JPS592348B2 - パルス応答波形の測定方式 - Google Patents
パルス応答波形の測定方式Info
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- JPS592348B2 JPS592348B2 JP14634076A JP14634076A JPS592348B2 JP S592348 B2 JPS592348 B2 JP S592348B2 JP 14634076 A JP14634076 A JP 14634076A JP 14634076 A JP14634076 A JP 14634076A JP S592348 B2 JPS592348 B2 JP S592348B2
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- circuit
- level
- input
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- signal
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は繰り返し波形入力による被測定回路のパルス
応答試験を高精度にしかも自動的に行なうことのできる
パルス応答測定方式に関する。
応答試験を高精度にしかも自動的に行なうことのできる
パルス応答測定方式に関する。
半導体装置の特性試験において、入力端に入力信号とし
て高速の折り返しパルスを供給し、出力端から出力する
パルス応答波形を観測測定するパルス応答試験は、極め
て重要な試験の1つである。上記パルス応答試験におい
て、その応答波形は多くの場合周期が短かくしかも急峻
な傾斜部分を持つために、従来では前記半導体装置の出
力端から出力した応答波形をオシロスコープ等の直視装
置によつて観測測定するか、あるいは上記応答波形を一
旦サンプルホールド回路等のアナログ回路を用いてディ
ジタル量に変換して一旦記憶させ、その後必要に応じて
アナログ量に再び変換してオシロスコープ等の直視装置
で観測測定するような方法がとられている。上記従来の
測定方法では、いずれの方法でも目視によつて応答信号
の波形を観測するので、高精度に応答信号を解析するこ
とはできずしかも測定試験に要する時間も多い。また、
測定の精度を高めようとすれば直視装置に高速度のもの
を用いる必要がある。一般に高速度の直視装置は大変高
価なものであり、たとえ高速度の直視装置を用いても最
終的には目視による判断が伴なうので測定の精度に限界
がある。この発明は上記のような事情を考慮してなされ
たもので、被測定回路のパルス応答測定を高精度にしか
も自動的に行ない得ると共に装置構成が低価格で実現で
きるようなパルス応答波形の測定方式を提供することに
ある。
て高速の折り返しパルスを供給し、出力端から出力する
パルス応答波形を観測測定するパルス応答試験は、極め
て重要な試験の1つである。上記パルス応答試験におい
て、その応答波形は多くの場合周期が短かくしかも急峻
な傾斜部分を持つために、従来では前記半導体装置の出
力端から出力した応答波形をオシロスコープ等の直視装
置によつて観測測定するか、あるいは上記応答波形を一
旦サンプルホールド回路等のアナログ回路を用いてディ
ジタル量に変換して一旦記憶させ、その後必要に応じて
アナログ量に再び変換してオシロスコープ等の直視装置
で観測測定するような方法がとられている。上記従来の
測定方法では、いずれの方法でも目視によつて応答信号
の波形を観測するので、高精度に応答信号を解析するこ
とはできずしかも測定試験に要する時間も多い。また、
測定の精度を高めようとすれば直視装置に高速度のもの
を用いる必要がある。一般に高速度の直視装置は大変高
価なものであり、たとえ高速度の直視装置を用いても最
終的には目視による判断が伴なうので測定の精度に限界
がある。この発明は上記のような事情を考慮してなされ
たもので、被測定回路のパルス応答測定を高精度にしか
も自動的に行ない得ると共に装置構成が低価格で実現で
きるようなパルス応答波形の測定方式を提供することに
ある。
以下図面を参照してこの発明の一実施例によるピーク値
検出回路を説明する。
検出回路を説明する。
第1図においてT1は入力端子で、この入力端子T1は
被測定回路例えば供試半導体素子(図示せず)の出力端
に接続される。さらに上記入力端子T1は第1のバッフ
ァアンプ1を介して、レベル比較回路2の入力端に接続
される。このレベル比較回路2の入力端の他端は、後述
の基準レベル発生回路の出力端に接続される。上記レベ
ル比較回路2の出力端は、第1桁〜第n桁のn個のアン
ドゲート31、32、・・・3nからなる第1のゲート
回路3のそれぞれのアンドゲートに並列的に接続される
。この第1のゲート回路3を構成するn個のアンドゲー
ト31、32、・・・3nそれぞれの他の入力端は一括
して後述の制御回路の出力端に接続される。上記第1の
ゲート回路3を構成するn個のアンドゲート31、32
