JPS5928340A - エッチング終点検出方法 - Google Patents
エッチング終点検出方法Info
- Publication number
- JPS5928340A JPS5928340A JP57137306A JP13730682A JPS5928340A JP S5928340 A JPS5928340 A JP S5928340A JP 57137306 A JP57137306 A JP 57137306A JP 13730682 A JP13730682 A JP 13730682A JP S5928340 A JPS5928340 A JP S5928340A
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- JP
- Japan
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- etching
- waveform
- spectral intensity
- converter
- gain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えばドライエツチングのように、エツチン
グの開始から終了までの分光スペクトル ２（の強度
の絶対量が小さく、かつ、その変化量も小さい波形から
、エツチング終点を確実に検出することを可能とするだ
めのエツチング終点検出方式％式％ 一般に、ドライエツチング装置では、エツチング中のプ
ラズマからの発光を分光器に入力し、エツチング中の化
学反応によって生じるイオン、化合物などの特定波長ス
ペクトル（分光スペクトル）の強度変化をエツチング開
始時からモニタし、上記強度変化からエツチングの終点
を検出する方法（分光分析による終点検出方法）が多く
採用されている。
グの開始から終了までの分光スペクトル ２（の強度
の絶対量が小さく、かつ、その変化量も小さい波形から
、エツチング終点を確実に検出することを可能とするだ
めのエツチング終点検出方式％式％ 一般に、ドライエツチング装置では、エツチング中のプ
ラズマからの発光を分光器に入力し、エツチング中の化
学反応によって生じるイオン、化合物などの特定波長ス
ペクトル（分光スペクトル）の強度変化をエツチング開
始時からモニタし、上記強度変化からエツチングの終点
を検出する方法（分光分析による終点検出方法）が多く
採用されている。
この場合、ＡＡ系のドライエツチングでは、分光スペク
トルは３．９６ｎｍが使われており、エツチングの進行
に伴なって分光スペクトルの強度が顕著に変化するので
、比較的に終点検出は容易である。
トルは３．９６ｎｍが使われており、エツチングの進行
に伴なって分光スペクトルの強度が顕著に変化するので
、比較的に終点検出は容易である。
これに対して、ＰＳＧ （リンガラス） 、 Ｓ １０
２（二酸化珪素）、５ｉｓＮ＋（シリコンナイトライｉ
ト）などのＳｉ系のドライエツチングでは５１９ｎｍ
が使われるが、エツチング速度がＡｔ系に比べて約１／
１０程度であるため、エツチング中の分光スペクトルの
強度の絶対量が小さく （Ａ／！、系に比べて１／２以
下）、エツチング条件（圧力。
２（二酸化珪素）、５ｉｓＮ＋（シリコンナイトライｉ
ト）などのＳｉ系のドライエツチングでは５１９ｎｍ
が使われるが、エツチング速度がＡｔ系に比べて約１／
１０程度であるため、エツチング中の分光スペクトルの
強度の絶対量が小さく （Ａ／！、系に比べて１／２以
下）、エツチング条件（圧力。
エツチングガス流量、高周波印加電力等）によっても強
度の絶対量が変化し、それに伴って分光スペクトルの強
度変化も小さくて終点検出が困難であった。
度の絶対量が変化し、それに伴って分光スペクトルの強
度変化も小さくて終点検出が困難であった。
したがって、Ｓｉ系のドライエツチングでは、多くの場
合、従来からエツチング終点を時間制御によって決定し
ており、エツチング条件の変動によシ、エツチングの過
不足が生じて品質の均一化が困難であったばかりでなく
、安全側に時間制御をしていたので工程の効率も向上す
ることが困難であった。
合、従来からエツチング終点を時間制御によって決定し
ており、エツチング条件の変動によシ、エツチングの過
不足が生じて品質の均一化が困難であったばかりでなく
、安全側に時間制御をしていたので工程の効率も向上す
ることが困難であった。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなりシ、分
光強度波形の絶対レベル、変化量の小さいエツチングに
おいても、その終点を確実に検出することができるエツ
