JPS6165200A - 放射線画像変換パネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、されに詳しくは鮮鋭性の高い放射線
画像を与える放射線画像変換パネルに関するものである
。

（従来技術） Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。このＸ線画像を得るために、被写体を透
過したＸ線を螢光体層に照射しこれにより可視光を生じ
させてこの可視光を通常の写真をとるときと同じ−よう
に銀塩を使用したフィルムに照射して現像した、いわゆ
る放射線写真が利用されている。しかし、近年、銀塩を
塗布したフィルムを使用しないで螢光体層から直接画像
を取υ出す方法が工夫されるようになった。

この方法としては被写体を透過した放射線を螢光体に吸
収せしめ、しかる後この螢光体をψトえは光又は熱エネ
ルギーで励起することによりこの螢光体が上記吸収によ
り蓄積している放射線工洋ルギーを螢光として放射せし
め、との螢光を検出して画像化する方法がある。具体的
には、例えば米国特許３．８５９．５２７号及び特開昭
５５−１２１４４妥にけ輝尽性螢光体を用い可視光線又
は赤外紳を励起光とした放射線画像変換方法が示されて
いる。この方法は支持体上に輝尽性螢光体層を形成した
放射線画像変換パネルを使用するもので、この放射線両
像変換パネルの輝尽性螢光体層に被写体を透過した放射
線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応する放射線
エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しかる後にこの
輝尽性螢光体層を輝尽励起光で短資することによって各
部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを光
に変換し、この光の強弱による光信号により画像を得る
ものである。この最終的な画像はハードコピーとして再
生しても良いし、ＯＲ，Ｔ上に再生しても良い。

ところで従来の放射線写真法における画像の鮮鋭性が増
感紙中の螢光体の瞬間発光（放射線照射時の発光）の広
がりによって決定されるのは周知の辿すである。これに
対し、上述の輝尽性螢光体を利用した放射線画像変換方
法における画像の鮮鋭性は放射線画像変換パネル中の輝
尽性螢光体の輝尽発光の広がりによって決定されるので
はなく、すなわち放射線写真法におけるように螢光体の
発光の広がりによって決定されるのではなり、輝尽励起
光の該パネル内での広がりに依存して決まる。

なぜ々らばこの放射線画像変換方法においては、放射線
画像変換パネルに蓄積された放射線画像情報は時系列化
されて取り出されるので、ある時間（ｔ　ｉ）に照射さ
れた輝尽励起光による輝尽発光は望１しくは全て採光さ
れてその時間に輝尽励起光が照射されていた該パネル上
のある画素（ｘｉ、ｙｉ）からの出力として記録される
が、もし輝尽榊幌、ｂｓ該パネル内で散乱等により広が
り、照射画素（ｘｉ。

ｙｉ）の外ｊｊｌｌｉに存在する輝尽性螢光体をも励起
してしまうと、上記（ｘ　’　＋　ｙ　’　）なる画素
からの出力としてその画素よりも広い領域からの出力が
記録されてしまうからである。従って、ある時間（ｔｉ
）に照射された輝尽励起光による輝尽発光が、その時間
（ｔｌ）に輝尽励起光が真に照射されていた該パネル上
の画素（ｘｉ、ｙｉ）からの発光のみであれば、その発
光がいかなる広がりを持つものであろうと得られる画像
の鮮鋭性には影響がないのである。

上述の放射線画像変換方法に用いられる放射線画像変換
パネルは、少くとも輝尽性螢光体からなる輝尽性螢光体
層を有するものである。輝尽性螢光体層は一般には適当
な支持体上に設けられるが、輝尽性螢光体層が自己形態
保持性がある場合は輝尽性螢光体層自体が放射線画像変
換パネルとなり得る。さらに通常は輝尽性螢光体層が支
持体と接面する面とは反対側の輝尽性螢光体層表面に、
輝尽性螢光体層を物理的あるいは化学的に保護するため
の保裏層が設けられる。このような従来の放射線−１イ
象変捗パネルにおいては、輝尽励起光の散乱等により輝
尽性螢光体層中での輝尽励起光の平均自由行程は長くな
り、このため輝尽性螢光体層中で６尽励起光が比較的大
きく広がってしまい、鮮鋭性が著しく劣化する欠点を有
しており、その改良が強く望プれている。

放射線画像変換パネルの鮮鋭性を改良する方法としては
、特開昭５５−１４６４４７号記似の放射俳画像変換パ
ネルの１６尽性螢光体層中に白色粉体を混入する方法、
特開昭５５−１６３５００号記載の放射線画像変換バス
・ルをん１尽性螢光体の１ｉ４ｉε尽励起波長領域にお
ける平均反射率が前記輝尽性螢光体の輝尽発光波長領域
における平均反射率よりも小さくなるように着色する方
法等が知られている。しかし、これらの方法は鮮鋭性を
改良すると必然的に感度が著しく低下してしまい、好ま
しい方法とは言えない。

