JPS5929286B2 - コテイシヨウシキシヨクバイハンノウキ - Google Patents
コテイシヨウシキシヨクバイハンノウキInfo
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- JPS5929286B2 JPS5929286B2 JP50143901A JP14390175A JPS5929286B2 JP S5929286 B2 JPS5929286 B2 JP S5929286B2 JP 50143901 A JP50143901 A JP 50143901A JP 14390175 A JP14390175 A JP 14390175A JP S5929286 B2 JPS5929286 B2 JP S5929286B2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/02—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は煤塵を含む排ガスを処理するための固定床式
触媒反応器、たとえば乾式排煙脱硝装置の固定床式触媒
反応器に関するものである。
触媒反応器、たとえば乾式排煙脱硝装置の固定床式触媒
反応器に関するものである。
油焚ボイラ排ガスのように、煤塵たとえばカーボン、灰
分等を含む排ガスを固定床式触媒反応器で脱硝する場合
、煤塵が触媒層に堆積するため、触媒層における圧力損
失が経時的に増大し、また反応器内には排ガスの偏流が
生じて脱硝性能が低下する。
分等を含む排ガスを固定床式触媒反応器で脱硝する場合
、煤塵が触媒層に堆積するため、触媒層における圧力損
失が経時的に増大し、また反応器内には排ガスの偏流が
生じて脱硝性能が低下する。
この状態からさらに運転を継続すると、触媒層における
圧力損失はますます増加し、ついには触媒反応器を連続
運転することが不可能になる。
圧力損失はますます増加し、ついには触媒反応器を連続
運転することが不可能になる。
このような煤塵堆積の防止対策としては触媒反応器の上
流側に除塵装置を設置することが一般的であるが、乾式
排煙脱硝装置は反応温度が300〜400℃と高く、こ
のような高温域での高性能除塵装置は技術的にも問題が
あり、かつ高価である。
流側に除塵装置を設置することが一般的であるが、乾式
排煙脱硝装置は反応温度が300〜400℃と高く、こ
のような高温域での高性能除塵装置は技術的にも問題が
あり、かつ高価である。
この発明は上述の問題点を解決するためになされたもの
で、除塵しないままの排ガスを処理することができる固
定床式触媒反応器を提供することを目的とする。
で、除塵しないままの排ガスを処理することができる固
定床式触媒反応器を提供することを目的とする。
この目的を達成するため、この発明においては2以上の
触媒層を設け、それらの触媒層それぞれのガス流出側に
ガス流れ方向に向かって断面積が減少するホッパ部を設
け、それらのホッパ部それぞれの後流側に上記触媒層を
通過するガス量を調整するためのガス量調整用ダンパを
取付け、それらの全てのガス量調整用ダンパの後流側と
連通した集合ダクトを設けるとともに、上記触媒層のガ
ス流入側にガス整流手段を設け、また上記触媒層のガス
流出側に触媒飛散防止手段を設ける。
触媒層を設け、それらの触媒層それぞれのガス流出側に
ガス流れ方向に向かって断面積が減少するホッパ部を設
け、それらのホッパ部それぞれの後流側に上記触媒層を
通過するガス量を調整するためのガス量調整用ダンパを
取付け、それらの全てのガス量調整用ダンパの後流側と
連通した集合ダクトを設けるとともに、上記触媒層のガ
ス流入側にガス整流手段を設け、また上記触媒層のガス
流出側に触媒飛散防止手段を設ける。
第1図はこの発明に係る固定床式触媒反応器を示す概略
平断面図、第2図は同じく概略正断面図である。
平断面図、第2図は同じく概略正断面図である。
図においてIa、1bは2つに分割された反応器、2a
、2bは触媒層2a 、2bのガス流出側に取付けら
れた触媒層、4は反応器1a。
、2bは触媒層2a 、2bのガス流出側に取付けら
れた触媒層、4は反応器1a。
