JPH04249334A - Ｔａｂ用テープキャリア - Google Patents
Ｔａｂ用テープキャリアInfo
- Publication number
- JPH04249334A JPH04249334A JP3565091A JP3565091A JPH04249334A JP H04249334 A JPH04249334 A JP H04249334A JP 3565091 A JP3565091 A JP 3565091A JP 3565091 A JP3565091 A JP 3565091A JP H04249334 A JPH04249334 A JP H04249334A
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- JP
- Japan
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- layer
- nickel
- copper
- thickness
- tape carrier
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法によって集
積回路（ＩＣ）を実装する際に用いるテープキャリアに
関し、特に高集積化されたＩＣ等の実装に対応できるＴ
ＡＢ用テープキャリアに関する。
Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法によって集
積回路（ＩＣ）を実装する際に用いるテープキャリアに
関し、特に高集積化されたＩＣ等の実装に対応できるＴ
ＡＢ用テープキャリアに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢ法は、高集積ＩＣの実装を効率良
く行うために開発された方法であり、テープキャリア上
でＩＣ素子の実装を行うものである。図４及び図５は、
このようなＴＡＢ用テープキャリアの平面図及び断面図
を示すもので、長尺の可撓性絶縁フィルム１０に、ＩＣ
素子を装着するためのデバイスホール１１と位置合わせ
等のためのパイロットホール（送り孔）１２が形成され
ており、さらに銅箔から成る配線パターン１３が形成さ
れている。この配線パターン１３はインナーリード部１
３ａとアウターリード部１３ｂとから成る。
く行うために開発された方法であり、テープキャリア上
でＩＣ素子の実装を行うものである。図４及び図５は、
このようなＴＡＢ用テープキャリアの平面図及び断面図
を示すもので、長尺の可撓性絶縁フィルム１０に、ＩＣ
素子を装着するためのデバイスホール１１と位置合わせ
等のためのパイロットホール（送り孔）１２が形成され
ており、さらに銅箔から成る配線パターン１３が形成さ
れている。この配線パターン１３はインナーリード部１
３ａとアウターリード部１３ｂとから成る。
【０００３】可撓性絶縁フィルム１０は、一般に厚さ５
０〜１２６μｍ、幅３５〜７０ｍｍの有機ポリイミドフ
ィルムやガラス強化エポキシフィルム等から成る。また
、デバイスホール１１及びパイロットホール１２は可撓
性絶縁フィルム１０を打抜き加工して形成される。さら
に配線パターン１３は、厚さ１８〜３５μｍの圧延銅箔
や電解銅箔等の銅箔を接着層１４を介して可撓性絶縁フ
ィルム１０に接着した後、塩化第二鉄溶液等をエッチン
グ液として用いたフォトエッチング法により、所定のパ
ターンが得られるように銅箔不要部１５を除去して形成
したものである。なお、インナーリード部１３ａはＩＣ
素子上の微小電極と加熱圧着により接合されるので、イ
ンナーリード部１３ａの表面は、キャグボンディングと
呼ばれる工程において接着性のある金属（例えば金）又
は低融点の金属接合剤（例えば錫、半田等）で被覆され
る。一般には無電解錫又は電解半田メッキが施される。
０〜１２６μｍ、幅３５〜７０ｍｍの有機ポリイミドフ
ィルムやガラス強化エポキシフィルム等から成る。また
、デバイスホール１１及びパイロットホール１２は可撓