、・・・3nそれぞれのもう1つの入力端は、後述のカ
ウンタ回路の第1桁〜第n桁の出力端に並列的に接続さ
れる。前記第1のゲート回路3の出力端は、例えばn個
のR−Sフリップフロップ等からなる第1の記憶回路4
の入力端に並列的に接続される。この第1の記憶回路4
の出力端は、第2の記憶回路5の入力端子に並列的に接
続されると共に、第1桁〜第n桁のn個のオアゲート6
1,62,・・・6nからなる第2のゲート回路6のそ
れぞれのオアゲートに並列的に接続される。7は例えば
n進のリングカウンタ等からなるカウンタ回路で、この
カウンタ回路7の第1桁〜第n桁のn個の出力端は、上
記第2のゲート回路6を構成するn個のオアゲートの入
力端にそれぞれ並列的に接続されると共に、前記第1の
ゲート回路3を構成する各桁のアンドゲート31,32
,・・・3nの入力端に並列的に接続される。
被測定回路例えば供試半導体素子(図示せず)の出力端
に接続される。さらに上記入力端子T1は第1のバッフ
ァアンプ1を介して、レベル比較回路2の入力端に接続
される。このレベル比較回路2の入力端の他端は、後述
の基準レベル発生回路の出力端に接続される。上記レベ
ル比較回路2の出力端は、第1桁〜第n桁のn個のアン
ドゲート31、32、・・・3nからなる第1のゲート
回路3のそれぞれのアンドゲートに並列的に接続される
。この第1のゲート回路3を構成するn個のアンドゲー
ト31、32、・・・3nそれぞれの他の入力端は一括
して後述の制御回路の出力端に接続される。上記第1の
ゲート回路3を構成するn個のアンドゲート31、32
、・・・3nそれぞれのもう1つの入力端は、後述のカ
ウンタ回路の第1桁〜第n桁の出力端に並列的に接続さ
れる。前記第1のゲート回路3の出力端は、例えばn個
のR−Sフリップフロップ等からなる第1の記憶回路4
の入力端に並列的に接続される。この第1の記憶回路4
の出力端は、第2の記憶回路5の入力端子に並列的に接
続されると共に、第1桁〜第n桁のn個のオアゲート6
1,62,・・・6nからなる第2のゲート回路6のそ
れぞれのオアゲートに並列的に接続される。7は例えば
n進のリングカウンタ等からなるカウンタ回路で、この
カウンタ回路7の第1桁〜第n桁のn個の出力端は、上
記第2のゲート回路6を構成するn個のオアゲートの入
力端にそれぞれ並列的に接続されると共に、前記第1の
ゲート回路3を構成する各桁のアンドゲート31,32
,・・・3nの入力端に並列的に接続される。
前記第2のゲート回路6の各桁の出力端は、並列的に基
準レベル発生回路8の第1桁〜第n桁の入力端に接続さ
れる。なおこの基準レベル発生回路8については後に詳
述する。そして上記基準レベル発生回路8の出力端は、
前記レペル比較回路2の入力端に接続されると共に、第
2のバツフアアンプ9を介して出力端子TOlに接続さ
れる。10は制御回路で、この制御回路10のクロツク
パルス入力端は、入力端子T2に接続される。
準レベル発生回路8の第1桁〜第n桁の入力端に接続さ
れる。なおこの基準レベル発生回路8については後に詳
述する。そして上記基準レベル発生回路8の出力端は、
前記レペル比較回路2の入力端に接続されると共に、第
2のバツフアアンプ9を介して出力端子TOlに接続さ
れる。10は制御回路で、この制御回路10のクロツク
パルス入力端は、入力端子T2に接続される。
また上記制御回路10、前記第1の記憶回路4および前
記カウンタ回路7のそれぞれのりセツト端子は、一括し
て入力端子T3に接続される。また前記第2の記憶回路
5の第1桁〜第n桁の各出力端は、それぞれ出力端子T
O2−1?TO2−2?゜゜゜T02−nに接続される
O第2図は前記基準レベル発生回路8の1例を示す回路
構成図で、前記第2のゲート回路6の第1桁〜第n桁の
出力端は、並列的に入力端子TlO−1〜TlO−。に
それぞれ接続される。上記入力端子TlO−1〜TlO
−。にはそれぞれ電源電圧Vsが与えられた第1桁〜第
n桁のn個のC−MOSインバータ211,212,・
・・21nが接続される。さらに上記各C−MOSイン
バータ211,212,・・・21nは、それぞれ同値
の抵抗221〜22nを介して、上記抵抗220〜22
nの1/2の抵抗値を持つn−1個の抵抗231〜23
。〜1の直列回路の最前点aおよび各接続点b・・に順
次接続される。そして上記最前点aすなわち上記抵抗2
31と前記抵抗221の接続点は、出力端子TOlOに
接続される。また前記n−1個の抵抗23,〜23n−
1の直列回路の最後点Cは、前記抵抗221〜22nと
同抵抗値の抵抗24を介して接地される。次に上記のよ
うに接続構成された回路の動作を第3図、第4図を併用
して説明する。
記カウンタ回路7のそれぞれのりセツト端子は、一括し
て入力端子T3に接続される。また前記第2の記憶回路
5の第1桁〜第n桁の各出力端は、それぞれ出力端子T
O2−1?TO2−2?゜゜゜T02−nに接続される
O第2図は前記基準レベル発生回路8の1例を示す回路
構成図で、前記第2のゲート回路6の第1桁〜第n桁の
出力端は、並列的に入力端子TlO−1〜TlO−。に
