JPS5923400B2 - 放射線像変換パネル - Google Patents
放射線像変換パネルInfo
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- JPS5923400B2 JPS5923400B2 JP54071604A JP7160479A JPS5923400B2 JP S5923400 B2 JPS5923400 B2 JP S5923400B2 JP 54071604 A JP54071604 A JP 54071604A JP 7160479 A JP7160479 A JP 7160479A JP S5923400 B2 JPS5923400 B2 JP S5923400B2
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- phosphor layer
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K2/00—Non-electric light sources using luminescence; Light sources using electrochemiluminescence
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/02—Dosimeters
- G01T1/10—Luminescent dosimeters
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
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- G03C5/17—X-ray, infrared, or ultraviolet ray processes using screens to intensify X-ray images
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- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線像変換パネルに関
するものでさり、さらに詳しくは本発明は鮮鋭度の高い
画像を与える該放射線像変換パネルに関するものである
。
するものでさり、さらに詳しくは本発明は鮮鋭度の高い
画像を与える該放射線像変換パネルに関するものである
。
従来放射線像を画像として得るのには、銀塩感光材料か
らなる乳剤層を有する放射線写真フイルムと増感紙とを
組合わせた、いわゆる放射線写真法が利用されているが
、近年銀資源の枯渇等の問題から銀塩を使用しないで放
射線像を画像化する方法が望まれるようになつた。
らなる乳剤層を有する放射線写真フイルムと増感紙とを
組合わせた、いわゆる放射線写真法が利用されているが
、近年銀資源の枯渇等の問題から銀塩を使用しないで放
射線像を画像化する方法が望まれるようになつた。
食塩を使用しない放射線像変換方法の1づとして、米国
特許第3859527号明細書等に記載されている方法
が注目されている。
特許第3859527号明細書等に記載されている方法
が注目されている。
この放射線像変換方法は輝尽性螢光体(放射線を照射し
た後、可視光線および赤外線から選ばれる電磁波で励起
すると発光を示す螢光体、ここで放射線とはX線、α線
、β線、γ線、高エネルギー中性子線、電子線、真空紫
外線、紫外線等の電磁波あるいは粒子線をいう。)から
なる放射線像変換パネルを利用するもので、被写体を透
過した放射線を該パネルの輝尽性螢光体に吸収せしめ、
しかる後該パネルを可視光線および赤外線から選ばれる
電磁波(以下「励起光」と称する)で走査し、輝尽性発
光として時系列化して取り出し、これを電気的に処理し
て画像化するものである。ところで従来の放射線写真法
における画像の鮮鋭度が増感紙中の螢光体の瞬時発光(
放射線照射時の発光)の広がりによつて決定されるのは
周知の通りである。
た後、可視光線および赤外線から選ばれる電磁波で励起
すると発光を示す螢光体、ここで放射線とはX線、α線
、β線、γ線、高エネルギー中性子線、電子線、真空紫
外線、紫外線等の電磁波あるいは粒子線をいう。)から
なる放射線像変換パネルを利用するもので、被写体を透
過した放射線を該パネルの輝尽性螢光体に吸収せしめ、
しかる後該パネルを可視光線および赤外線から選ばれる
電磁波(以下「励起光」と称する)で走査し、輝尽性発
光として時系列化して取り出し、これを電気的に処理し
て画像化するものである。ところで従来の放射線写真法
における画像の鮮鋭度が増感紙中の螢光体の瞬時発光(
放射線照射時の発光)の広がりによつて決定されるのは
周知の通りである。
これに対して上述の輝尽性螢光体を利用した放射線鐵変
換方法における画像の鮮鋭度は放射線像変換パネル中の
螢光体の輝尽発光の広がりによつて決定されるのではな
く、すなわち、放射線写真法にお4するように螢光体の
発光の広がりによつて決定されるのではなく、励起光の
該パネル内での広がりに依存して決まる。なぜならばこ
の放射線像変換方法においては、放射線像変換パネルに
蓄積された放射線像情報は時系列化されて取り出される
ので、ある時間t1に照射された励起光による輝尽発光
は望ましくは全て採光されその時間に励起光が照射され
゛Cいた該パネル上のある画素Xi,yiからの出力と
して記録されるが、もし励起光が該パネル内で散乱等に
より広がり、照射画素Xi,y,の外側に存在する螢光
体をも励起してしまうと、上記Xi,yiなる画素から
の出力としてその画素よりも広い領域からの出力が記録
されてしまうからである。従つて、ある時間Tiに照射
された励起光による輝尽発光が、その時間Tiに励起光
が真に照射されていた該パネル上の画素X,,yiから
の発光のみであれば、その発光がいかなる広がりを持つ
ものであろうと得られる画像の鮮鋭度には影響がないの
である。上述の放射線像変換方法に用いられる放射線像
変換パネルは、輝尽性螢光体を適当な結合剤中に分散し
てなる螢光体層を少なくとも有するものである。螢光体
層力丁己支持性のものである場合には螢光体層自体が放
射線像変換パネルとなり得る′が、一般には螢光体層は
適当な支持体上に設けられて放射線像変換パネルが構成
される。
換方法における画像の鮮鋭度は放射線像変換パネル中の
螢光体の輝尽発光の広がりによつて決定されるのではな
く、すなわち、放射線写真法にお4するように螢光体の
発光の広がりによつて決定されるのではなく、励起光の
該パネル内での広がりに依存して決まる。なぜならばこ
の放射線像変換方法においては、放射線像変換パネルに
蓄積された放射線像情報は時系列化されて取り出される
ので、ある時間t1に照射された励起光による輝尽発光
は望ましくは全て採光されその時間に励起光が照射され
゛Cいた該パネル上のある画素Xi,yiからの出力と
して記録されるが、もし励起光が該パネル内で散乱等に
より広がり、照射画素Xi,y,の外側に存在する螢光
体をも励起してしまうと、上記Xi,yiなる画素から
の出力としてその画素よりも広い領域からの出力が記録
されてしまうからである。従つて、ある時間Tiに照射
された励起光による輝尽発光が、その時間Tiに励起光
が真に照射されていた該パネル上の画素X,,yiから
の発光のみであれば、その発光がいかなる広がりを持つ
ものであろうと得られる画像の鮮鋭度には影響がないの
である。上述の放射線像変換方法に用いられる放射線像
変換パネルは、輝尽性螢光体を適当な結合剤中に分散し
てなる螢光体層を少なくとも有するものである。螢光体
層力丁己支持性のものである場合には螢光体層自体が放
射線像変換パネルとなり得る′が、一般には螢光体層は
適当な支持体上に設けられて放射線像変換パネルが構成
される。
さらに通常は螢光体層の片面(支持体が設けられる面と
は反対側の面)に螢光体層を物理的にあるいは化学的に
保護するための保護膜が設けられる。また螢光体層と支
持体とをより密接に接着させる目的で螢光体層と支持体
との間に下塗り層が設けられる場合もある。このような
構成の従来の放射線像変換パネルにおいては、螢光体層
におけるイランジエーシヨン、保護膜、下塗り層および
支持体におけるハレーシヨン等によつて該パネル内で励
起光が比較的大きく広がつてしまい。従つて高鮮鋭度の
画像を得ることができない。本発明は輝尽性螢光体を用
いた放射線像変換パネルにおける上述のような欠点に鑑
みてなされたものであり、鮮鋭度の高い画像を与える放
射線像変換パネルを提供することを目的とするものであ
る。
は反対側の面)に螢光体層を物理的にあるいは化学的に
保護するための保護膜が設けられる。また螢光体層と支
持体とをより密接に接着させる目的で螢光体層と支持体
との間に下塗り層が設けられる場合もある。このような
構成の従来の放射線像変換パネルにおいては、螢光体層
におけるイランジエーシヨン、保護膜、下塗り層および
支持体におけるハレーシヨン等によつて該パネル内で励
起光が比較的大きく広がつてしまい。従つて高鮮鋭度の
画像を得ることができない。本発明は輝尽性螢光体を用
いた放射線像変換パネルにおける上述のような欠点に鑑
みてなされたものであり、鮮鋭度の高い画像を与える放
射線像変換パネルを提供することを目的とするものであ
る。
本発明者等は上記目的を達成するため輝尽性螢光体を用
いた放射線像変換パネルについて種々の研究を行なつて
きた。
いた放射線像変換パネルについて種々の研究を行なつて
きた。
その結果、励起光を選択的に吸収するような着色剤によ
つて放射線像変換パネルを着色した場合には、この着色
剤の励起光吸収によつて該パネル内における励起光の広
がりを抑制することができ、従つて鮮鋭度が著しく向上
した画像を得ることができることを見出し本発明を完成
するに至つた。本発明の放射線像変換パネルは輝尽性螢
光体を結合剤中に分散してなる螢光体層を有する放射線
像変換パネルにおいて、該放射線像変換パネルが着色剤
によつて該放射線像変換パネルの上記輝尽性螢光体の励
起光波長領域における平均反射率が該放射線像変換パネ
ルの上記輝尽性螢光体の輝尽発光波長領域における平均
反射率よりも小さくなるように着色されていることを特
徴とする。
つて放射線像変換パネルを着色した場合には、この着色
剤の励起光吸収によつて該パネル内における励起光の広
がりを抑制することができ、従つて鮮鋭度が著しく向上
した画像を得ることができることを見出し本発明を完成
するに至つた。本発明の放射線像変換パネルは輝尽性螢