性絶縁フィルム１０を打抜き加工して形成される。さら
に配線パターン１３は、厚さ１８〜３５μｍの圧延銅箔
や電解銅箔等の銅箔を接着層１４を介して可撓性絶縁フ
ィルム１０に接着した後、塩化第二鉄溶液等をエッチン
グ液として用いたフォトエッチング法により、所定のパ
ターンが得られるように銅箔不要部１５を除去して形成
したものである。なお、インナーリード部１３ａはＩＣ
素子上の微小電極と加熱圧着により接合されるので、イ
ンナーリード部１３ａの表面は、キャグボンディングと
呼ばれる工程において接着性のある金属（例えば金）又
は低融点の金属接合剤（例えば錫、半田等）で被覆され
る。一般には無電解錫又は電解半田メッキが施される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】最近はＩＣ素子の超多
ピン化及び超微細化が強く望まれている。しかし、現状
では、ＩＣ素子の実装工程から望まれているような、イ
ンナーリード部のリードピッチが９０μｍ以下で且つそ
の強度が十分大きいＴＡＢ用テープキャリアは実用化さ
れていなかった。すなわち、従来のＴＡＢ用テープキャ
リアにおいては、インナーリード部をフォトエッチング
により形成する場合に、エッチング後に銅箔のフィルム
面への根残りが生じ、隣合うリードが繋がってしまうと
いう問題が生じていた。このためＴＡＢ法で実装できる
ＩＣの多ピン化及び微細化が制約されていた。例えば、
配線パターンを構成する銅箔の厚さが３５μｍの場合で
は、インナーリード部のリードピッチは１００μｍ（リ
ード幅５０μｍ、リード間隔５０μｍ）が限界であり、
厚さ１８μｍの銅箔の場合では、リードピッチ８０μｍ
が限界である。しかも、厚さ１８μｍの銅箔の場合は箔
が薄いので、形成される配線パターンの強度が小さいと
いう問題があった。そこで、強度を大きくするために合
金箔の採用が検討されているが、現状では実現されてい
ない。
ピン化及び超微細化が強く望まれている。しかし、現状
では、ＩＣ素子の実装工程から望まれているような、イ
ンナーリード部のリードピッチが９０μｍ以下で且つそ
の強度が十分大きいＴＡＢ用テープキャリアは実用化さ
れていなかった。すなわち、従来のＴＡＢ用テープキャ
リアにおいては、インナーリード部をフォトエッチング
により形成する場合に、エッチング後に銅箔のフィルム
面への根残りが生じ、隣合うリードが繋がってしまうと
いう問題が生じていた。このためＴＡＢ法で実装できる
ＩＣの多ピン化及び微細化が制約されていた。例えば、
配線パターンを構成する銅箔の厚さが３５μｍの場合で
は、インナーリード部のリードピッチは１００μｍ（リ
ード幅５０μｍ、リード間隔５０μｍ）が限界であり、
厚さ１８μｍの銅箔の場合では、リードピッチ８０μｍ
が限界である。しかも、厚さ１８μｍの銅箔の場合は箔
が薄いので、形成される配線パターンの強度が小さいと
いう問題があった。そこで、強度を大きくするために合
金箔の採用が検討されているが、現状では実現されてい
ない。
【０００５】従って、本発明の目的は、ＩＣ素子の超多
ピン化や超微細化に対応できるようにするため、リード
ピッチが小さい、特に８０μｍ以下で、しかもインナー
リード部の強度が十分に大きいＴＡＢ用テープキャリア
を提供することにある。
ピン化や超微細化に対応できるようにするため、リード
ピッチが小さい、特に８０μｍ以下で、しかもインナー
リード部の強度が十分に大きいＴＡＢ用テープキャリア
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、可撓性絶縁フ
ィルム上に形成する配線パターンを、銅層とニッケル系
合金層との多層導体層で構成するようにしたものである
。この多層導体層は、銅層−ニッケル系合金層の二層導
体層、銅層−ニッケル系合金層−銅層の三層導体層、及
びニッケル系合金層−銅層−ニッケル系合金層の三層導
体層のいずれかであるのが望ましく、多層導体層の厚さ
が総厚３５μｍで、その内ニッケル系合金層の厚さが５