1bの入口に接続された反応器入口ダクト、6は触媒層
2a 、2bのガス流入側に設けられたガス整流手段で
あるロスドル、11a、11bはそれぞれ触媒層2a
、2bのガス流出側に設けられたホッパ部で、ホッパ部
11a、11bの断面積はガス流れ方向に向かって減少
している。
2a 、2bのガス流入側に設けられたガス整流手段で
あるロスドル、11a、11bはそれぞれ触媒層2a
、2bのガス流出側に設けられたホッパ部で、ホッパ部
11a、11bの断面積はガス流れ方向に向かって減少
している。
3a 、 3bはそれぞれホッパ部11a、11bの後
流側に取付けられたガス量調整用ダンパ、5はダンパ3
aおよびダンパ3bの後流側と連通した集合ダクトであ
る反応器出口ダクトである。
流側に取付けられたガス量調整用ダンパ、5はダンパ3
aおよびダンパ3bの後流側と連通した集合ダクトであ
る反応器出口ダクトである。
この固定床式触媒反応器においては、通常排ガスがダク
ト4から反応器1a、Ibに同容量づつ送られる。
ト4から反応器1a、Ibに同容量づつ送られる。
この排ガスにはダクト3の上流側でNOx還元ガスたと
えはN)I3が添加されており、排ガスが触媒層2a、
2bを通過する際、脱硝反応が行なわれ、脱硝された排
ガスはダクト5から排出される。
えはN)I3が添加されており、排ガスが触媒層2a、
2bを通過する際、脱硝反応が行なわれ、脱硝された排
ガスはダクト5から排出される。
このような運転を続けると、煤塵が触媒層2a 、2b
に堆積し、触媒層2a、2bの圧力損失が経時的に増加
してくる。
に堆積し、触媒層2a、2bの圧力損失が経時的に増加
してくる。
そして、触媒層2a、2bの圧力損失が所定値になった
ときに、一方のダンパたとえばダンパ3aを圧力損失に
応じて任意開度まで絞る。
ときに、一方のダンパたとえばダンパ3aを圧力損失に
応じて任意開度まで絞る。
すると、触媒層2bを通過する排ガスの速度が大きくな
り、触媒層2bの触媒粒子が流動化して、触媒粒子と煤
塵とが切り離され、切り離された煤塵はガス流に乗って
除去される。
り、触媒層2bの触媒粒子が流動化して、触媒粒子と煤
塵とが切り離され、切り離された煤塵はガス流に乗って
除去される。
この状態からダンパ3aを開き、ダンパ3bを閉じると
、前述と同様にして触媒層2aに堆積した煤塵が除去さ
れる。
、前述と同様にして触媒層2aに堆積した煤塵が除去さ
れる。
ところで、触媒層2a 、2bのガス流入側にガス量調
整用ダンパを取付けたときには、ガス量調整用ダンパに
よって触媒層2a 、2bのガス流入側に排ガスの偏流
が生ずる。
整用ダンパを取付けたときには、ガス量調整用ダンパに
よって触媒層2a 、2bのガス流入側に排ガスの偏流
が生ずる。
このため、触媒層2a 、2bの入口表面に局部的に煤
塵が付着し、煤塵が付着した部分は排ガスが通りにくく
なるので、排ガスは煤塵が付着しない部分のみを通るか
ら、排ガスが触媒層2a 、2bを通過するときの速度
が大きくなり、局部的(こ触媒層2a 、2bの流動化
が起こって、その部分の触媒が排ガスとともに下流側に
飛散し、吹きぬけ現象が生ずる。
塵が付着し、煤塵が付着した部分は排ガスが通りにくく
なるので、排ガスは煤塵が付着しない部分のみを通るか
ら、排ガスが触媒層2a 、2bを通過するときの速度
が大きくなり、局部的(こ触媒層2a 、2bの流動化
が起こって、その部分の触媒が排ガスとともに下流側に
飛散し、吹きぬけ現象が生ずる。
この現象が生ずると、その部分からは排ガスが未処理の
まま反応器1a。
まま反応器1a。
1bを通過することになる。
しかるに、この発明においては、触媒層2a 、2bの
ガス流出側にダンパ3a 、3bを取付けているから、
ダンパ3a。
ガス流出側にダンパ3a 、3bを取付けているから、
ダンパ3a。
3bによって触媒層2a 、2bのガス流入側に排ガス
の偏流が生ずることがないので、上述のような吹きぬけ
現象が生ずることがなく、排ガスを確実に処理すること
が可能である。
の偏流が生ずることがないので、上述のような吹きぬけ
現象が生ずることがなく、排ガスを確実に処理すること
が可能である。
