JPH01226153A - エッチング終点判定装置 - Google Patents
エッチング終点判定装置Info
- Publication number
- JPH01226153A JPH01226153A JP5148488A JP5148488A JPH01226153A JP H01226153 A JPH01226153 A JP H01226153A JP 5148488 A JP5148488 A JP 5148488A JP 5148488 A JP5148488 A JP 5148488A JP H01226153 A JPH01226153 A JP H01226153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- sample
- end point
- emission intensity
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エツチング終点判定Ｍｌに係り、特にプラズ
マによりエツチング処理される半導体素子基＠得の試料
のエツチングの終点を発光分光法により判定するエツチ
ング終点判定装置に関するものである。
マによりエツチング処理される半導体素子基＠得の試料
のエツチングの終点を発光分光法により判定するエツチ
ング終点判定装置に関するものである。
プラズマによりエツチング処理される半導体素子基＆等
の試料のエツチングの終点を発光分光法により判定する
装置としては１例えば、特開昭５９−２８３４０号公報
に記載のように、プラズマ発光量に応してゲイン、オフ
セットを決めるようにしたものが知られている。
の試料のエツチングの終点を発光分光法により判定する
装置としては１例えば、特開昭５９−２８３４０号公報
に記載のように、プラズマ発光量に応してゲイン、オフ
セットを決めるようにしたものが知られている。
上記従来技術では、試料の仕様およびエツチングプロセ
ス条件が変わる毎に同一仕様の試料およびエツチングプ
ロセスで試料をエツチングしてエツチングの終点判定を
行うための波形が判定し易くなるように波形のオフセッ
ト値、ゲイン値が決められている。このように上記従来
技術は仕様およびエツチングプロセス条件が変わる試料
のエツチングの終点判定を容易に行う上で、解決すべき
課題を有している。
ス条件が変わる毎に同一仕様の試料およびエツチングプ
ロセスで試料をエツチングしてエツチングの終点判定を
行うための波形が判定し易くなるように波形のオフセッ
ト値、ゲイン値が決められている。このように上記従来
技術は仕様およびエツチングプロセス条件が変わる試料
のエツチングの終点判定を容易に行う上で、解決すべき
課題を有している。
本発明の目的は、仕様およびエツチングプロセス条件が
変わる試料のエツチングの終点判定を容易に行うことが
できるエツチング終点判定装置を提供することにある。
変わる試料のエツチングの終点判定を容易に行うことが
できるエツチング終点判定装置を提供することにある。
上記目的は、プラズマによる試料のエツチング中のプラ
ズマ発光強度の変化により前記試料のエツチングの終点
を判定する装置を、ｌＩＩ記プラズマ発光強度の加減お
よび乗除する手段と、前記試料の仕様とエツチングプロ
セス条件とにより前記信号の加減および乗除値を決定す
る手段を具備したものとし、また、Ｈ記試料の仕様およ
びエツチングプロセス条件毎にエツチング終了前後の前
記プラズマ発光強度の信号の比を演算する手段と、前記
プラズマ発光強度の信号の加減および乗除する手段と、
演算された前記比に基いて餌配信号の加減および乗除を
決定する手段とを具備したものとすることより、達成さ
れる。
ズマ発光強度の変化により前記試料のエツチングの終点
を判定する装置を、ｌＩＩ記プラズマ発光強度の加減お
よび乗除する手段と、前記試料の仕様とエツチングプロ
セス条件とにより前記信号の加減および乗除値を決定す
る手段を具備したものとし、また、Ｈ記試料の仕様およ
びエツチングプロセス条件毎にエツチング終了前後の前
記プラズマ発光強度の信号の比を演算する手段と、前記
プラズマ発光強度の信号の加減および乗除する手段と、
演算された前記比に基いて餌配信号の加減および乗除を
決定する手段とを具備したものとすることより、達成さ
れる。
同一試料仕様、同一エツチングプロセス仕様のエツチン
グの場合、プラズマ発光強度の信号のエツチング終点検
出前と検出後の比は、はぼ一定となる。このため、エツ
チング時に試料仕様とエツチングプロセス条件とに応じ
て上記比を決定し、プラズマ発光強度の信号のモニタ信
号回路のゲイン値およびオフセット値を設定するように
する。
グの場合、プラズマ発光強度の信号のエツチング終点検
出前と検出後の比は、はぼ一定となる。このため、エツ
チング時に試料仕様とエツチングプロセス条件とに応じ
て上記比を決定し、プラズマ発光強度の信号のモニタ信
号回路のゲイン値およびオフセット値を設定するように
する。
これにより、試料の仕様、エツチングプロセスが変更さ
れた場合も、従来必要であったサンプル試料のエツチン
グをまず実施して、それによりゲインを調整することが
不要となり、１個目の試料よりエツチング終点の判定が
容易となる。
れた場合も、従来必要であったサンプル試料のエツチン
グをまず実施して、それによりゲインを調整することが
不要となり、１個目の試料よりエツチング終点の判定が
容易となる。
以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図により説明す
る。
る。
第１図で存光電変換器ｌの出力信号は、演算記憶回路４
に人力されると共に、オフセット調整部この出力信号に
より減算され、該減算された信号がゲイン調整部３に人
力される。ゲイン調！１部３は、演算記憶回路４より設
定されたゲインデータに応じた偵を入力信号に乗算する
。ゲイン調整部３からの出力は、演算記憶回路４に人力
されると共に、終点判定部７．ペンレコーダ８に入力さ
れる。演算記憶回路４には、エツチングプロセスデータ
入力部５および試料仕様データ入力ｆｆ１６よりそれぞ
れのデータが入力される。オフセット調整ｓ２の出力信