光体を結合剤中に分散してなる螢光体層を有する放射線
像変換パネルにおいて、該放射線像変換パネルが着色剤
によつて該放射線像変換パネルの上記輝尽性螢光体の励
起光波長領域における平均反射率が該放射線像変換パネ
ルの上記輝尽性螢光体の輝尽発光波長領域における平均
反射率よりも小さくなるように着色されていることを特
徴とする。
以下本発明を詳細に説明する。本発明の放射線像変換パ
ネルに使用される着色剤には、励起光の波長に対する反
射率が小さく、放射線像変換パネルに励起光が照射され
る時その励起光を吸収するものであることが要求される
。
ネルに使用される着色剤には、励起光の波長に対する反
射率が小さく、放射線像変換パネルに励起光が照射され
る時その励起光を吸収するものであることが要求される
。
この着色剤による励起光吸収によつて螢光体層における
イラジエーシヨン、保護膜、下塗り層および支持体にお
ける・・レーシヨン等により放射線像変換パネル内で励
起光が広がるのが抑制されrそ1C:一の結果画像の鮮
鋭度が向上する。
イラジエーシヨン、保護膜、下塗り層および支持体にお
ける・・レーシヨン等により放射線像変換パネル内で励
起光が広がるのが抑制されrそ1C:一の結果画像の鮮
鋭度が向上する。
一方得られる放射線像変換パネルの感度の点からは、本
発明の放射線像変換パネルに使用される着色剤は輝尽発
光の波長に対する反射率ができるだけ大きく、すなわち
輝尽発光の吸収ができるだけ少なく、放射線像変換パネ
ルの感度をできるだけ低下せしめないものであることが
必要である。このような点から、本発明の放射線像変換
パネルには、励起光の波長に対する反射率が輝尽発光の
波長に対する反射率よりも少なくとも小さいような着色
剤が使用される。より具体的には、本発明の放射線像変
換パネルに使用される着色剤は、該パネルに使用される
輝尽性螢光体の励起光波長領域における平均反射率が同
じ輝尽性螢光体の輝尽発光波長領域における平均反射率
よりも小さいような反射特性を有するものである。従つ
て、このような着色剤によつて着色された本発明の放射
線像変換ぺ和レは、該パネルに使用される輝尽性螢光体
の励起光波長領域における平均反射率が同じ輝尽性螢光
体の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも小さい
ような反射特性を有するものである。鮮鋭度向上の点か
ら、本発明の放射線像変換パネルの該パネルに使用され
る輝尽性螢光体の励起光波長領域における平均反射率は
できるだけ小さい方がよく、一般には着色剤によつて着
色されていない同等の放射線像変換パネルの同じ波長領
域における平均反射率の少なくとも95q1)以下であ
るのが好ましく、95%より大きい場合には鮮鋭度の向
上は非常に小さなものとなる。一方感度の点から、本発
明の放射線像変換パネルの該パネルに使用される輝尽性
螢光体の輝.尽発光波長領域における平均反射率はでき
るだけ大きい方がよく、一般には着色剤によつて着色さ
れていない同等の放射線像変換パネルの同じ波長領域に
おける平均反射率の少なくとも30%以上であるのが好
ましく、より好ましくは90%以上.である。なお、本
明細書で言う放射線像変換パネルの反射率とは、積分球
形の分光光度計を用いて測定した反射率である。放射線
写真法において、増感紙を着色剤によつて着色して画像
の鮮鋭度を向上せしめることは公・知であり、すでに実
用されている。
発明の放射線像変換パネルに使用される着色剤は輝尽発
光の波長に対する反射率ができるだけ大きく、すなわち
輝尽発光の吸収ができるだけ少なく、放射線像変換パネ
ルの感度をできるだけ低下せしめないものであることが
必要である。このような点から、本発明の放射線像変換
パネルには、励起光の波長に対する反射率が輝尽発光の
波長に対する反射率よりも少なくとも小さいような着色
剤が使用される。より具体的には、本発明の放射線像変
換パネルに使用される着色剤は、該パネルに使用される
輝尽性螢光体の励起光波長領域における平均反射率が同
じ輝尽性螢光体の輝尽発光波長領域における平均反射率
よりも小さいような反射特性を有するものである。従つ
て、このような着色剤によつて着色された本発明の放射
線像変換ぺ和レは、該パネルに使用される輝尽性螢光体
の励起光波長領域における平均反射率が同じ輝尽性螢光
体の輝尽発光波長領域における平均反射率よりも小さい
ような反射特性を有するものである。鮮鋭度向上の点か
ら、本発明の放射線像変換パネルの該パネルに使用され
る輝尽性螢光体の励起光波長領域における平均反射率は
できるだけ小さい方がよく、一般には着色剤によつて着
色されていない同等の放射線像変換パネルの同じ波長領
域における平均反射率の少なくとも95q1)以下であ
るのが好ましく、95%より大きい場合には鮮鋭度の向
上は非常に小さなものとなる。一方感度の点から、本発
明の放射線像変換パネルの該パネルに使用される輝尽性
螢光体の輝.尽発光波長領域における平均反射率はでき
るだけ大きい方がよく、一般には着色剤によつて着色さ
れていない同等の放射線像変換パネルの同じ波長領域に
おける平均反射率の少なくとも30%以上であるのが好
ましく、より好ましくは90%以上.である。なお、本
明細書で言う放射線像変換パネルの反射率とは、積分球
形の分光光度計を用いて測定した反射率である。放射線
写真法において、増感紙を着色剤によつて着色して画像
の鮮鋭度を向上せしめることは公・知であり、すでに実
用されている。
しかしながら、この増感紙における着色剤による画像の
高鮮鋭度化は、増感紙を構成する螢光体の発光(瞬時発
光)を着色剤によつて吸収させることによつて達成され
るものであり、放射線像変換パネルを構成する螢光体の
励起光を着色剤によつて吸収させることによつて画像の
高鮮鋭度を達成する本発明とは原理的に全く異なるもの
である。また上述のように、増感紙における着色剤によ
る画像の高鮮鋭度化は、該増感紙を構成する螢光体の発
光を着色剤によつて吸収させることによつて、すなわち
該増感紙の感度を犠性にすることによつて達成されるも
のであるので、着色剤による着色の程度には自ずから限
度があり、感度の点から着色を著しく強くすることはで
きない。これに対して本発明においては、画像の高鮮鋭
度化は放射線像変換パネルの感度とは無関係の螢光体の
励起光を着色剤によつて吸収させることによつて達成さ
れるものであるので、励起光を選択的に吸収する着色剤
(輝尽発光の吸収が全くないかあるいはわずかである着
色剤)を使用することによつて感度の低下を抑制しつつ
着色を著しく強くすることができ、それだけ鮮鋭度を向
上せしめることができる。当然着色度が強くなればなる
程励起効率(輝尽効率)は低下するが、この励起効率の
低下は励起光エネルギーを高めることによつて容易に防
ぐことができる。このように本発明の放射線像変換パネ
ルにおいては、増感紙におけるように感度を犠性にしな
くとも鮮鋭度を向上せしめることが可能である。本発明
の放射線像変換パネルにおいて、着色剤による着色は該
パネルを構成する各部分のいずれに対して行なつてもよ
い。
高鮮鋭度化は、増感紙を構成する螢光体の発光(瞬時発
光)を着色剤によつて吸収させることによつて達成され
るものであり、放射線像変換パネルを構成する螢光体の
励起光を着色剤によつて吸収させることによつて画像の
高鮮鋭度を達成する本発明とは原理的に全く異なるもの
である。また上述のように、増感紙における着色剤によ
る画像の高鮮鋭度化は、該増感紙を構成する螢光体の発
光を着色剤によつて吸収させることによつて、すなわち
該増感紙の感度を犠性にすることによつて達成されるも
のであるので、着色剤による着色の程度には自ずから限
度があり、感度の点から着色を著しく強くすることはで
きない。これに対して本発明においては、画像の高鮮鋭
度化は放射線像変換パネルの感度とは無関係の螢光体の
励起光を着色剤によつて吸収させることによつて達成さ
れるものであるので、励起光を選択的に吸収する着色剤
(輝尽発光の吸収が全くないかあるいはわずかである着
色剤)を使用することによつて感度の低下を抑制しつつ
着色を著しく強くすることができ、それだけ鮮鋭度を向
上せしめることができる。当然着色度が強くなればなる
程励起効率(輝尽効率)は低下するが、この励起効率の
低下は励起光エネルギーを高めることによつて容易に防
ぐことができる。このように本発明の放射線像変換パネ
ルにおいては、増感紙におけるように感度を犠性にしな
くとも鮮鋭度を向上せしめることが可能である。本発明
の放射線像変換パネルにおいて、着色剤による着色は該
パネルを構成する各部分のいずれに対して行なつてもよ
い。
すなわち、着色剤による着色は螢光体層、支持体、保護
膜あるいは下塗り層のいずれに対して行なつてもよく、
またこれらの2つ以上に対して行なつてもよい。また螢
光体層を2層に分割し、この2層に分割された螢光体層
の間に着色剤によつて着色された中間層(輝尽性螢光体
を含まず)を設けることによつて放射線像変換パネルを
着色してもよい。本発明の放射線像変換パネルとして、
例えば以下のような構成の放射線像変換パネルが具体的
に挙げられる。1,自己支持性の螢光体層のみからなり
、該螢光体層が着色剤によつて着色されている放射線像
変換パネル。
膜あるいは下塗り層のいずれに対して行なつてもよく、
またこれらの2つ以上に対して行なつてもよい。また螢
光体層を2層に分割し、この2層に分割された螢光体層
の間に着色剤によつて着色された中間層(輝尽性螢光体
を含まず)を設けることによつて放射線像変換パネルを
着色してもよい。本発明の放射線像変換パネルとして、
例えば以下のような構成の放射線像変換パネルが具体的
に挙げられる。1,自己支持性の螢光体層のみからなり
、該螢光体層が着色剤によつて着色されている放射線像
変換パネル。
2.第1の保護膜、自己支持性の螢光体層および第2の
保護膜をこの順に積層してなり、この第1の保護膜、螢
光体層および第2の保護膜のうちの少なくとも1つが着
色剤によつて着色されている放射線像変換パネル。
保護膜をこの順に積層してなり、この第1の保護膜、螢
光体層および第2の保護膜のうちの少なくとも1つが着
色剤によつて着色されている放射線像変換パネル。
3.支持体と、この支持体上に設けられた螢光体層とか
らなり、この支持体および螢光体層のうちの少なくとも
1つが着色剤によつて着色されている放射線像変換パネ
ル。
らなり、この支持体および螢光体層のうちの少なくとも
1つが着色剤によつて着色されている放射線像変換パネ
ル。
4.支持体、下塗り層および螢光体層をこの順に積層し