なお、上述実施例においてはダンパ3a、3bを開閉し
て、触媒層2a 、2bの触媒粒子を流動化したが、ダ
ンパ3a、3bを開閉することにより、触媒層2a、2
bを通過する排ガスの速度を小さくして、触媒層2a、
2bの均衡を崩し、触媒粒子と煤塵とを切り離して、煤
塵を除去してもよい。
て、触媒層2a 、2bの触媒粒子を流動化したが、ダ
ンパ3a、3bを開閉することにより、触媒層2a、2
bを通過する排ガスの速度を小さくして、触媒層2a、
2bの均衡を崩し、触媒粒子と煤塵とを切り離して、煤
塵を除去してもよい。
すなわち、触媒粒子をただ単にある層高に充填した触媒
層2a 、2bにおいては、触媒自重と排ガスが触媒層
2を通過する場合の触媒を押上げようとする力との均衡
から、触媒粒子間の空隙には変化が起こりにくい。
層2a 、2bにおいては、触媒自重と排ガスが触媒層
2を通過する場合の触媒を押上げようとする力との均衡
から、触媒粒子間の空隙には変化が起こりにくい。
しかし、触媒層2 a p2bを通過する排ガスの速度
を小さくすると、上述の触媒を押上げようとする力が小
さくなり、触媒自重とのバランスが崩れるから、触媒粒
子の配列が変り、触媒粒子と煤塵とが切り離され、煤塵
が除去されて圧力損失が減少する。
を小さくすると、上述の触媒を押上げようとする力が小
さくなり、触媒自重とのバランスが崩れるから、触媒粒
子の配列が変り、触媒粒子と煤塵とが切り離され、煤塵
が除去されて圧力損失が減少する。
このことは実験によって裏づけられている。
第3図はその実験の結果を示す図である。
この実験においては、約350℃のボイラ排ガスを、通
常1.7m/sで触媒層2a 、2bを通過させて、煤
塵を堆積させたのち、3回に及んで排ガスの速度を1.
2m/sに短時間下げた。
常1.7m/sで触媒層2a 、2bを通過させて、煤
塵を堆積させたのち、3回に及んで排ガスの速度を1.
2m/sに短時間下げた。
第1回目の減速操作は、煤塵の除去効果を明確にするた
め、触媒層2a、2bの表面が局部的に吹きぬけ現象を
起こす程度に触媒層2a 、2bに煤塵を堆積させた状
態で行なった。
め、触媒層2a、2bの表面が局部的に吹きぬけ現象を
起こす程度に触媒層2a 、2bに煤塵を堆積させた状
態で行なった。
この結果、排ガスの速度を1.7 m/ sに戻した時
点で、触媒層2a 、2bの圧力損失は初期圧力損失2
05mmAqにほぼ近い240mmAqまで低減し、そ
の効果の著しさを示している。
点で、触媒層2a 、2bの圧力損失は初期圧力損失2
05mmAqにほぼ近い240mmAqまで低減し、そ
の効果の著しさを示している。
第2回目、第3回目の減速操作の時点では、触媒層2a
。
。
2bに堆積した煤塵が少ないことから圧力損失の低減は
少ないが、効果があることは明らかであり、また定期的
に減速操作を行なえば、堆積する煤塵の量を任意の量以
下にすることができることを裏づけるものである。
少ないが、効果があることは明らかであり、また定期的
に減速操作を行なえば、堆積する煤塵の量を任意の量以
下にすることができることを裏づけるものである。
以上のことから、ダンパ3a 、3bの操作としては、
触媒層2a 、2bを通過する排ガスの速度を大きくし
てもよいし、小さくしてもよいということができる。
触媒層2a 、2bを通過する排ガスの速度を大きくし
てもよいし、小さくしてもよいということができる。
すなわち、触媒層2a、2bを通過する排ガスの速度を
通常の速度と異なる速度にし、触媒層2a 、2bの触
媒粒子と煤塵とを切り離すことによって、煤塵を除去す
ることができるのである。
通常の速度と異なる速度にし、触媒層2a 、2bの触
媒粒子と煤塵とを切り離すことによって、煤塵を除去す
ることができるのである。
第4図はこの発明に係る他の固定床式触媒反応器を示す
一部切断平面図、第5図は同じく一部切断側面図である
。
一部切断平面図、第5図は同じく一部切断側面図である
。
図において1は反応器、6は反応器1に固定されたロス
ドル、7はロスドル6上に敷かれた触媒支持網、8は反
応器1とロスドル6に固定された仕切壁で、仕切壁8に
よって触媒層2が6つに分割されている。