それぞれ接続される。上記入力端子TlO−1〜TlO
−。にはそれぞれ電源電圧Vsが与えられた第1桁〜第
n桁のn個のC−MOSインバータ211,212,・
・・21nが接続される。さらに上記各C−MOSイン
バータ211,212,・・・21nは、それぞれ同値
の抵抗221〜22nを介して、上記抵抗220〜22
nの1/2の抵抗値を持つn−1個の抵抗231〜23
。〜1の直列回路の最前点aおよび各接続点b・・に順
次接続される。そして上記最前点aすなわち上記抵抗2
31と前記抵抗221の接続点は、出力端子TOlOに
接続される。また前記n−1個の抵抗23,〜23n−
1の直列回路の最後点Cは、前記抵抗221〜22nと
同抵抗値の抵抗24を介して接地される。次に上記のよ
うに接続構成された回路の動作を第3図、第4図を併用
して説明する。
ここでは例えば第3図AVC.示すような繰り返し波形
の入力パルスP−Gを被測定回路例えば供試半導体装置
に入力し、この被測定回路の出力端から得られる第3図
bに示すような入力パルスに対する応答信号V.Oにお
いて、そのピークレベルVpを検知する場合について説
明する。先ずパルス発生器(図示せず)から出力する第
4図aに示すような入力パルスP−Gが供試半導体装置
(図示せず)に入力する。このとき供試半導体装置から
は第4図bに示すような応答信号V。が出力する。上記
応答信号oは入力端子T1から第1のバツフアアンプ1
を介してレベル比較回路2の入力端に入力する。一方前
記パルス発生器は、前記入力パルスP−Gと同期した第
4図cに示すような入カクロツクパルスP−Gcを出力
する。次に上記パルス発生器から出力する入カクロツク
パルスP−Gcが、入力端子T2を介して制御回路10
に入力される。上記制御回路10は、上記入カクロツク
パルスP・Gcをカウンタ回路7に入力すると共に、第
4図eに示すような繰り返し波形のゲート制御信号G・
Pを、第1のゲート回路3を構成する第1桁〜第n桁の
アンドゲート31,32,・・・3nのそれぞれの入力
端に入力する。前記入カクロツクパルスP・Gcが入力
したカウンタ回路7は上記入カクロツクパルスP−Gc
を順次計数する。そして、先ずカウンタ回路7のn個の
出力端のうち第1桁の出力端は第4図D,に示すように
所定期間論理レベル1F゛となる。したがつて第2のゲ
ート回路6を構成するn個のオアゲートのうち、第1桁
のオアゲート6,の入力端も論理レベル“ビとなると共
に、第1のゲート回路3を構成するn個のアンドゲート
のうち、第1桁のアンドゲート30の入力端も論理レベ
ル゛ビとなる。したがつて上記第1桁のオアゲート6,
の出力端も論理レベル“ビとなり、第2図に示す基準レ
ベル発生回路8の第1桁の入力端子TlO−1は論理レ
ベル3゛ビとなる。すなわち、この第1桁の入力端子T
lO−1に接続された第1桁のC−MOSインバータ2
1,VC入力信号が与えられたことになる。したがつて
このとき、第1桁のC−MOSインバータ211は、そ
の電源電圧Vsを出力する。ここで例えば抵抗221〜
22n卦よび抵抗24の値を200KΩ、抵抗231〜
23nの値を100KΩとしたとき、出力端子TOlO
VC.は1/2Vsの電圧レベルが生ずる。すなわち1
/2Vsが基準レベルとしてレベル比較回路2VC入力
する。上記レペル比較回路2は、入力端子T1を介して
繰り返し入力される前記応答信号VOと上記基準レベル
発生回路8から入力した1/2Vsなる基準レベルを比
較する。そして第4図TO−T1に示すように基準レベ
ル1/2Vsが応答信号V。.のピークレベルVpの範
囲内にあれば、上記レベル比較回路2の出力端は論理レ
ベル゛″F゛となる。このレベル比較回路2から出力さ
れた論理レベル゛1″″の信号は、第2のゲート回路3
のそれぞれのアンドゲート3,〜3nに並列的に入力す
る。このとき第1桁のアンドゲート31VCのみ前記カ
ウンタ回路7の論理レベル1ビが入力しているので、第
1桁のアンドゲート3,のみが第1の記憶回路4に第4
図f1に示すような論理レベル”ビの信号を出力する。
上記第1の記憶回路4は、上記第1桁のアンドゲート3
1が出力した論理レベル゛ビの信号を一旦記憶すると共
に、その出力端から論理レベル″F″の信号を出力する
。上記第1の記憶回路4から出力した論理レベル゛1”
の信号は、第2の記憶回路5および第2のゲート回路6
の第1桁のオアゲート61に入力する。したがつて基準
レベル発生回路8の第1桁の入力端子TlO−1は、こ
の後常に論理レベル゛1”に保たれる。また上記第2の
記憶回路5は入力した論理レベル゛1”の信号を一旦記
憶する。次にカウンタ回路7が、制御回路10から供給
される入カクロツクパルスP−Gcを計数して、今度は
第2桁の出力端から第4図D2に示すように所定期間論
理レベル゛ビの信号を出力する。上記カウンタ回路7の
第2桁の出力端から出力した論理レベル゛1″″の信号
は、第1のゲート回路3の第2桁のアンドゲート32に
入力すると共に、第2のゲート回路の第2桁のオアゲー
ト62に入力する。上記第2のゲート回路の第2桁のオ