てなり、この支持体、下塗り層および螢光体層のうちの
少なくとも1つが着色剤によつて着色されている放射線
像変換パネル。
てなり、この支持体、下塗り層および螢光体層のうちの
少なくとも1つが着色剤によつて着色されている放射線
像変換パネル。
5.支持体、螢光体層および保護膜をこの順に積層して
なり、この支持体、螢光体層および保護膜のうち少なく
とも1つが着色剤によつて着色されている放射線像変換
パネル。
なり、この支持体、螢光体層および保護膜のうち少なく
とも1つが着色剤によつて着色されている放射線像変換
パネル。
6.支持体、下塗り層、螢光体層および保護膜をこの順
に積層してなり、この支持体、下塗り層、螢光体層およ
び保護膜のうちの少なくとも1つが着色剤によつて着色
されている放射線像変換パネル。
に積層してなり、この支持体、下塗り層、螢光体層およ
び保護膜のうちの少なくとも1つが着色剤によつて着色
されている放射線像変換パネル。
7.支持体、第1の螢光体層、中間層および第2の螢光
体層をこの順に積層してなり、少なくとも上記中間層が
着色剤によつて着色されている放射線像変換パネル。
体層をこの順に積層してなり、少なくとも上記中間層が
着色剤によつて着色されている放射線像変換パネル。
8.支持体、第1の螢光体層、中間層、第2の螢光体層
および保護膜をこの順に積層してなり、少なくとも上記
中間層が着色剤によつて着色されている放射線像変換パ
ネル。
および保護膜をこの順に積層してなり、少なくとも上記
中間層が着色剤によつて着色されている放射線像変換パ
ネル。
9.支持体、下塗り層、第1の螢光体層、中間層、第2
の螢光体層および保護膜をこの順に積層してなり、少な
くとも上記中間層が着色剤によつて着色されている放射
線像変換パネル。
の螢光体層および保護膜をこの順に積層してなり、少な
くとも上記中間層が着色剤によつて着色されている放射
線像変換パネル。
本発明の放射線像変換パネルにおいては、どの部分を着
色するかによつて着色の効果が異なる。
色するかによつて着色の効果が異なる。
一般に螢光体層の着色することあるいは着色中間層を設
けることは、螢光体層におけるイラジエーシヨンを防止
するのに特に有効であり、これによつて特に比較的高い
周波数領域の鮮鋭度が改良される。一方、保護膜、下塗
り層あるいは支持体を着色することは、この保護膜、下
塗り層あるいは支持体におけるハレーシヨンを防止する
のに特に有効であり、これによつて特に比較的低い周波
数領域の鮮鋭度が改良される。上述のようにどの部分を
着色することによつて着色の効果は異なるものであるが
、単一部分を着色した放射線像変換パネルを比較した場
合、一般に着色の効果の大きさつは ) 螢光体層〉中間層〉下塗り層または支持俳冫保護膜の順
となる。
けることは、螢光体層におけるイラジエーシヨンを防止
するのに特に有効であり、これによつて特に比較的高い
周波数領域の鮮鋭度が改良される。一方、保護膜、下塗
り層あるいは支持体を着色することは、この保護膜、下
塗り層あるいは支持体におけるハレーシヨンを防止する
のに特に有効であり、これによつて特に比較的低い周波
数領域の鮮鋭度が改良される。上述のようにどの部分を
着色することによつて着色の効果は異なるものであるが
、単一部分を着色した放射線像変換パネルを比較した場
合、一般に着色の効果の大きさつは ) 螢光体層〉中間層〉下塗り層または支持俳冫保護膜の順
となる。
なお先に述べた第1の保護膜、螢光体層および第2の保
護膜をこの順に積層してなる放射線像変換パネルの励起
光力仄射する側とは反対側の保護膜が着色される場合に
は、その着色の効果は支持体を有する放射線像変換パネ
ルの支持体を着色する場合の効果に相当する。螢光体層
が着色される場合には、該螢光体層は励起光入射側から
その反対側に向つて着色度が次第に高くなるように着色
されるのが好ましい。
護膜をこの順に積層してなる放射線像変換パネルの励起
光力仄射する側とは反対側の保護膜が着色される場合に
は、その着色の効果は支持体を有する放射線像変換パネ
ルの支持体を着色する場合の効果に相当する。螢光体層
が着色される場合には、該螢光体層は励起光入射側から
その反対側に向つて着色度が次第に高くなるように着色
されるのが好ましい。
このように着色される放射線像変換パネルは、着色剤に
よつて着色されていない従来の放射線像変換パネルは勿
論のこと、同一程度の放射線像変換パネルの比較におい
て、着色度の傾斜が上記とは逆になるように、あるいは
着色度が均一になるように螢光体層が着色された放射線
像変換パネルよりも高鮮鋭度の画像を与える。螢光体層
に上記のような着色度の傾斜を持たせるには、例えば着
色度が少しずつ異なるいくつかの螢光体層を順に積層す
る方法、あるいは塗布された螢光体層の乾燥時における
着色剤の拡散あるいは移動を利用する方法等が用いられ
る。なお、ここで言う「螢光体層Q着色度の傾斜」とは
、螢光体層が中間層を含む場合、すなわち上述のように
螢光体層が中間層を挟む第1の螢光体層および第2の螢
光体層からなる場合には、この中間層を除いた部分の着
色度の傾斜を意味する。上述のように螢光体層が励起光
入射側からその反対側に向つて着色度が次第に高くなる
ように着色される場合、着色度の傾斜は一般には励起光
入射側とは反対の側から測定した螢光体層自体の輝尽性
螢光体の励起光波長領域における平均反射率が、励起光
入射側から測定したそれの95%以下であるのが好まし
く、95%より大きい場合には着色度に傾斜を持たせた
効果は非常に小さいものとなる。
よつて着色されていない従来の放射線像変換パネルは勿
論のこと、同一程度の放射線像変換パネルの比較におい
て、着色度の傾斜が上記とは逆になるように、あるいは
着色度が均一になるように螢光体層が着色された放射線
像変換パネルよりも高鮮鋭度の画像を与える。螢光体層
に上記のような着色度の傾斜を持たせるには、例えば着
色度が少しずつ異なるいくつかの螢光体層を順に積層す
る方法、あるいは塗布された螢光体層の乾燥時における
着色剤の拡散あるいは移動を利用する方法等が用いられ
る。なお、ここで言う「螢光体層Q着色度の傾斜」とは
、螢光体層が中間層を含む場合、すなわち上述のように
螢光体層が中間層を挟む第1の螢光体層および第2の螢
光体層からなる場合には、この中間層を除いた部分の着
色度の傾斜を意味する。上述のように螢光体層が励起光
入射側からその反対側に向つて着色度が次第に高くなる
ように着色される場合、着色度の傾斜は一般には励起光
入射側とは反対の側から測定した螢光体層自体の輝尽性
螢光体の励起光波長領域における平均反射率が、励起光
入射側から測定したそれの95%以下であるのが好まし
く、95%より大きい場合には着色度に傾斜を持たせた
効果は非常に小さいものとなる。
また、励起光入射側とされる螢光体層の着色度が低い方
の面は必らずしも着色されている必要はなく、無着色で
あつてもよい。先に述べたように本発明の放射線像変換
パネルに使用される着色剤は、該パネルに使用される輝
尽性螢光体の励起光波長領域における平均反射率が該輝
尽性螢光体の輝尽発光波長領域における平均反射率より
も小さいような反射特性を有するものである。
の面は必らずしも着色されている必要はなく、無着色で
あつてもよい。先に述べたように本発明の放射線像変換
パネルに使用される着色剤は、該パネルに使用される輝
尽性螢光体の励起光波長領域における平均反射率が該輝
尽性螢光体の輝尽発光波長領域における平均反射率より
も小さいような反射特性を有するものである。
従つていかなる着色剤を使用するかは放射線像変換パネ
ルに使用する輝尽性螢光体の種類によつて決まる。以下
に述べるように、500〜800nmの励起光によつて
300〜600nmの輝尽発光を示す輝尽性螢光体を使
用するのが実用上望ましいが、このような輝尽性螢光体
に対しては、励起光波長領域における平均反射率が輝尽
発光波長領域における平均反射率よりも小さくなり、か
つ両者の差ができるだけ大きくなるように青色乃至緑色
の着色剤が使用される。着色剤として有機系着色剤ある
いは無機系着色剤のいずれも使用することができるが、
青色乃至緑色の有機系着色剤として、例えばザポンフア
ストブル一3G(ヘキスト製)、工ストロールフリルブ
ルーN−3RL1(住友化学製)、スミアクリルプル−
F一GSL(住友化学製)、D&1Cプル一▲l(ナシ
ヨナル アニリン製)、スピリツトブル一(保±谷化学
製)、オイルブルー▲603(オリエント製)、キトン
ブル一A(チバガイギ一製)、アイゼンカチロンブル一
GLH(保土谷化学製)、 ニレイクブル一AF.H(
協和産業製)、ローダリンブルー6GX(協和産業製)
、プリモシアニン6GH(稲畑産業製)、フリルアシッ
ドグリーン6BH(保土谷化学製)、シアニンブルーB
NRS(東洋インク製)、ライオノルブル一SL二(東
洋インク製)等が挙げられ、また青色乃至緑色の無機着
色剤として、例えば群青、コバルトブルー、セルリアン
ブルー、酸化クロム、TiO2−ZnO−COO−Ni
O系顔料等が挙げられる。本発明の放射線像変換パネル
に用いられる輝尽性螢光体は、先に述べたように放射線
を照射した励起光を照射すると輝尽発光を示す螢光体で
あるが、実用的な面から望ましくは500〜800nm
の励起光によつて300〜600nmの輝尽発光を示す
螢光体である。本発明の放射線像変換 −パネルに用い
られる輝尽性螢光体としては、例えば米国特許第385
9527号明細書に記載されているSrs:C,snl
,srs:EU,sr]1,La202s:EulSr
nおよびZu,CdS:Mn.X(但しXはハロゲンで
ある)、特開昭55−12142号公報(特願昭53−
84740号明細書)に記載されているZnS:CU,
Pb,BaO−XAl2O3:EU(但し0.8≦x≦
10)およびM[IO−XSiO2:A(但しMはMg
,C8,Sr,Zn,CdまたはB8であり、AはCe
,Tb,Eu,Tm,Pb,′Tj!/,BiまたはM
nであり、xは0.5≦X2.5である)、特開昭55
−12143号公報(特願昭53−84742号明細書
)に記載されている(B1−o−Y,Mgx−Cょ)F
X:,Eu2+ (但しXはCノおよびBrのうちの少
なくとも1つであり、xおよびyは0くx÷y≦0.6
かつXy〜0であり、aはl『6≦a≦5×l『2であ
る)、特開昭55−12144号公報(特願昭53−8
4743号明細書)に記載されたLnOX:XA(但し
LnはL,Y,GdおよびLuのうちの少なくとも1つ
、XはCノおよびBrのうち少なくとも1つ、AはCe
およびT,のうちの少なくとも1つ、xは0くxく0.