（発明の目的） 本発明は輝尽性螢光体を用いた放射線画像変換パネルに
おける上述のような欠点に鑑みてなされたものであり、
本発明の目的は感度を低下させることなく、鮮鋭性の高
い放射線画像を与える放射線画像変換パネルを提供する
ことにある。

また前記目的に並んでの本発明の目的は、前記目的を満
足する放射線ｌＩ川用変換パネルの製造方法を提供する
ことにある。

（発明の構成） 前記本′４明の目的は、輝尽性螢光体を結着剤に分散し
てなる賢１Ｌ尽性螢光体層を有する放射線面］伸変換パ
ネルに於て、前記輝尽性螢光体の粒子が、該ｈＶＪＪｔ
線１ｌＩＩＩ保変換パネル面（て面角な方向に粒子径に
ｆ４ｉ　Ｌで分布配列を有することを特徴とする放射線
画イ！（ミ変俟パネル及び該パネル面に直角に粒子径に
関して分布配列を与えて輝尽性螢光体層を形成する製造
方法によって達成される。

本発明において輝尽性螢光体とは、最初の光もしぐは高
エネルギー放射線が照射された後に、元帥、熱的、機械
的、化学的または電気的等の刺激により、最初の光もし
くは高エネルギー放射線の照射量に対応した光を再発光
せしめる螢光体をいう。ここで光とは電磁放射線のうち
可視光、紫外光、赤外光を含み、高エネルギー放射線と
はＸ、ｌ、ガフ１Ｍ、ベータ線、アルファ線、中性子線
等を含む。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の放射線画像変換パネルに用いられる輝尽性螢光
体としては、例えば特開昭４８−８０４８７　　号に記
載されているＢａＳＯ４：Ａｘ　（但しＡばＤｙ、’ｒ
ｂ及びＴｍのうち少なくとも１種であり、Ｘは０．００
１≦ｘ（１モルチである。）で表わされる螢光体、特開
昭４８−８０４８８号記載のＭｇ　ＳＯ２：　Ａｘ　（
但しＡはＨｏ或いハＤｙのうちいずれかであり、０．０
０１≦Ｘ≦１モル係である）で表わされる螢光体、特開
昭４８−８　Ｔ１４８９号に記載されているＳｒＳＯ４
：ＡＸ（但しＡば］）ｙ　、　Ｔｈ及びＴｍのうち少な
くとも１槙あり、Ｘば０．００１≦ｘ（１モルチである
。）で表わされている螢光体、特開昭５１−２９８８９
号に記載されているＮａＳＯ４、ＣａＳＯ４及びＢａＳ
Ｏ４等にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂのうち少なくとも１種を添
加した螢光体、特開昭５２−３０４８７号に記載されて
いるＢｅＯ、Ｌ　ｉ　Ｆ　、　ＭｇＳＯ４及びＣａ　Ｆ
２等の螢光体、特開昭５３−３９２７７号に記載されて
いるＬ　ｉ　２Ｂ４０７　：　Ｃｕ　、　Ａｇ等の螢光
体、特開昭５４−４７８８３号に記載されているＬ＋２
０・（Ｂ２０２　）　Ｘ：　Ｃｕ　（但しＸは２　＜　
ｘ≦３）、及びＬｉ２ｏ　”　（Ｂ２０２）Ｘ　：Ｏｕ
　、　Ａｇ（但しＸは２　＜　ｘ≦３）等の螢光体、米
国特許３．８５９．５２７号に記載されているＳ　ｒ　
Ｓ　：　Ｃｅ　＋　Ｓｍ　＋　Ｓｒ　Ｓ　；Ｅｕ　、　
Ｓｍ　、　Ｌａ２０２８　：　Ｅｕ　、　Ｓｍ及び（Ｚ
ｎ　、　ｃｃｉ　）ｓ　：Ｍｎ　。

