JPS5927536A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number
JPS5927536A
JPS5927536A JP57137006A JP13700682A JPS5927536A JP S5927536 A JPS5927536 A JP S5927536A JP 57137006 A JP57137006 A JP 57137006A JP 13700682 A JP13700682 A JP 13700682A JP S5927536 A JPS5927536 A JP S5927536A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
sheet
container
semiconductor device
impregnated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57137006A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriyuki Yamamoto
山本 徳行
Koji Nagao
長尾 工司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP57137006A priority Critical patent/JPS5927536A/ja
Publication of JPS5927536A publication Critical patent/JPS5927536A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/68Shapes or dispositions thereof
    • H10W70/682Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/073Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331Connecting techniques
    • H10W72/07337Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
    • H10W72/07338Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy hardening the adhesive by curing, e.g. thermosetting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30Die-attach connectors
    • H10W72/351Materials of die-attach connectors
    • H10W72/353Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
    • H10W72/354Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics comprising polymers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/551Materials of bond wires
    • H10W72/552Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5524Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/736Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置及びその與遣方法にがかり、特に半
導体素子が熱伝導性の良好な接NNで容器に取り伺けら
れている半導体装置及びその製造方法に関する。
従来半導体素子は容器上に形成され大金導体層上に金・
シリコン半田により比較的高温度で接着されていた。従
って特性の安定性は?1られるが、高温により半導体素
子にひずみが内えられ、またコストが晶いと言う問題が
あっlヒ。
これが対策として樹脂接着剤による接着が開発され、熱
伝導性その他の理由から銀ペーストが多く用いられるよ
うになった。
しかしながら銀ペーストはコスト高であると共に、その
取扱が複雑である。丁なわら第2図に示すようなリード
フレーム4のように1反イ=t f倶伺近が平担なもの
においてはスタンプ、印刷等により接着部へペースト2
を付着させたのし半導体素子3を乗せ加熱接着させるこ
とができる。しかし第1図に示すような半導体素子数イ
;j部が凹部工′を形成している半導体容器の基板1の
ときには、印刷やスタンプによる接着剤の塗布が困邦と
なる。そのためノズル等によりペースト2を部下させる
方法が考えられるが、塗布装置の構造が仲外と々ると言
う問題と共に、往々にして他の部分にもぺ−ストが付着
し、容器並び[素子金汚し時によシボンディング等の後
工程を不可能にする。それと共にペーストの溶剤は揮発
するので作業条件の均一性を確保することが困難であっ
た。
これらの問題点、特に作業性を改善する方法として1合
成、ガラス、天然等の繊維により形成した布にエポキシ
樹脂等の接着材を含浸させた半硬化又は未硬化の固体状
にした接着用樹脂含浸フィルムが開発され、実用化が進
められている。
上記接着用樹脂含浸フィルムは、テープ状で供給され、
使用時に半導体素子の大きさに応じ切断され接着部に供
給され、その上に半導体素子が載置されたのち、加熱に
より接着固定される。この方法によればフィルムは固体
状で均一厚さのものであるため、ペーストを滴下する塗
布法のように他の部分を汚染するという問題、それによ
って引き起されるボンディング不良等の問題、塗膜の不
均一性の問題、作業性の問題等は相当改善できる。
しかしながら含浸基材である布は絶縁性の繊維で構成さ
れているため熱伝導性が悲<、半導体素子の熱の放散が
悪く、その結果半導体装置の信頼性の低下を来していた
本発明は以上の問題点に対処してなされたもので、熱伝
導性が四れ、かつ作業性のよい樹脂含浸シートにより接
M構成された半導体装置及びその・製造方法全提供する
にある。
本箱16発明の要旨は、容器の素子搭載部に接着用樹脂
を含浸した金属織物を介して素子が搭載されている°事
を特徴とする半導体装置にある。
13旧噸七て接着する工程とを含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法にある。
以下本発明の実施例につき図面を参IK)シ詳細に説明
する。第3図は不づら明の一実施例による半導体装置の
断面図である。図においてlは半導体素子搭載容器の基
板で中央部に素子成句用四部1′が形成されている。ま
た5は本イヘ明の要部であるエポキシ樹脂金含浸した金
属ワイヤ繊物シート、3は半導体素子である。
このような構成による不沈1の発明の半導体装置は次の
工程によシ製造することができる。先ず本発明の重要な
ポイントである接着用樹脂を含浸させた金属ワイヤ織物
シート全準備する。金属ワイヤ制料としては熱伝導性並
びに加工性からしてアルミニウムが好適であり、その低
調や鉄ワイヤも用いることができる。
すなわちアルミニウム細線織物を作成し、これにエポキ
シ樹脂を含浸、半硬化させて固体状のエポキシ樹脂、含
浸シートを作成する。シートの厚さは0,1〜0.5 
m In厚程度である。未硬化樹脂でも可能であるが、
帛温で固体状の半硬化樹脂シートを使うときは取扱が容
易で、接着作業も簡易に行うことができる。
半導体装置の組立に際しては、先ず素子をと9つける容
器の基板1金準備する。この基板には前記したように素
子搭載部の凹部1′が設けられている。前記したように
準備された半硬化固体状エポキシ樹脂含浸金属ワイヤ織
物シート5は使用に好都合の幅のテープ状にするとよい
。該テープ金半導体素子3並びに成句部1′の大きさに
よフ決る規足寸法に切断し、あらかじめ容器の基板の凹
rS+s 1’ に載置する容器rloo 〜200”
Oに加熱し半導体素子3を上記樹脂含浸金属ワイヤ繊物
シー)5に重ね圧接すると軟化した4(11脂により接
着され、その結果半導体素子3は(91脂含浸金シ・ル
ワイヤ織物シート5を介して容器の基板1vC接着する
熱により接着が完了する。また接着時の加熱によ   
    1夛樹脂は軟化するが一定厚さの金属ワイヤが
あるので埋さの変化はなく、シかも圧接することによシ
簿い樹脂層で接着させることができる。その後ワイヤボ
ンディングや容器封止作業等を行えば本発明の一実施例
による半導体装置が得られる。
以上説明した本発明の一実施例による半導体装置は従来
の合成繊維、ガラス、天然繊將1等とことなり熱伝導性
の良好なアルミニウム等の金属ワイ       11
(t。
ヤ織物に1妾着用樹脂が含浸させてあ]接着にあたり樹
脂が軟化し、これに半導体素子が圧接されるので樹脂の
厚さは薄い接着層で接着される。従って半導体素子と基
板との間に介在する接着層の断面の大部分はアルミニウ
ムで占有されることになり、従って接着層の熱伝導度を
大きくすることができ、放熱効果がちがり信頼性全向上
させることができる。
また接着用樹脂全滴下して接着させる方法において発生
した原着層の厚さの不均一問題は厚さの均一な金ハワイ
ヤ織物に半硬化性樹脂が含浸されているので軟化によシ
流れることもなく圧接により常に均一な接着層が得られ
る。また半硬化樹脂含浸による固体状シートのため汚染
問題は殆んど回避することができ、これに起因するその
後のボンディング作業等に支障を来すこともない。
また接着材の印刷、スタンプ、塗布等にあたシ問題とな
った溶剤の揮発、乾燥による作業条件の変化も生ずるこ
とはない。
その他に前記した作業の困難性を克服するためには複雑
で比較的大型な装置が必要であったが、不発明ではその
ような装fRは必要がないという特徴も発揮できる。
なお実施例では接着用樹脂としてエポキシ樹脂につき説
明したが、これに限定さtしるものでなくフェノールI
’L)脂全υめとする他のa7J脂も1史用できること
は言うまでもない。ただし接着力、熱伝導性、熱安定性
等においてエボキシオθ1JIW&:I、好適で、特に
半導体素子に悪影響f力える反応性物面の発生が殆んど
ないという特徴がある。
−また凄着用(vl(脂含浸金属ワイヤ織物シートとし
ては樹脂と硬化剤全混合して半硬化させてもよく、−1
:たAfjJ脂と硬化剤の2層の層と1〜て)14成し
接着11をに硬化反応を進めさせてもよい。
以上説明したとおシ本発明によれば、熱伝導性の優れた
半導体素子の接着層を有し、しかも作業性の良好な半導
体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
8F!1図および第2図は従来の半導体装{1イ、の要
部断面図、第3図は本発明の一実施例による半導体装置
の要部1(jr面図。 1・・・・・・容器の基板、1′・・・・基板の素子取
付用凹部、2・・・・・・原着用ペースト、3・・・・
・・半導体素子、4・・・・・・リードフレーム、5・
・・・・・接着用樹脂含浸金属ワイヤ頽(・1勿シート
。 第1区 第7図 第1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)容器の素子搭載部に接着用樹脂を含浸した金属ワ
    イヤ織物全弁して素子が搭載されている事を特徴とする
    ′半導体装置。 と金含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP57137006A 1982-08-06 1982-08-06 半導体装置及びその製造方法 Pending JPS5927536A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57137006A JPS5927536A (ja) 1982-08-06 1982-08-06 半導体装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57137006A JPS5927536A (ja) 1982-08-06 1982-08-06 半導体装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5927536A true JPS5927536A (ja) 1984-02-14