号も演Ｊ１１１ｅ惜回ｊｉ３４により設定される。終点
判定ｓ７は、ゲイン調整部３からの出力信号と予め決め
られた判定条件により終点判定を行う。ペンレコーダ８
は、ゲイン調整ｆｌｌｓ３からの出力信号をそのまま出
力する。
に人力されると共に、オフセット調整部この出力信号に
より減算され、該減算された信号がゲイン調整部３に人
力される。ゲイン調！１部３は、演算記憶回路４より設
定されたゲインデータに応じた偵を入力信号に乗算する
。ゲイン調整部３からの出力は、演算記憶回路４に人力
されると共に、終点判定部７．ペンレコーダ８に入力さ
れる。演算記憶回路４には、エツチングプロセスデータ
入力部５および試料仕様データ入力ｆｆ１６よりそれぞ
れのデータが入力される。オフセット調整ｓ２の出力信
号も演Ｊ１１１ｅ惜回ｊｉ３４により設定される。終点
判定ｓ７は、ゲイン調整部３からの出力信号と予め決め
られた判定条件により終点判定を行う。ペンレコーダ８
は、ゲイン調整ｆｌｌｓ３からの出力信号をそのまま出
力する。
演算記憶回路４は、エツチングプロセスデータ入力部５
および試料仕様データ人力部６からそれぞれ入力された
データにより第２図に示すプラズマ発光強度の信号（１
５！光強度信号）のＶ、とｖ２との比を決定する。該比
は、エツチングプロセス条件および試料仕様が一定であ
れば、はぼ一定である。試料のプラズマによるエツチン
グが開始され、その後、予め設定された時間ｔを経過す
ると、演算記憶回路４は、発光強度信号■１によりゲイ
ンデータ（ＤＧ）、オフセットデータ（ＤＯ）をゲイン
調整８３． オフセットｍ！２部２にそれぞれ出力する
。この場合のデータの処理は、次のとおりとなる。
および試料仕様データ人力部６からそれぞれ入力された
データにより第２図に示すプラズマ発光強度の信号（１
５！光強度信号）のＶ、とｖ２との比を決定する。該比
は、エツチングプロセス条件および試料仕様が一定であ
れば、はぼ一定である。試料のプラズマによるエツチン
グが開始され、その後、予め設定された時間ｔを経過す
ると、演算記憶回路４は、発光強度信号■１によりゲイ
ンデータ（ＤＧ）、オフセットデータ（ＤＯ）をゲイン
調整８３． オフセットｍ！２部２にそれぞれ出力する
。この場合のデータの処理は、次のとおりとなる。
ゲインデータ（ＤＧ）は、ゲインｆｉＧが次のとおりと
なるように決定される。
なるように決定される。
ここで、■ｏ：予め設定されたエツチング終点検出餌の
モニタレベル値 ｖ３：波形が終点判定し易いように予め設定 Ｋ ＝ Ｖ２／Ｖ、 ：試料仕様、エツチングプロセス
条件により固定 オフセットデータ（ＤＯ）は、オフセット値Ｖｏｆｆが
次のとおりとなるように決定される。
モニタレベル値 ｖ３：波形が終点判定し易いように予め設定 Ｋ ＝ Ｖ２／Ｖ、 ：試料仕様、エツチングプロセス
条件により固定 オフセットデータ（ＤＯ）は、オフセット値Ｖｏｆｆが
次のとおりとなるように決定される。
これらより、エツチング開始後の予め設定された時間を
時のペンレコーダ８の出力は、ｖＯｅまた、エツチング
終点検出後は、■３となる。
時のペンレコーダ８の出力は、ｖＯｅまた、エツチング
終点検出後は、■３となる。
史に、同一エッチングプロセス、同一試料仕様で、発光
強度信号が■Ｉｎｎ Ｖ２ｎと変化する場合は、Ｖ２ｎ
／Ｖｔｎ＝にであり、従って、 とすれば、この場合、エツチング開始後の予め設定され
た時間１ｎ時のペンレコーダ８の出力は、Ｖ Ｏａまた
、エツチング終点検出後は、ｖ３となり、同一の波形が
得られる。
強度信号が■Ｉｎｎ Ｖ２ｎと変化する場合は、Ｖ２ｎ
／Ｖｔｎ＝にであり、従って、 とすれば、この場合、エツチング開始後の予め設定され
た時間１ｎ時のペンレコーダ８の出力は、Ｖ Ｏａまた
、エツチング終点検出後は、ｖ３となり、同一の波形が
得られる。
本実施例によれば、試料仕様、エツチングプロセス条件
をインプットすることで、試料１個目よりオートゲイン
・オートオフセット機能が働き、従来必要であったサン
プル試料のエツチングをまず実施してそれによりゲイン
を調整することが不要となる。従って、仕様およびエツ
チングプロセス条件が変わる試料のエツチングの終点判
定を容易に行うことができる。
をインプットすることで、試料１個目よりオートゲイン
・オートオフセット機能が働き、従来必要であったサン
プル試料のエツチングをまず実施してそれによりゲイン
を調整することが不要となる。従って、仕様およびエツ
チングプロセス条件が変わる試料のエツチングの終点判
定を容易に行うことができる。
なお、上記一実施例では、試料仕様およびエツチングプ
ロセス条件毎のＶ １ ／ Ｖ ２の比を演算記憶回路
に記憶させているが、試料仕様およびエツチングプロセ
ス条件毎にＶ１／Ｖ２の比を演算して決定するように構
成しても良い。
ロセス条件毎のＶ １ ／ Ｖ ２の比を演算記憶回路
に記憶させているが、試料仕様およびエツチングプロセ
ス条件毎にＶ１／Ｖ２の比を演算して決定するように構
成しても良い。
本発明によれば、試料仕様およびエツチングプロセス条
件のインプットによりオートゲイン、オートオフセット
機能が働畷ので、仕様およびエツチングプロセス条件が
変わる試料のエツチング終点判定を容易に行うことがで
きる効果がある。
件のインプットによりオートゲイン、オートオフセット
機能が働畷ので、仕様およびエツチングプロセス条件が
変わる試料のエツチング終点判定を容易に行うことがで
きる効果がある。
第１図は１本発明の一実施例のエツチング終点判定装置
の回路構成図、第２図は、第１図の発光強度信号波形の
模式図、第３図は、第１図のペンレコーダの出力波形の
模式図である。 ｌ・・・・・・光電変換器、２・・・・・・オフセット
調整部、３・・・・・・ゲイン調整部、４・・・・・・
演算記憶回路、５・・・エツチングプロセスデータ人力
部、６・・・・・・試料仕様データ人力部、７・・・・
・・終点判定部、８・・・・・・ペン４１図 ７−−−−−射、剰足叩
の回路構成図、第２図は、第１図の発光強度信号波形の
模式図、第３図は、第１図のペンレコーダの出力波形の
模式図である。 ｌ・・・・・・光電変換器、２・・・・・・オフセット
調整部、３・・・・・・ゲイン調整部、４・・・・・・