Ｘ（但しＸＨハロゲン）で表わされる螢光体が挙げられ
る。また、特開昭５５−１２１４２号に記載されている
ＺｎＳ　：　Ｏｕ　、　Ｐｂ螢光体、一般式がＢａ０−
ｘＡｌ２Ｏ３：ＥＬＩ（但し０．８≦Ｘ≦１０）で表わ
されるアルミン酸バリウム螢光体、及び一般式がＭ’Ｏ
・ｘｓｉｏ□二Ａ（但しＭ’はＭｇ、　Ｓｒ、　Ｚｎ、
　ｃｄ又はＢａでありＡはＣｅ、　Ｔｂ、Ｅｕ、　Ｔｍ
、　Ｐｂ、　ＴＡ！、　Ｂｉ及び鳩のうち少なくとも１
種であり、ＸはＯ６５≦Ｘ≦２．５である。）で表わさ
れるアルカリ土類金属珪酸塩系螢光体が挙げられる。ま
た、一般式が （Ｂａ　　　　Ｍｇ　Ｃａ　　）ＦＸ：ｅＥｕ”１−Ｘ
−／　　　　Ｘ　　　Ｙ （但しＸはＢｒ及びＣ１の中の少なくとも１つであり、
ｘ、ｙ及びｅはそれぞれ０　（ｘ　＋　ｙ≦０６、ｘｙ
≠物螢物体光体開昭５５−１２１４４号に記載されてい
る一般式が Ｔ、ｎＯＸ　：　ｘＡ （但しＬｎばＬａ、　Ｙ、　Ｇｄ及びＬｔ＋の少なくと
も１つを、ＸはＣＩ及び／又はＢｒを、ＡはＣｅ及び／
又けＴｂを、ｘ　？ｉｒ＋＜ｘ＜０．１を満足する数を
表わす。）で表わされる螢光体、特シ１１昭５５−１２
１４５号に記載されている一般式が （Ｂａｘ−ｘＭ’ｘ　）ＦＸ　：　ｙＡ（但しＭｌは、
Ｍｇ、　Ｏａ、　Ｓｒ、　Ｚｎ及びｃｄ）うちの少なく
とも１つを、ｘｕｃｌ、　Ｂｒ及び工のうちの少なくと
も１つを、ＡはＥｕ、　Ｔｂ、　Ｏｅ、　Ｔｍ、　Ｄｙ
。

Ｒ，ｒ、　Ｈｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ及びＥｒのうちの少な
くとも１つを、Ｘ及びｙはＯ≦Ｘ≦０．６及び０≦ｙ≦
０．２なる条件を満たす数を表わす。）で表わされる螢
光体、特開昭５５−８４３８９号に記載されている一般
式がＢｅＦＸ：　ｘｏｅ、　ｙＡ　（但し、ＸけＣＪ、
Ｂｒ及びＩのうちの少なくとも１つ、ＡはＩｎ、　Ｔｌ
、　Ｇｄ、　Ｓｍ及びＺｒのうちの少なくとも１つであ
り、Ｘ及びｙはそれぞれＯ＜　ｘ≦２Ｘ］Ｏ−’及びＯ
＜　ｙ≦５Ｘ１０−２である。）で表わされる螢光体、
特開昭５５−１６００７８号に記載されている一般式が
？ｖｌ’ＦＸ−ｘＡ　：　ｙＬｎ （但しＭはＭｇ、　Ｏａ、　Ｓｒ、　Ｚｎ及びＣｄのう
ちの少なくとも１種、ＡはＢｅｄ、　ＭｇＯ，Ｃ！ａＯ
，ＳｒＯ，Ｂａｄ、　ＺｎＯ。

Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２（Ｊ３．　Ｌａ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，
５ｉ０２．　ＴｉＯ２，ＺｒＯ２゜ＧｅＯ２、５ｎ０２
　、　Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２０５及びＴｈＯ２のうちの少
なくとも１種、ＬｎばＥｕ、　Ｔｂ、　Ｃｅ、　Ｔｍ、
　Ｄｙ、　Ｐｒ。

Ｆ（ｏ、　Ｎｄ、　Ｙｂ、　Ｅｒ、　Ｓｒｎ及びＧｄの
うちの少なくとも１倶であジ、Ｘ及びｙはそれぞれ５　
Ｘ　１０−５≦Ｘ≦０．５及びｏ＜ｙ≦０．２なる条件
を満たす数である。）で表わをれる希土類元素付活２価
金属フルオロハライド螢九体、一般式がＺｎＳ　：Ａ、
　ＣｄＳ　：Ａ、　（Ｚｎ、Ｃｄ）８　：　Ａ、　Ｚｎ
Ｓ　：Ａ、　Ｘ及びＣｄ８：Ａ、Ｘ（但しＡはＯｕ。

Ａｇ、　Ａｕ又ハＭｎであり、Ｘはハロゲンである。）
で表わさねる螢光体、特開Ｂ＠　５７−１４８２８５号
に記載されている一般式（１）又は（Ｉｔ）、一般式（
Ｉ：］　　　ｘＭ３（ＰＯ４）２　争ＮＸ２：　ｙＡ一
般式（ＩＩ：ｌ　　Ｍ　３（Ｐ　Ｏ４）２・ｙＡ（式中
、Ｍ及びＮはそれぞれＭｇ、　Ｃａ、　Ｓｒ、　Ｂａ。