1である)特開昭55−12145号公報(特願昭53
−84744号明細書)に記載されている(Bal−X
,MUx)FX:YA(但しMは,C,s,garZn
およびCdのうちの少なくとも1つ、xはCJI,,B
rおよびIのうちの少なくとも1つ、AはEu,Tb,
Ce,Trn,Dy,Pr,HO,Nd,YbおよびE
rのうちの少なくとも1つ、xは0≦x≦0.6,yは
0≦y≦0.2である)等が挙げられる。
ルに使用する輝尽性螢光体の種類によつて決まる。以下
に述べるように、500〜800nmの励起光によつて
300〜600nmの輝尽発光を示す輝尽性螢光体を使
用するのが実用上望ましいが、このような輝尽性螢光体
に対しては、励起光波長領域における平均反射率が輝尽
発光波長領域における平均反射率よりも小さくなり、か
つ両者の差ができるだけ大きくなるように青色乃至緑色
の着色剤が使用される。着色剤として有機系着色剤ある
いは無機系着色剤のいずれも使用することができるが、
青色乃至緑色の有機系着色剤として、例えばザポンフア
ストブル一3G(ヘキスト製)、工ストロールフリルブ
ルーN−3RL1(住友化学製)、スミアクリルプル−
F一GSL(住友化学製)、D&1Cプル一▲l(ナシ
ヨナル アニリン製)、スピリツトブル一(保±谷化学
製)、オイルブルー▲603(オリエント製)、キトン
ブル一A(チバガイギ一製)、アイゼンカチロンブル一
GLH(保土谷化学製)、 ニレイクブル一AF.H(
協和産業製)、ローダリンブルー6GX(協和産業製)
、プリモシアニン6GH(稲畑産業製)、フリルアシッ
ドグリーン6BH(保土谷化学製)、シアニンブルーB
NRS(東洋インク製)、ライオノルブル一SL二(東
洋インク製)等が挙げられ、また青色乃至緑色の無機着
色剤として、例えば群青、コバルトブルー、セルリアン
ブルー、酸化クロム、TiO2−ZnO−COO−Ni
O系顔料等が挙げられる。本発明の放射線像変換パネル
に用いられる輝尽性螢光体は、先に述べたように放射線
を照射した励起光を照射すると輝尽発光を示す螢光体で
あるが、実用的な面から望ましくは500〜800nm
の励起光によつて300〜600nmの輝尽発光を示す
螢光体である。本発明の放射線像変換 −パネルに用い
られる輝尽性螢光体としては、例えば米国特許第385
9527号明細書に記載されているSrs:C,snl
,srs:EU,sr]1,La202s:EulSr
nおよびZu,CdS:Mn.X(但しXはハロゲンで
ある)、特開昭55−12142号公報(特願昭53−
84740号明細書)に記載されているZnS:CU,
Pb,BaO−XAl2O3:EU(但し0.8≦x≦
10)およびM[IO−XSiO2:A(但しMはMg
,C8,Sr,Zn,CdまたはB8であり、AはCe
,Tb,Eu,Tm,Pb,′Tj!/,BiまたはM
nであり、xは0.5≦X2.5である)、特開昭55
−12143号公報(特願昭53−84742号明細書
)に記載されている(B1−o−Y,Mgx−Cょ)F
X:,Eu2+ (但しXはCノおよびBrのうちの少
なくとも1つであり、xおよびyは0くx÷y≦0.6
かつXy〜0であり、aはl『6≦a≦5×l『2であ
る)、特開昭55−12144号公報(特願昭53−8
4743号明細書)に記載されたLnOX:XA(但し
LnはL,Y,GdおよびLuのうちの少なくとも1つ
、XはCノおよびBrのうち少なくとも1つ、AはCe
およびT,のうちの少なくとも1つ、xは0くxく0.
1である)特開昭55−12145号公報(特願昭53
−84744号明細書)に記載されている(Bal−X
,MUx)FX:YA(但しMは,C,s,garZn
およびCdのうちの少なくとも1つ、xはCJI,,B
rおよびIのうちの少なくとも1つ、AはEu,Tb,
Ce,Trn,Dy,Pr,HO,Nd,YbおよびE
rのうちの少なくとも1つ、xは0≦x≦0.6,yは
0≦y≦0.2である)等が挙げられる。
しかしながら、本発明の放射線像変換パネルに用いられ
る輝尽性螢光体は上述の螢光体に限られるものではなく
、放射線を照射した後励起光を照射した場合に輝尽発光
を示す螢光体であればいかなる螢光体であつてもよいこ
とは言うまでもない。一般に使用する輝尽性螢光体の平
均粒子径が小さくなればなる程得られる放射線像変換パ
ネルの粒状性は向上するが感度は低下する傾向にあり、
逆に平均粒子径が大きくなればなる程感度は向上するが
粒状性は低下する傾向にある。これらのことを考慮して
本発明に用いられる輝尽性螢光体は一般に平均粒子径が
0.1乃至100μのものから適宜選択される。好まし
くは平均粒子径が1乃至30μのものが使用される。ま
た輝尽性螢光体の使用量は必要なだけの記録能力および
出力能力を放射線像変換パネルに与えるという点および
経済性の点等から適宜決められるが、一般に得られる放
射線像変換パネル1d当り3乃至300m9となるよう
に設定される。本発明の放射線像変換パネルの螢光体層
は上述の輝尽性螢光体を適当な結合剤に分散して(螢光
体層が着色されない場合)、あるいは上述の輝尽性螢光
体および着色剤を適当な結合剤に分散して(螢光体層が
着色される場合。
る輝尽性螢光体は上述の螢光体に限られるものではなく
、放射線を照射した後励起光を照射した場合に輝尽発光
を示す螢光体であればいかなる螢光体であつてもよいこ
とは言うまでもない。一般に使用する輝尽性螢光体の平
均粒子径が小さくなればなる程得られる放射線像変換パ
ネルの粒状性は向上するが感度は低下する傾向にあり、
逆に平均粒子径が大きくなればなる程感度は向上するが
粒状性は低下する傾向にある。これらのことを考慮して
本発明に用いられる輝尽性螢光体は一般に平均粒子径が
0.1乃至100μのものから適宜選択される。好まし
くは平均粒子径が1乃至30μのものが使用される。ま
た輝尽性螢光体の使用量は必要なだけの記録能力および
出力能力を放射線像変換パネルに与えるという点および
経済性の点等から適宜決められるが、一般に得られる放
射線像変換パネル1d当り3乃至300m9となるよう
に設定される。本発明の放射線像変換パネルの螢光体層
は上述の輝尽性螢光体を適当な結合剤に分散して(螢光
体層が着色されない場合)、あるいは上述の輝尽性螢光
体および着色剤を適当な結合剤に分散して(螢光体層が
着色される場合。
なお螢光体層7!)巾己支持性であり、それ単独で放射
線像変換パネルを構成する場合には、螢光体層は必ず着
色される。)塗布液を調製し、得られる塗布液を従来の
塗布法によつて塗布して均一な層とすることによつて作
j製される。なお着色螢光体層用の塗布液を調製する
に際しては、輝尽性螢光体と着色剤とをそれぞれ別個に
結合剤中に分散させてもよいし、あるいは輝尽性螢光体
表面にあらかじめ着色剤を付着(接着あるいは吸着)せ
しめ、これを結合剤中に 1分散させてもよい。また螢
光体層が着色される場合において、着色度の傾斜を有す
る螢光体層が望まれる場合には、このような螢光体層は
、例えば着色剤含有量が少しづつ異なる、すなわち着色
度が少しづつ異なるいくつかの塗布液を順に塗布し積層
して1つの螢光体層とする方法、塗布された螢光体層の
乾燥を非常にゆつくり行なうこと等による乾燥時におけ
る螢光体層中での着色剤の拡散あるいは移動を利用する
方法等によつて作製される。結合剤としては、例えばゼ
ラチンの如き蛋白 0質、デキストランの如きポリサッ
カラードまたはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、
ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース
、塩化ビニリデン一塩化ビニルコポリマー、ポリメチル
メタクリレート、塩化ビニル一酢酸ビニルコポリマー、
ポリウレタン、セルロースアセテートブチレート、ポリ
ビニルアルコール等のような通常層形成に用いられる結
合剤が使用される。一般に結合剤は輝尽性螢光体1重量
部に対して0.01乃至1重量部の範囲で使用される。
しかしながら得られる放射線像変換パネルの感度と鮮鋭
の点では結合剤は少ない方が好ましく、塗布の容易さと
の兼合いから0.03乃至0.2重量部の範囲がより好
ましい。なお螢光体層厚(螢光体層を2層に分割し、こ
の2層に分割された螢光体層の間に着色中間層を設けた
ものについては3つの層厚を合計したもの)は一般に1
0μ乃至1Tnmの範囲内に設定される。本発明の放射
線像変換パネルにおいては一般に上述の螢光体層を支持
する支持体が用いられる。
線像変換パネルを構成する場合には、螢光体層は必ず着
色される。)塗布液を調製し、得られる塗布液を従来の
塗布法によつて塗布して均一な層とすることによつて作
j製される。なお着色螢光体層用の塗布液を調製する
に際しては、輝尽性螢光体と着色剤とをそれぞれ別個に
結合剤中に分散させてもよいし、あるいは輝尽性螢光体
表面にあらかじめ着色剤を付着(接着あるいは吸着)せ
しめ、これを結合剤中に 1分散させてもよい。また螢
光体層が着色される場合において、着色度の傾斜を有す
る螢光体層が望まれる場合には、このような螢光体層は
、例えば着色剤含有量が少しづつ異なる、すなわち着色
度が少しづつ異なるいくつかの塗布液を順に塗布し積層
して1つの螢光体層とする方法、塗布された螢光体層の
乾燥を非常にゆつくり行なうこと等による乾燥時におけ
る螢光体層中での着色剤の拡散あるいは移動を利用する
方法等によつて作製される。結合剤としては、例えばゼ
ラチンの如き蛋白 0質、デキストランの如きポリサッ
カラードまたはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、
ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース
、塩化ビニリデン一塩化ビニルコポリマー、ポリメチル
メタクリレート、塩化ビニル一酢酸ビニルコポリマー、
ポリウレタン、セルロースアセテートブチレート、ポリ
ビニルアルコール等のような通常層形成に用いられる結
合剤が使用される。一般に結合剤は輝尽性螢光体1重量
部に対して0.01乃至1重量部の範囲で使用される。
しかしながら得られる放射線像変換パネルの感度と鮮鋭
の点では結合剤は少ない方が好ましく、塗布の容易さと
の兼合いから0.03乃至0.2重量部の範囲がより好
ましい。なお螢光体層厚(螢光体層を2層に分割し、こ
の2層に分割された螢光体層の間に着色中間層を設けた
ものについては3つの層厚を合計したもの)は一般に1
0μ乃至1Tnmの範囲内に設定される。本発明の放射
線像変換パネルにおいては一般に上述の螢光体層を支持
する支持体が用いられる。
支持体としては各種高分子材称ガラス、ウール、コット
ン、紙、金属などの種々の素材から作られたものが使用
され得るが、情報記録材料としての取扱い上可撓性のあ
るシートあるいはロールに加フ工できるものが好適であ
る。
ン、紙、金属などの種々の素材から作られたものが使用
され得るが、情報記録材料としての取扱い上可撓性のあ
るシートあるいはロールに加フ工できるものが好適であ
る。
この点から、例えばセルロースアセテートフイルム、ポ
リエステルフイルム、ポリエチレンテレフタレートフイ
ルム、ポリアミドフイルム、ポリイミドフイルム、トリ
アセテートフイルム、ポリカーポネートフイルム等のプ
ラスチツクフイルム、一般の紙および例えば写真用原紙