アゲート62に入力した論理レペル゛ビの信号は、前記
基準レベル発生回路8の第2桁の入力端子TlO−2に
印加される。このとき基準レベル発生回路8には第1、
第2桁の入力端子TlO−1,T10−2の両端子に入
力信号が印加される。したがつて第1、第2桁のC−M
OSインバータ211,212が動作し、出力端子TO
lOVCは、前記1/2Vsレペルの他に1/2×1/
2Vsすなわち1/4Vsレベルが発生し総合的に(1
/2+1/4)Vsのレベルが発生する。そしてレペル
比較回路2VCは、上記(1/2+1/4)Vsの基準
レベルが入力する。上記レベル比較回路2は、入力端子
T1を介して繰り返し入力される前記応答信号VOと、
上記基準レベル発生回路8から入力した(1/2+1/
4)Vsなる基準レベルとを比較し、基準レベルが応答
信号VOのピークレベルVpの範囲にあれば、第4図T
2〜T3に示すような期間に論理レベル゛1゛″の信号
を出力する。このレベル比較回路2から出力する信号は
、第2のゲート回路3のそれぞれのアンドゲート31〜
3nに並列的に入力する。このとき第2桁のアンドゲー
ト32のみに前記カウンタ回路7の信号が入力している
ので、第2桁のアンドゲート32のみが第1の記憶回路
4に第4図F2に示すような論理レベル゛ビの信号を出
力する。上記第1の記憶回路4は、上記第2桁のアンド
ゲート32が出力した論理レベル゛1”の信号を一旦記
憶すると共に、その出力端から出力する。上記第1の記
憶回路4から出力した信号は、第2の記憶回路5および
第2のゲート回路6の第2桁のオアゲート62に入力す
る。したがつて基準レベル発生回路8の第2桁の入力端
子TlO−2は、この後常に論理レベル゛ビに保たれる
。また上記第2の記憶回路5は入力した信号を一旦記憶
する。いま仮りに基準レベルが応答信号VOのピークレ
ベルVp以上であればレベル比較回路1の出力端は論理
レベル1『″のままである。すなわち、このときには該
アンドゲートの出力端は論理レベル3゛05′のままで
ある。したがつて基準レベル発生回路8の該桁の入力端
子は論理レベル゛O″に保たれる。以下同様に、カウン
タ回路7が入カクロツクパルスP−Gcを計数する毎に
、基準レベル発生回路8は、レベル比較回路2にn通り
の異なつた基準レベルを順次出力する。したがつて第4
図T4を経過して最終的に上記基準レベル発生回路8は
、前記応答信号VOのピークレベルVplfC相当する
レベルVs(1/21b1+1/22b2)+・・・+
1/2nbn)を出力する。ただしb1〜Bnは基準レ
ベル発生回路8の入力端子に印加されている論理レベル
3゛ビまたば『゛の信号である。そして上記ピークレベ
ルVpに相当するレベルは、第2のバツフアアンプ9を
介して出力端子TOlに印加される。な訃第2の記憶回
路5の各出力端子TO,−,〜TO2−。からは、ピッ
クレベルVpのデイジタル情報が出力する。上記回路に
おいて、第1、第2のゲート回路3,6およびカウンタ
回路7等のビツト数nを必要に応じて増加させることに
より、ピークレペルVpをより高精度に検出することが
できる。
の入力パルスP−Gを被測定回路例えば供試半導体装置
に入力し、この被測定回路の出力端から得られる第3図
bに示すような入力パルスに対する応答信号V.Oにお
いて、そのピークレベルVpを検知する場合について説
明する。先ずパルス発生器(図示せず)から出力する第
4図aに示すような入力パルスP−Gが供試半導体装置
(図示せず)に入力する。このとき供試半導体装置から
は第4図bに示すような応答信号V。が出力する。上記
応答信号oは入力端子T1から第1のバツフアアンプ1
を介してレベル比較回路2の入力端に入力する。一方前
記パルス発生器は、前記入力パルスP−Gと同期した第
4図cに示すような入カクロツクパルスP−Gcを出力
する。次に上記パルス発生器から出力する入カクロツク
パルスP−Gcが、入力端子T2を介して制御回路10
に入力される。上記制御回路10は、上記入カクロツク
パルスP・Gcをカウンタ回路7に入力すると共に、第
4図eに示すような繰り返し波形のゲート制御信号G・
Pを、第1のゲート回路3を構成する第1桁〜第n桁の
アンドゲート31,32,・・・3nのそれぞれの入力
端に入力する。前記入カクロツクパルスP・Gcが入力
したカウンタ回路7は上記入カクロツクパルスP−Gc
を順次計数する。そして、先ずカウンタ回路7のn個の
出力端のうち第1桁の出力端は第4図D,に示すように
所定期間論理レベル1F゛となる。したがつて第2のゲ
ート回路6を構成するn個のオアゲートのうち、第1桁
のオアゲート6,の入力端も論理レベル“ビとなると共
に、第1のゲート回路3を構成するn個のアンドゲート
のうち、第1桁のアンドゲート30の入力端も論理レベ
ル゛ビとなる。したがつて上記第1桁のオアゲート6,
の出力端も論理レベル“ビとなり、第2図に示す基準レ
ベル発生回路8の第1桁の入力端子TlO−1は論理レ
ベル3゛ビとなる。すなわち、この第1桁の入力端子T