μｍであるのが望ましい。さらに、銅層は無酸素銅から
成るのが望ましい。この無酸素銅は、一般に酸素含有量
１０ｐｐｍ以下、銅純度９９．９９％以上の銅を言い、
その厚さは１０〜２０μｍが適当である。また、ニッケ
ル系合金層は、例えば純ニッケル、ニッケル─クロム合
金、又はニッケル─鉄合金が挙げられ、その厚さは５〜
１５μｍが適当である。なお、銅層とニッケル系合金層
とをクラッドにした場合の総厚は２５μｍ以下で十分で
ある。
ィルム上に形成する配線パターンを、銅層とニッケル系
合金層との多層導体層で構成するようにしたものである
。この多層導体層は、銅層−ニッケル系合金層の二層導
体層、銅層−ニッケル系合金層−銅層の三層導体層、及
びニッケル系合金層−銅層−ニッケル系合金層の三層導
体層のいずれかであるのが望ましく、多層導体層の厚さ
が総厚３５μｍで、その内ニッケル系合金層の厚さが５
μｍであるのが望ましい。さらに、銅層は無酸素銅から
成るのが望ましい。この無酸素銅は、一般に酸素含有量
１０ｐｐｍ以下、銅純度９９．９９％以上の銅を言い、
その厚さは１０〜２０μｍが適当である。また、ニッケ
ル系合金層は、例えば純ニッケル、ニッケル─クロム合
金、又はニッケル─鉄合金が挙げられ、その厚さは５〜
１５μｍが適当である。なお、銅層とニッケル系合金層
とをクラッドにした場合の総厚は２５μｍ以下で十分で
ある。
【０００７】
【作用】銅層とニッケル系合金層とから成る多層導体層
を、塩化第二鉄をエッチング溶液として用いたフォトエ
ッチング法によりエッチングして配線パターンを形成す
る場合、銅層とニッケル系合金層の塩化第二鉄によるエ
ッチング速度は異なり、銅層の方がニッケル系合金層よ
りもエッチングが速く進行する。従って、銅層のエッチ
ングが十分進んでも銅層上のニッケル系合金層のエッチ
ングは相対的に遅く進行する。その結果、接着剤面側に
位置している銅層のエッチングの度合いが大きく、接着
剤面への裾野の広がりが少ない一方で、ニッケル系合金
層は十分な幅が確保されている。従って、従来のように
接着剤面上の銅層の裾野の広がりによりリード間が繋が
ってしまうという問題が生じない。一方、リード幅はニ
ッケル系合金層の幅で決まるので、リードピッチはニッ
ケル系合金層のエッチング速度に依存する。従って、銅
層のエッチングが進行しても、リード幅が細くなり過ぎ
るといういわゆるオーバーエッチングの問題も生じなく
なる。また、ニッケル系合金層は厚さが比較的小さくて
も良いので、薄い層を採用すればエッチング制御が容易
となり、微細化に対して有利となる。さらに、リードの
耐折強度は、銅層の強度にニッケル系合金層の強度が加
算されるので、銅層のみの場合に比較して約２倍となる
。
を、塩化第二鉄をエッチング溶液として用いたフォトエ
ッチング法によりエッチングして配線パターンを形成す
る場合、銅層とニッケル系合金層の塩化第二鉄によるエ
ッチング速度は異なり、銅層の方がニッケル系合金層よ
りもエッチングが速く進行する。従って、銅層のエッチ
ングが十分進んでも銅層上のニッケル系合金層のエッチ
ングは相対的に遅く進行する。その結果、接着剤面側に
位置している銅層のエッチングの度合いが大きく、接着
剤面への裾野の広がりが少ない一方で、ニッケル系合金
層は十分な幅が確保されている。従って、従来のように
接着剤面上の銅層の裾野の広がりによりリード間が繋が
ってしまうという問題が生じない。一方、リード幅はニ
ッケル系合金層の幅で決まるので、リードピッチはニッ
ケル系合金層のエッチング速度に依存する。従って、銅
層のエッチングが進行しても、リード幅が細くなり過ぎ
るといういわゆるオーバーエッチングの問題も生じなく
なる。また、ニッケル系合金層は厚さが比較的小さくて
も良いので、薄い層を採用すればエッチング制御が容易
となり、微細化に対して有利となる。さらに、リードの
耐折強度は、銅層の強度にニッケル系合金層の強度が加
算されるので、銅層のみの場合に比較して約２倍となる
