JPS5925251A - セラミツク基板 - Google Patents
セラミツク基板Info
- Publication number
- JPS5925251A JPS5925251A JP58122428A JP12242883A JPS5925251A JP S5925251 A JPS5925251 A JP S5925251A JP 58122428 A JP58122428 A JP 58122428A JP 12242883 A JP12242883 A JP 12242883A JP S5925251 A JPS5925251 A JP S5925251A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- substrates
- ceramic substrate
- cracks
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
- H10W42/121—Arrangements for protection of devices protecting against mechanical damage
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミック基板に関し、特に半２〃体集積回路
素子を載置し、収納するためのパソゲージ用基板或いは
印刷配線基板等に好適に用いられるセラミック基板に関
するものである。
素子を載置し、収納するためのパソゲージ用基板或いは
印刷配線基板等に好適に用いられるセラミック基板に関
するものである。
従来周知のように、セラミ・７りは絶縁特性、耐摩耗性
に優れ、化学的に安定、高硬度、熱膨張率が小さい等の
特性により、とりねり半導体集積回路素子を収納するた
めのパッケージ川基板の月料として極めて優れたもので
あり多用されζいる。
に優れ、化学的に安定、高硬度、熱膨張率が小さい等の
特性により、とりねり半導体集積回路素子を収納するた
めのパッケージ川基板の月料として極めて優れたもので
あり多用されζいる。
しかしながら、セラミックは耐衝撃性に弱いという欠点
があるため、例えば第１図に示すセラミック基板のよう
に、端面１が一平面状を成している場合、セラミック基
板１同志が衝突した際に、端面１′同志或いは一方のｔ
Ｓ＋反の＋ｒｌｉ、１面１と他の基板の：１−ナ一部Ｒ
とが１ｆｆｉｊ突するごとによって、これらセラミック
基板１にひび、割れ、欠りなどを生ずることが極めて多
い。
があるため、例えば第１図に示すセラミック基板のよう
に、端面１が一平面状を成している場合、セラミック基
板１同志が衝突した際に、端面１′同志或いは一方のｔ
Ｓ＋反の＋ｒｌｉ、１面１と他の基板の：１−ナ一部Ｒ
とが１ｆｆｉｊ突するごとによって、これらセラミック
基板１にひび、割れ、欠りなどを生ずることが極めて多
い。
’１．’ｌ°に、半導体集積回路素子をレラミソク基扱
１−１−に取イ；１りたり、ワイヤーボンディングした
りする多くの作業を含む半導体素子の実装上程を自動化
しノこ組立ラインで行うような場合、セラミック２占板
１をライン上で順次、移動さ−Ｕる際に、顛斜面を自重
落下さ已たり、或いは１口９ｉｉ空気を吹きイ；１りて
強制移１リノさ−Ｖるために、該セラミソクツ、（板ｌ
同志が激しく衝突を繰り返し、これらセラミツクジに板
１にひび、割れ等が多発し、その結果、製品の歩留りや
信頼性を低下さ・Ｕる等大きな支１ｉ１λを来たしてい
た。
１−１−に取イ；１りたり、ワイヤーボンディングした
りする多くの作業を含む半導体素子の実装上程を自動化
しノこ組立ラインで行うような場合、セラミック２占板
１をライン上で順次、移動さ−Ｕる際に、顛斜面を自重
落下さ已たり、或いは１口９ｉｉ空気を吹きイ；１りて
強制移１リノさ−Ｖるために、該セラミソクツ、（板ｌ
同志が激しく衝突を繰り返し、これらセラミツクジに板
１にひび、割れ等が多発し、その結果、製品の歩留りや
信頼性を低下さ・Ｕる等大きな支１ｉ１λを来たしてい
た。
このようなセラミック基板同志の１１■突による１）す
れや欠＆Ｊが発生ずる原因としては、（１）プレス成形
による場合では上下の圧縮比の相違、（２）焼成時の１
７、：、度条件、（３）外表面粗さ、（４）原料の粒径
や配合比環条（の要素が絡んでいるが、本発明者等は種
々実験した結果、セラミ・ツク基板１の０１１１面１同
志が正面ｉ和突しても割れや欠けの発生は少ないが、伸
Ｐ］状に衝突した場合、即ち前方で静止しているセラミ
ック基板の端面１′に、後続のセラミックＪＪＳ板のコ
ーナ一部Ｒが衝突した時に、該コーナ一部Ｒにひび、割
れ、欠りが頻発することが判明し、この結果からセラミ