Ｚｎ及びＣｄのうち少なくとも１種、ＸはＦｌ（Ｊ。

Ｂｒ及び■のうち少なくとも１種、ＡはＥｕ、Ｔｂ。

Ｃｅ、　Ｔｍ、　Ｄｙ、　Ｐｒ、　Ｈａ、　Ｎｄ、　Ｙ
ｂ、　Ｅｒ、　Ｓｂ、　Ｔｄ、　Ｍｎ及びＳｎのうち少
なくとも１糧金表わす。また、Ｘ及びｙは０　（ｘ≦６
，０≦ｙ≦１なる条件を満たす数である。）で表わされ
る螢光体、及び一般式（Ｉｆｆ）又な〔１■〕 一般式（Ｉｆｆ）　　ｎＲｅＸ３　・ｍＡＸ’２　：　
ｘＥｕ一般式（ＩＶ）　　ｎＲｅＸ３　・ｍＡＸ’２　
：　ｘＥｕ　、　ｙｓｍ（式中、几ｅばＬａ、　Ｇｄ、
　Ｙ、　Ｌｕのうち少なくとも１種、Ａはアルカリ土類
金属、Ｈａ、　Ｓｒ、　Ｃａのうち少なくとも１種、Ｘ
及びＸ′はＦ、　’Ｏ１，Ｂｒのうち少なくとも１種を
表わす。また、Ｘ及びｙは、■×ＩＯ−”（ｘ（３Ｘ　
１０　’、ｔ　ｘ　１ｏ−’＜　ｙ　＜　１　ｘ　１０
−’なる条件を満たす数であり、ｎ７ｍは］　Ｘ　１Ｏ
−３（ｎ／１ｎ（７Ｘ　１０−１なる条件を満たす。）
で表わされる螢光体等が鈷けられる。しかし、本発明の
放射線画像変換バ坏ルに用いられる輝尽９：、螢光体は
、前述の螢光体に限られるものではなく、放射線を照射
した後輝Ｅ励起光を照射した場合に輝尽発光を示す螢光
体であればいかなる螢光体であってもよい。

使用する輝尽性螢光体の平均粒子径は放射線画像変換パ
ネルの感度と粒状性を考慮して平均籾子伊Ｏ１乃至１０
０μｍの範囲に於て適宜選択される。

さらに好ましくは平均粒径が０．５乃至４０μｍのもの
が使用される。

本発明の放射組画像変換パネルは前述の輝尽性螢光体の
少くと４１種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽性蛍
光体層から成る輝尽性螢光体ｌｉ？ｉ群であってもよい
。それぞれの輝尽性螢光体層に金棒れる鯨尽性イＱ光体
は［０１−であってもよいし異っていてもよい。

前記輝尽性螢光体層は、輝尽性螢光体を適当な結着剤田
〈分散して塗布液を調製し、層厚方向に螢光体粒子の所
定の粒子大きさ分布配列となるように塗布して作成され
る。

次に、前記粒子大きさ分布配列を層厚方向に有する輝尽
性螢光体層を構成する本発明のパネルの製造方法につい
て説明する。第１の方法として沈降法がある。該方法に
於てはまず、保護層を別途形成し７に平に分く。

次に、この保護層上に粘度及び比重を選定した適当な結
着剤中に分散した輝尽性螢光体を塗布する。輝尽性螢光
体層の乾燥は一定温度で十分時間をつ・けて行ない、輝
尽性螢光体粒子を沈降分離てせる。輝尽性螢光体層中の
輝尽性螢光体粒子はストークスの法則に従い、大粒子が
下部（別途形成しておいた保護層側）に沈降し分離され
る。乾燥後、支持体を接着することによって本発明のパ
ネルが製造される。尚支持体上に螢光体分散液を塗布し
保設層を接着する手段をとってもよい。

捷た、他の製造方法としては、輝尽性螢光体を水篩等の
螢光体分離方法によってめらかじぬ粒子径釦関して２〜
５柱類程度に分離し、それぞれの輝尽性螢光体を適当な
結着剤中に分散した後、保砂層上に、所定粒子径の粒子
の分散液を選び所定分布配列を与える大きさの輝尽性螢
光体から順に塗布及び乾燥をくり返し、最終の分散液を
塗布乾燥後支持体を接着することにより製造される。向
保裏腿と支持体の使用手順を逆にしてもよい。

尚、輝尽性螢光体層に於るＩ？ｌ厚方向の輝尽性螢光体
粒子の大小順の分布配列は保護層から支揚体へ同って直
線的、凸曲線的、凹曲線的或は階段状に逓増廿たは値域
の分布配列を与えることができる０ また分布配列には二次曲線的配列を与えることもでき、
また前記の各種分布配列を組合せた配クリとすることも
できる。第１図に、本発明の放射線画像変換パネルにお
ける輝尽性螢光体粒子径の層厚方向の分布配列における
いくつかの実施態様例を示したが、本発明はこれに限定
されることはない０ 尚、前記螢光体粒子の粒子大きさ分布配列は、輝尽励起
光入射側に大粒子が配列された分布配列の方が感度の面
から好しい。