lO−1に接続された第1桁のC−MOSインバータ2
1,VC入力信号が与えられたことになる。したがつて
このとき、第1桁のC−MOSインバータ211は、そ
の電源電圧Vsを出力する。ここで例えば抵抗221〜
22n卦よび抵抗24の値を200KΩ、抵抗231〜
23nの値を100KΩとしたとき、出力端子TOlO
VC.は1/2Vsの電圧レベルが生ずる。すなわち1
/2Vsが基準レベルとしてレベル比較回路2VC入力
する。上記レペル比較回路2は、入力端子T1を介して
繰り返し入力される前記応答信号VOと上記基準レベル
発生回路8から入力した1/2Vsなる基準レベルを比
較する。そして第4図TO−T1に示すように基準レベ
ル1/2Vsが応答信号V。.のピークレベルVpの範
囲内にあれば、上記レベル比較回路2の出力端は論理レ
ベル゛″F゛となる。このレベル比較回路2から出力さ
れた論理レベル゛1″″の信号は、第2のゲート回路3
のそれぞれのアンドゲート3,〜3nに並列的に入力す
る。このとき第1桁のアンドゲート31VCのみ前記カ
ウンタ回路7の論理レベル1ビが入力しているので、第
1桁のアンドゲート3,のみが第1の記憶回路4に第4
図f1に示すような論理レベル”ビの信号を出力する。
上記第1の記憶回路4は、上記第1桁のアンドゲート3
1が出力した論理レベル゛ビの信号を一旦記憶すると共
に、その出力端から論理レベル″F″の信号を出力する
。上記第1の記憶回路4から出力した論理レベル゛1”
の信号は、第2の記憶回路5および第2のゲート回路6
の第1桁のオアゲート61に入力する。したがつて基準
レベル発生回路8の第1桁の入力端子TlO−1は、こ
の後常に論理レベル゛1”に保たれる。また上記第2の
記憶回路5は入力した論理レベル゛1”の信号を一旦記
憶する。次にカウンタ回路7が、制御回路10から供給
される入カクロツクパルスP−Gcを計数して、今度は
第2桁の出力端から第4図D2に示すように所定期間論
理レベル゛ビの信号を出力する。上記カウンタ回路7の
第2桁の出力端から出力した論理レベル゛1″″の信号
は、第1のゲート回路3の第2桁のアンドゲート32に
入力すると共に、第2のゲート回路の第2桁のオアゲー
ト62に入力する。上記第2のゲート回路の第2桁のオ
アゲート62に入力した論理レペル゛ビの信号は、前記
基準レベル発生回路8の第2桁の入力端子TlO−2に
印加される。このとき基準レベル発生回路8には第1、
第2桁の入力端子TlO−1,T10−2の両端子に入
力信号が印加される。したがつて第1、第2桁のC−M
OSインバータ211,212が動作し、出力端子TO
lOVCは、前記1/2Vsレペルの他に1/2×1/
2Vsすなわち1/4Vsレベルが発生し総合的に(1
/2+1/4)Vsのレベルが発生する。そしてレペル
比較回路2VCは、上記(1/2+1/4)Vsの基準
レベルが入力する。上記レベル比較回路2は、入力端子
T1を介して繰り返し入力される前記応答信号VOと、
上記基準レベル発生回路8から入力した(1/2+1/
4)Vsなる基準レベルとを比較し、基準レベルが応答
信号VOのピークレベルVpの範囲にあれば、第4図T
2〜T3に示すような期間に論理レベル゛1゛″の信号
を出力する。このレベル比較回路2から出力する信号は
、第2のゲート回路3のそれぞれのアンドゲート31〜
3nに並列的に入力する。このとき第2桁のアンドゲー
ト32のみに前記カウンタ回路7の信号が入力している
ので、第2桁のアンドゲート32のみが第1の記憶回路
4に第4図F2に示すような論理レベル゛ビの信号を出
力する。上記第1の記憶回路4は、上記第2桁のアンド
ゲート32が出力した論理レベル゛1”の信号を一旦記
憶すると共に、その出力端から出力する。上記第1の記
憶回路4から出力した信号は、第2の記憶回路5および
第2のゲート回路6の第2桁のオアゲート62に入力す
る。したがつて基準レベル発生回路8の第2桁の入力端
子TlO−2は、この後常に論理レベル゛ビに保たれる
。また上記第2の記憶回路5は入力した信号を一旦記憶
する。いま仮りに基準レベルが応答信号VOのピークレ
ベルVp以上であればレベル比較回路1の出力端は論理
レベル1『″のままである。すなわち、このときには該
アンドゲートの出力端は論理レベル3゛05′のままで
ある。したがつて基準レベル発生回路8の該桁の入力端
子は論理レベル゛O″に保たれる。以下同様に、カウン
タ回路7が入カクロツクパルスP−Gcを計数する毎に
、基準レベル発生回路8は、レベル比較回路2にn通り
の異なつた基準レベルを順次出力する。したがつて第4
図T4を経過して最終的に上記基準レベル発生回路8は
、前記応答信号VOのピークレベルVplfC相当する
レベルVs(1/21b1+1/22b2)+・・・+
1/2nbn)を出力する。ただしb1〜Bnは基準レ
ベル発生回路8の入力端子に印加されている論理レベル
3゛ビまたば『゛の信号である。そして上記ピークレベ
ルVpに相当するレベルは、第2のバツフアアンプ9を
介して出力端子TOlに印加される。な訃第2の記憶回