チング終点検出方式を提供することにある。
光強度波形の絶対レベル、変化量の小さいエツチングに
おいても、その終点を確実に検出することができるエツ
チング終点検出方式を提供することにある。
対象物の止ツチングの進行とともに順次その分光強度波
形をディジタル値に変換して記憶しつるようにしておき
、エツチング初期の低レベル平坦区間での上記分光強度
波形のディジタル値をアナログ値へ逆変換をし、そのア
ナログ値をオフセット値として以後の分光強度波形から
差し引いて同波形のオフセット補正をし、その補正後の
分光強度波形についてピークを検出し、そのピーク値を
各対象物について一定値とするような利得で以後の上記
補正後の分光強度波形の利得調整をした後、逐次、これ
をディジタル値に変換して記憶しつつ、エツチングの終
期平坦部を判定し、そのエツチング終点の検出処理を行
うようにしたものである。
形をディジタル値に変換して記憶しつるようにしておき
、エツチング初期の低レベル平坦区間での上記分光強度
波形のディジタル値をアナログ値へ逆変換をし、そのア
ナログ値をオフセット値として以後の分光強度波形から
差し引いて同波形のオフセット補正をし、その補正後の
分光強度波形についてピークを検出し、そのピーク値を
各対象物について一定値とするような利得で以後の上記
補正後の分光強度波形の利得調整をした後、逐次、これ
をディジタル値に変換して記憶しつつ、エツチングの終
期平坦部を判定し、そのエツチング終点の検出処理を行
うようにしたものである。
これを要するに、例えばドライエツチングのように分光
強度波形の絶対レベル、変化の小さいものについて、そ
の初期の所定区間の平坦な低レベル値によるオフセット
補正をするとともに、以後、その補正後のピーク値を各
対象物について一定値とするように分光強度波形の増幅
利得の自動調整をすることにより、そのレベル変化の検
出を容易化し、エツチング終点を再現性よく確実に検出
しうるようにするものである。
強度波形の絶対レベル、変化の小さいものについて、そ
の初期の所定区間の平坦な低レベル値によるオフセット
補正をするとともに、以後、その補正後のピーク値を各
対象物について一定値とするように分光強度波形の増幅
利得の自動調整をすることにより、そのレベル変化の検
出を容易化し、エツチング終点を再現性よく確実に検出
しうるようにするものである。
以下、本発明の実施例を図に基づいて説明する。
第１図は、本発明に係るエツチング終点検出方式の一実
施例の方式構成図、第２図は、その主要部波形図、第３
図は、同処理フローチャートである。
施例の方式構成図、第２図は、その主要部波形図、第３
図は、同処理フローチャートである。
第１図において、１は、分光強度波形の入力端子、２は
、Ｄ／Ａ変換器、３は、利得＝１の反転増幅器、４は、
可変利得増幅器、５は、Ｄ／Ａ変換器２と逆の特性を持
つＡ／Ｄ変換器、６は、コンピュータ、７は、出力端子
である。ここで、可変利得増幅器４は、セットされるデ
ィジタル情報に応じて利得を変えることができる機能を
有する増幅器である。
、Ｄ／Ａ変換器、３は、利得＝１の反転増幅器、４は、
可変利得増幅器、５は、Ｄ／Ａ変換器２と逆の特性を持
つＡ／Ｄ変換器、６は、コンピュータ、７は、出力端子
である。ここで、可変利得増幅器４は、セットされるデ
ィジタル情報に応じて利得を変えることができる機能を
有する増幅器である。
なお、第２図において、波形ａ−ｄは、第１図中で同符
号を付した筒用におけるものである。
号を付した筒用におけるものである。
まず、コンピュータ６から初期条件としてＤ／Ａ変換器
２に０をセットしくすなわち、オフセット値を０とし）
、可変利得増幅器４に利得＝１となるようなディジタル
情報をセットしておく（これを第３図ではステップ３０
１に示す。）。
２に０をセットしくすなわち、オフセット値を０とし）
、可変利得増幅器４に利得＝１となるようなディジタル
情報をセットしておく（これを第３図ではステップ３０
１に示す。）。
次に、エツチングの開始（第２図の時点０）と同時に入
力端子１から分光強度波形ｖｓ （Ｌ） （第２図の波
形ａ）を入力し、上述のように利得−１にセットされた
可変利得増幅器４を通してＡ／Ｄ変換器５で順次に同波
形をディジタル値に変換した後、逐次、Ａ／Ｄ変換器５
の変換終了信号ｅを書込ミタイミングとしてコンピュー
タ６に書キ込ンで記憶していく（これを第３図ではステ
ップ３０２に示す。）。
力端子１から分光強度波形ｖｓ （Ｌ） （第２図の波
形ａ）を入力し、上述のように利得−１にセットされた
可変利得増幅器４を通してＡ／Ｄ変換器５で順次に同波
形をディジタル値に変換した後、逐次、Ａ／Ｄ変換器５