、コート紙もしくはアート紙のような印刷用原紙、バラ
イタ紙、レジンコート紙、ペルキー特許第784615
号明細書に記載されているようなポリサッカラード等で
サイジングされた紙、二酸化チタンなどの顔料を含有す
るピグメント紙、ポリビニルアルコール等をサイジング
した紙等の加工紙が特に好ましい。これら支持体は螢光
体層をより密接に保持する目的で一方の面(螢光体層が
設けられる面)に下塗り層が設けられていてもよい。下
塗り層の材料としては通常の接着剤が使用される。なお
支持体上あるいは下塗り層上に螢光体層を設けるに際し
ては、結合剤中に輝尽性螢光体を分散してなる、あるい
は結合剤中に輝尽性螢光体および着色剤を分散してなる
塗布液を、支持体上あるいは下塗り層上に直接塗布して
螢光体層を形成してもよいし、あるいはあらかじめ別途
形成された螢光体層を支持体上あるいは下塗り層上に接
着してもよい。また、使用される支持体が励起光を透過
するものである場合には、得られる放射線像変換パネル
は支持体の螢光体層側の面とは反対側の面から励起光を
照射することが可能となる。支持体が着色剤によつて着
色される場合には、該支持体に達した励起光が該着色剤
によつて吸収され得るように着色されなければならない
ことは言うまでもない。
リエステルフイルム、ポリエチレンテレフタレートフイ
ルム、ポリアミドフイルム、ポリイミドフイルム、トリ
アセテートフイルム、ポリカーポネートフイルム等のプ
ラスチツクフイルム、一般の紙および例えば写真用原紙
、コート紙もしくはアート紙のような印刷用原紙、バラ
イタ紙、レジンコート紙、ペルキー特許第784615
号明細書に記載されているようなポリサッカラード等で
サイジングされた紙、二酸化チタンなどの顔料を含有す
るピグメント紙、ポリビニルアルコール等をサイジング
した紙等の加工紙が特に好ましい。これら支持体は螢光
体層をより密接に保持する目的で一方の面(螢光体層が
設けられる面)に下塗り層が設けられていてもよい。下
塗り層の材料としては通常の接着剤が使用される。なお
支持体上あるいは下塗り層上に螢光体層を設けるに際し
ては、結合剤中に輝尽性螢光体を分散してなる、あるい
は結合剤中に輝尽性螢光体および着色剤を分散してなる
塗布液を、支持体上あるいは下塗り層上に直接塗布して
螢光体層を形成してもよいし、あるいはあらかじめ別途
形成された螢光体層を支持体上あるいは下塗り層上に接
着してもよい。また、使用される支持体が励起光を透過
するものである場合には、得られる放射線像変換パネル
は支持体の螢光体層側の面とは反対側の面から励起光を
照射することが可能となる。支持体が着色剤によつて着
色される場合には、該支持体に達した励起光が該着色剤
によつて吸収され得るように着色されなければならない
ことは言うまでもない。
例えば、金属、一般の紙、加工紙等の励起光不透過性材
料が支持体として用いられる場合には、該支持体はその
螢光体層側の面が少なくとも着色されていなければなら
ない。一方、ガラス、プラスチツクフイルム等の励起光
透過性材料が支持体として用いられる場合には、該支持
体はいずれか一方の面が着色されていてもよい巨両面が
着色されていてもよ(・し、あるいは該支持体全体が着
色されていてもよい。支持体の片面あるいは両面を着色
する方法としては、例えば着色剤を結合剤に分散してな
る塗布液を支持体表面に塗布する方法等が挙げられる。
また支持体全体を着色する方法としては、一般に支持体
作製時に支持体中に着色剤を分散させて含有ぜしめる方
法がとられる。また、下塗り層が着色剤によつて着色さ
れる場合には、該下塗り層中に着色剤が分散される。先
に述べたように、本発明の放射線像変換パネルにおいて
2つの螢光体層の間に中間層(輝尽性螢光体を含まず)
が設けられる場合には、この中間層は必ず着色剤によつ
て着色されていなければならない。
料が支持体として用いられる場合には、該支持体はその
螢光体層側の面が少なくとも着色されていなければなら
ない。一方、ガラス、プラスチツクフイルム等の励起光
透過性材料が支持体として用いられる場合には、該支持
体はいずれか一方の面が着色されていてもよい巨両面が
着色されていてもよ(・し、あるいは該支持体全体が着
色されていてもよい。支持体の片面あるいは両面を着色
する方法としては、例えば着色剤を結合剤に分散してな
る塗布液を支持体表面に塗布する方法等が挙げられる。
また支持体全体を着色する方法としては、一般に支持体
作製時に支持体中に着色剤を分散させて含有ぜしめる方
法がとられる。また、下塗り層が着色剤によつて着色さ
れる場合には、該下塗り層中に着色剤が分散される。先
に述べたように、本発明の放射線像変換パネルにおいて
2つの螢光体層の間に中間層(輝尽性螢光体を含まず)
が設けられる場合には、この中間層は必ず着色剤によつ
て着色されていなければならない。
なぜならば着色剤によつて着色されていない中間層は放
射線像変換パネルの画像特性にマイナスの効果を与える
ことはあつても、プラスの効果を与えることはないから
である。この着色中間層は、螢光体層が着色される場合
と同様に、この着色中間層の両側に存在する2つの螢光
体層におけるイランジエーシヨンを防止するのに特に有
効であると考えられる。着色中間層は螢光体層に使用さ
れるような結合剤中Rc着色剤を分散させたものである
。このような着色中間層は、あらかじめ形成された第1
の螢光体層上に適当な結合剤中に着色剤を分散してなる
塗布液を均一に塗布して着色中間層を形成し、さらにそ
の上に第2の螢光体層を形成することによつて2つの螢
光体層間に設置されてもよいし、あるいはあらかじめ別
途形成された第1の螢光体層、着色中間層および第2の
螢光体層をこの順に接着して積層することによつて2つ
の螢光体層間に設置されてもよい。また本発明の放射線
U変換パネルにおいては、一般に螢光体層のもう一方の
面(支持体が設けら,・tる面とは反対側の面)VC,
螢光体層を物理的あるいは化学的に保護するための保護
膜が設けられる。先瓜述べたように、螢光体層7>燗己
支持性である場合には螢光体層の両面に保護膜が設けら
れる場合もある。この保護膜は保護膜用塗布液を螢光体
層上に直接塗布して形成してもよいし、あるいはあらか
じめ別途形成された保護膜を螢光体層上に接着してもよ
い。保護膜の材料としてはニトロセルロース、エチルセ
ルロース、セルロースアセテート、ポリエステル、ポリ
エチレンテレフタレート等のような通常の保護膜用材料
が用いられる。保護膜が着色剤【よつて着色される場合
には〜そのいずれか一方の面が着色されてもよいし、両
面が着色されてもよいし、あるいは保護膜全体が着色さ
れてもよいが、一般には着色剤が保護膜中に分散され、
保護膜全体が均一に着色される。]本発明の放射線像変
換パネルは第1図に概略的に示される放射線像変換方法
に用いられた場合優れた鮮鋭度を有する画像を与える。
射線像変換パネルの画像特性にマイナスの効果を与える
ことはあつても、プラスの効果を与えることはないから
である。この着色中間層は、螢光体層が着色される場合
と同様に、この着色中間層の両側に存在する2つの螢光
体層におけるイランジエーシヨンを防止するのに特に有
効であると考えられる。着色中間層は螢光体層に使用さ
れるような結合剤中Rc着色剤を分散させたものである
。このような着色中間層は、あらかじめ形成された第1
の螢光体層上に適当な結合剤中に着色剤を分散してなる
塗布液を均一に塗布して着色中間層を形成し、さらにそ
の上に第2の螢光体層を形成することによつて2つの螢
光体層間に設置されてもよいし、あるいはあらかじめ別
途形成された第1の螢光体層、着色中間層および第2の
螢光体層をこの順に接着して積層することによつて2つ
の螢光体層間に設置されてもよい。また本発明の放射線
U変換パネルにおいては、一般に螢光体層のもう一方の
面(支持体が設けら,・tる面とは反対側の面)VC,
螢光体層を物理的あるいは化学的に保護するための保護
膜が設けられる。先瓜述べたように、螢光体層7>燗己
支持性である場合には螢光体層の両面に保護膜が設けら
れる場合もある。この保護膜は保護膜用塗布液を螢光体
層上に直接塗布して形成してもよいし、あるいはあらか
じめ別途形成された保護膜を螢光体層上に接着してもよ
い。保護膜の材料としてはニトロセルロース、エチルセ
ルロース、セルロースアセテート、ポリエステル、ポリ
エチレンテレフタレート等のような通常の保護膜用材料
が用いられる。保護膜が着色剤【よつて着色される場合
には〜そのいずれか一方の面が着色されてもよいし、両
面が着色されてもよいし、あるいは保護膜全体が着色さ
れてもよいが、一般には着色剤が保護膜中に分散され、
保護膜全体が均一に着色される。]本発明の放射線像変
換パネルは第1図に概略的に示される放射線像変換方法
に用いられた場合優れた鮮鋭度を有する画像を与える。
すなわち、第1図において11は放射線発生装置、12
は被写体、13は着色剤によつて着色された本発明の放
射線像変換パネル、14は該放射線像変換パネルの放射
線潜像を螢光として放射させるための励起源としての光
源、15は該放射線像変換パネルより放射された螢光を
検出する光電変換装置、16は15で検出された光電変
換信号を画像として再生する装置、17は再生された画
像を表示する装置、18は光源14からの反射光をカツ
トし、放射線像変換パネル13より放射された光のみを
透過させるためのフイルタ一である。なお15以降は1
3がらの光情報を何らかの形で画像として再生できるも
のであればよく、上記のものに限定されるものではない
。第1図に示されるように、被写体12を放射線発生装
置11と本発明の放射線像変換パネル13の間に配置し
、放射線を照射すると、放射線は被写体12の各部の放
射線透過率の変化に従つて透過レその透過像(すなわち
放射線の強弱の像)が本発明の放射線像変換パネル13
に入射する。
は被写体、13は着色剤によつて着色された本発明の放
射線像変換パネル、14は該放射線像変換パネルの放射
線潜像を螢光として放射させるための励起源としての光
源、15は該放射線像変換パネルより放射された螢光を
検出する光電変換装置、16は15で検出された光電変
換信号を画像として再生する装置、17は再生された画
像を表示する装置、18は光源14からの反射光をカツ
トし、放射線像変換パネル13より放射された光のみを
透過させるためのフイルタ一である。なお15以降は1
3がらの光情報を何らかの形で画像として再生できるも
のであればよく、上記のものに限定されるものではない
。第1図に示されるように、被写体12を放射線発生装
置11と本発明の放射線像変換パネル13の間に配置し
、放射線を照射すると、放射線は被写体12の各部の放
射線透過率の変化に従つて透過レその透過像(すなわち
放射線の強弱の像)が本発明の放射線像変換パネル13
に入射する。
この入射した透過像は放射線像変換パネル13の螢光体
層に吸収され、これによつて螢光体層中に吸収した放射
線量に比例した数の電子または正孔が発生し、これが螢
光体のトラツプレベルに蓄積される。すなわち放射線透
過像の蓄債像(一種の潜像)が形成される。次にこの潜
像を光エネルギーで励起して顕在化する。すなわち励起
光で螢光体層を走査してトラツブレベルに蓄積された電
子または正孔を追出し、蓄積像を螢光として放射せしめ
る。本発明の放射線像変換パネル13は励起光を選択的