路5の各出力端子TO,−,〜TO2−。からは、ピッ
クレベルVpのデイジタル情報が出力する。上記回路に
おいて、第1、第2のゲート回路3,6およびカウンタ
回路7等のビツト数nを必要に応じて増加させることに
より、ピークレペルVpをより高精度に検出することが
できる。
なおピークレベルの分解能は1/2nで表わされる。ま
たアナログメモリ等を用いていないので高速に検知する
ことができる。また第1、第2のゲート回路3,6およ
びカウンタ回路7、第1の記憶回路4等は、一般のデイ
ジタルI−Cを用いても充分満足できる速度で応答でき
る上、何等特殊なものを用いていないので装置構成が低
価格で実現できるという利点を有する。第5図はこの発
明の応用例の1つを示すプロツク図で、第3図bに示す
応答信号に卦いて、そのピークレベルVpの90%のレ
ベルに相当する点AからピークレペルVpのO(f)の
レベルに相当する点Bまで立下るのに要する時間Tfを
測定する例を示す。
たアナログメモリ等を用いていないので高速に検知する
ことができる。また第1、第2のゲート回路3,6およ
びカウンタ回路7、第1の記憶回路4等は、一般のデイ
ジタルI−Cを用いても充分満足できる速度で応答でき
る上、何等特殊なものを用いていないので装置構成が低
価格で実現できるという利点を有する。第5図はこの発
明の応用例の1つを示すプロツク図で、第3図bに示す
応答信号に卦いて、そのピークレベルVpの90%のレ
ベルに相当する点AからピークレペルVpのO(f)の
レベルに相当する点Bまで立下るのに要する時間Tfを
測定する例を示す。
第5図において101はパルス発生器で、このパルス発
生器101からは互いに異なつれレベルで互いに同期し
た繰り返し波形の人力パルスP−Gおよび入カクロツク
パルスP−Gcが出力される。上記パルス発生器101
から出力される入力パルスP−Gは、パルス応答試験を
する供試半導体装置10211C供給される。一方パル
ス発生器101から出力される入カクロツクパルスP−
Gcは、ピーク値検出回路103に供給される。な卦、
このビーク値検出回路103は第1図に示すものと同様
である。前記供試半導体装置102から出力される前記
入力パルスP−Gに対応した応答信号VOは、上記ピー
ク値検出回路103VC供給されると共にバツフアアン
プ104を介して第1、第2の比較器105,106に
供給される。前記ピーク値検出回路103は、ピークレ
ベルVpを検出して第1、第2のレベル設定器107,
108VC供給すると共に、A/D変換器109に供給
する。上記A/D変換器109は、供給されるピークレ
ベルVpをA/D変換してそのデイジタル精報を端子T
lOlから出力するものである。前記第1、第2のレベ
ル設定器107,108は、それぞれピークレベルVp
をO〜100%の範囲で任意に設定したレベル信号を、
前記第71、第2の比較器105,106にそれぞれ供
給する。上記第1、第2の比較器105,106は、そ
れぞれ上記2種のレベル信号と前記応答信号VOとを比
較し、2種のレベル信号のレベルに対応した応答信号V
。のレベル点を検出しその検出タイミング信号を発生す
る。110はゲート回路で、このゲート回路110には
クロツクパルス発生器111からクロツクパルスCpが
供給される。
生器101からは互いに異なつれレベルで互いに同期し
た繰り返し波形の人力パルスP−Gおよび入カクロツク
パルスP−Gcが出力される。上記パルス発生器101
から出力される入力パルスP−Gは、パルス応答試験を
する供試半導体装置10211C供給される。一方パル
ス発生器101から出力される入カクロツクパルスP−
Gcは、ピーク値検出回路103に供給される。な卦、
このビーク値検出回路103は第1図に示すものと同様
である。前記供試半導体装置102から出力される前記
入力パルスP−Gに対応した応答信号VOは、上記ピー
ク値検出回路103VC供給されると共にバツフアアン
プ104を介して第1、第2の比較器105,106に
供給される。前記ピーク値検出回路103は、ピークレ
ベルVpを検出して第1、第2のレベル設定器107,
108VC供給すると共に、A/D変換器109に供給
する。上記A/D変換器109は、供給されるピークレ
ベルVpをA/D変換してそのデイジタル精報を端子T
lOlから出力するものである。前記第1、第2のレベ
ル設定器107,108は、それぞれピークレベルVp
をO〜100%の範囲で任意に設定したレベル信号を、
前記第71、第2の比較器105,106にそれぞれ供
給する。上記第1、第2の比較器105,106は、そ
れぞれ上記2種のレベル信号と前記応答信号VOとを比
較し、2種のレベル信号のレベルに対応した応答信号V
。のレベル点を検出しその検出タイミング信号を発生す
る。110はゲート回路で、このゲート回路110には
クロツクパルス発生器111からクロツクパルスCpが
供給される。
上記ゲート回路110は、前記第1、第2の比較器10
5,106で発生する検出タイミング信号から2点のレ
ベル点間の時間間隔に相当する数のクロツクパルスCp
