JPS5929146B2 - 半導体装置用基板の製造方法 - Google Patents
半導体装置用基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS5929146B2 JPS5929146B2 JP53145913A JP14591378A JPS5929146B2 JP S5929146 B2 JPS5929146 B2 JP S5929146B2 JP 53145913 A JP53145913 A JP 53145913A JP 14591378 A JP14591378 A JP 14591378A JP S5929146 B2 JPS5929146 B2 JP S5929146B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- insulating film
- conductor
- substrate
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導体細状パターンを有する絶縁フィルム状の半
導体装置用基板の製造方法に関するものである。
導体装置用基板の製造方法に関するものである。
近年、時計用、電卓用等に使用される半導体装置は、小
型軽量化のため、従来のセラミック、金属フレーム等を
用いた半導体装置用パッケージに代つてＣｕ等の導体細
条のパターンを有するポリイミド樹脂等により形成され
た可撓性絶縁フィルム状の基板が多く用いられている。
型軽量化のため、従来のセラミック、金属フレーム等を
用いた半導体装置用パッケージに代つてＣｕ等の導体細
条のパターンを有するポリイミド樹脂等により形成され
た可撓性絶縁フィルム状の基板が多く用いられている。
一般に、この絶縁フィルム状基板（以後キャリアテープ
と呼ぶ）は、第１図にその一例を示すように、１１、１
８．３５ｎ等の一定幅にスリットし、かつ両端部にスプ
ロケット孔１ａを形成し、その中央部にＩＣ、ＬＳＩ等
の半導体素子をボンディングする孔ｌｂおよび半導体装
置を使用するに当つて外部リードとなる部分を形成する
ための孔ｌｃを備えた絶縁フィルム１と、この絶縁フィ
ルム１上にパターンニングされかつ半田、Ｓｎ、、Ａｕ
等のメッキを施されたＣｕ等からなる導体細条２とから
構成されている。
と呼ぶ）は、第１図にその一例を示すように、１１、１
８．３５ｎ等の一定幅にスリットし、かつ両端部にスプ
ロケット孔１ａを形成し、その中央部にＩＣ、ＬＳＩ等
の半導体素子をボンディングする孔ｌｂおよび半導体装
置を使用するに当つて外部リードとなる部分を形成する
ための孔ｌｃを備えた絶縁フィルム１と、この絶縁フィ
ルム１上にパターンニングされかつ半田、Ｓｎ、、Ａｕ
等のメッキを施されたＣｕ等からなる導体細条２とから
構成されている。
また、このキャリアテープの導体細条２は、第２図にそ
のＡ−Ａ’断面図で示すように所定の孔１ａ、Ｉｂ、Ｉ
ｃを形成した絶縁フィルム１上に接着されたＣｕ等の導
体素地２ａおよび絶縁フィルム１と接着する部分以外の
導体素地２ａ表面を覆うＡｕ、Ｓ旧半田等のメッキ層２
ｂから形成されている。このように構成されたキャリア
テープは、その中央の孔ｌｂ部分の導体細条２の先端に
ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子（図示せず）を半田リフロ
ー、熱圧着等で接合し、その部分を樹脂等で覆い、この
導体細条２を３ａ、３ｂ部分で切断し、その切断部分を
外部入出力リードとして時計、電卓等の装置の所定基板
（図示せず）に接合して使用される。
のＡ−Ａ’断面図で示すように所定の孔１ａ、Ｉｂ、Ｉ
ｃを形成した絶縁フィルム１上に接着されたＣｕ等の導
体素地２ａおよび絶縁フィルム１と接着する部分以外の
導体素地２ａ表面を覆うＡｕ、Ｓ旧半田等のメッキ層２
ｂから形成されている。このように構成されたキャリア
テープは、その中央の孔ｌｂ部分の導体細条２の先端に
ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子（図示せず）を半田リフロ
ー、熱圧着等で接合し、その部分を樹脂等で覆い、この
導体細条２を３ａ、３ｂ部分で切断し、その切断部分を
外部入出力リードとして時計、電卓等の装置の所定基板
（図示せず）に接合して使用される。