に吸収するような着色剤によつて着色されており、上記
螢光体層の走査の際に螢光体層におけるイラジエーシヨ
ン、保護膜、下塗り層および支持体におけるハレーシヨ
ン等によつて励起光が該パネル内で広がるのが着色剤の
励起光吸収によつて抑制される。放射された螢光の強弱
は蓄積された電子または正孔の数、すなわち放射線像変
換パネル13の螢光体層に吸収された放射線エネルギー
の強弱に比例しており、この光信号を例えば光電子増倍
管等の光電変換装置15で電気信号に時系列化して画像
再生装置16によつて画像として再生し、画像表示装置
17によつて画像を表示する。上述のように本発明の放
射線像変換パネルにおいては該パネルに含まれる励起光
吸収によつて励起光の該パネル内での広がりが抑制され
るので、画像再生装置16によつて再生される画像およ
び画像表示装置11によつて表示される画鐵の鮮鋭度が
著しく向上する。
層に吸収され、これによつて螢光体層中に吸収した放射
線量に比例した数の電子または正孔が発生し、これが螢
光体のトラツプレベルに蓄積される。すなわち放射線透
過像の蓄債像(一種の潜像)が形成される。次にこの潜
像を光エネルギーで励起して顕在化する。すなわち励起
光で螢光体層を走査してトラツブレベルに蓄積された電
子または正孔を追出し、蓄積像を螢光として放射せしめ
る。本発明の放射線像変換パネル13は励起光を選択的
に吸収するような着色剤によつて着色されており、上記
螢光体層の走査の際に螢光体層におけるイラジエーシヨ
ン、保護膜、下塗り層および支持体におけるハレーシヨ
ン等によつて励起光が該パネル内で広がるのが着色剤の
励起光吸収によつて抑制される。放射された螢光の強弱
は蓄積された電子または正孔の数、すなわち放射線像変
換パネル13の螢光体層に吸収された放射線エネルギー
の強弱に比例しており、この光信号を例えば光電子増倍
管等の光電変換装置15で電気信号に時系列化して画像
再生装置16によつて画像として再生し、画像表示装置
17によつて画像を表示する。上述のように本発明の放
射線像変換パネルにおいては該パネルに含まれる励起光
吸収によつて励起光の該パネル内での広がりが抑制され
るので、画像再生装置16によつて再生される画像およ
び画像表示装置11によつて表示される画鐵の鮮鋭度が
著しく向上する。
以上説明したように、本発明は鮮鋭度の高い画像を与え
る放射線像変換パネルを提供するものである。
る放射線像変換パネルを提供するものである。
本発明の放射線像変換パネルのうちでも、螢光体層が励
起光入射側からその反対側に向つて着色度が次第に高く
なるように着色されている放射線像変換パネルは、より
一層鮮鋭度の高い画像を与える。次に実施例によつて本
発明を説明する。
起光入射側からその反対側に向つて着色度が次第に高く
なるように着色されている放射線像変換パネルは、より
一層鮮鋭度の高い画像を与える。次に実施例によつて本
発明を説明する。
実施例 1
BaFBr:EO2+螢光体(輝尽性螢光体)8重量部
とニトロセルロース(結合剤)l重量部とを溶剤(アセ
トン、酢酸エチルおよび酢酸ブチルの混合液)を用いて
混合し、粘度が50センチストークスの塗布液を調整し
た。
とニトロセルロース(結合剤)l重量部とを溶剤(アセ
トン、酢酸エチルおよび酢酸ブチルの混合液)を用いて
混合し、粘度が50センチストークスの塗布液を調整し
た。
これとは別に有機系青色着色剤ザポンフアストブル一3
G(ヘキスト製)のメタノール分散液を調整し、この分
散液を上記塗布液にBaFBr:Er螢光体1009V
C.対して着色剤が1W!fとなるように添加した。次
に着色剤を添加した塗布液を水平に置いたポリエチレン
テレフタレートフイルム(支持体)上に均一に塗布し、
一昼夜放置することによつて自然乾燥し、約300μの
螢光体層を形成した。このようにして得た放射線像変換
パネルをパネルAとした。一方これとは別に、上記着色
剤を添加しないこと以外は上記と同様にして比較用放射
線像変換パネルを作製し、パネルBとした。
G(ヘキスト製)のメタノール分散液を調整し、この分
散液を上記塗布液にBaFBr:Er螢光体1009V
C.対して着色剤が1W!fとなるように添加した。次
に着色剤を添加した塗布液を水平に置いたポリエチレン
テレフタレートフイルム(支持体)上に均一に塗布し、
一昼夜放置することによつて自然乾燥し、約300μの
螢光体層を形成した。このようにして得た放射線像変換
パネルをパネルAとした。一方これとは別に、上記着色
剤を添加しないこと以外は上記と同様にして比較用放射
線像変換パネルを作製し、パネルBとした。
次に上記パネルAおよびパネルBそれぞれにサンプルか
ら180Cj!離れたところから管電圧80KV,管電
流250mAf)X線を照射した後H8一Neレーザー
光(波長633nm)で走査して励起し、螢光体層から
放射される輝尽発光を受光器(分光感度S−5の光電子
増倍管)で受光して電気信号に変換レこれを画像再生装
置によつて画像として再生して表示装置上K画像を得た
。
ら180Cj!離れたところから管電圧80KV,管電
流250mAf)X線を照射した後H8一Neレーザー
光(波長633nm)で走査して励起し、螢光体層から
放射される輝尽発光を受光器(分光感度S−5の光電子
増倍管)で受光して電気信号に変換レこれを画像再生装
置によつて画像として再生して表示装置上K画像を得た
。
得られたそれぞれの画像の変調伝達関数(MTF)を調
べた。その結果を下記第1表に示す。なおここフで画像
再生装置および表示装置として何を用いるかはパネルA
およびパネルBからそれぞれ得られる画像のMTF値お
よびそれらの値の相対関係には影響しない。
べた。その結果を下記第1表に示す。なおここフで画像
再生装置および表示装置として何を用いるかはパネルA
およびパネルBからそれぞれ得られる画像のMTF値お
よびそれらの値の相対関係には影響しない。
また積分球型の分光光度計で測定したパネルAおよびパ
ネルBの反射スペクトルをそれぞれ第2図曲線aおよび
曲線bに示す。
ネルBの反射スペクトルをそれぞれ第2図曲線aおよび
曲線bに示す。
第2図から明らかなように、パネルAはパネルBに比較
してHe一Neレーザー光の波長(633nm)を著し
く強く吸収するが、一方パネルAf)BaFBr:Eu
2+螢光体の輝尽発光波長領域(第3図)IIC,おけ
る吸収はパネルBのそれとほぼ同じである。このことは
パネルAの感度はパネルBとほぼ同じであり、かつパネ
ルAの鮮鋭度は第1表に示される通りパネルBよりも著
しく向上していることを意味する。実施例 2BaFB
r:Eu2+螢光体1009を有機系青色着色剤キトン
ブル一A(チバガイギ一製)の0.001重量%メタノ
ール分散液100ccを攪拌している中に投入し、約1
0分間攪拌を続けた。
してHe一Neレーザー光の波長(633nm)を著し
く強く吸収するが、一方パネルAf)BaFBr:Eu
2+螢光体の輝尽発光波長領域(第3図)IIC,おけ
る吸収はパネルBのそれとほぼ同じである。このことは
パネルAの感度はパネルBとほぼ同じであり、かつパネ
ルAの鮮鋭度は第1表に示される通りパネルBよりも著
しく向上していることを意味する。実施例 2BaFB
r:Eu2+螢光体1009を有機系青色着色剤キトン
ブル一A(チバガイギ一製)の0.001重量%メタノ
ール分散液100ccを攪拌している中に投入し、約1
0分間攪拌を続けた。
攪拌後粒子が沈むまで放置して上澄み液を捨て、メタノ
ール100ccを加えて再度約10分間攪拌した。この
操作を数回繰り返して上澄み液に色が付かなくなるまで
行つた後上澄み液を捨て〜約80℃に加熱してメタノー
ルを蒸発させた。このようにしてその表面に青色着色剤
が吸着したBaFBr:Eu2+螢光体を得た。次に上
記青色着色剤が吸着したBaFBr:Eu2+螢光体8
重量部とニトロセルロースl重量部とを実施例1と同じ
溶剤を用いて混合し、粘度が50センチストークスの塗
布液を調整した。
ール100ccを加えて再度約10分間攪拌した。この
操作を数回繰り返して上澄み液に色が付かなくなるまで
行つた後上澄み液を捨て〜約80℃に加熱してメタノー
ルを蒸発させた。このようにしてその表面に青色着色剤
が吸着したBaFBr:Eu2+螢光体を得た。次に上
記青色着色剤が吸着したBaFBr:Eu2+螢光体8
重量部とニトロセルロースl重量部とを実施例1と同じ
溶剤を用いて混合し、粘度が50センチストークスの塗
布液を調整した。
この塗布液を水平托置いたポリエチレンテレフタレート
フイルム上に均一に塗布し、一昼夜放置することによつ
て自然乾燥し、約300μの螢光体層を形成した。この
ようにして得た放射線像変換パネルをパネルCとした。
実施例1と同様にして放射線像を変換することによつて
パネルCから得た画像のMTFをパネルBと比較して下
記第1表に示す。
フイルム上に均一に塗布し、一昼夜放置することによつ
て自然乾燥し、約300μの螢光体層を形成した。この
ようにして得た放射線像変換パネルをパネルCとした。
実施例1と同様にして放射線像を変換することによつて
パネルCから得た画像のMTFをパネルBと比較して下
記第1表に示す。
また積分球型の分光光度計で測定したパネルCの反射ス
ペクトルを第2図曲線cに示す。実施例 3 実施例1の有機系青色着色剤ザポンフアストブル一3G
の代りに無機系青色着色剤群骸1900(第一化成製)
を用い、この青色着色剤の添加量をBaFBr:Eu2
+1009に対して2シηとする以外は実施例1と同様
にして放射線像変換パネルを作成し、パネルDとした。
ペクトルを第2図曲線cに示す。実施例 3 実施例1の有機系青色着色剤ザポンフアストブル一3G
の代りに無機系青色着色剤群骸1900(第一化成製)
を用い、この青色着色剤の添加量をBaFBr:Eu2
+1009に対して2シηとする以外は実施例1と同様
にして放射線像変換パネルを作成し、パネルDとした。
実施例 5
実施例1f)BaFBr:Eu2+螢光体の代りにLa
OBr:Ce3+,Tb3+螢光体、有機系青色着色剤
ザポンフアストブル一3Gの代りに無機系青色着色剤群
青魔3000(第一化成製)を用い、青色着色剤の添加
量をLaOBr:Ce3+,T,3+ 螢光体1009
に対して25ηとする以外は実施例1と同様にして放射
線像変換パネルを作製し、バネ密実施例1と同様にして
放射線像を変換することによつてパネルDから得た画像
のMTFをパネルBと比較して下記第1表に示す。
OBr:Ce3+,Tb3+螢光体、有機系青色着色剤
ザポンフアストブル一3Gの代りに無機系青色着色剤群
青魔3000(第一化成製)を用い、青色着色剤の添加
量をLaOBr:Ce3+,T,3+ 螢光体1009
に対して25ηとする以外は実施例1と同様にして放射
線像変換パネルを作製し、バネ密実施例1と同様にして
放射線像を変換することによつてパネルDから得た画像
のMTFをパネルBと比較して下記第1表に示す。
実施例 4
実施例1のBaFBr:Eu2+螢光体の代りに(B8
O.9,MgO.l)FCノ:Ce3+螢光体、有機系
青色着色剤ザポンフアストブル一3Gの代りに無機系青
色着色剤コバルトプル−P(三菱金属製)を用い、青色
着色剤の添加量を(B.O.9.MgO.l)FCノ:
Ce3+螢光体1009に対して50巧とする以外は実
施例1と同様にして放射線像変換パネルを作成し、パネ