を送出する。上記ゲート回路110から送出されるクロ
ツクパルスCpは、カウンタ回路112VCよつて計数
され前記2点のレベル点間の時間間隔が検出される。上
記カウンタ回路112で検出される時間間隔は、端子T
lO2から外部回路に供給されると共に、比較回路11
3に供給される。この比較回路113には予め規定の時
間間隔が設定されていて、この時間間隔と上記カウンタ
回路112から供給される時間間隔とを比較し、その比
較結果を端子TlO3から送出する。上記のような構成
に訃いて、先ず第1のレベル設定器107を90(fl
)に設定すると共に第2のレベル設定器108をO%に
設定する。
5,106で発生する検出タイミング信号から2点のレ
ベル点間の時間間隔に相当する数のクロツクパルスCp
を送出する。上記ゲート回路110から送出されるクロ
ツクパルスCpは、カウンタ回路112VCよつて計数
され前記2点のレベル点間の時間間隔が検出される。上
記カウンタ回路112で検出される時間間隔は、端子T
lO2から外部回路に供給されると共に、比較回路11
3に供給される。この比較回路113には予め規定の時
間間隔が設定されていて、この時間間隔と上記カウンタ
回路112から供給される時間間隔とを比較し、その比
較結果を端子TlO3から送出する。上記のような構成
に訃いて、先ず第1のレベル設定器107を90(fl
)に設定すると共に第2のレベル設定器108をO%に
設定する。
さらに比較回路113において、パルス応答試験におけ
る規定の立下り時間TfOを設定して卦く。次に回路を
動作させると、第1のレベル設定器107はピーク値検
出回路103から出力するピークレベルVpの90%の
レベル信号を、第1の比較器105に出力する。一方第
2のレベル設定器107はピークレベルVpf)O%の
レベル信号を、第2の比較器106VC出力する。上記
第1、第2の比較器105,106はそれぞれ上記2種
のレベル信号と、応答信号VOとを比較して応答信号0
VCおける2点のレベル設定点を検出し、その2つの検
出タイミング信号をゲート回路110に出力する。上記
ゲート回路110はカウンタ回路112VC1上記2つ
の検出タイミング信号の間隔時間に相当するクロツクパ
ルスCpを出力する。上記カウンタ回路112は上記ク
ロツクパルスCpを計数して前記応答信号VOの2つの
設定点A,B間の時間間隔Tfを検出して比較回路11
3VC出力する。上記比較回路113は、上記時間間隔
Tfと前記設定された規定の時間間隔TfOとを比較し
、TfとTfOの大きさによつて供試半導体装置102
の良否の判定およびクラス別け等の各種の比較結果を端
子TlO3から出力する。上記のようなパルス応答波の
測定方式に}いては何等特殊な回路を用いていないので
低価格に構成できるとともに、サンプルホールド回路等
のアナログ的な要素を含まないので高速度の繰り返し入
力波形に対して極めて良好な性能が期待でき、その上全
自動的に測定試験を行なうことができる。
る規定の立下り時間TfOを設定して卦く。次に回路を
動作させると、第1のレベル設定器107はピーク値検
出回路103から出力するピークレベルVpの90%の
レベル信号を、第1の比較器105に出力する。一方第
2のレベル設定器107はピークレベルVpf)O%の
レベル信号を、第2の比較器106VC出力する。上記
第1、第2の比較器105,106はそれぞれ上記2種
のレベル信号と、応答信号VOとを比較して応答信号0
VCおける2点のレベル設定点を検出し、その2つの検
出タイミング信号をゲート回路110に出力する。上記
ゲート回路110はカウンタ回路112VC1上記2つ
の検出タイミング信号の間隔時間に相当するクロツクパ
ルスCpを出力する。上記カウンタ回路112は上記ク
ロツクパルスCpを計数して前記応答信号VOの2つの
設定点A,B間の時間間隔Tfを検出して比較回路11
3VC出力する。上記比較回路113は、上記時間間隔
Tfと前記設定された規定の時間間隔TfOとを比較し
、TfとTfOの大きさによつて供試半導体装置102
の良否の判定およびクラス別け等の各種の比較結果を端
子TlO3から出力する。上記のようなパルス応答波の
測定方式に}いては何等特殊な回路を用いていないので
低価格に構成できるとともに、サンプルホールド回路等
のアナログ的な要素を含まないので高速度の繰り返し入
力波形に対して極めて良好な性能が期待でき、その上全
自動的に測定試験を行なうことができる。
この発明は上記の一実施例に限定されるものではなく、
例えば上記実施例では供試半導体装置の立下り時間を測
定する場合について説明したが、これは立下り時間の測
定に限定されるものではなく、立上り時間の測定等その
他各種測定が可能であることはいうまでもない。また上
記実施例では被測定回路として半導体装置を用いる場合
を説明したが、これは半導体装置に限定されるものでは
なく各種回路装置を用いてもよいことはもちろんである
。この他この発明は要旨を逸脱しない範囲で各種変形が
可能である。以上説明したようにこの発明によれば、被