本発明に用いられる結着剤としとは、例λはゼラチンの
如きタンパク質、デキストランの如きポリサッカライド
またはアラビアゴム、ポリビニルブチラール、ポリ酢酸
ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロース、塩化ビ
ニリデン−塩化ビニルコポリマー、ポリメチルメタクリ
レート、塩化ビニル−酢酸ビニルコポリマー、ポリウレ
タン、セルロースアセデートブチレート、ポリビニルア
ルコール等のような通常層構成に用いられる結着剤が使
用される。一般に結着剤は輝尽性螢光体１重を部に対し
て０．０１乃至１重量部の範囲で１史用される。しη・
しながら得られる放射線画像変換パネルの感度と鮮鋭性
の点では結着剤は少ない方が好１しく、塗布の容易さと
の兼合いから０．０３乃至０２重量部の範囲がより好ま
しい。

本発明の放射純画像変換パネルの輝尽性螢光体！ｑ石の
模写は目的とする放射線画像変換パネルの特性、輝尽性
螢光体の種類、結着剤と輝尽性螢光体との混合比等（（
よって異なるが、１０μｍ〜１０００μｍの範囲から選
ばれるのが好ましく、１０μｍ〜５００μｍの範囲から
ｆばｎるのがより好ましい。

尚、本発明の放射線画像変換パネルの鮭鋭性向上を目的
として、特開昭５５−１４６４４７号に開示てれている
ように放射ｔｉｌｌＩＬｌｉ像変換パネルの輝尽性螢光
体ＩＪＪ中に白色粉末を分散させてもよいし、特開昭５
５−１６３５００号に開示されているように放射線画像
変換パネルの輝尽性螢光体層もしくは入射する輝尽励起
光に対して螢光体層底面にある支持体もしくは保護Ｊ＠
に輝尽励起光を吸収するような着色剤で着色してもよい
。

本発明の放射線画像変換パネルにおいて用いられる支持
体としては各種高分子材料、ガラス等が用いられるが、
特に情報記録材料としての取扱い上可撓性のあるシート
あるいはロールに加工できるものが好適であり、この点
から例えはセルロースアセテートフィルム、ポリエステ
ルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポ
リアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテー
トフィルム、ポリカーボネイトフィルム等のプシスチノ
クフイルム等が特に好ましい。これら支持体は、輝尽性
螢光体層との接着性を向上させる目的でレバ性螢光体層
が設けられる面に下引層を設けてもよい。また、これら
支持体の膜厚は用いる支持体の材質等によって異なるが
、一般的には８０μｍ〜１（１００μｍであり、取扱い
上の点からさらに好ましくは８０μｍ〜５００μｍであ
る。

本発明の放射純画像変換パネルにおいては、一般的に前
記輝尽性螢光体層の支持体が設けられる面とは反対側の
面に、輝尽性螢光体層を物理的にあるいは化学的に保護
するための保護層が設けられる。この保護層は、保護層
用塗布液をｎｉ尽性螢光体層上に直接塗布して形成して
もよいし、あるいはあらかじめ別途形成した保護層を輝
尽性螢光体層上に接着してもよい。保護層の材料として
は酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタ
クリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマ
ール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナイ
ロン等の通常の保護層用材料が用いられる。これら保護
層の膜厚は一般には１μｍ〜４０μｍ程度が好ましい。

尚本発明に於て輝尽性螢光体分散液が造膜性で、該造膜
された被膜が充分に剛性を有する場合には、前記した支
持体及び７寸たは保護層は必要でない場合がある。

本発明の放射線画像変換パネルは第２図に概略的に示さ
れた放射線画像変換方法に用いられた場合、廃れた鮮鋭
性と感度を与える。すなわち、興２図において、２１は
放射線発生装置、２２は佼写体、２３は本発明の放射線
ＯＤｊ像変換パネル、２４は輝尽励起光源、２５は該放
射線画像変換パネルより放射された輝尽螢光を検出する
光電変換装置、２６！４２５で検出された信号を画像と
して再生する装置、２７は再生された画像を表示する装
置、２８は輝尽励起と輝尽螢光とを分離し、輝尽螢光の
みを透過させるフィルターである。尚２５以降け２３か
らの光情報を何らかの形で画像として再生できるもので
あればよく、上記に限定されるものではない。

第２図に示されるように、放射線発生装置２１からの放
射線は被写体２２全通して本発明の放射線画像変換パネ
ル２３に入射する。。この入射した放射線は放射線画像
変換パネル２３の輝尽性螢光体層に吸収され、そのエネ
ルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成される
。次にこの蓄積像を輝尽起光源２４からの輝尽励起光で
励起して輝尽発光として放出せしめる。本発明の放射線
画像変換パネル２３は、その輝尽性螢光体層の層厚方向
に２ける粒子径分布配列に規則性があるために、上記輝
尽励起光による走査の際に、輝尽励起光が輝尽性螢光体
層中で拡散するのが抑制される。