ドル、7はロスドル6上に敷かれた触媒支持網、8は反
応器1とロスドル6に固定された仕切壁で、仕切壁8に
よって触媒層2が6つに分割されている。
9は仕切壁8に取付けられた触媒移動防止網、10は触
媒層2のガス流出側に設けられた触媒飛散防止網で、触
媒飛散防止網10は仕切壁8に取付けられている。
媒層2のガス流出側に設けられた触媒飛散防止網で、触
媒飛散防止網10は仕切壁8に取付けられている。
11は仕切壁8の上部に取付けられた角錐ホッパ、12
はホッパ11の後流側に取付けられたガス量調整用ダン
パ、13はダンパ12に設けられたダンパシャフト、1
4はダンパ12を開閉するためのエアシリンダである。
はホッパ11の後流側に取付けられたガス量調整用ダン
パ、13はダンパ12に設けられたダンパシャフト、1
4はダンパ12を開閉するためのエアシリンダである。
この固定床式触媒反応器において、触媒層2に堆積した
煤塵を除去するには、あるダンパ12を全開にし、他の
ダンパ12を一斉にあるいは1つづつ順次閉にして、上
記あるダンパ12が設けられた触媒層2を流動化し、煤
塵を除去する。
煤塵を除去するには、あるダンパ12を全開にし、他の
ダンパ12を一斉にあるいは1つづつ順次閉にして、上
記あるダンパ12が設けられた触媒層2を流動化し、煤
塵を除去する。
この操作を順次各触媒層2について行なう。
そして、この固定床式触媒反応器においては、触媒層2
のガス流出側に触媒飛散防止網10が設けられでいるか
ら、触媒層2を流動化して煤塵を除去するときに、煤塵
とともに触媒が飛散するのを防止することができる。
のガス流出側に触媒飛散防止網10が設けられでいるか
ら、触媒層2を流動化して煤塵を除去するときに、煤塵
とともに触媒が飛散するのを防止することができる。
また、ホッパ11が取付けられているため、ダンパ12
が小さくなり、ダンパ12を駆動するためのトルクが小
さくて済む。
が小さくなり、ダンパ12を駆動するためのトルクが小
さくて済む。
さらに、触媒移動防止網9が設けられているので、触媒
層2の表面高さが著しく異なって反応程度が場所によっ
て区々になることはない。
層2の表面高さが著しく異なって反応程度が場所によっ
て区々になることはない。
以上説明したように、この発明に係る固定床式触媒反応
器においては、触媒層に堆積した煤塵を除去することが
できるから、除塵していない排ガスを、運転を中止する
ことなしに処理することが可能であり、しかも煤塵除去
時にも排ガス処理量を変える必要がなく、また排ガスを
確実に処理することができ、さらに触媒が飛散するのを
防止することが可能である。
器においては、触媒層に堆積した煤塵を除去することが
できるから、除塵していない排ガスを、運転を中止する
ことなしに処理することが可能であり、しかも煤塵除去
時にも排ガス処理量を変える必要がなく、また排ガスを
確実に処理することができ、さらに触媒が飛散するのを
防止することが可能である。
また、大形の固定床式触媒反応器の場合には、適当な数
に触媒層を分割することによって、有効に触媒層に堆積
した煤塵を除去することができる。
に触媒層を分割することによって、有効に触媒層に堆積
した煤塵を除去することができる。
なお、上述実施例においては平面状の触媒層を分割した
が、2以上の触媒層を多段に設け、そのそれぞれの触媒
層にガス量調整用ダンパを取付けてもよい。
が、2以上の触媒層を多段に設け、そのそれぞれの触媒
層にガス量調整用ダンパを取付けてもよい。
第1図はこの発明に係る固定床式触媒反応器を干す概略
平断面図、第2図は同じく概略正断面図、第3図はこの
発明を説明するためのグラフ、第4図はこの発明に係る
他の固定床式触媒反応器を示す一部切断平面図、第5図
は同じく一部切断側面図である。 1 、1 a 、 1 b−−反応器、2 、2a 、
2b−・・・・・触媒層、3a 、 3b・・・・・
・ガス量調整用ダンパ、4・・・・・・反応器入口ダク
ト、5・・・・・・反応器出口ダクト、6・・・・・・
ロスドル、7・・・・・・触媒支持網、8・・・・・・
仕切壁、9・・・・・・触媒移動防止網、10・・・・
・・触媒飛散防止網、11・・・・・・角錐ホッパ、1
