JPS592387A - ルビジウム原子発振器 - Google Patents
ルビジウム原子発振器Info
- Publication number
- JPS592387A JPS592387A JP10998882A JP10998882A JPS592387A JP S592387 A JPS592387 A JP S592387A JP 10998882 A JP10998882 A JP 10998882A JP 10998882 A JP10998882 A JP 10998882A JP S592387 A JPS592387 A JP S592387A
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- JP
- Japan
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- rubidium
- lamp
- heater
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- shield case
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- Granted
Links
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 41
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical group [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 41
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
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- FBOUIAKEJMZPQG-AWNIVKPZSA-N (1E)-1-(2,4-dichlorophenyl)-4,4-dimethyl-2-(1,2,4-triazol-1-yl)pent-1-en-3-ol Chemical compound C1=NC=NN1/C(C(O)C(C)(C)C)=C/C1=CC=C(Cl)C=C1Cl FBOUIAKEJMZPQG-AWNIVKPZSA-N 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/26—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using energy levels of molecules, atoms, or subatomic particles as a frequency reference
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ルビジウム原子発振器に関し、特にルピジウムランプ部
とルビジウムガスセル部の温度制御に関する０ 従来のガスセル形ルピジウム原子発振器においては、ル
ビジウムランプ部とルビジウムガスセル部とは独立した
別々のヒーターおよび温に制御器によってそれぞれ所定
の温度に保たれる。そして、ルビジウムランプは充分な
スペクトル強度を必要とするため約１００℃に保たれ、
ルビジウムガスセル部は充分な吸収レベルを必要とする
ため約７０℃に制御される。従って、従来の発振器は、
２種類の温度制御器を用いるため、部品点数が多く大型
かつ高価になり、消費電力も太きいという欠点がある。
とルビジウムガスセル部の温度制御に関する０ 従来のガスセル形ルピジウム原子発振器においては、ル
ビジウムランプ部とルビジウムガスセル部とは独立した
別々のヒーターおよび温に制御器によってそれぞれ所定
の温度に保たれる。そして、ルビジウムランプは充分な
スペクトル強度を必要とするため約１００℃に保たれ、
ルビジウムガスセル部は充分な吸収レベルを必要とする
ため約７０℃に制御される。従って、従来の発振器は、
２種類の温度制御器を用いるため、部品点数が多く大型
かつ高価になり、消費電力も太きいという欠点がある。
本発明の目的は、上述の従来の欠点を解決し、小型かつ
低電力のルビジウム原子発振器な提供することにある。
低電力のルビジウム原子発振器な提供することにある。
本発明の発振器は、ルビジウムガスセル部を内包するキ
ャビティと、前記ルビジウムガスセル部を照射するため
のルビジウムランプ部とを備えたルビジウム原子発振器
において、前記ルビジウムランプ部はルビジウムランプ
を加熱する第１のヒーターおよび周囲を覆う断熱材を備
え、該ルビジラムランプ部と前記キャビティとを共通に
覆うシールドケースと、前記第１のヒーターと直列に接
続され前記シールドケースな加熱する第２のヒーターと
、前記シールドケース内を一定温度に保つための温度制
御器とを備えたことを特徴とする。
ャビティと、前記ルビジウムガスセル部を照射するため
のルビジウムランプ部とを備えたルビジウム原子発振器
において、前記ルビジウムランプ部はルビジウムランプ
を加熱する第１のヒーターおよび周囲を覆う断熱材を備
え、該ルビジラムランプ部と前記キャビティとを共通に
覆うシールドケースと、前記第１のヒーターと直列に接
続され前記シールドケースな加熱する第２のヒーターと
、前記シールドケース内を一定温度に保つための温度制
御器とを備えたことを特徴とする。
次に、本発明について、図面を参照して詳細に説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例を示す概念図であり、ラン
プ励振器１によってルビジウムランプ６が励振される。
プ励振器１によってルビジウムランプ６が励振される。
ルビジウムラング６は、ランプハウス４に収容されてい
て、ランプハウス４には第１のヒータ５が巻回されてい
