溶解した液を、乾燥後の膜厚が12μmになるよ
うに塗布してキヤリア輸送層を形成し、本発明の
電子写真感光体を作成した。 この電子写真感光体について、実施例1と同様
に測定したところ、第5表の結果であつた。
【表】 比較例 5 キヤリア発生物質として、下記ビスアゾ化合物
を用いた他は実施例8と同様にして比較用電子写
真感光体を作成した。 この比較用電子写真感光体について、実施例1
と同様にして測定を行なつたところ、第6表に示
すような結果を得た。
【表】 以上の結果から明らかなように本発明の電子写
真感光体は比較用電子写真感光体に比べ、感度、
残留電位および繰り返しの安定性において優れた
ものである。 実施例 9〜11 キヤリア発生物質として、例示化合物(K−
3)、(K−12)、(K−20)を用いたほかは実施例
8と同様にして本発明の電子写真感光体を作成
し、同様の測定を行なつたところ、第7表に示す
ような結果を得た。
【表】 以上の結果から明らかなように本発明の電子写
真感光体は感度、残留電位等の電子写真特性にお
いて著しく優れたものである。 実施例 12 ポリエステルフイルム上にアルミニウム箔をラ
ミネートして成る導電性支持体上に塩化ビニル−
酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体「エスレツ
クMF−10」(積水化学社製)より成る厚さ0.05μ
mの中間層を設け、その上に例示化合物(K−
23)5gとポリカーボネート樹脂「パンライトL
−1250」(帝人化成社製)3.3gとをジクロロメタ
ン100mlに加えボールミルで6時間分散した分散
液を乾燥時の膜厚が10μmになるようにして塗布
し、電子写真感光体を作成した。 以上のようにして得られた感光体を帯電圧を+
6KVに代えた他は実施例1と同様にしてE1/2と
VRを測定した。 1回目の結果は、E1/2=3.2lux・secおよびVR
=+12Vであつた。 実施例 13 実施例1で用いた中間層を設けた導電性支持体
上に例示化合物(K−25)2重量部と1,2−ジ
クロロエタン100重量部とをよく分散混合し乾燥
後の膜厚が0.3μmになるように塗布してキヤリア
発生層を作成した。 次いで、その上にキヤリア輸送物質として3−
(p−メトキシスチリル)−9−(p−メトキシフ
エニル)カルバゾール6重量部とポリカーボネー
ト「パンライトL−1250」(帝人化成社製)10重
量部とを1,2−ジクロロエタン90重量部に溶解
した液を乾燥後の膜厚が10μmになるように塗布
してキヤリア輸送層を形成し、本発明の電子写真
感光体を作成した。 この電子写真感光体について25℃および60℃の
雰囲気温度における電子写真特性を実施例1と同
様にして測定した。 結果を第7表に示す。
【表】 以上の結果から明らかなように、本発明の電子
写真感光体は高温においても感度、残留電位特性
が良好であり、熱に対して安定であることがわか
る。 実施例 14 実施例1で用いた中間層を設けた導電性支持体
上に例示化合物(K−45)2重量部と1,2−ジ
クロルエタン110重量部とをよく分散混合し、乾
燥後の膜厚が0.3μmになるように塗布してキヤリ
ア発生層を作成した。 このキヤリア発生層について30cm離れた位置に
2KWの超高圧水銀ランプ(東芝製)を置き、20
分間UV光を照射した。次にこのUV光照射済み
のキヤリア発生層の上にキヤリア発生物質として
p−(N,N−ジエチルアミノ)ベンズアルデヒ
ド−1,1−ジフエニルヒドラゾン7重量部とポ
リカーボネート〔パンライトL−1250〕(帝人化
成社製)10重量部とを1,2−ジクロルエタン90
重量部に溶解した液を乾燥後の膜厚が12μmにな
るように塗布してキヤリア輸送層を形成し、本発
明の電子写真感光体を作成した。 この電子写真感光体について、実施例1と同様
の測定を行なつた。結果を第8表に示す。 実施例 15 キヤリア発生層形成後にUV光を照射しないほ
かは、実施例14と同様にして本発明の電子写真感
光体を作成し、実施例1と同様の測定を行なつ
た。結果を第8表に示す。
【表】 以上の結果から明らかなように、本発明の電子
写真感光体はUV光照射に対して感度、残留電位
特性に優れ、受容電位の変動量も小さく、光に対
して安定であることが理解できる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第6図は、それぞれ本発明の電子写真
感光体の機械的構成例について示す断面図であ
る。 1……導電性支持体、2……キヤリア発生層、
3……キヤリア輸送層、4……感光層、5……中
間層、6……キヤリア輸送物質を含有する層、7
……キヤリア発生物質。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 導電性支持体上に下記一般式〔〕で示され
    るビスアゾ化合物を含有する感光層を有すること
    を特徴とする感光体。 一般式〔〕 〔式中、 X1はハロゲン原子、炭素数1〜4の置換・未
    置換のアルキル基、炭素数1〜4の置換・未置換
    のアルコキシ基、シアノ基を表わし、 X2は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜4
    の置換・未置換のアルキル基、炭素数1〜4の置
    換・未置換のアルコキシ基、シアノ基を表わし、 Rは、炭素数1〜4の置換・未置換のアルキル
    基を表わす。 Aは 【式】【式】 【式】または【式】 であつてY:水素原子、ヒドロキシ基、カルボキ
    シ基、カルボキシのエステル基、スルホ基、置
    換・未置換のカルバモイル基、または、置換・
    未置換のスルフアモイル基、 Z:置換・未置換の芳香族炭素環または置換・未
    置換の芳香族複素環を構成するに必要な原子
    群、 R1:水素原子、置換・未置換のアルキル基、置
    換・未置換のアミノ基、カルボキシ基、カルボ
    キシ基のエステル基、置換・未置換のカルバモ
    イル基またはシアノ基、 R2:置換・未置換のアリール基、 R3:置換・未置換のアルキル基、置換・未置換
    のアラルキル基、または置換・未置換のアリー
    ル基 を表わす。〕 2 前記感光層がキヤリア発生物質とキヤリア輸
    送物質を含有し、当該キヤリア発生物質が前記一
    般式〔〕で表わされるビスアゾ化合物である特
    許請求の範囲第1項記載の感光体。
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