JPS5928568A - 乾式メツキ法 - Google Patents
乾式メツキ法Info
- Publication number
- JPS5928568A JPS5928568A JP13874282A JP13874282A JPS5928568A JP S5928568 A JPS5928568 A JP S5928568A JP 13874282 A JP13874282 A JP 13874282A JP 13874282 A JP13874282 A JP 13874282A JP S5928568 A JPS5928568 A JP S5928568A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- plating method
- coating
- thin layer
- ion plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0605—Carbon
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は乾式メッキ法に係υ、金属、セラミックまた
は有機物の表面に気相下でセラミックを薄層コーティン
グするイオンプレーテイング法の改良に関するものであ
って、金属、セラミック、有機物の表面に気相下でセラ
ミックをイオンプＶ−テイング法、真空蒸着法の連続的
２段コーティングを行うことを特徴とする乾式メッキ方
法でおる。
は有機物の表面に気相下でセラミックを薄層コーティン
グするイオンプレーテイング法の改良に関するものであ
って、金属、セラミック、有機物の表面に気相下でセラ
ミックをイオンプＶ−テイング法、真空蒸着法の連続的
２段コーティングを行うことを特徴とする乾式メッキ方
法でおる。
金属とセラミックの接着は接合界面の活性化が十分でな
いと不可能であシ、蒸着法にて金属上にセラミックをコ
ーティングしても基板との密着性が不足する。このよう
にセラミックの如き良好な密着性を得ることが困難な物
質のコーティング方法としてイオンデレーテイング法は
極めて有効な方法であるが、このイオンプレーテイング
法のみで厚付けした場合、イオン化粒子の析出によυ、
粒状晶として成膜されやすく、これがいわゆるパイプ状
ピンホールを形成する要因の一つとなっている。
いと不可能であシ、蒸着法にて金属上にセラミックをコ
ーティングしても基板との密着性が不足する。このよう
にセラミックの如き良好な密着性を得ることが困難な物
質のコーティング方法としてイオンデレーテイング法は
極めて有効な方法であるが、このイオンプレーテイング
法のみで厚付けした場合、イオン化粒子の析出によυ、
粒状晶として成膜されやすく、これがいわゆるパイプ状
ピンホールを形成する要因の一つとなっている。
このためパイプ状ピンホールが膜の特性に太きな影響を
およばずため、耐蝕材料やハイレベｐの電気絶縁性を必
要とする分野に使用する場合、セラミック膜厚が過大と
なり、生産性の面からも大きな問題点となっている。
およばずため、耐蝕材料やハイレベｐの電気絶縁性を必
要とする分野に使用する場合、セラミック膜厚が過大と
なり、生産性の面からも大きな問題点となっている。
この発明は、かかる欠点を解消し、パイプ状ピンホール
のないセラミック薄層を乾式メッキにて得る方法を提供
せんとするものである。
のないセラミック薄層を乾式メッキにて得る方法を提供
せんとするものである。
即ち、この発明は金属、セラミック、有機物などの表面
にセラミック薄膜層を得るに際し、まず気相下でイオン
ブレーテイング法にて０．１〜０．５ｐｍの薄層を形成
せしめたのち、イオン化をやめ、引続き真空蒸着法にて
コーティングするものである。
にセラミック薄膜層を得るに際し、まず気相下でイオン
ブレーテイング法にて０．１〜０．５ｐｍの薄層を形成
せしめたのち、イオン化をやめ、引続き真空蒸着法にて
コーティングするものである。
この発明の方法を具体的に説明すると、厚さ０．２５−
の４２アロイ（Ｆｅ４２９６Ｎｊ−）Ｔ−プ上に該テー
プを２００℃に加熱して酸ｉ圧４Ｘ１０’ＴＯｒｒの下
、Ａｊ？ｚＯｓ焼結体を用いて電子ビーム加熱によって
Ａｌｔｏｓの蒸着を行った。
の４２アロイ（Ｆｅ４２９６Ｎｊ−）Ｔ−プ上に該テー
プを２００℃に加熱して酸ｉ圧４Ｘ１０’ＴＯｒｒの下
、Ａｊ？ｚＯｓ焼結体を用いて電子ビーム加熱によって
Ａｌｔｏｓの蒸着を行った。
コノ時蒸着当初は高周波（１８．５６ＭＨｚ）２００Ｗ
を印゛加して蒸発物質（ＡＩ！ｔＯｓ）の一部をイオン
化して（１８μｍの成膜を行った。その後高周波のパワ
ーを切り、通常の真空蒸着状態で引続き１．７μｍの成
膜を行った。
を印゛加して蒸発物質（ＡＩ！ｔＯｓ）の一部をイオン
化して（１８μｍの成膜を行った。その後高周波のパワ
ーを切り、通常の真空蒸着状態で引続き１．７μｍの成
膜を行った。
得られた４２アロイテープ上のＡｆｚＯ＋＋コーティン
グ膜は、２−Ｏｐｍの厚み全部をイオンデレーテイング
で得たものに比べて図面に示すようにＤＣ絶縁耐圧で約
２０％の向上が認められ、また９０度折曲げによる密着
テストでも良好な結果を示した。
グ膜は、２−Ｏｐｍの厚み全部をイオンデレーテイング
で得たものに比べて図面に示すようにＤＣ絶縁耐圧で約
２０％の向上が認められ、また９０度折曲げによる密着
テストでも良好な結果を示した。
さらに図面のＡＪｚＯｓ膜厚とＤＣ絶縁耐圧の関係から
、この発明の方法では明らかに電流リークが生じに＜＜
、パイプ状ピンホーｐ減少の効果が認められた。
、この発明の方法では明らかに電流リークが生じに＜＜
、パイプ状ピンホーｐ減少の効果が認められた。
この発明において、イオンプレーティングによる膜厚を
０．１〜０，５μｍと規定したのは、それ以下では密着
性の而でイオングレーテイングを用いる効果がなく、ま
た９．５ｌｂｍ以上ではパイプ状ピンホールの成長が進
み、その後の真空蒸着でこれを抑止することが難しくな
るためである。
０．１〜０，５μｍと規定したのは、それ以下では密着
性の而でイオングレーテイングを用いる効果がなく、ま