ック基板の外端面形状を調整することによって、ひび、
割れ、欠のを有すノに防止できることを知見した。
れや欠＆Ｊが発生ずる原因としては、（１）プレス成形
による場合では上下の圧縮比の相違、（２）焼成時の１
７、：、度条件、（３）外表面粗さ、（４）原料の粒径
や配合比環条（の要素が絡んでいるが、本発明者等は種
々実験した結果、セラミ・ツク基板１の０１１１面１同
志が正面ｉ和突しても割れや欠けの発生は少ないが、伸
Ｐ］状に衝突した場合、即ち前方で静止しているセラミ
ック基板の端面１′に、後続のセラミックＪＪＳ板のコ
ーナ一部Ｒが衝突した時に、該コーナ一部Ｒにひび、割
れ、欠りが頻発することが判明し、この結果からセラミ
ック基板の外端面形状を調整することによって、ひび、
割れ、欠のを有すノに防止できることを知見した。
ｔｊ（ｌって、本発明の目的は上記の知見に）、Ｉ５づ
き、ひび、割れ、欠りを最大限に防止するよ）に成した
セラミック基板を堤供することにある。
き、ひび、割れ、欠りを最大限に防止するよ）に成した
セラミック基板を堤供することにある。
本発明のセラ、ミンク基板は、基板の外周端面に段差を
形成ずにように突出部が形成され、月つ該突出部の稜部
が曲線状に形成されていることをｌｌ、Ｉ＋徴とするも
のである。
形成ずにように突出部が形成され、月つ該突出部の稜部
が曲線状に形成されていることをｌｌ、Ｉ＋徴とするも
のである。
本発明は、半導体集積回路素子を上面に搭載するように
した平板状のセラミック基板、」二面中央部に素子搭載
用の凹部を形成ずにように成形されたセラミ・７り貼（
反又は複数枚の生ヒラミソクンートを績則しＣ焼結一体
化されたセラミック基板、その他印刷配線用の単層又は
多ＩＰｉ状のセラミック基板等のように基板のひび、割
れ、欠りが製品の信頼性の面で致命的欠陥となるものに
りｌして２１）に右りノに適用される。
した平板状のセラミック基板、」二面中央部に素子搭載
用の凹部を形成ずにように成形されたセラミ・７り貼（
反又は複数枚の生ヒラミソクンートを績則しＣ焼結一体
化されたセラミック基板、その他印刷配線用の単層又は
多ＩＰｉ状のセラミック基板等のように基板のひび、割
れ、欠りが製品の信頼性の面で致命的欠陥となるものに
りｌして２１）に右りノに適用される。
以下、本発明を添何図面に示す実施例にノにづき０ｆ♀
１１１に説明する。
１１１に説明する。
第２１ヌ１のセラミソク＆板は半導体集積回路素子を」
二面に措；１＆するためのセラミ、り基板の例を示し、
セラミソクシ、（板２におりるｊｖめ方向＋１１ｉ１面
に段差４を形成するように突出部３が形成されている。
二面に措；１＆するためのセラミ、り基板の例を示し、
セラミソクシ、（板２におりるｊｖめ方向＋１１ｉ１面
に段差４を形成するように突出部３が形成されている。
この突出部３目九形１）、の膨らめｆ！ｌＸのように、
その稜部５が曲線状に形成されていればよい。
その稜部５が曲線状に形成されていればよい。
第２し１におし」る突出部３の先Ｉｇ：□１はＩ￥ ｃ
７ｊ方向方向中火に位置し、突出高１〕は裁板２のｊｖ
さＴとも関連し、厚さ’ｒ＝ １．５２ｍｍノ場合、突
状ｉ１’ｌｉ Ｄ ＝ ０． ［１２〜０１開程度で−
”＝ ０．０１３〜０．０（ｉｆｉが）匈当であるこ
丁 とが実験」−判明した。即ら、図にＡ？いては、理解を
容易にするために、突出部がｎ１張されて示されている
が、実際には厚さの約屋及至雇程度の突出高さで所１υ
１の目的が達成されることが判明した。
７ｊ方向方向中火に位置し、突出高１〕は裁板２のｊｖ
さＴとも関連し、厚さ’ｒ＝ １．５２ｍｍノ場合、突
状ｉ１’ｌｉ Ｄ ＝ ０． ［１２〜０１開程度で−
”＝ ０．０１３〜０．０（ｉｆｉが）匈当であるこ
丁 とが実験」−判明した。即ら、図にＡ？いては、理解を
容易にするために、突出部がｎ１張されて示されている
が、実際には厚さの約屋及至雇程度の突出高さで所１υ
１の目的が達成されることが判明した。
このような突出部を厚め方向端面に形成した基板２が互
いに衝突する場合、例えば第３図に示すように、貼１）
７．２．２の外周端面の突出部３．３同志が衝突するこ
とにより、制れ、欠の等の起こり安いコーナーｑｌ（に
衝撃力が加わるのを回避することができる。
いに衝突する場合、例えば第３図に示すように、貼１）
７．２．２の外周端面の突出部３．３同志が衝突するこ
とにより、制れ、欠の等の起こり安いコーナーｑｌ（に
衝撃力が加わるのを回避することができる。
更に、多少傾斜状に衝突しても、突出部３．３′が段差
４を形成するように設りられ、■一つその稜！’！ｌ！
５が曲線状に形成されていることにより、割れ、欠け
の原因となる基板の稜部への衝撃力を緩和することがで
き、セラミック基板２．２′のひび、Ｊｉｌｌれ、欠け