しかしながら、上記構成によるキャリアテープにおいて
、導体細条２は、特に中央の孔Ｉｂ部分は７０〜１００
１ｔｍ幅程度にパターンニングしなければならず、その
ため導体細条２の厚さをは３５μｍ程度のものが用いら
れている。
、導体細条２は、特に中央の孔Ｉｂ部分は７０〜１００
１ｔｍ幅程度にパターンニングしなければならず、その
ため導体細条２の厚さをは３５μｍ程度のものが用いら
れている。
このため、上記３ａ、３ｂ部分で切断した導体細条２を
所定の基板に接合したとき、その強度が弱く、曲り易い
ため、その幅を太くしなければならない。特に多端子の
半導体装置となると、その形状が大きくなり、小型化の
目的に反する傾向にある。したがつて本発明は上記従来
の欠点を解決する目的で導体細条の必要な部分を厚くし
て強度を補強させることのできる半導体装置用基板の製
造方法を提供するものである。
所定の基板に接合したとき、その強度が弱く、曲り易い
ため、その幅を太くしなければならない。特に多端子の
半導体装置となると、その形状が大きくなり、小型化の
目的に反する傾向にある。したがつて本発明は上記従来
の欠点を解決する目的で導体細条の必要な部分を厚くし
て強度を補強させることのできる半導体装置用基板の製
造方法を提供するものである。
以下図面を用いて本発明による半導体装置用基板の製造
方法について詳細に説明する。第３図は本発明による半
導体装置用基板、特に絶縁フイルム状の半導体装置用基
板の製造方法により形成される半導体装置用基板の一実
施例を示す要部断面図であり、第１図、第２図と同記号
は同一要素となるのでその説明は省略する。
方法について詳細に説明する。第３図は本発明による半
導体装置用基板、特に絶縁フイルム状の半導体装置用基
板の製造方法により形成される半導体装置用基板の一実
施例を示す要部断面図であり、第１図、第２図と同記号
は同一要素となるのでその説明は省略する。
同図において、絶縁フイルム１上の導体素地２ａの強度
を必要とする部分、つまり切断部３ａ，３ｂ部分の導体
素地２ａには、Ｎｉ等の電解メツキが可能でかつ導体素
地２ａのエツチングに耐える金属層４が被着形成されて
いる。この場合、Ｎｉ等の金属層４を被着して形成され
た導体細条５の厚さｔ′は、従来の導体細条２の厚さｔ
よりも十分に厚く形成されている。このような構成によ
れば、導体細条５は、切断部３ａ，３ｂにおける厚さｔ
′がｔ′〉ｔと厚肉となるため、充分な強度が得られる
。
を必要とする部分、つまり切断部３ａ，３ｂ部分の導体
素地２ａには、Ｎｉ等の電解メツキが可能でかつ導体素
地２ａのエツチングに耐える金属層４が被着形成されて
いる。この場合、Ｎｉ等の金属層４を被着して形成され
た導体細条５の厚さｔ′は、従来の導体細条２の厚さｔ
よりも十分に厚く形成されている。このような構成によ
れば、導体細条５は、切断部３ａ，３ｂにおける厚さｔ
′がｔ′〉ｔと厚肉となるため、充分な強度が得られる
。
したがつて、多端子の半導体装置においてもその形状を
大きくすることなく、実用上充分な強度が得られ、半導
体装置を小型化することができる。次に、上記絶縁フイ
ルム状の半導体装置用基板の製造方法を第４図ａ−ｈに
示す断面工程図を用いて説明する。
大きくすることなく、実用上充分な強度が得られ、半導
体装置を小型化することができる。次に、上記絶縁フイ
ルム状の半導体装置用基板の製造方法を第４図ａ−ｈに
示す断面工程図を用いて説明する。
まず、同図ａに示すように、所定の幅にスリツトし、ス
プロケツト孔１ａ１中央孔１ｂ，１ｃを設け、ポリイミ
ド等で形成された絶縁フイルム１の上面に約３５μｍ程
度の厚さのＣｕ箔６を貼り付ける。次に同図ｂに示すよ
うにこのＣｕ箔６の上面および絶縁フイルム１の開孔１
ｂ，１ｃ部分の表面部分の所定位置にフオトレジスト等
の耐メツキ液性を有する有機材料フイルム７Ａ，７ｂ，
７ｃそれぞれを被覆し、Ｃｕ箔６の表面に所定の導体細
条のパターンを焼き付ける。次いで同図ｃに示すように
有機材料フイルム７Ａ，７ｂ，７ｃで被覆されていない
導体細条のパターン上に電解メツキにより数μｍの厚さ
にＮｉメツキを施し、Ｎｉ層８を形成する。次に同図ｄ
に示すようにＮｌ層８の表面で細条の厚みを厚くしたい
部分を除くＮｉ層８の領域８ａ部分にフオトレジスト等
の耐メツキ性有機材料フイルム９を被覆し、他方、耐メ
ツキ性有機材料フイルム９で被覆されないＮｉ層８の領