放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置２５で光電変換し、画像再生装置２６
によって画像として再生し画像表示装置２７によって表
示することにより、被写体の放射線透過像を観察するこ
とができる。

（発明の効果） ■　ｇ尽性螢光体層の輝尽性螢光体粒子の配列に規則性
が増すため、輝尽性螢光体層に入射した旌尽励起光の平
均自由行程が短くなり、輝尽励起光の拡りがよく制され
、放射線画像の鮮鋭性が著しく向上する。

■　輝尽性螢光体層表面に放射線に対する感度の高い大
粒子の輝尽性螢光体が配列するため放射線画像変換パネ
ルの放射線に対する感層が向上する。

■　烏尽性螢元体層の大粒子が配列した面とけ逆の面に
配列した小粒子の輝尽性螢光体がが反射層として働くた
め放射線画像変換パネルの放射線に対する感度がより向
上する。

（実施例） 次に実施例で本発明を説明する。

実施例１ 平均粒子径１０μｍ、分散５　μｍのＢａＦＢｒ　：　
Ｅｕ輝尽性螢光体８重量部とポリビニルブチラール樹脂
１重量部とを溶剤（シクロヘキサノン）８重量部を用い
て混合、分散し、輝尽性螢光体層用塗布液を稠整した。

次に水平に置かれた定盤上に、別途形成した厚さ５μｍ
のポリエチレンフィルムを保護層として置さ、該保護層
の四周縁に前記塗布液の流、れ止め用のわくを設けた。

前記塗布液を保穫層上に流延し、２５°Ｃで一昼夜放背
することによって輝尽性螢光体粒子を沈降分離させ）、
事尽性螢光体層を形成した。その後、前記）・・尽性螢
光体ＦＴＭをさらに乾燥させ、その上に支持体として厚
さ２００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを
接着させて本発明の放射線画像変換パネルＡ　ヲ？？）
だ。

本発明の放射線画像変換パネルＡの輝尽性螢光体層の膜
厚は２８０μｍであり、また輝尽性輝尽性螢光体層断面
の粒子径分布配列は第１図（ｈ）に示す様であり保護層
側に大粒子、支持体側に小粒子が配列していた。

次に、このようにして得られた本発明の放射線画像変換
パネルＡに管雷、圧８０　ｋＶｐのＸ線を１０ｍＲ照射
した後、Ｈｅ　−Ｎｅレーザ光（６３３朋）で保護層側
から走査して輝尽励起し、輝尽性螢光体層から放射され
る輝尽発光を光検出器（光電子増倍管）で光電変換し、
これを画像再生装置によって画像として再生して表示装
置上に画像を得た。得られた画像の変調伝達関数（ＭＴ
Ｆ）を調べその結果を第１表に示す。

実施例２ 実施例１において平均粒子径１０μｍ１分散５μｍのＢ
ａＦＢｒ　：　Ｅｕ　輝尽性螢光体の代わりに平均粒子
径１６ｔｔｍ、分散７μｍのＢａＦＢｒ　：　Ｅｕ輝尽
性螢光体を用いた以外は実施例１と同様にして本発明の
放射ｐ１１曲像変換パ坏ルＢ　４（（４Ｌ　ｆｃ。

本発明の放射線画ｒ象変換パネルＢの９尽性螢光体１°
りの膜厚および輝尽性螢光体層断面の粒子径分布配列］
の様子は実施例１と同様であった。

このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｂを用いて、実施例１と同様にしてＭ’ｌ’Ｆを−ベた
。その結果を第１表に示す。また、実施例１の本発明の
放射線画像変換パネルＡの感度を１００とした場合の相
対感度を求めた。結果を第１表に併記する。

実施例３ 実施例１において平均粒子径１０μｎ〕、分散５μｍの
ＢａＦＢｒ：　ｇｕ　Ｉｆｉ尽性螢光体の代わりに平均
粒子径３２μｍ、分散ＩＯμｍのＢａＦＢｒ：　Ｅｕ輝
尽性螢光体を用いた以外は実施例１と同様にして本発明
の放射線画像変換パネルＣを得／ヒ。

不発明の放射線画像変換パネルＣの輝尽性螢光体層の膜
厚および輝尽性螢光体層断面の粒子径分布配列の様子は
実施例１と同様であった。

このようにして得られた本発明の放射線画像変換″ネル
Ｃを用いて実施例１と同様にしてＭＴＦを調べた。結果
を第１表に示す。また、実施例１の放射２Ｗ画像変撲パ
ネルＡの感度を１００とした場合の相対感度を求めた。