の変換終了信号ｅを書込ミタイミングとしてコンピュー
タ６に書キ込ンで記憶していく（これを第３図ではステ
ップ３０２に示す。）。
通常、エツチングの開始時には、その対象物の被エツチ
ング材（例えば、半導体用のウニ／・）の表面が酸化膜
などで被覆されているので、分光強度波形ｖｇ（りの値
は平坦的で低い。このエツチングの開始から分光強度波
形ＶＳ（りの低レベルの平坦区間（第２図の時点Ｏ９Ｐ
間）を一般にデッドタイムと称する。
ング材（例えば、半導体用のウニ／・）の表面が酸化膜
などで被覆されているので、分光強度波形ｖｇ（りの値
は平坦的で低い。このエツチングの開始から分光強度波
形ＶＳ（りの低レベルの平坦区間（第２図の時点Ｏ９Ｐ
間）を一般にデッドタイムと称する。
そこで、コンピュータ６は、第３図のステンプ３０３に
示すように、デッドタイム区間内で前もって決められた
時点（第２図の時点）でエツチングの開始（時刻ｔ−０
）から所定時間Ｔだけ経過したことを判断し、時刻ｔ＝
＝Ｔでの分光強度波形Ｖｓ（’１”）のＡ／Ｄ変換後の
ディジタル値Ｖ ａ ｔをＤ／Ａ変換器２にセットする
（これを第３図ではステップ３０４に示す。）。
示すように、デッドタイム区間内で前もって決められた
時点（第２図の時点）でエツチングの開始（時刻ｔ−０
）から所定時間Ｔだけ経過したことを判断し、時刻ｔ＝
＝Ｔでの分光強度波形Ｖｓ（’１”）のＡ／Ｄ変換後の
ディジタル値Ｖ ａ ｔをＤ／Ａ変換器２にセットする
（これを第３図ではステップ３０４に示す。）。
Ｄ／Ａ変換器２は、ディジタル値Ｖ ｏ ｔ を逆に
アナログ値Ｖ、ｆ−ｖｓ（Ｔ）（オフセット値）に変換
し、反転増幅器３を通して分光強度波形Ｖｓ（ｔ）に加
え合わせる。
アナログ値Ｖ、ｆ−ｖｓ（Ｔ）（オフセット値）に変換
し、反転増幅器３を通して分光強度波形Ｖｓ（ｔ）に加
え合わせる。
上記操作により、デッドタイム区間の分光強度値を０と
するようにオフセット補正がなされた分光強度波形（第
２図の波形ｂ） ■ｓ′（リー■ｓ （リー■６ ｆ を得る。
するようにオフセット補正がなされた分光強度波形（第
２図の波形ｂ） ■ｓ′（リー■ｓ （リー■６ ｆ を得る。
Ｄ／Ａ変換器２にセットされたディジタル値■。ｆ は
、以後エツチングの終点が検出されるまで保持される。
、以後エツチングの終点が検出されるまで保持される。
第２図の時点Ａから以後、すなわちエツチング開始から
時刻Ｔまでは、オフセット補正がされた分光強度波形ｖ
ｓ′（りを可変利得増幅器４（第１」得＝１）を通して
前記第３図のステップ３０２と同様にＡ／Ｄ変換器５で
順次にディジタル化し、逐次、コンピュータ６に記憶し
ておく（これを第３図ではステップ３０５に示す。）。
時刻Ｔまでは、オフセット補正がされた分光強度波形ｖ
ｓ′（りを可変利得増幅器４（第１」得＝１）を通して
前記第３図のステップ３０２と同様にＡ／Ｄ変換器５で
順次にディジタル化し、逐次、コンピュータ６に記憶し
ておく（これを第３図ではステップ３０５に示す。）。
更に、コンピュータ６は、第３図のステップ３０６に示
すように、オフセント補正後の分光強度波形ｖｓ′（ｔ
）がピークとなった時点（第２図の時点Ｂ）を判断し、
その時のオフセット補正後の分光強度波形ｖｓ’（ｔ）
のディジタル値■。８、を可変利得増幅器４にセッ
トする（これを第３図ではステップ３０７に示す。）。
すように、オフセント補正後の分光強度波形ｖｓ′（ｔ
）がピークとなった時点（第２図の時点Ｂ）を判断し、
その時のオフセット補正後の分光強度波形ｖｓ’（ｔ）
のディジタル値■。８、を可変利得増幅器４にセッ
トする（これを第３図ではステップ３０７に示す。）。
上記ピークディジタル値Ｖ ｍ ａ ｘは、エツチング
条件（圧力、エツチングガス流量など）によって種々に
変わるが、可変利得増幅器４は、それにセットされるデ
ィジタル情報によって利得を変えうる機能を有している
ので、上記ピークディジタル値Ｖ ｍ ａ ｘがコンピ
ュータ６からセットされた時点で、 Ｇ−Ｖ□エニ一定、 となる利得Ｇの増幅器となり、以後、エツチングの終点
が検出されるまで上記ディジタル値Ｖ ｍ ａ Ｘを保
持することにより、被エツチング材（対象物）、エツチ
ング条件にかかわらず常に上記条件となるように、自動
的に利得調整された分光強度波形 ｖｓ“（リ−ｏ−ｖｓ’（ｔ） を得ることができる（第２図の波形Ｃ）。
条件（圧力、エツチングガス流量など）によって種々に
変わるが、可変利得増幅器４は、それにセットされるデ
ィジタル情報によって利得を変えうる機能を有している
ので、上記ピークディジタル値Ｖ ｍ ａ ｘがコンピ