。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。
がら詳細に説明する。
【０００９】実施例１
図１に示すように、厚さ７５μｍ、幅３５ｍｍのポリイ
ミド製の可撓性絶縁フィルム１０の上に、厚さ１０μｍ
の接着層１４を介して厚さ２５μｍの銅箔２１と厚さ１
０μｍのニッケル箔２２をクラッドにして成る導体層を
形成し、塩化第二鉄溶液を用いてエッチングを行い、配
線パターン２０を形成した。
ミド製の可撓性絶縁フィルム１０の上に、厚さ１０μｍ
の接着層１４を介して厚さ２５μｍの銅箔２１と厚さ１
０μｍのニッケル箔２２をクラッドにして成る導体層を
形成し、塩化第二鉄溶液を用いてエッチングを行い、配
線パターン２０を形成した。
【００１０】図１から明らかなように、銅箔２１の接着
層１４面への裾野の広がりが少ないので、リード間が繋
がってしまうという問題は生じない。一方、ニッケル箔
２２は銅箔２１と比較して大きな幅を有している。配線
パターン２０のリード間隔は、厚さが１０μｍという薄
いニッケル箔２２のエッチング速度で決めることができ
るので、従来のように厚さが３５μｍの銅箔を用いた場
合では不可能であった８０μｍや６０μｍという極めて
狭いリード間隔を有するＴＡＢ用テープキャリアを製造
が可能となった。さらに、リードの耐折強度も銅箔のみ
の場合に比較してニッケル箔の強度が加算され、約２倍
となっている。
層１４面への裾野の広がりが少ないので、リード間が繋
がってしまうという問題は生じない。一方、ニッケル箔
２２は銅箔２１と比較して大きな幅を有している。配線
パターン２０のリード間隔は、厚さが１０μｍという薄
いニッケル箔２２のエッチング速度で決めることができ
るので、従来のように厚さが３５μｍの銅箔を用いた場
合では不可能であった８０μｍや６０μｍという極めて
狭いリード間隔を有するＴＡＢ用テープキャリアを製造
が可能となった。さらに、リードの耐折強度も銅箔のみ
の場合に比較してニッケル箔の強度が加算され、約２倍
となっている。
【００１１】実施例２
図２に示すように、可撓性絶縁フィルム１０の上に、厚
さ２０μｍの銅箔３１、厚さ１０μｍのニッケル箔３２
、及び厚さ５μｍの銅箔３３を積層した導体層を形成し
、塩化第二鉄溶液を用いエッチングを行い、配線パター
ン３０を形成した。本実施例のＴＡＢ用テープキャリア
においてもリード間隔６０μｍが可能となり、リード強
度の向上も図ることができる。なお、本実施例において
は、最上層に銅箔３３があるので、錫及び半田メッキ作
業が容易となる。
さ２０μｍの銅箔３１、厚さ１０μｍのニッケル箔３２
、及び厚さ５μｍの銅箔３３を積層した導体層を形成し
、塩化第二鉄溶液を用いエッチングを行い、配線パター
ン３０を形成した。本実施例のＴＡＢ用テープキャリア
においてもリード間隔６０μｍが可能となり、リード強
度の向上も図ることができる。なお、本実施例において
は、最上層に銅箔３３があるので、錫及び半田メッキ作
業が容易となる。
【００１２】実施例３
図３に示すように、可撓性絶縁フィルム１０の上に、厚
さ５μｍのニッケル箔４１、厚さ２０μｍの銅箔４２、
及び厚さ１０μｍの銅箔４３を積層した導体層を形成し
、塩化第二鉄溶液を用いてエッチングを行い、配線パタ
ーン４０を形成した。この実施例の場合には、最下層が
ニッケル箔４１なので、裾野の広がりがなく、より微細
化に対して有利となる。
さ５μｍのニッケル箔４１、厚さ２０μｍの銅箔４２、
及び厚さ１０μｍの銅箔４３を積層した導体層を形成し
、塩化第二鉄溶液を用いてエッチングを行い、配線パタ
ーン４０を形成した。この実施例の場合には、最下層が
ニッケル箔４１なので、裾野の広がりがなく、より微細
化に対して有利となる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明のＴＡＢ用テ
ープキャリアは、リードピッチが小さい、特に８０μｍ
以下で、しかもインナーリード部の強度が十分に大きい
ので、ＩＣ素子の超多ピン化や超微細化に対応すること