結果を第１表に併記する。

実施例４ 実施例１において、平均粒子径１０μｍ１分散５μｎ〕
のＢａＦＢｒ　：　Ｅｕ輝尽性螢光体８重量部の代わり
に平均粒子径１２μｍ、分散２．５μｍのＢａＦＢｒ　
：　Ｅｕ輝尽性螢光体２重量部、平均粒子径８μｍ１　
　分散２．５μｍのＢａＦｏ、ｇ５　Ｂｒ１，０５　：
　Ｅｕ輝輝尽性螢光体２景景、平均粒子径４μｍ１分済
２．０　μｍ　ＬｖＢａＦＢ’ｒ＃尽性螢光体２重量部
および平均粒子径１μｍ１　分散０．５μｍのＢａＦＢ
ｒ　：　Ｅｕ輝輝尽性螢光体２債債をよく混合して用い
た以外は実施例１と同様にして本発明の放射線画像変換
パネルＤを得た。

不発明の放射純画像変換パネルＤの輝尽性螢光体層の膜
厚は実施例１と同様であり、輝尽性螢光体に４断面の粒
子径分布配列は第１図（ａ）の様であった。

このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｄを用いて、実施例１と同様にしてＭ　Ｔ　Ｆを調べだ
。その結果を第１表に示す。また実施例１の放射線画像
変換パネルＡの感度を１００とした場合の相対Ｄ！！度
を求めた。結果を第１表に併記する。

実施例５ 平均粒子径１１μｍ、分散１．５μｍのＢａＦＢｒ　：
　Ｅｕｌ１３尽性螢光体性螢光部とポリビニルブチラー
ル樹脂１月ｒ量部とを溶剤（シクロヘキサノン）５屯妬
部を用いて混合、分散し、輝尽性螢光体層用塗布液（至
）を調整した。同様にして平均粒子径７μｍ１分散１，
５μｍのＢａＦＢｒ　：　Ｅｕシ尽性螢光体、平均粒子
径４１ｔｍ、分散１．０μｍのｆ３ａｐ１．０５Ｔ３ｒ
ｏ、９５　：　Ｅｕ　ｊｉ’ｉｉ尽性螢光体性螢光体子
径１μｍ１分散０５μｍのＢａＦＢｒ：Ｅｕ［尽性螢光
体を用いて、それぞれ塗布液（イ）、（つ）、に）を調
整した。

次に、これらの塗布漱全、実施例１と同様に置かれ７！
：保応Ｅ’を上に実左１１例１と同様にして（７）、（
イ）、（つ）、に）の１ｔｊｉに１層づつ塗布、乾燥を
くり返し、４層から成るたコ尽性螢光体層を形成１７た
。これに笑Ｔ例１と同様にして支持体を設けて、本発明
の放射線画像変換パネルＥを得た。

このようにして得られた本発明の放射線画像変換パネル
Ｅの各層の厚みおよび構成は次のようである。

保　護　７０　　（ポリエチレン）　　　　　　　５μ
ｍ第１の輝尽性螢光体層（平均粒子径１１μｍ）　　７
０　　ｚ弓　　　　　　（１７）７０１ ＃３　　　　　　　　　（ｆ４）７０＃１４　　　　　
　　　　（＃１）７０＃支　持　体　（ポリエチレンテ
レフタレート）２００＃イ！千られた本発明の放射線画
像変換パネルＥを用いて実施例１と同様にしてへ・Ｉ　
Ｔ　Ｐを調べた。その結果を第１表に示す。また実施例
１の放射線画像変換パネルＡの感度を１００とした場合
の相対感度を求めた。結果を第１表に併記する。

実施例６ 実施例５において塗布液を塗布するＩ’ｆｈＳ　Ｆ＋を
（イ）、（７）、（つ）、に）と１し２、乾燥後の各層
の厚みを次のようにした以外は￥雄側５と同様にして本
発明の放射線ａ１・１像夏換パネルＦを侵た。

保イさ　、ｌＩＳ？（ホリエテレン）　　　　　　　　
５μｍη第１のメｄ尽性螢光体層（平均粒子径７）１ｍ
）３ｏ＃〃゛２　　　　〃　　　　（Ｉ　　１１　）　
　７ｏ　ｌ〃３　　　　　　　　　（ｓ　　　４　　　
）　　　９０＃’４　　　　　　　　　（１１）９０７
Ｙ　　ＩＭ　　体　（ポリエチレンテレフタレート）２
００Ｉ得られた本発明の放射線画像変換パネルＦを用い
て実施例１と同様にしてＭＴＦを調べた。その結果を第
１表に示す。また、実施例１の放射線画像変換パネルＡ
の感度を１００とした場合の相対感度を釆めた。結果を
第１表に併記する。