が有効に防止される。なお、第３し１に示すように、基
板２．２のコーナ一部ＲａをＱ、３ｍｍ稈度の曲率」４
径の曲面にしておくと、この９」果１．！増人される。
４を形成するように設りられ、■一つその稜！’！ｌ！
５が曲線状に形成されていることにより、割れ、欠け
の原因となる基板の稜部への衝撃力を緩和することがで
き、セラミック基板２．２′のひび、Ｊｉｌｌれ、欠け
が有効に防止される。なお、第３し１に示すように、基
板２．２のコーナ一部ＲａをＱ、３ｍｍ稈度の曲率」４
径の曲面にしておくと、この９」果１．！増人される。
次に本発明を実験例に幇づいて説明する。
−例として第２図に示したような断面形状を有する２４
． ｈｍ Ｘ ２４ 、 ｈｍの方形状で、厚ｅ’ｊ丁
＝ １ 、５２＋ｕ＋、コーナー１１ａの曲率半径０．
３１１１ｍ隅の占（扱に、異なる突出１ｆｌｉ Ｉ）を
有する突出部３を形成したーセラミノク！、（１反と、
０１１１面が一平面状の１ｊｆｌ来のセラミ・ノクノ、
（１反についてのｉｔｉ突テストを行い、その結果を表
１に示す。この衝突テストの条件とし２７は、長さ １
００ｃｍ、１ｔＬｉ４７０’のトレイの」二部５０ｃ＋
ｎ区間にテストり゛ループとして１グループ２０＋１１
ｉ＋の各基板を平面状Ｇこ連接して並べ、自重でもって
トレイの下１１１１こ設置したす、イ＋：＋ンスト・ツ
バ−に向りて沿ド（落−１・）さ−する。このような吊
降を１０回繰り返すが、９回ま−Ｃのｌ′ｉ″Ｉ賄時に
ひび、７１りれ、欠りの発４＋ｉ ＬだものＬ、Ｌｌｆ
） Ｉｌｆさ・Ｕた回ごとに新規の占（板と入れ替え、
△皮革ＩのテスＩ・グループの１０回のｌｔ’）買１＆
ｃ、二ＩＨＬＪイ】初１υ１の基板２０個についてのひ
び、割れ、欠＆Ｊの発生した（因数を４１ｉＷ１シた。
． ｈｍ Ｘ ２４ 、 ｈｍの方形状で、厚ｅ’ｊ丁
＝ １ 、５２＋ｕ＋、コーナー１１ａの曲率半径０．
３１１１ｍ隅の占（扱に、異なる突出１ｆｌｉ Ｉ）を
有する突出部３を形成したーセラミノク！、（１反と、
０１１１面が一平面状の１ｊｆｌ来のセラミ・ノクノ、
（１反についてのｉｔｉ突テストを行い、その結果を表
１に示す。この衝突テストの条件とし２７は、長さ １
００ｃｍ、１ｔＬｉ４７０’のトレイの」二部５０ｃ＋
ｎ区間にテストり゛ループとして１グループ２０＋１１
ｉ＋の各基板を平面状Ｇこ連接して並べ、自重でもって
トレイの下１１１１こ設置したす、イ＋：＋ンスト・ツ
バ−に向りて沿ド（落−１・）さ−する。このような吊
降を１０回繰り返すが、９回ま−Ｃのｌ′ｉ″Ｉ賄時に
ひび、７１りれ、欠りの発４＋ｉ ＬだものＬ、Ｌｌｆ
） Ｉｌｆさ・Ｕた回ごとに新規の占（板と入れ替え、
△皮革ＩのテスＩ・グループの１０回のｌｔ’）買１＆
ｃ、二ＩＨＬＪイ】初１υ１の基板２０個についてのひ
び、割れ、欠＆Ｊの発生した（因数を４１ｉＷ１シた。
」二記テスト結果から明らかな、１、うに、セラミック
箔板の厚さゴー１．５２ｍＦの場合、！、（捗端面に突
出高りを０．０２ｎ＋ｍ以」二の突出部を形成しておく
ことによって基板同志のｔｉＩ突によるひび、Ｐ）すれ
、欠り等の発生を、（足来の基板の場合に比して大幅に
低減することが可ｆ１ヒとなる。
箔板の厚さゴー１．５２ｍＦの場合、！、（捗端面に突
出高りを０．０２ｎ＋ｍ以」二の突出部を形成しておく
ことによって基板同志のｔｉＩ突によるひび、Ｐ）すれ
、欠り等の発生を、（足来の基板の場合に比して大幅に
低減することが可ｆ１ヒとなる。
なお、厚さＩ’ ＝ １ 、．５２ｍｍのセラミック基
板の場合に、突出ｉ１’ｌｉ ｌ）が０．１．ｍｍ以」
二になるとひび、別れ、欠り等を防止するすＪ果はむし
ろ大きくなり基板の使用条件によってはＱ、１ｍｉ以」
二の突出部を形成してもよい。しかし、突出ｌｌ′ＴＩ
Ｉ）が大きくなるにつれて基（及の形４）いｑ、１」に
−ｒ＋＋、１面形状が正規の方形状のものから変形した
ものとなり、また基板の成形が而（い１になる頭向があ
る。
板の場合に、突出ｉ１’ｌｉ ｌ）が０．１．ｍｍ以」
二になるとひび、別れ、欠り等を防止するすＪ果はむし
ろ大きくなり基板の使用条件によってはＱ、１ｍｉ以」
二の突出部を形成してもよい。しかし、突出ｌｌ′ＴＩ
Ｉ）が大きくなるにつれて基（及の形４）いｑ、１」に
−ｒ＋＋、１面形状が正規の方形状のものから変形した
ものとなり、また基板の成形が而（い１になる頭向があ
る。
このようなセラミックより成る基板の成形法よしては粉
体プレス法、トクターブＬ−−１’法によるグリーン（
４１ユ）ソートからの打１ｕき法その他押出法で成形し
た後、＋ＩＩ＋、１面に突出部を成形したり、或いは焼
結後に研１ソ加工して突出「（１（を成形する等、ぞれ
ぞれに最も適した方法を用いればよい。
体プレス法、トクターブＬ−−１’法によるグリーン（