ができる。また、製造時におけるエッチング精度も向上
するので、生産性も向上する。
ープキャリアは、リードピッチが小さい、特に８０μｍ
以下で、しかもインナーリード部の強度が十分に大きい
ので、ＩＣ素子の超多ピン化や超微細化に対応すること
ができる。また、製造時におけるエッチング精度も向上
するので、生産性も向上する。
【図１】本発明の一実施例のＴＡＢ用テープキャリアを
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明の第二の実施例のＴＡＢ用テープキャリ
アを示す断面図である。
アを示す断面図である。
【図３】本発明の第三の実施例のＴＡＢ用テープキャリ
アを示す断面図である。
アを示す断面図である。
【図４】ＴＡＢ用テープキャリアを示す平面図である。
【図５】従来のＴＡＢ用テープキャリアを示す断面図で
ある。
ある。
１０ 可撓性絶縁フィルム
１１ デバイスホール
１２ パイロットホール
１３，２０，３０，４０ 配線パターン１３ａ
インナーリード部 １３ｂ アウターリード部 １４ 接着層 １５ 銅箔不要部 ２１，３１，３３，４２ 銅箔
インナーリード部 １３ｂ アウターリード部 １４ 接着層 １５ 銅箔不要部 ２１，３１，３３，４２ 銅箔
Claims (4)
- 【請求項１】 可撓性絶縁フィルム上に所望の配線パ
ターンを形成して成るＴＡＢ用テープキャリアにおいて
、前記配線パターンが、銅層とニッケル又はニッケル系
合金層（以下「ニッケル系合金層」という。）とを含む
多層導体層から成ることを特徴とするＴＡＢ用テープキ
ャリア。 - 【請求項２】 前記多層導体層は、（１）第一層が銅
層で第二層がニッケル系合金層の二層導体層、（２）第
一層が銅層、第二層がニッケル系合金層、及び第三層が
銅層の三層導体層、及び（３）第一層がニッケル系合金
層、第二層が銅層、及び第三層がニッケル系合金層の三
層導体層、の中から選択されたいずれかの導体層である
、請求項１に記載のＴＡＢ用テープキャリア。 - 【請求項３】 前記多層導体層の厚さは総厚３５μｍ
であり、その内ニッケル系合金層の厚さは５μｍである
、請求項１又は２に記載のＴＡＢ用テープキャリア。 - 【請求項４】 前記銅層は無酸素銅から成る、請求項
１ないし３のいずれか記載のＴＡＢ用テープキャリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3565091A JPH04249334A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | Ｔａｂ用テープキャリア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3565091A JPH04249334A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | Ｔａｂ用テープキャリア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04249334A true JPH04249334A (ja) | 1992-09-04 |
Family
ID=12447752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3565091A Pending JPH04249334A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | Ｔａｂ用テープキャリア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04249334A (ja) |
-
1991
- 1991-02-04 JP JP3565091A patent/JPH04249334A/ja active Pending
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