JPH02111042A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH02111042A
JPH02111042A JP63265443A JP26544388A JPH02111042A JP H02111042 A JPH02111042 A JP H02111042A JP 63265443 A JP63265443 A JP 63265443A JP 26544388 A JP26544388 A JP 26544388A JP H02111042 A JPH02111042 A JP H02111042A
Authority
JP
Japan
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electrode
anode region
semiconductor device
corroded
ionization tendency
Prior art date
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Pending
Application number
JP63265443A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideyuki Ichiyama
一山　秀之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH02111042A publication Critical patent/JPH02111042A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体素子の電極周辺の構造に関するもの
である。
〔従来の技術〕
第２図は従来の半導体装置の電場周辺を示す平面図であ
り、図において、１は集積回路等が形成された半導体素
子、２はこの半導体素子１上に形成された電極、３は上
記電極２にボンディングされた金属細線、３ｍはボンデ
ィング部である。
そして、上記電極２にボンディングされた金属績ｓ３を
通じて、半導体装置と外部端子との間の電気の入出力が
行われている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来の半導体装置において、一般に電極２の材質が
アルミニウム（ＡＩ）であることが多く、またそこにボ
ンディングされている金属細線３は金（Ａｕ）が多い。
しかしながらここでイオン化傾向は層〉〉人ｕであるた
めに、この電極２付近に水分等が存在すると電極材料で
あるアルミニウムが腐食されてしまい、半導体素子の機
能を失ってしまうという問題点があった。
この発明は上記の様な問題点を解消するためになされた
もので、電極の腐食を防ぐことができる信頼性の良好な
半導体装置を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、電極の周辺部分に電極の
材質よりもイオン化傾向の大なる金属で構成されたアノ
ード領域を設け、このアノード領域と電極間に電気的導
通をとることで、局部電池を形成したものである。
〔作用〕
乙の発明ｔこおける半導体装置は、ＷＡＩＷ！周囲にア
ノード領域を設けることで、局部電池を作成し、その上
に水分等が存在しても電極は腐食されずにアノード領域
が腐食されるために半導体素子としての機能は損なわな
いですむ。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１は集積回路等が形成された半導体素子、
２はこの半導体素子１上に形成された電極、３は上記ｌ
Ｒ極２にボンディングされた金属細線、３ａはボンディ
ング部、４は本実施例によるアノード領域である。この
アノード領域４は電極２と配線５により電気的導通はと
れている。
またアノード領域４は電極２よりもイオン化傾向が大き
なつまり卑な金属で構成されている。例えば電極２がア
ルミニウムで形成されている場合、アノード領域４はマ
グネシウム等で形成する。
なお上記実施例では、電極材料としてアルミニウムを、
アノード領域としてマグネシウムを用いた場合について
示したが、他の金属であってもよく、電極２がアノード
領域４より責な金属である組合せであれば、上記実施例
と同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、半導体素子の電極周辺
にアノード領域を形成したので、半導体装置の耐湿性試
験等が行われた際に、電極付近に水分等が存在しても局
部電池の効果で電極の腐食が防止され、半導体装置の信
頼性が高くなる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置の電極周
辺を示す部分拡大平面図、第２図は従来の半導体装置を
示す部分拡大平面図である。 図中、１は半導体素子、２は電極、３は金属細線、３ｍ
はボンディング部、４はアノード領域、５は配線である
。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子上の電極に金属細線をボンディングしている
    半導体装置において、上記電極の周辺にこの電極材料よ
    りイオン化傾向の大なるアノード領域を形成し、上記ア
    ノード領域と上記電極とを導通したことを特徴とする半
    導体装置。
JP63265443A 1988-10-20 1988-10-20 半導体装置 Pending JPH02111042A (ja)

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JP63265443A JPH02111042A (ja) 1988-10-20 1988-10-20 半導体装置

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