測定回路から出力するパルス応答波形と、このパルス
:応答波形と同期して基準レベル発生回路から出力され
るn通りの異なる基準レベルとをレベル比較回路により
順次比較してパルス応答波形のピーク値を検出するよう
にしたことにより、被測定回路のパルス応答測定を高精
度かつ高速度にしかも自動的に行い得ると共に、装置構
成が低価格で実現できるようなパルス応答波形の測定方
式を提供できる。
例えば上記実施例では供試半導体装置の立下り時間を測
定する場合について説明したが、これは立下り時間の測
定に限定されるものではなく、立上り時間の測定等その
他各種測定が可能であることはいうまでもない。また上
記実施例では被測定回路として半導体装置を用いる場合
を説明したが、これは半導体装置に限定されるものでは
なく各種回路装置を用いてもよいことはもちろんである
。この他この発明は要旨を逸脱しない範囲で各種変形が
可能である。以上説明したようにこの発明によれば、被
測定回路から出力するパルス応答波形と、このパルス
:応答波形と同期して基準レベル発生回路から出力され
るn通りの異なる基準レベルとをレベル比較回路により
順次比較してパルス応答波形のピーク値を検出するよう
にしたことにより、被測定回路のパルス応答測定を高精
度かつ高速度にしかも自動的に行い得ると共に、装置構
成が低価格で実現できるようなパルス応答波形の測定方
式を提供できる。
第1図はこの発明の一実施例の回路構成図、第2図は上
記実施例に用いる基準レベル発生回路の1例を示す回路
構成図、第3図}よび第4図は上記実施例を説明するた
めのタイムチヤート、第5図は上記実施例の応用例を示
すプロツク図である。 1,9,104・・・・・・バツフアアンプ、2・・・
・・・レベル比較回路、3,6・・・・・・ゲート回路
、4,5・・・・・・記憶回路、7,112・・・・・
・カウンタ回路、8・・・・・・基準レベル発生回路、
10・・・・・・制御回路、211〜21。
記実施例に用いる基準レベル発生回路の1例を示す回路
構成図、第3図}よび第4図は上記実施例を説明するた
めのタイムチヤート、第5図は上記実施例の応用例を示
すプロツク図である。 1,9,104・・・・・・バツフアアンプ、2・・・
・・・レベル比較回路、3,6・・・・・・ゲート回路
、4,5・・・・・・記憶回路、7,112・・・・・
・カウンタ回路、8・・・・・・基準レベル発生回路、
10・・・・・・制御回路、211〜21。
Claims (1)
- 1 被測定回路のパルス応答波形が繰り返し入力するレ
ベル比較回路と、このレベル比較回路にn通りの異なる
基準レベルを順次かつ上記被測定回路へのパルス入力と
同期して供給する基準レベル発生回路と、上記レベル比
較回路での比較結果を記憶する記憶回路とを具備し、上
記パルス応答波形のピーク値を検出するようにしたこと
を特徴とするパルス応答波形の測定方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14634076A JPS592348B2 (ja) | 1976-12-06 | 1976-12-06 | パルス応答波形の測定方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14634076A JPS592348B2 (ja) | 1976-12-06 | 1976-12-06 | パルス応答波形の測定方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5370471A JPS5370471A (en) | 1978-06-22 |
| JPS592348B2 true JPS592348B2 (ja) | 1984-01-18 |
Family
ID=15405473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14634076A Expired JPS592348B2 (ja) | 1976-12-06 | 1976-12-06 | パルス応答波形の測定方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592348B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4564804A (en) * | 1981-06-08 | 1986-01-14 | Tektronix, Inc. | Method and apparatus for automatically detecting signal levels |
-
1976
- 1976-12-06 JP JP14634076A patent/JPS592348B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5370471A (en) | 1978-06-22 |
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