JPS5927552A - ダイオ−ド装着方法 - Google Patents
ダイオ−ド装着方法Info
- Publication number
- JPS5927552A JPS5927552A JP13757282A JP13757282A JPS5927552A JP S5927552 A JPS5927552 A JP S5927552A JP 13757282 A JP13757282 A JP 13757282A JP 13757282 A JP13757282 A JP 13757282A JP S5927552 A JPS5927552 A JP S5927552A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- electrode
- shaped
- lower electrode
- housing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はビル形ダイオードを筐体とマイクロ波集積回路
（以下ＭＩＣと称す）基板との間に装着し、かつ該ダイ
オードの下部１η、極及び該筐体と該ＭＩＣ基板の下部
接地導体との間、及び該ダイオードのスタッド及び下部
電極と該筐体の大部分とｆ：、電極的に接着する場合、
該ダイメートの下部電極と該ＭＩＣ基板の下部接地導体
との間の電気的接着が完全に出来るダイオード装着方法
に関する。、（ｂ） 従来技術と問題点 第１図はビル形ダイオードの側面図（４）及び平面図（
Ｂ）、第２図はＭＩＣ基板のピル形ダイオードの上部キ
ャップを通す穴の部分を示す断面図、第３図はピル形ダ
イオードの下部電極及びスタッドを装着する穴の部分を
示す筐体の断■１図、第４図はピル形ダイオードの装着
完成後の断面図、第５図は従来例のビル形ダイオード’
ｔ ４１４３４する途中工程を示す斜視図でおる。
（以下ＭＩＣと称す）基板との間に装着し、かつ該ダイ
オードの下部１η、極及び該筐体と該ＭＩＣ基板の下部
接地導体との間、及び該ダイオードのスタッド及び下部
電極と該筐体の大部分とｆ：、電極的に接着する場合、
該ダイメートの下部電極と該ＭＩＣ基板の下部接地導体
との間の電気的接着が完全に出来るダイオード装着方法
に関する。、（ｂ） 従来技術と問題点 第１図はビル形ダイオードの側面図（４）及び平面図（
Ｂ）、第２図はＭＩＣ基板のピル形ダイオードの上部キ
ャップを通す穴の部分を示す断面図、第３図はピル形ダ
イオードの下部電極及びスタッドを装着する穴の部分を
示す筐体の断■１図、第４図はピル形ダイオードの装着
完成後の断面図、第５図は従来例のビル形ダイオード’
ｔ ４１４３４する途中工程を示す斜視図でおる。
図中１は上部１極、２は下部電極、３はスタッド、４は
ＭＩＣ基板、５はＭＩＣ基板の下部接地導体、６はピル
形ダイオードの上部電極が見えるよう上部キャップを通
す大、７は筐体、８はピル形ダイオード、９はビル形ダ
イオードの下部１］１．極及びスタッドを装着する穴、
１０．１０’はＭＩＣ基板の下部接地導体とを電気的に
接着する筐体の接着部分、１１はビル形ダイオードの上
部キャップを示す。
ＭＩＣ基板、５はＭＩＣ基板の下部接地導体、６はピル
形ダイオードの上部電極が見えるよう上部キャップを通
す大、７は筐体、８はピル形ダイオード、９はビル形ダ
イオードの下部１］１．極及びスタッドを装着する穴、
１０．１０’はＭＩＣ基板の下部接地導体とを電気的に
接着する筐体の接着部分、１１はビル形ダイオードの上
部キャップを示す。
ピル形ダイオードは第１図に示す如くスタッド３上にダ
イオード素子部分が塔状されておシ、ダｉ？ｆｙｐＬｊ
？ｇ序部分が塔状されておりダイオード素子部分は上部
電極１と下部電極２がある。このビル形ダイオードを筐
体とＭＩＣ基板間に装着するには第２図に示す如＜ＭＩ
Ｃ基板４にはビル形、ダイオードの上部電極１が見える
よう上部キャップ１１を通す穴６が明けられておｐ又下
部接地導体５がある。又第３図に示す如く筐体７にはピ
ル形ダイオードの下部電極２及びスタッド３を装着する
穴９が開いておシ又ＭＩＣ基板４の下部接地導体５と櫓
、気的に接着する接着部分１０＋１０’がある。この筐
体７とＭＩＣ基板４との間にピル形ダイオード８を第４
図に示す如く装着し、ＭＩＣ基板４の下部接地電極５と
ピグ形ダイオード８の下部電極２及び筐体７の接着部分
１０．１０’間及びピグ形タイオード８のスタッド３及
び下部電極２と筺体７゛の大部分９を電気的に接着する
必髪がある。
イオード素子部分が塔状されておシ、ダｉ？ｆｙｐＬｊ
？ｇ序部分が塔状されておりダイオード素子部分は上部
電極１と下部電極２がある。このビル形ダイオードを筐
体とＭＩＣ基板間に装着するには第２図に示す如＜ＭＩ
Ｃ基板４にはビル形、ダイオードの上部電極１が見える
よう上部キャップ１１を通す穴６が明けられておｐ又下
部接地導体５がある。又第３図に示す如く筐体７にはピ