比較例１ 平均粒子径１０μｍ１分散５μｍのＢａＦＢｒ　：　Ｅ
ｕ輝尽性螢光体８重量部とポリビニルブチラール樹脂１
９：金部とを溶剤（シクロヘキサノン）４重量部を用い
て混合、分散し、輝尽性螢光体層用塗布数を調整した。

次に水平に保たれた厚で５μｍの保護層としてのポリエ
チレンフィルム上に前記塗布液をバーコークによって塗
布し、４０′ｃで急速乾燥して輝尽性螢光体１・ηを形
成した。その後、前記輝尽性螢光体層上に支持体として
２００μｎ】のポリエチレンテレフタレートフィルムを
接着させ比較の放射線画像変１１仝パネルＰを得た。

比較の放射線画像変換パネルＰの輝尽性螢光体層の膜厚
ば２８０μｎ】であり、また邦尽性螢光体層断面の粒子
径分布はランダムであり規則性は見られなかった。

仄にこのようにして得られた比較の放射線画像変換パネ
ルＰは、実施例１と同様にしてＭＴＦ’を調べた。その
結果を第１表に示す。また実施例１の放射線画像変換パ
ネルＡとの相対感ｐ１を求め、第１表に併記する。

比較例２ 比較例１において平均粒子径１０μｍ１分散５μｍのＢ
ａＦＢｒ　　Ｅｕ　’ｆ４尽性帯性螢光体いる代わりに
平均粒子径１６μｍ、分散７　μｍ　ＣＯＢａＦＢｒ　
：　Ｅｕ　ｆＪＫ尽性螢元体を用いた以外は比較列Ｉと
同様にして比較の放射線画像変換パネルＱを得た。

比較の放射線画像変換パネルＱの飄尽性螢元体層の膜厚
は２８０μｍであり、また、郁尽性螢光体層断面の粒子
径分布はランダムであり規則性は見られなかった。

次にこのようにして得られた比較の放射縁ｌｌｉ！！７
像変換パネルＱは、実施例１と同様にしてＭＴＦ’を調
べた。その結果を第１表に示す。また実施例１の放射線
画像変換パネルＡとの相対感度を求め、第１表に併記す
る。

上記第１表より、本発明の放射だ８画像Ａ　−Ｉ”は従
来の比較の放射線画像変換パネルＰ、Ｑに比べ′″鮮鋭
性が極めて高い画像を与えた。さらに本発明の放射線画
像Ａ−Ｆｉｌ：従来の比較の放射線画像変換パネルＰ、
Ｑに比べ＃鋭性が高いにもかかわらす、感吸も高くこの
点からも陵れていた。

尚、不発明の放射線画像変換パネルＣは、本発明の他の
放射線画像変換パネルに比較して鮮鋭性、感度は同等又
はそれ以上であったが、使用した輝尽性螢光体の平均粒
子径が大きすぎて粒状性が低下していた。

実施例７ 実施例１において、支持体と保護層との位置関係を逆（
でして、保護層側に小粒子が配列するようにして本発明
の放射線画像変換パネルＯｆ得た。

このようにして得られ゛た本発明の放射線画像変換パネ
ルＧを用いて実施例１と同様にしてＭＴＦを調べた。結
果を第２表に示す。また実施例１の放射ｆ！画像変喚パ
ネルＡとの相対感度゛を求めた。

結果を第２表に併記する。

第　　２　　表 上記第２表より、本発明の放射録画像変換）くネルＧは
鮮鋭性の点では本発明の放射線画像変換ノくネルＡと同
様、優れていたが、小粒子が輝尽励起光入射側に集中し
ているため放射線に対するｇ度が低かった。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａｌ〜（ｈ）は不発明の放射線画像変換パネル
の螢光体層に於る螢光体粒子の大きさｐＨ方向の分布配
列の実施態様の例を示す図である。 第２図は本発明の放射線画像変換パネルを使用する放射
線画像変換方法を説明する概要図である。 ２】・・・放射線発生装置 ２２・被写体 ２３・放射線画像変換パネル ２４・μ尽励起光源 ２８　　フィルター 代理人　弁理士　　　野　１）桜　親。 第１図 第２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）輝尽性螢光体を結着剤に分散して成る輝尽性螢光
   体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、前記輝尽
   性螢光体の粒子が、該放射線画像変換パネル面に直角な
   方向に粒子径に関して分布配列を有することを特徴とす
   る放射線画像変換パネル。
2. （２）輝尽性螢光体を結着剤に分散して成る輝尽性螢光
   体層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において
   、前記輝尽性螢光体の粒子に該放射線画像変換パネル面
   に直角な方向に粒子径に関して分布配列を与えて輝尽性
   螢光体層を形成することを特徴とする放射線画像変換パ
   ネルの製造方法。