る。ランプハウス４および第１のヒータ５を断熱材３に
よって櫟いルビジウムランプ部を形成する。断熱材３は
例えばガラス繊維などが用いられる。ただしランプ６か
らの投光がルビジウムガスセル８に供給される孔が穿設
されていることは勿論である。ルビジウムガスセル８は
キャビティ７に内蔵され、光検出素子９は、ルビジウム
ランプ６の投光がルビジウムガスセル８を通過した光を
検出して電気信号に変換する。光検出素子９の出力は、
回路構成部１４に導かれる。回路構成部１４は、ザーボ
増幅器。
て、ランプハウス４には第１のヒータ５が巻回されてい
る。ランプハウス４および第１のヒータ５を断熱材３に
よって櫟いルビジウムランプ部を形成する。断熱材３は
例えばガラス繊維などが用いられる。ただしランプ６か
らの投光がルビジウムガスセル８に供給される孔が穿設
されていることは勿論である。ルビジウムガスセル８は
キャビティ７に内蔵され、光検出素子９は、ルビジウム
ランプ６の投光がルビジウムガスセル８を通過した光を
検出して電気信号に変換する。光検出素子９の出力は、
回路構成部１４に導かれる。回路構成部１４は、ザーボ
増幅器。
低周波発振器１周波数逓倍器２周波数合成器等を内蔵し
、その出力の一部をキャビティ７を介してガスセル８に
供給して共振周波数によるマイクロ波を発振する。
、その出力の一部をキャビティ７を介してガスセル８に
供給して共振周波数によるマイクロ波を発振する。
キャビティ７と、前記ルビジウムランプ部とは共通のシ
ールドケース１０内に収容され、シールドケース１０に
は第２のヒータ２が巻回され、第１のヒータ５と第２の
ヒータ２は直列に接続する。
ールドケース１０内に収容され、シールドケース１０に
は第２のヒータ２が巻回され、第１のヒータ５と第２の
ヒータ２は直列に接続する。
シールドケース１０は透磁率および熱伝導率の高い物質
、例えばパーマロイが用いられる。そして、シールドケ
ース１０の内壁のほぼ中央部には温度検出素子１１が取
付はられ、温度制御器１２は、温度検出素子１１の検出
温度が例えば７０℃になるように、第１および第２のヒ
ータに流す電流を制御する。キャビティ７とシールドケ
ース１０とは熱的に結合しているから、ガスセル８の温
度は上記７０℃に保たれる。一方ランプ部は断熱材３で
囲まれ、かつ第１のヒーター５によって加熱されるため
、シールドケース１０の内部温度よりも高温である。シ
ールドケース１０の温度とランプ部との温度差は、第１
のヒータ５の容量と断熱材３の断熱特性とな適消に選定
することにより任意の温度差に設定することが可能であ
る。本実施例では約３０℃の温度差が得られるように設
定されている。従って、シールドケース１０の内壁が７
０℃に制御されたときランプ６は１００℃であり、ガス
セル８およびランプ６は、それぞれ所定の温度に保たれ
、所期の特性を得ることができる。本実施例においては
、１つの温度制御器１２によってルビジウムランプ６お
よびガスセル８をそれぞれ所定温度に制御できるから、
小型かつ安価に提供され、電力消費量も少なくてすむ効
果がある。
、例えばパーマロイが用いられる。そして、シールドケ
ース１０の内壁のほぼ中央部には温度検出素子１１が取
付はられ、温度制御器１２は、温度検出素子１１の検出
温度が例えば７０℃になるように、第１および第２のヒ
ータに流す電流を制御する。キャビティ７とシールドケ
ース１０とは熱的に結合しているから、ガスセル８の温
度は上記７０℃に保たれる。一方ランプ部は断熱材３で
囲まれ、かつ第１のヒーター５によって加熱されるため
、シールドケース１０の内部温度よりも高温である。シ
ールドケース１０の温度とランプ部との温度差は、第１
のヒータ５の容量と断熱材３の断熱特性とな適消に選定
することにより任意の温度差に設定することが可能であ
る。本実施例では約３０℃の温度差が得られるように設
定されている。従って、シールドケース１０の内壁が７
０℃に制御されたときランプ６は１００℃であり、ガス
セル８およびランプ６は、それぞれ所定の温度に保たれ
、所期の特性を得ることができる。本実施例においては
、１つの温度制御器１２によってルビジウムランプ６お
よびガスセル８をそれぞれ所定温度に制御できるから、
小型かつ安価に提供され、電力消費量も少なくてすむ効
果がある。
また、ランプ部とキャピテイ部を一体化構造にしたから
振動などに対して強くなる。
振動などに対して強くなる。
第２図は、本実施例のランプ部およびガスセル等を含む
光マイクル波共鳴部を示す一部破さい斜視図であり、参
照数字は第１図で示したものと同様である。
光マイクル波共鳴部を示す一部破さい斜視図であり、参
照数字は第１図で示したものと同様である。
（５）
本発明は、上記実施例に変形を施こすことを妨げるもの
でないことは勿論である。例えば、ランプ部とガスセル
部をよ（シールドするために、シールドケースｌＯの中
央部に、ランプ光が通る孔を穿設した隔壁を設けて２槽
構造にすること、抵抗線を巻回したヒータに代えてトラ
ンジスタヒータを使用すること等の変形が考えられる。
でないことは勿論である。例えば、ランプ部とガスセル
部をよ（シールドするために、シールドケースｌＯの中
央部に、ランプ光が通る孔を穿設した隔壁を設けて２槽
構造にすること、抵抗線を巻回したヒータに代えてトラ
ンジスタヒータを使用すること等の変形が考えられる。
以上のように、本発明においては、ランプ部とガスセル
部を共通のシールドケースで覆い、該ケース内を１個の
温度制御器によって一定温度に制御し、前記ランプ部は
断熱材内部にランプを収容しかつ前記シールドケースな
加熱する第２のヒータと直列に接続された第１のヒータ
によって加熱するように構成したから、ランプ部はシー
ルドケース内部より一定の高温に保たれる。すなわち、
１個の前記温度制御器の制御によってランプ部およびガ
スセル部をそれぞれ所定の温度に保つことができる。従
って、部品点数が少な（、小型、低電力の発振器を安価