ュータ６からセットされた時点で、 Ｇ−Ｖ□エニ一定、 となる利得Ｇの増幅器となり、以後、エツチングの終点
が検出されるまで上記ディジタル値Ｖ ｍ ａ Ｘを保
持することにより、被エツチング材（対象物）、エツチ
ング条件にかかわらず常に上記条件となるように、自動
的に利得調整された分光強度波形 ｖｓ“（リ−ｏ−ｖｓ’（ｔ） を得ることができる（第２図の波形Ｃ）。
以上の操作により、原分光強度波形ｖ ５（ｔ）のオフ
セット補正、自動利得調整を行い、この結果で得られる
分光強度波形（第２図の波形ｄ）を当該ピーク検出時点
（第２図の時点Ｂ）以後、前記第３図のステップ３０２
，３０５と同様にＡ／Ｄ変換器５でディジタル化し、コ
ンピュータ６に逐次に記憶していく（これを第３図では
ステップ３０８に示す。）。
セット補正、自動利得調整を行い、この結果で得られる
分光強度波形（第２図の波形ｄ）を当該ピーク検出時点
（第２図の時点Ｂ）以後、前記第３図のステップ３０２
，３０５と同様にＡ／Ｄ変換器５でディジタル化し、コ
ンピュータ６に逐次に記憶していく（これを第３図では
ステップ３０８に示す。）。
最後に、コンピュータ６は、記憶したディジタル値によ
シ、分光強度波形の終期平坦区間内の時点（エツチング
終点）を判定しく第３図ステップ３０９）、検出した時
点で出力端子７に終点の検出終了信号を出力し、エツチ
ング終点検出処理を終了することができる（これを第３
図においてステップ３１０に示す。）。
シ、分光強度波形の終期平坦区間内の時点（エツチング
終点）を判定しく第３図ステップ３０９）、検出した時
点で出力端子７に終点の検出終了信号を出力し、エツチ
ング終点検出処理を終了することができる（これを第３
図においてステップ３１０に示す。）。
このように、分光強度波形をエツチングの進行とともに
順次にＡ／Ｄ変換し、その変化を観測（監視）していく
過程で、分光強度波形に対して自動的にオフセット補正
、利得調整を施すことにより、被エツチング材、エツチ
ング条件が変動して絶対レベル、変化量の小さい分光強
度波形となった場合でも、Ａ／Ｄ変換器の人力レンジに
合わせて分光強度波形の変化の状況を常に同じ分解能で
観測することができ、精度の高いエツチングが可能であ
る。
順次にＡ／Ｄ変換し、その変化を観測（監視）していく
過程で、分光強度波形に対して自動的にオフセット補正
、利得調整を施すことにより、被エツチング材、エツチ
ング条件が変動して絶対レベル、変化量の小さい分光強
度波形となった場合でも、Ａ／Ｄ変換器の人力レンジに
合わせて分光強度波形の変化の状況を常に同じ分解能で
観測することができ、精度の高いエツチングが可能であ
る。
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、原分光
強度波形の絶対レベル、変化量の小さいエツチングにお
いても、その終点を高精度で確実に検出しうるので、こ
の種エッチング工程における品質向上１歩留向上、効率
向上に顕著な効果が得られる。
強度波形の絶対レベル、変化量の小さいエツチングにお
いても、その終点を高精度で確実に検出しうるので、こ
の種エッチング工程における品質向上１歩留向上、効率
向上に顕著な効果が得られる。
第１図は、本発明に係るエツチング終点検出方式の一実
施例の方式構成図、第２図は、その主要部波形図、第３
図は、同処理フローチャートである。 １・・・入力端子、２・・・Ｄ／Ａ変換器、３・・・反
転増幅器、４・・・可変利得増幅器、５・・・Ａ／Ｄ変
換器、６（ほか１名） ＋。 茅２ 因 ＯＡ Ｂ 繭−ＩＩｉ″
ｌ茅３ 目
施例の方式構成図、第２図は、その主要部波形図、第３
図は、同処理フローチャートである。 １・・・入力端子、２・・・Ｄ／Ａ変換器、３・・・反
転増幅器、４・・・可変利得増幅器、５・・・Ａ／Ｄ変
換器、６（ほか１名） ＋。 茅２ 因 ＯＡ Ｂ 繭−ＩＩｉ″
ｌ茅３ 目
Claims (1)
- １、対象物のエツチングの進行とともに順次その分光強
度波形をディジタル値に変換して記憶しうるようにして
おき、エツチング初期の低レベル平坦区間での上記分光
強度波形のディジタル値をアナログ値へ逆変換をし、そ
のアナログ値をオフセット値として以後の分光強度波形
から差し引いて同波形のオフセット補正をし、その補正
後の分光強度波形についてピークを検出し、そのピーク
値を各対象物について一定値とするような利得で以後の
上記補正後の分光強度波形の利得調整をした後、逐次、
これをディジタル値に変換して記憶しつつ、エツチング
の終期平坦部鷹判定し、そのエツチング終点検出処理を
行うようにするエツチング終点検出方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57137306A JPS5928340A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | エッチング終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57137306A JPS5928340A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | エッチング終点検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5928340A true JPS5928340A (ja) | 1984-02-15 |
| JPH0468772B2 JPH0468772B2 (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=15195598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57137306A Granted JPS5928340A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | エッチング終点検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928340A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01226153A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定装置 |
| JPH01235336A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定装置 |
| JPH01241127A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
| JPH01274429A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-02 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定装置 |
| JPH04240727A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-08-28 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56129325A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-09 | Fujitsu Ltd | Dry etching |
-
1982
- 1982-08-09 JP JP57137306A patent/JPS5928340A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56129325A (en) * | 1980-03-14 | 1981-10-09 | Fujitsu Ltd | Dry etching |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01226153A (ja) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定装置 |
| JPH01235336A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定装置 |
| JPH01241127A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
| JPH01274429A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-02 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定装置 |
| JPH04240727A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-08-28 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0468772B2 (ja) | 1992-11-04 |
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