ルEとした。
O.9,MgO.l)FCノ:Ce3+螢光体、有機系
青色着色剤ザポンフアストブル一3Gの代りに無機系青
色着色剤コバルトプル−P(三菱金属製)を用い、青色
着色剤の添加量を(B.O.9.MgO.l)FCノ:
Ce3+螢光体1009に対して50巧とする以外は実
施例1と同様にして放射線像変換パネルを作成し、パネ
ルEとした。
一方これとは別に上記青色着色剤を添加しないこと以外
は上記パネルEと同様にして比較用の放射線像変換パネ
ルを作成し、これをパネルEとした。
は上記パネルEと同様にして比較用の放射線像変換パネ
ルを作成し、これをパネルEとした。
実施例1と同様にして放射線像を変換することによつて
上記パネルEおよびパネルFからそれぞれ得た画像MT
Fを下記第2表に示す。
上記パネルEおよびパネルFからそれぞれ得た画像MT
Fを下記第2表に示す。
上記第1表、第2表および第3表から明らかなように・
着色剤によつて着色された本発明の放射線像変換パネル
は、着色剤によつて着色されていない従来の放射線像変
換パネルよりも鮮鋭度が極めて高い画像を与える。
着色剤によつて着色された本発明の放射線像変換パネル
は、着色剤によつて着色されていない従来の放射線像変
換パネルよりも鮮鋭度が極めて高い画像を与える。
実施例 6
BaFBr:Eu2+螢光体(輝尽性螢光体)8重量部
とニトロセルロース(結合剤)l重量部とを溶剤(アセ
トン、酢酸エチルおよび酢酸ブチルの混合液)を用いて
混合し、粘度が50センチストークスの塗布液を調製し
、この塗布液1とした。
とニトロセルロース(結合剤)l重量部とを溶剤(アセ
トン、酢酸エチルおよび酢酸ブチルの混合液)を用いて
混合し、粘度が50センチストークスの塗布液を調製し
、この塗布液1とした。
これとは別に有機系青色着色剤ザポンフアストブル一3
G(ヘキスト製)のメタノール分散液を調整した。この
分散液を上記塗布液1にBaFBr:Eu2+螢光体1
00gに対して着色剤が177?となるように添加して
塗布液2とレ同じく2ηとなるように添加して塗布液3
とした。次に上記塗布液3を水平に置いたポリエチレン
テレフタレートフイルム(支持体)上に均一に塗布し、
乾燥して、約100μの螢光体層を形成した。さらにそ
の上に同様な方法で塗布液2による約100μの螢光体
層および塗布液1による約100μの螢光体層をこの順
に形成した。このようにして得た放射線像変換パネルI
とした。−方、これとは別に、塗布液1による約300
μの螢光体層を同一支持体上に形成したパネルJ1塗布
液2ffC.よる約300μの螢光体層を同一支持体上
に形成したパネルK1塗布液3VCよる約300μの螢
光体層を同一支持体上に形成したパネルLおよび塗布液
1による約100μの螢光体層、塗布液2による約10
0μの螢光体層並びに塗布液3i1C.よる約100μ
の螢光体層をこの順に同一支持体上に形成したパネルM
を作製した。
G(ヘキスト製)のメタノール分散液を調整した。この
分散液を上記塗布液1にBaFBr:Eu2+螢光体1
00gに対して着色剤が177?となるように添加して
塗布液2とレ同じく2ηとなるように添加して塗布液3
とした。次に上記塗布液3を水平に置いたポリエチレン
テレフタレートフイルム(支持体)上に均一に塗布し、
乾燥して、約100μの螢光体層を形成した。さらにそ
の上に同様な方法で塗布液2による約100μの螢光体
層および塗布液1による約100μの螢光体層をこの順
に形成した。このようにして得た放射線像変換パネルI
とした。−方、これとは別に、塗布液1による約300
μの螢光体層を同一支持体上に形成したパネルJ1塗布
液2ffC.よる約300μの螢光体層を同一支持体上
に形成したパネルK1塗布液3VCよる約300μの螢
光体層を同一支持体上に形成したパネルLおよび塗布液
1による約100μの螢光体層、塗布液2による約10
0μの螢光体層並びに塗布液3i1C.よる約100μ
の螢光体層をこの順に同一支持体上に形成したパネルM
を作製した。
なお上記パネルI,J,K,LおよびMについての支持
体側から測定した螢光体層自体のBaFBrEu2+螢
光体の励起光波長領域における平均反射率、および螢光
体層表面側(支持体側とは反対の側)から測定した螢光
体層自体のBaFBr:Eu2+螢光体の励起光波長領
域における平均反射率は以下の通りである。
体側から測定した螢光体層自体のBaFBrEu2+螢
光体の励起光波長領域における平均反射率、および螢光
体層表面側(支持体側とは反対の側)から測定した螢光
体層自体のBaFBr:Eu2+螢光体の励起光波長領
域における平均反射率は以下の通りである。
次に実施例1と同様にして螢光体層表面(螢光体層の支
持体と接する面とは反対側の面)側から励起光を入射さ
せて放射線像を変換することによつてパネルI−Mから
画像を得、それぞれのパネルについて感度と得られた画
像のMTFとの関係を調べた。
持体と接する面とは反対側の面)側から励起光を入射さ
せて放射線像を変換することによつてパネルI−Mから
画像を得、それぞれのパネルについて感度と得られた画
像のMTFとの関係を調べた。
その結果を第4図に示す。第4図から明らかなように、
同一感度のパネルを比較する場合、パネルIのような励
起光入射側からその反対側に向つて着色度が次第に高く
なるように螢光体層が着色されているパネル(パネルI
の場合、励起光入射側表面は着色されていない)は、パ
ネルJ−Lのような螢光体層が均一に着色されているパ
ネル(但しパネルJの螢光体層は着色されていない)お
よびパネルMのような螢光体層の着色度の傾斜がパネル
Iとは逆のパネルよりもMTF値が高い。
同一感度のパネルを比較する場合、パネルIのような励
起光入射側からその反対側に向つて着色度が次第に高く
なるように螢光体層が着色されているパネル(パネルI
の場合、励起光入射側表面は着色されていない)は、パ
ネルJ−Lのような螢光体層が均一に着色されているパ
ネル(但しパネルJの螢光体層は着色されていない)お
よびパネルMのような螢光体層の着色度の傾斜がパネル
Iとは逆のパネルよりもMTF値が高い。
実施例 7
実施例6の有機系青色着色剤ザポンフアストブル一3G
の代りに無機系青色着色剤群骸1900(第一化成製)
を用い、この青色着色剤の実施例6の塗布液1に対する
添加量をBaFBr:Eu2+100gに対して25W
1fとする以外は実施例6と同様にして塗布液4を調整
した。
の代りに無機系青色着色剤群骸1900(第一化成製)
を用い、この青色着色剤の実施例6の塗布液1に対する
添加量をBaFBr:Eu2+100gに対して25W
1fとする以外は実施例6と同様にして塗布液4を調整
した。
次に上記塗布液4を水平に置いた薄いポリエチレンテレ
フタレートフイルム(保護膜)上に均一に塗布し、非常
にゆつくりと乾燥して約300μの螢光体層を形成した
。上記乾燥の間に群青は色浮きを起こして螢光体層表面
(螢光体層の保護膜と接する面とは反対側の面)近くに
多く集まる。得られた螢光体層の表面にポリエチレンテ
レフタレートフイルム(支持体)を接着剤で張付けて放
射線像変換パネルを作製し、パネルNとした。このパネ
ルNの螢光体層は保護膜側から支持体側に向つて着色度
が次第に高くなるように着色されている。一方上記とは
逆に塗布液4を上記ポリエチレンテレフタレートフイル
ム支持体上に均一に塗布し、非常にゆつくりと乾燥して
約300μの螢光体層を形成し、しかる後螢光体層表面
(螢光体層の支持体と接する面とぱ反対側の面)に上記
ポリエチレンテレフタレートフィルム保護膜を接着剤で
張付けて放射線像変換パネルを作製し、パネルOとした
。
フタレートフイルム(保護膜)上に均一に塗布し、非常
にゆつくりと乾燥して約300μの螢光体層を形成した
。上記乾燥の間に群青は色浮きを起こして螢光体層表面
(螢光体層の保護膜と接する面とは反対側の面)近くに
多く集まる。得られた螢光体層の表面にポリエチレンテ
レフタレートフイルム(支持体)を接着剤で張付けて放
射線像変換パネルを作製し、パネルNとした。このパネ
ルNの螢光体層は保護膜側から支持体側に向つて着色度
が次第に高くなるように着色されている。一方上記とは
逆に塗布液4を上記ポリエチレンテレフタレートフイル
ム支持体上に均一に塗布し、非常にゆつくりと乾燥して
約300μの螢光体層を形成し、しかる後螢光体層表面
(螢光体層の支持体と接する面とぱ反対側の面)に上記
ポリエチレンテレフタレートフィルム保護膜を接着剤で
張付けて放射線像変換パネルを作製し、パネルOとした
。
このパネルOの螢光体層は上記パネルNとは逆に支持体
側から保護膜側に向つて着色度が次第に高くなるように
着色されている。なお上記パネルNおよびOについての
支持体側から測定した螢光体自体のBaFBr:Eu2
+螢光体の励起光波長領域における平均反射率、および
螢光体層表面側(支持体側とは反対の側)から測定した
螢光体層自体のBaFBr:Eu2+ 螢光体の励起光
波長領域における平均反射率は以下の通りである。
側から保護膜側に向つて着色度が次第に高くなるように
着色されている。なお上記パネルNおよびOについての
支持体側から測定した螢光体自体のBaFBr:Eu2
+螢光体の励起光波長領域における平均反射率、および
螢光体層表面側(支持体側とは反対の側)から測定した
螢光体層自体のBaFBr:Eu2+ 螢光体の励起光
波長領域における平均反射率は以下の通りである。
実施例1と同様にして保護膜側から励起光を入射)放射
線像を変換することによつてパネルNおよびOから画像
を得、それぞれのパネルについて感度と得られた画像の
MTFとの関係を調べた。
線像を変換することによつてパネルNおよびOから画像
を得、それぞれのパネルについて感度と得られた画像の
MTFとの関係を調べた。
その結果をパネルJ−Lと比較して第5図に示す。第5
図から明らかなように、同一感度のパネルを比較する場
合、パネルNのような励起光入射側からその反対側に向
つて着色度が次第に高くなるように螢光体層が着色され
ているパネルは、パネルJ−Lのような螢光体層が均一
に着色されているパネル(但しパネルJの螢光体層は着
色されていない)およびパネルOのような螢光体層の着
色度の傾斜がパネルNとは逆のパネルよりもMTF値が
高い〇第4図および第5図から明らかなように、励起光
入射側からその反対側に向つて着色度が次第に高くなる
ように螢光体が着色されている本発明の放射線像変換パ
ネルは、同一感度の放射線像変換パネルの比較において
、螢光体層が均一に着色されている本発明の放射線像変
換パネルおよび螢光体層の着色度の傾斜が上記とは逆の
本発明の放射線像変換パネルよりもMTF値が高く、従
つてより高鮮鋭度の画像を与える。
図から明らかなように、同一感度のパネルを比較する場
合、パネルNのような励起光入射側からその反対側に向
つて着色度が次第に高くなるように螢光体層が着色され
ているパネルは、パネルJ−Lのような螢光体層が均一
に着色されているパネル(但しパネルJの螢光体層は着
色されていない)およびパネルOのような螢光体層の着
色度の傾斜がパネルNとは逆のパネルよりもMTF値が
高い〇第4図および第5図から明らかなように、励起光
入射側からその反対側に向つて着色度が次第に高くなる
ように螢光体が着色されている本発明の放射線像変換パ
ネルは、同一感度の放射線像変換パネルの比較において