ル形ダイオードの下部電極２及びスタッド３を装着する
穴９が開いておシ又ＭＩＣ基板４の下部接地導体５と櫓
、気的に接着する接着部分１０＋１０’がある。この筐
体７とＭＩＣ基板４との間にピル形ダイオード８を第４
図に示す如く装着し、ＭＩＣ基板４の下部接地電極５と
ピグ形ダイオード８の下部電極２及び筐体７の接着部分
１０．１０’間及びピグ形タイオード８のスタッド３及
び下部電極２と筺体７゛の大部分９を電気的に接着する
必髪がある。
従来はこのｈｔ電気的接着行うのに第５図に示す如穴
く筐体７０木部分９にビル形ダイオード８を取付ゴ〕１
り半田又は導電枢の接着剤でｔａ電気的接着行った後、
ＭＩＣ基板４とビル形ダイオードの上部１１．極ｌが穴
６よシ見えるようにかぶせ、先の鞘、気的接ゴー 着の場合よυ若干溶融温度の抵い半田」又は導１，４＠
の接着剤で、ＭＩＣ基板４の下部接地導体５とピル形タ
イオードの下部電極２及び筐体７の接着部分ｉｏ、ｉｏ
’との電気的＠着を１Ｊなっていた。しかしこの方法で
は筐体７の穴９ｔ」２、電気的接着をする為ヒル形ダイ
メートの下部電極２及びスタッド３よシ若干大きいので
筐体７の接着部分１０．１０’１し とピッ形ダイオードの下部電極２の１ｈ１位置を合せる
ことがむつかしく、シばしばＭＩＣ基板４の下部接地導
体５と下部電極２との間に隙間が生じピル形ダイオード
８近辺のインピーダンスが変化し、回路に悪影響を及は
す欠点があった。
ＭＩＣ基板４とビル形ダイオードの上部１１．極ｌが穴
６よシ見えるようにかぶせ、先の鞘、気的接ゴー 着の場合よυ若干溶融温度の抵い半田」又は導１，４＠
の接着剤で、ＭＩＣ基板４の下部接地導体５とピル形タ
イオードの下部電極２及び筐体７の接着部分ｉｏ、ｉｏ
’との電気的＠着を１Ｊなっていた。しかしこの方法で
は筐体７の穴９ｔ」２、電気的接着をする為ヒル形ダイ
メートの下部電極２及びスタッド３よシ若干大きいので
筐体７の接着部分１０．１０’１し とピッ形ダイオードの下部電極２の１ｈ１位置を合せる
ことがむつかしく、シばしばＭＩＣ基板４の下部接地導
体５と下部電極２との間に隙間が生じピル形ダイオード
８近辺のインピーダンスが変化し、回路に悪影響を及は
す欠点があった。
（ｅ） 発明の目的
本発明の目的は上記の欠点をなくしピル形ダイオードの
下部電極とＭＩＣ基板の下部接地導体との間の電気的接
着が完全に出来るダイオード装着方法の提供にある。
下部電極とＭＩＣ基板の下部接地導体との間の電気的接
着が完全に出来るダイオード装着方法の提供にある。
（ｄ） 発明の構成
本発明は上記の目的を達成するために、ビル形ダイオー
ドの下部電極とＭＩＣ基板の下部接地導体とを最初に電
気的に接着しておくことを特徴とする。
ドの下部電極とＭＩＣ基板の下部接地導体とを最初に電
気的に接着しておくことを特徴とする。
（ｅ） 発明の実施例
以下゛本発明の１実施例につき図に従って説明する。
第６図は本発明の実施ｉのピル形ダイオードとＭＩＣ基
板の下部導体とを電気的に接着した状況を示す側面図で
ＭＩＣ基板は穴の部分で切断した断面を示している。
板の下部導体とを電気的に接着した状況を示す側面図で
ＭＩＣ基板は穴の部分で切断した断面を示している。
図中第１図〜第５図と同一の物は同一記号で示す０
本発明の場合は、まづ最初に第６図に示す如くＭＩＣ基
板４０穴６にピル形ダイオード８の上部電極１が見える
ようダイオードの上部キャップ１１を通し、下部電極２
とＭＩＣ基板４の下部接地電極 体５を半田又は導電性接着剤で接着する。この方法では
ビル形ダイオード８の下部電極２とＭＩＣ基板４の下部
接地電極５との間には隙間が生じなく完全な１１気的接
着が容易に出来る。次に第４図に示す如くビル形ダイオ
ード８の下部電極２及びスタッド３を筐体７の欠部分９
に挿入し、筐体の大部分９とビル形ダイオード８の下部
′Ｉｆ、極２及びスタッド３間の電気的接着及び筐体７
の接着部分１０．１０’とＭＩＣ基板４の下部接地導体
５との電気的接着を先に行った電気的接着の場合より溶
融温度の低い半田又は導電性接着剤を用いて接着する０ （ｆ） 発明の効果 以上肝細に）ｉｓｆ、 Ｑｌする如く本発明によれば、
ピン形ダイオードの下部電極とＭＩＣ基板の下部接地導
体との間に隙間が生じなく完全に？Ｌ電気的接着出来る
効果がある・〕
板４０穴６にピル形ダイオード８の上部電極１が見える
ようダイオードの上部キャップ１１を通し、下部電極２
とＭＩＣ基板４の下部接地電極 体５を半田又は導電性接着剤で接着する。この方法では
ビル形ダイオード８の下部電極２とＭＩＣ基板４の下部
接地電極５との間には隙間が生じなく完全な１１気的接
着が容易に出来る。次に第４図に示す如くビル形ダイオ
ード８の下部電極２及びスタッド３を筐体７の欠部分９
に挿入し、筐体の大部分９とビル形ダイオード８の下部
′Ｉｆ、極２及びスタッド３間の電気的接着及び筐体７
の接着部分１０．１０’とＭＩＣ基板４の下部接地導体