４１ユ）ソートからの打１ｕき法その他押出法で成形し
た後、＋ＩＩ＋、１面に突出部を成形したり、或いは焼
結後に研１ソ加工して突出「（１（を成形する等、ぞれ
ぞれに最も適した方法を用いればよい。
以」二のように、本発明のセラミック基板によれば、セ
ラミック基板同志が衝突した場合でも、ひび、割れ、欠
り等の発生を大幅に低減さ−Ｕることが可能となり、自
動化された組立ラインによる組立工程等苛ｒｌＶｓな条
件下においても歩留りを顕著に向上させることができ、
合ね−Ｕて品質、信頼性を向上さ−Ｕることができるた
め、半導体装置等に好適に使用される。
ラミック基板同志が衝突した場合でも、ひび、割れ、欠
り等の発生を大幅に低減さ−Ｕることが可能となり、自
動化された組立ラインによる組立工程等苛ｒｌＶｓな条
件下においても歩留りを顕著に向上させることができ、
合ね−Ｕて品質、信頼性を向上さ−Ｕることができるた
め、半導体装置等に好適に使用される。
第１し１（イ） （ロ）は従来のセラミック基板の平面
図と側面図、第２図は本発明実施例によるセラミック基
板の部分ｌｖｉ面図、第３図は本発明によるセラミック
基板の衝突態様例を説明するだめの図である。 １．２．２′ ・ セラミック基を投 ３．３′： 突出ｆｌ（ ４； 段差 特許出願人 京 セ ラ 株 式 会 社代表考 稲
盛和夫 （イ）
図と側面図、第２図は本発明実施例によるセラミック基
板の部分ｌｖｉ面図、第３図は本発明によるセラミック
基板の衝突態様例を説明するだめの図である。 １．２．２′ ・ セラミック基を投 ３．３′： 突出ｆｌ（ ４； 段差 特許出願人 京 セ ラ 株 式 会 社代表考 稲
盛和夫 （イ）
Claims (1)
- セラミックより成る基板の外周ζｌｉｔ面に、段差を形
成するように突出部を形成すると共に、該突出部の稜Ｑ
ｉを曲線状に形成したことを特徴とするセラミック基板
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58122428A JPS5925251A (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | セラミツク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58122428A JPS5925251A (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | セラミツク基板 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14579478A Division JPS5572064A (en) | 1978-11-25 | 1978-11-25 | Ceramic substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5925251A true JPS5925251A (ja) | 1984-02-09 |
| JPS6222268B2 JPS6222268B2 (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=14835589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58122428A Granted JPS5925251A (ja) | 1983-07-07 | 1983-07-07 | セラミツク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5925251A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02241049A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Kyocera Corp | セラミック基板 |
-
1983
- 1983-07-07 JP JP58122428A patent/JPS5925251A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02241049A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-25 | Kyocera Corp | セラミック基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6222268B2 (ja) | 1987-05-16 |
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