た９．５ｌｂｍ以上ではパイプ状ピンホールの成長が進
み、その後の真空蒸着でこれを抑止することが難しくな
るためである。
上記のようにこの発明は当初はイオンプレーテイングの
特色を生かしたコーティングで、そのイオンポンパード
による基板のクリーニング効果、イオン化粒子という活
性な蒸着粒子の存在にょシ密着性良好なコーティングが
可能であシ、その後は通常の真空蒸着を行うため、結晶
成長の方向性が少なくランダムで等方的な析出粒子を形
成することによシビンホーμの形成を防止するものであ
る。
特色を生かしたコーティングで、そのイオンポンパード
による基板のクリーニング効果、イオン化粒子という活
性な蒸着粒子の存在にょシ密着性良好なコーティングが
可能であシ、その後は通常の真空蒸着を行うため、結晶
成長の方向性が少なくランダムで等方的な析出粒子を形
成することによシビンホーμの形成を防止するものであ
る。
蒸発粒子をイオン化する方法としては、一般に用いられ
ている電子ビー乞戸射法、高周波励起法あるいは直流電
界法のどの方法によっても可能でこれらを併用すること
もできる。
ている電子ビー乞戸射法、高周波励起法あるいは直流電
界法のどの方法によっても可能でこれらを併用すること
もできる。
この発明の方法は、耐蝕性、耐薬品性、電気絶縁性を必
要とする部分の表面被覆法として、各種耐蝕材料や金属
材料の電気絶縁性付与などに用いることができる。
要とする部分の表面被覆法として、各種耐蝕材料や金属
材料の電気絶縁性付与などに用いることができる。
具体的には半導体基板材料としてのセラミック被覆金属
などに用いることが最適である。
などに用いることが最適である。
図面はこの発明の方法によるＡ／ｇｏｓ被膜とイオンプ
レーテイング法によるＡ４ｚＯｇ被膜のＤＣ絶縁耐圧の
差を示す図表である。 −３５９−
レーテイング法によるＡ４ｚＯｇ被膜のＤＣ絶縁耐圧の
差を示す図表である。 −３５９−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）金属、セラミックまたは有機物の表面に気相下で
セラミックを薄層コーティングするに当シ、まず該セラ
ミックをイオンプレーテイング法にてコーティングした
のち、イオン化を中断し、次いで連続的に真空蒸着法に
てコーティングすることを特徴とする乾式メッキ法。 （２）イオンプレーテイング法によるコーティング薄層
が０．１〜０．５μｍ″厚であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の乾式メッキ法。 （８）イオンプレーテイング法におけるイオン化が電子
ビーム照射法、直流電界法または高周波励起法で行れる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の乾式メッ
キ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13874282A JPS5928568A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 乾式メツキ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13874282A JPS5928568A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 乾式メツキ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5928568A true JPS5928568A (ja) | 1984-02-15 |
Family
ID=15229107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13874282A Pending JPS5928568A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 乾式メツキ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928568A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61238957A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光学薄膜作成方法 |
| JPS6372867A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-02 | Nippon Steel Corp | 密着性の良好な気相コ−テイング方法 |
| WO2004076711A1 (ja) * | 1995-10-03 | 2004-09-10 | Seigo Yamamoto | 耐ハロゲン系ガス腐食性及び耐ハロゲン系プラズマ腐食性に優れたコーティング膜、該コーティング膜を施した積層構造体並びにそれらの製造方法 |
-
1982
- 1982-08-09 JP JP13874282A patent/JPS5928568A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61238957A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光学薄膜作成方法 |
| JPS6372867A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-02 | Nippon Steel Corp | 密着性の良好な気相コ−テイング方法 |
| WO2004076711A1 (ja) * | 1995-10-03 | 2004-09-10 | Seigo Yamamoto | 耐ハロゲン系ガス腐食性及び耐ハロゲン系プラズマ腐食性に優れたコーティング膜、該コーティング膜を施した積層構造体並びにそれらの製造方法 |
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