５との電気的接着を先に行った電気的接着の場合より溶
融温度の低い半田又は導電性接着剤を用いて接着する０ （ｆ） 発明の効果 以上肝細に）ｉｓｆ、 Ｑｌする如く本発明によれば、
ピン形ダイオードの下部電極とＭＩＣ基板の下部接地導
体との間に隙間が生じなく完全に？Ｌ電気的接着出来る
効果がある・〕
イオードの−Ｅ部中キヤツプ通す穴の部分を示す断面図
、第３図はビル形ダイオードの下部電極及びスタッドな
装着する穴の部分を示す筐体の断面図、第４図はビル形
ダイオードの装着完成後の断面図、第５図は従来例のピ
ル形ダイオードを装着する途中工程を示す斜視図、第６
図は本発明の実施例のビル形ダイオードとマイクロ波集
積回路基板の下部導体とを電気的に接着した状況を示す
側面図である。 図中１は上部電極、２は下部電極、３はスタッド、４は
マイクロ波集積回路基板、５は下部接地導体、６はビル
形ダイ牙−ドの上部キャップを通す穴、７は筐体、８け
ビル形ダイオード、９はピル形ダイオードの下部電極及
びスタッドを装着する穴、１０．１０’は筐体の接着部
分、１１は上部キャップを示す０ 乎 １ 図 半 ｚ 図 第３図 第４囚 亨５ 図 第 ６ 図
、第３図はビル形ダイオードの下部電極及びスタッドな
装着する穴の部分を示す筐体の断面図、第４図はビル形
ダイオードの装着完成後の断面図、第５図は従来例のピ
ル形ダイオードを装着する途中工程を示す斜視図、第６
図は本発明の実施例のビル形ダイオードとマイクロ波集
積回路基板の下部導体とを電気的に接着した状況を示す
側面図である。 図中１は上部電極、２は下部電極、３はスタッド、４は
マイクロ波集積回路基板、５は下部接地導体、６はビル
形ダイ牙−ドの上部キャップを通す穴、７は筐体、８け
ビル形ダイオード、９はピル形ダイオードの下部電極及
びスタッドを装着する穴、１０．１０’は筐体の接着部
分、１１は上部キャップを示す０ 乎 １ 図 半 ｚ 図 第３図 第４囚 亨５ 図 第 ６ 図
Claims (1)
- スタッド上にダイオード素子が塔状されたビル形ダイオ
ードの下部電極及びスタッド金装着する穴を持った筐体
と該ダイオードの上部電極が透視可能な穴加工をほどこ
したマイクロ波集積回路基板の間に該ダイオードを装着
し、かつ該ダイオードの下部電極及び該筐体と該マイク
ロ波集積回路基板の下部接地導体との間及び該ダイオー
ドのスタッド及び下部電極と該筐体の大部分とを電気的
に接着するに際し、該ダイオードの下部電極と該マイク
ロ波集積回路基板の下部接地導体とを最初に電気的に接
着しておくことを特徴とするダイオード装着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13757282A JPS5927552A (ja) | 1982-08-07 | 1982-08-07 | ダイオ−ド装着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13757282A JPS5927552A (ja) | 1982-08-07 | 1982-08-07 | ダイオ−ド装着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5927552A true JPS5927552A (ja) | 1984-02-14 |
Family
ID=15201851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13757282A Pending JPS5927552A (ja) | 1982-08-07 | 1982-08-07 | ダイオ−ド装着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927552A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06104692A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-04-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 適応等化システムおよび方法 |
-
1982
- 1982-08-07 JP JP13757282A patent/JPS5927552A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06104692A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-04-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 適応等化システムおよび方法 |
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