に提供することができる効果がある。
部を共通のシールドケースで覆い、該ケース内を１個の
温度制御器によって一定温度に制御し、前記ランプ部は
断熱材内部にランプを収容しかつ前記シールドケースな
加熱する第２のヒータと直列に接続された第１のヒータ
によって加熱するように構成したから、ランプ部はシー
ルドケース内部より一定の高温に保たれる。すなわち、
１個の前記温度制御器の制御によってランプ部およびガ
スセル部をそれぞれ所定の温度に保つことができる。従
って、部品点数が少な（、小型、低電力の発振器を安価
に提供することができる効果がある。
（６）
第１図は本発明の一実施例を示す一部ブロック図を含む
概念図、第２図は上記実施例を示す一部破さい斜視図で
ある。 図において、１・・・ランプ励振器、２・・・第２のヒ
ータ、３・・・断熱材、４・・・ランプハウス、５・・
・第１のヒーター、６・・・ルビジウムランプ、７・・
・キャビティ、８・・・ルビジウムガスセル、９・・・
光検出素子、１０・・・シールドケース、１１・・・温
度検出素子、１２・・・温度制御器、１４・・・回路構
成部。 代理人 弁理士 住 １）俊 宗 （７） 第１ 因
概念図、第２図は上記実施例を示す一部破さい斜視図で
ある。 図において、１・・・ランプ励振器、２・・・第２のヒ
ータ、３・・・断熱材、４・・・ランプハウス、５・・
・第１のヒーター、６・・・ルビジウムランプ、７・・
・キャビティ、８・・・ルビジウムガスセル、９・・・
光検出素子、１０・・・シールドケース、１１・・・温
度検出素子、１２・・・温度制御器、１４・・・回路構
成部。 代理人 弁理士 住 １）俊 宗 （７） 第１ 因
Claims (1)
- ルビジウムガスセル部を内包するキャビティと、前記ル
ビジウムガスセル部を照射するためのルビジウムランプ
部とを備えたルビジウム原子発振器において、前記ルビ
ジウムランプ部はルビジウムランプを加熱する第１のヒ
ーターおよび周囲な櫟う断熱材を備え、該ルビジウムラ
ンプ部と前記キャビティとを共通に扱うシールドケース
と、前記第１のヒーターと直列に接続され前記シールド
ケースな加熱する第２のヒーターと、前記シールドケー
ス内を一定温度に保つための温度制御器とを備えたこと
を特徴とするルビジウム原子発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10998882A JPS592387A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | ルビジウム原子発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10998882A JPS592387A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | ルビジウム原子発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS592387A true JPS592387A (ja) | 1984-01-07 |
| JPS6364911B2 JPS6364911B2 (ja) | 1988-12-14 |
Family
ID=14524234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10998882A Granted JPS592387A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | ルビジウム原子発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS592387A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3350632A (en) * | 1964-08-25 | 1967-10-31 | Varian Associates | Optically pumped atomic diffusion maser with separate pumping and observation regions |
| JPS5219096A (en) * | 1975-08-05 | 1977-01-14 | Nec Corp | Rubidium-atom oscillator |
| JPS52146195A (en) * | 1976-05-31 | 1977-12-05 | Fujitsu Ltd | Atomic oscillator |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP10998882A patent/JPS592387A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3350632A (en) * | 1964-08-25 | 1967-10-31 | Varian Associates | Optically pumped atomic diffusion maser with separate pumping and observation regions |
| JPS5219096A (en) * | 1975-08-05 | 1977-01-14 | Nec Corp | Rubidium-atom oscillator |
| JPS52146195A (en) * | 1976-05-31 | 1977-12-05 | Fujitsu Ltd | Atomic oscillator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6364911B2 (ja) | 1988-12-14 |
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