域部分８ｂに数μｍから数１０μｍの厚さにＮ！メツキ
を施し、Ｎｉ層１０を形成する｛同図ｅ参照｝。しかる
後、同図ｆに示すように有機材料フイルム７Ａ，９のみ
を除去するか、または有機材料フイルム７Ａ，７ｂ，７
ｃを除去後に孔１ｂ，１ｃ内のみに有機材料フイルム７
Ｂ，７ｃを再被覆する。次に表面のＮｉ層８，１０およ
び有機材料フイルム７Ｂ，７ｃで覆わない部分のＣｕ箔
６をエツチングで除去してＣｕ箔の導体素地２ａを形成
した後、有機材料フイルム７Ｂ，７ｃを除去する｛（同
図ｇ参照）｝。しかる後、同図ｈに示すようにパターン
に形成された導体素地２ａの露出部分に無電解等でＳｎ
や電解でＡｕ等のメツキ層２ｂを形成して第３図に示し
たような導体細条５が形成される。以上説明したように
本発明による半導体装置用基板の製造方法は、導体細条
の孔部の橋絡部分を局部的に厚肉に形成したことによつ
て、その部分を切断して所定の基板に接合したとき、そ
の強度が極めて大きくなる。
プロケツト孔１ａ１中央孔１ｂ，１ｃを設け、ポリイミ
ド等で形成された絶縁フイルム１の上面に約３５μｍ程
度の厚さのＣｕ箔６を貼り付ける。次に同図ｂに示すよ
うにこのＣｕ箔６の上面および絶縁フイルム１の開孔１
ｂ，１ｃ部分の表面部分の所定位置にフオトレジスト等
の耐メツキ液性を有する有機材料フイルム７Ａ，７ｂ，
７ｃそれぞれを被覆し、Ｃｕ箔６の表面に所定の導体細
条のパターンを焼き付ける。次いで同図ｃに示すように
有機材料フイルム７Ａ，７ｂ，７ｃで被覆されていない
導体細条のパターン上に電解メツキにより数μｍの厚さ
にＮｉメツキを施し、Ｎｉ層８を形成する。次に同図ｄ
に示すようにＮｌ層８の表面で細条の厚みを厚くしたい
部分を除くＮｉ層８の領域８ａ部分にフオトレジスト等
の耐メツキ性有機材料フイルム９を被覆し、他方、耐メ
ツキ性有機材料フイルム９で被覆されないＮｉ層８の領
域部分８ｂに数μｍから数１０μｍの厚さにＮ！メツキ
を施し、Ｎｉ層１０を形成する｛同図ｅ参照｝。しかる
後、同図ｆに示すように有機材料フイルム７Ａ，９のみ
を除去するか、または有機材料フイルム７Ａ，７ｂ，７
ｃを除去後に孔１ｂ，１ｃ内のみに有機材料フイルム７
Ｂ，７ｃを再被覆する。次に表面のＮｉ層８，１０およ
び有機材料フイルム７Ｂ，７ｃで覆わない部分のＣｕ箔
６をエツチングで除去してＣｕ箔の導体素地２ａを形成
した後、有機材料フイルム７Ｂ，７ｃを除去する｛（同
図ｇ参照）｝。しかる後、同図ｈに示すようにパターン
に形成された導体素地２ａの露出部分に無電解等でＳｎ
や電解でＡｕ等のメツキ層２ｂを形成して第３図に示し
たような導体細条５が形成される。以上説明したように
本発明による半導体装置用基板の製造方法は、導体細条
の孔部の橋絡部分を局部的に厚肉に形成したことによつ
て、その部分を切断して所定の基板に接合したとき、そ
の強度が極めて大きくなる。
したがつて多端子の半導体装置においてもその形状を小
さくでき、装置を小型化できるなどの優れた効果が得ら
れる。
さくでき、装置を小型化できるなどの優れた効果が得ら
れる。
第１図は従来の半導体装置用基板特にキヤリアテープの
一例を示す要部斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ′・断
面図、第３図は本発明による半導体装置用基板の製造方
法により形成される半導体装置用基板の一実施例を示す
要部断面図、第４図ａ〜ｈは本発明による半導体装置用
基板の製造方法を説明するための要部断面工程図である
。 １・・・・・・絶縁フイルム、１ａ，１ｂ，１ｃ・．・
．．ＱＬｌ２・・・・・・導体細条、２ａ・・・・・・
導体素地、２ｂ・・・・・・メツキ層、３ａ，３ｂ・・
・・・・切断部、４・・・・・・金属層、５・・・・・
・導体細条、６・・・・・・箔、７ａ，７ｂ，７ｃ・・
・・・・有機材料フイルム、８・・・・・・Ｎｉ層、９
・・・・・・有機材料フイルム、１０・・・・・・Ｎｉ
層。
一例を示す要部斜視図、第２図は第１図のＡ−Ａ′・断
面図、第３図は本発明による半導体装置用基板の製造方
法により形成される半導体装置用基板の一実施例を示す
要部断面図、第４図ａ〜ｈは本発明による半導体装置用
基板の製造方法を説明するための要部断面工程図である
。 １・・・・・・絶縁フイルム、１ａ，１ｂ，１ｃ・．・
．．ＱＬｌ２・・・・・・導体細条、２ａ・・・・・・
導体素地、２ｂ・・・・・・メツキ層、３ａ，３ｂ・・