、螢光体層が均一に着色されている本発明の放射線像変
換パネルおよび螢光体層の着色度の傾斜が上記とは逆の
本発明の放射線像変換パネルよりもMTF値が高く、従
つてより高鮮鋭度の画像を与える。
第1図は本発明の放射線像変換パネルを用いた放射線像
変換方法の概略説明図である。 第2図は本発明の放射線像変換パネル(曲線aおよびc
)および従来の放射線像変換パネル(曲線b)の反射ス
ペクトルを示すグラフである。第3図はBaFBr:E
u2+ 螢光体の輝尽発光スベクトルを示すグラフであ
る。第4図および第5図は螢光体層が励起光入射側から
その反対側に向つて着色度が次第に高くなるように着色
されている本発明の放射線像変換パネル(lおよびN)
が、同一感度の放射線像変換パネルの比較において、螢
光体層が均一に着色されている本発明の放射線像変換パ
ネル(KおよびL)および螢光体層の着色度の傾斜が上
記とは逆の本発明の放射線像変換パネルより(Mおよび
O)高鮮鋭度の画像を与えることを示すグラフである。
11・・・放射線発生装置、12・・・被写体、13・
・・放射線像変換パネル、14・・・光源、15・・・
光電変換装置、16・・・画像再生装置、17・・・画
像表示装置、18・・・フイルタ一。
変換方法の概略説明図である。 第2図は本発明の放射線像変換パネル(曲線aおよびc
)および従来の放射線像変換パネル(曲線b)の反射ス
ペクトルを示すグラフである。第3図はBaFBr:E
u2+ 螢光体の輝尽発光スベクトルを示すグラフであ
る。第4図および第5図は螢光体層が励起光入射側から
その反対側に向つて着色度が次第に高くなるように着色
されている本発明の放射線像変換パネル(lおよびN)
が、同一感度の放射線像変換パネルの比較において、螢
光体層が均一に着色されている本発明の放射線像変換パ
ネル(KおよびL)および螢光体層の着色度の傾斜が上
記とは逆の本発明の放射線像変換パネルより(Mおよび
O)高鮮鋭度の画像を与えることを示すグラフである。
11・・・放射線発生装置、12・・・被写体、13・
・・放射線像変換パネル、14・・・光源、15・・・
光電変換装置、16・・・画像再生装置、17・・・画
像表示装置、18・・・フイルタ一。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 輝尽性螢光体を結合剤中に分散してなる螢光体層を
有する放射線像変換パネルにおいて、該放射線像変換パ
ネルが着色剤によつて該放射線像変換パネルの上記輝尽
性螢光体の励起光波長領域における平均反射率が該放射
線像変換パネルの上記輝尽性螢光体の輝尽発光波長領域
における平均反射率よりも小さくなるように着色されて
いることを特徴とする高鮮鋭度放射線像変換パネル。 2 上記励起光波長領域における上記平均反射率が、上
記着色剤によつて着色されていない同等の放射線像変換
パネルの上記励起光波長領域における平均反射率の95
%以下であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の高鮮鋭度放射線像変換パネル。 3 上記輝尽発光波長領域における上記平均反射率が、
上記着色剤によつて着色されていない同等の放射線像変
換パネルの上記輝尽発光波長領域における平均反射率の
30%以上であることを特徴とする特許請求の範囲第1
項または第2項記載の高鮮鋭度放射線像変換パネル。 4 上記輝尽発光波長領域における上記平均反射率が、
上記着色剤によつて着色されていない同等の放射線像変
換パネルの上記輝尽発光波長領域における平均反射率の
90%以上であることを特徴とする特許請求の範囲第3
項記載の高鮮鋭度放射線像変換パネル。 5 上記放射線像変換パネルが上記螢光体層のみからな
り、該螢光体層が上記着色剤によつて着色されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第4項のいず
れかの項記載の高鮮鋭度放射線像変換パネル。 6 上記放射線像変換パネルが第1の保護膜、上記螢光
体層および第2の保護膜をこの順に積層してなり、この
第1の保護膜、螢光体層および第2の保護膜のうちの少
なくとも1つが上記着色剤によつて着色されていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれ
かの項記載の高鮮鋭度放射線像変換パネル。 7 上記放射線像変換パネルが支持体と、この支持体上
に設けられた上記螢光体層とからなり、この支持体およ
び螢光体層のうちの少なくとも1つが上記着色剤によつ
て着色されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項乃至第4項のいずれかの項記載の高鮮鋭度放射線像変
換パネル。 8 上記放射線像変換パネルが上記支持体、下塗り層お
よび上記螢光体層をこの順および螢光体層のうちの少な
くとも1つが上記着色剤によつて着色剤によつて着色さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第
4項のいずれかの項記載の高鮮鋭度放射線像変換パネル
。 9 上記放射線像変換パネルが上記支持体、上記螢光体
層および保護膜をこの順に積層してなり、この支持体、
螢光体層および保護膜のうちの少なくとも1つが上記着
色剤によつて着色されていることを特徴とする特許請求
の範囲第1項乃至第4項のいずれかの項記載の高鮮鋭度
放射線像変換パネル。 10 上記放射線像変換パネルが上記支持体、上記下塗
り層、上記螢光体層および上記保護膜をこの順に積層し
てなり、この支持体、下塗り層、螢光体層および保護膜
のうちの少なくとも1つが上記着色剤によつて着色され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第4
項のいずれかの項記載の高鮮鋭度放射線像変換パネル。 11 上記放射線像変換パネルが上記支持体、第1の上
記螢光体層、中間層および第2の上記螢光体層をこの順
に積層してなり、少なくとも上記中間層が上記着色剤に
よつて着色されていることを特徴とする特許請求の範囲
第1項乃至第4項のいずれかの項記載の高鮮鋭度放射線
像変換パネル。 12 上記放射線像変換パネルが上記支持体、第1の上
記螢光体層、上記中間層、第2の上記螢光体層および上
記保護膜をこの順に積層してなり、少なくとも上記中間
層が上記着色剤によつて着色されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれかの項記載
の高鮮鋭度放射線像変換パネル。 13 上記放射線像変換パネルが上記支持体、上記下塗
り層、第1の上記螢光体層、上記中間層、第2の上記螢
光体層および上記保護膜をこの順に積層してなり、少な
くとも上記中間層が上記着色剤によつて着色されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第4項のい
ずれかの項記載の高鮮鋭度放射線像変換パネル。 14 少なくとも上記螢光体層が着色剤によつて着色さ
れており、かつ上記螢光体層は上記輝尽性螢光体の励起
光入射側からその反対側に向つて着色度が次第に高くな
るように着色されていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項乃至第4項のいずれかの項記載の高鮮鋭度放射
線像変換パネル。 15 上記励起光入射側とは反対の側から測定した上記
螢光体層自体の上記輝尽性螢光体の上記励起光波長領域
における平均反射率が、上記励起光入射側から測定した
上記螢光体層自体の上記輝尽性螢光体の上記励起光波長
領域における平均反射率の95%以下であることを特徴
とする特許請求の範囲第14項記載の高鮮鋭度放射線像
変換パネル。 16 上記放射線像変換パネルが上記螢光体層のみから
なることを特徴とする特許請求の範囲第14項または第
15項記載の高鮮鋭度放射線像変換パネル。 17 上記放射線像変換パネルが第1の保護膜、上記螢
光体層および第2の保護膜をこの順に積層してなること
を特徴とする特許請求の範囲第14項または第15項記
載の高鮮鋭度放射線像変換パネル。 18 上記放射線像変換パネルが支持体と、この支持体
上に設けられた上記螢光体層からなることを特徴とする
特許請求の範囲第14項または第15項記載の高鮮鋭度
放射線像変換パネル。 19 上記放射線像変換パネルが上記支持体、下塗り層
および上記螢光体層をこの順に積層してなることを特徴
とする特許請求の範囲第14項または第15項記載の高
鮮鋭度放射線像変換パネル。 20 上記放射線像変換パネルが上記支持体、上記螢光
体層および保護膜をこの順に積層してなることを特徴と
する特許請求の範囲第14項または第15項記載の高鮮
鋭度放射線像変換パネル。 21 上記放射線像変換パネルが上記支持体、上記下塗
り層、上記螢光体層および上記保護膜をこの順に積層し
てなることを特徴とする特許請求の範囲第14項または
第15項記載の高鮮鋭度放射線像変換パネル。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54071604A JPS5923400B2 (ja) | 1979-06-07 | 1979-06-07 | 放射線像変換パネル |
| EP80103133A EP0021174B1 (en) | 1979-06-07 | 1980-06-05 | Radiation image storage panel |
| DE8080103133T DE3068099D1 (en) | 1979-06-07 | 1980-06-05 | Radiation image storage panel |
| US06/156,520 US4394581A (en) | 1979-06-07 | 1980-06-05 | Radiation image storage panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54071604A JPS5923400B2 (ja) | 1979-06-07 | 1979-06-07 | 放射線像変換パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55163500A JPS55163500A (en) | 1980-12-19 |
| JPS5923400B2 true JPS5923400B2 (ja) | 1984-06-01 |
Family
ID=13465418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54071604A Expired JPS5923400B2 (ja) | 1979-06-07 | 1979-06-07 | 放射線像変換パネル |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4394581A (ja) |
| EP (1) | EP0021174B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5923400B2 (ja) |
| DE (1) | DE3068099D1 (ja) |
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