1a、11b・・・・・・ホッパ部、12・・・・・・
ガス量調整用ダンパ、14・・・・・・エアシリンダ。
平断面図、第2図は同じく概略正断面図、第3図はこの
発明を説明するためのグラフ、第4図はこの発明に係る
他の固定床式触媒反応器を示す一部切断平面図、第5図
は同じく一部切断側面図である。 1 、1 a 、 1 b−−反応器、2 、2a 、
2b−・・・・・触媒層、3a 、 3b・・・・・
・ガス量調整用ダンパ、4・・・・・・反応器入口ダク
ト、5・・・・・・反応器出口ダクト、6・・・・・・
ロスドル、7・・・・・・触媒支持網、8・・・・・・
仕切壁、9・・・・・・触媒移動防止網、10・・・・
・・触媒飛散防止網、11・・・・・・角錐ホッパ、1
1a、11b・・・・・・ホッパ部、12・・・・・・
ガス量調整用ダンパ、14・・・・・・エアシリンダ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 12以上の触媒層を設け、それらの触媒層それぞれのガ
ス流出側にガス流れ方向に向かって断面積が減少するホ
ッパ部を設け、それらのホッパ部それぞれの後流側に上
記触媒層を通過するガス量を調整するためのガス量調整
用ダンパを取付け、それらの全てのガス量調整用ダンパ
の後流側と連通した集合ダクトを設けるとともに、上記
触媒層のガス流入側にガス整流手段を設けたことを特徴
とする固定床式触媒反応器。 22以上の触媒層を設け、それらの触媒層それぞれのガ
ス流出側にガス流れ方向に向かって断面積が減少するホ
ッパ部を設け、それらのホッパ部それぞれの後流側に上
記触媒層を通過するガス量を調整するためのガス量調整
用ダンパを取付け、それらの全てのガス量調整用ダンパ
の後流側と連通した集合ダクトを設け、上記触媒層のガ
ス流入側にガス整流手段を設けるとともに、上記触媒層
のガス流出側に触媒飛散防止手段を設けたことを特徴と
する固定床式触媒反応器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50143901A JPS5929286B2 (ja) | 1975-12-05 | 1975-12-05 | コテイシヨウシキシヨクバイハンノウキ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50143901A JPS5929286B2 (ja) | 1975-12-05 | 1975-12-05 | コテイシヨウシキシヨクバイハンノウキ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5268853A JPS5268853A (en) | 1977-06-08 |
| JPS5929286B2 true JPS5929286B2 (ja) | 1984-07-19 |
Family
ID=15349687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50143901A Expired JPS5929286B2 (ja) | 1975-12-05 | 1975-12-05 | コテイシヨウシキシヨクバイハンノウキ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5929286B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5137280B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2013-02-06 | バブコック日立株式会社 | 排ガス脱硝装置用反応器およびそれを形成する方法 |
-
1975
- 1975-12-05 JP JP50143901A patent/JPS5929286B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5268853A (en) | 1977-06-08 |
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