演算記憶回路、５・・・エツチングプロセスデータ人力
部、６・・・・・・試料仕様データ人力部、７・・・・
・・終点判定部、８・・・・・・ペン４１図 ７−−−−−射、剰足叩
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、プラズマによる試料のエッチング中のプラズマ発光
強度の変化により前記試料のエッチングの終点を判定す
る装置において、前記プラズマ発光強度の信号の加減お
よび乗除する手段と、前記試料の仕様とエッチングプロ
セス条件とにより前記信号の加減および乗除値を決定す
る手段とを具備したことを特徴とするエッチング終点判
定装置。 ２、前記試料のエッチング終了前のプラズマ発光強度の
信号をモニタする回路と、モニタされたエッチング終了
前のプラズマ発光強度の信号に応じ該信号の加減および
乗除の少なくとも一つの値を調整する回路を有する第１
請求項に記載のエッチング終点判定装置。 ３、プラズマによる試料のエッチング中のプラズマ発光
強度の変化により前記試料のエッチングの終点を判定す
る装置において、前記試料の仕様およびエッチングプロ
セス条件毎にエッチング終了前後の前記プラズマ発光強
度の信号の比を演算する手段と、前記プラズマ発光強度
の信号の加減および乗除する手段と、演算された前記比
に基いて前記信号の加減および乗除値を決定する手段と
を具備したことを特徴とするエッチング終点判定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5148488A JPH01226153A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | エッチング終点判定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5148488A JPH01226153A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | エッチング終点判定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01226153A true JPH01226153A (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12888231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5148488A Pending JPH01226153A (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | エッチング終点判定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01226153A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5118378A (en) * | 1989-10-10 | 1992-06-02 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for detecting an end point of etching |
| US7314537B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-01-01 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for detecting a plasma |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110678A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-01 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | エツチング方法 |
| JPS5928340A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-15 | Hitachi Ltd | エッチング終点検出方法 |
| JPS61220332A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP5148488A patent/JPH01226153A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58110678A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-07-01 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | エツチング方法 |
| JPS5928340A (ja) * | 1982-08-09 | 1984-02-15 | Hitachi Ltd | エッチング終点検出方法 |
| JPS61220332A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Hitachi Ltd | エッチング終点判定方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5118378A (en) * | 1989-10-10 | 1992-06-02 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for detecting an end point of etching |
| US7314537B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-01-01 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for detecting a plasma |
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