Family

ID=15188598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57137006A Pending JPS5927536A (ja) 1982-08-06 1982-08-06 半導体装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5927536A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5717660A (en) * 1994-09-07 1998-02-10 Seiko Clock Inc. Rotary decoration driving device
JP2010162416A (ja) * 2010-05-06 2010-07-29 Sammy Corp スロットマシンの表示部構造

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5717660A (en) * 1994-09-07 1998-02-10 Seiko Clock Inc. Rotary decoration driving device
JP2010162416A (ja) * 2010-05-06 2010-07-29 Sammy Corp スロットマシンの表示部構造

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2921668B2 (ja) 熱伝導性かつ電気絶縁性の結合装置およびその製造方法
TW582078B (en) Packaging process for improving effective die-bonding area
JPS61194732A (ja) 半導体ペレツトと基板の接合方法
JPS608426Y2 (ja) 半導体ウエハ−の保持基板
JPS5927536A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS59231825A (ja) 半導体装置
US6194780B1 (en) Tape automated bonding method and bonded structure
JPS62172676A (ja) 難ハンダ付性材料への端子の取付方法
JP2754534B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH01272125A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003249509A (ja) 半導体封止方法および封止された半導体
KR20020089492A (ko) 웨이퍼 후면에 다이 부착물질의 사전 도포
EP0736225A1 (en) Method of attaching integrated circuit dies by rolling adhesives onto semiconductor wafers
JPH04247640A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3431316B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体チツプの実装方法
JPS629728Y2 (ja)
JPS5957438A (ja) 半導体装置の組立方法
JP3517947B2 (ja) 液晶表示装置およびその製造方法
JP3087553B2 (ja) 多層リードフレームの製造方法
JPS6016432A (ja) 半導体装置
JPS5834932A (ja) 半導体装置
JP2732991B2 (ja) 半導体装置
JPH07321148A (ja) 半導体装置の実装方法及び半導体装置の実装体
TWI274423B (en) Ultra thin package structure and its manufacturing method
JP3422099B2 (ja) 接着材及びそれを用いた半導体装置用リードフレームの製造方法