・・・・切断部、４・・・・・・金属層、５・・・・・
・導体細条、６・・・・・・箔、７ａ，７ｂ，７ｃ・・
・・・・有機材料フイルム、８・・・・・・Ｎｉ層、９
・・・・・・有機材料フイルム、１０・・・・・・Ｎｉ
層。
Claims (1)
- １ 中央部に半導体素子を接続配置する孔と前記孔の外
周辺に外部リードとなる部分を形成する孔とを設けた可
撓性絶縁フィルムと、前記外周孔を橋絡させかつ前記絶
縁フィルム上に形成された導体細条とからなる半導体装
置用基板において、前記導体細条に、該導体細条素地に
電解メッキが可能でかつ導体素地のエッチングに耐える
金属を電解メッキして該導体細条の膜厚を厚く形成する
ことを特徴とした半導体装置用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53145913A JPS5929146B2 (ja) | 1978-11-22 | 1978-11-22 | 半導体装置用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53145913A JPS5929146B2 (ja) | 1978-11-22 | 1978-11-22 | 半導体装置用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5571052A JPS5571052A (en) | 1980-05-28 |
| JPS5929146B2 true JPS5929146B2 (ja) | 1984-07-18 |
Family
ID=15395962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53145913A Expired JPS5929146B2 (ja) | 1978-11-22 | 1978-11-22 | 半導体装置用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5929146B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60177748U (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-26 | 株式会社 山本製作所 | 脱穀機における排稈放出装置 |
| JPS624933U (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-13 | ||
| JPS6217839U (ja) * | 1985-07-18 | 1987-02-03 | ||
| JPS6274538U (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013013213B4 (de) | 2013-08-09 | 2016-07-07 | Kautex Textron Gmbh & Co. Kg | Betriebsflüssigkeitsbehälter mit integriertem Ent- und/oder Belüftungsventil |
-
1978
- 1978-11-22 JP JP53145913A patent/JPS5929146B2/ja not_active Expired
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60177748U (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-26 | 株式会社 山本製作所 | 脱穀機における排稈放出装置 |
| JPS624933U (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-13 | ||
| JPS6217839U (ja) * | 1985-07-18 | 1987-02-03 | ||
| JPS6274538U (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5571052A (en) | 1980-05-28 |
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