JPS593010B2 - 温度補償用磁器誘電材料 - Google Patents
温度補償用磁器誘電材料Info
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- JPS593010B2 JPS593010B2 JP56212408A JP21240881A JPS593010B2 JP S593010 B2 JPS593010 B2 JP S593010B2 JP 56212408 A JP56212408 A JP 56212408A JP 21240881 A JP21240881 A JP 21240881A JP S593010 B2 JPS593010 B2 JP S593010B2
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- dielectric constant
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＬａ＿２Ｔｉ＿２Ｏ＿７、Ｓｒ２Ｔａ＿２Ｏ＿
７、→ｋｇ２ＸＴｉ＿２−Ｊ２Ｘ０４−！Ｘ（ただし０
くＸ≦１．０）で表示される系の 、。
７、→ｋｇ２ＸＴｉ＿２−Ｊ２Ｘ０４−！Ｘ（ただし０
くＸ≦１．０）で表示される系の 、。
磁器誘電材料に関するものである。本発明は誘電率が大
きく、誘電損失が小さく、しかも誘電率の温度係数を広
い範囲で自由に変えることができ、かつ 広範な温度領
域で温度係数の値が変らない温度補償用磁器誘電材料を
提供するものである。
きく、誘電損失が小さく、しかも誘電率の温度係数を広
い範囲で自由に変えることができ、かつ 広範な温度領
域で温度係数の値が変らない温度補償用磁器誘電材料を
提供するものである。
５ 温度補償用磁器コンデンサは通信機器やカラーテレ
ビ等の回路素子として多用されており、この場合、誘電
率が大きく誘電損失が小さいことが常に望まれ、温度係
数は指定された任意の値で、かつ温度に対して一定値を
保つことが望まれている。
ビ等の回路素子として多用されており、この場合、誘電
率が大きく誘電損失が小さいことが常に望まれ、温度係
数は指定された任意の値で、かつ温度に対して一定値を
保つことが望まれている。
１０これまで、この種類の材料としてＳｒＴｉＯ３、Ｃ
ａＴｉ０３、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３等を主成分と
する組成物が用いられていたが、これらの材料では誘電
率の温度係数が小さいものでは誘電率の値が３０〜１６
と小さく、さらに温度係数の温度依存・５ 性すなわち
温度に対する温度係数の変化も±６０ｐμｍ／Ｃ以上と
大きい欠点があつた。
ａＴｉ０３、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３等を主成分と
する組成物が用いられていたが、これらの材料では誘電
率の温度係数が小さいものでは誘電率の値が３０〜１６
と小さく、さらに温度係数の温度依存・５ 性すなわち
温度に対する温度係数の変化も±６０ｐμｍ／Ｃ以上と
大きい欠点があつた。
また、誘電率の温度係数の大きいものでは、温度係数が
温度に対して大きく変化してしまう欠点があつた。そこ
で、これらの欠点を補う材料の一つとして！０Ｌａ＿２
０３−ＴｉＯ２＋ＭｇＯ系の材料が開発された（特開昭
４９−１２４００）。この系では温度係数を、ほぼ零に
せしめることに成功し、かつ温度係数の温度依存性もあ
る程度改善されている。しかし、目的に応じて温度係数
を調整することは不可能で５ あつた。本発明はこれら
の欠点を改善したものである。
温度に対して大きく変化してしまう欠点があつた。そこ
で、これらの欠点を補う材料の一つとして！０Ｌａ＿２
０３−ＴｉＯ２＋ＭｇＯ系の材料が開発された（特開昭
４９−１２４００）。この系では温度係数を、ほぼ零に
せしめることに成功し、かつ温度係数の温度依存性もあ
る程度改善されている。しかし、目的に応じて温度係数
を調整することは不可能で５ あつた。本発明はこれら
の欠点を改善したものである。
すなわち、Ｌａ＿２Ｔｉ＿２Ｏ＿７、Ｓｒ２Ｔａ＿２Ｏ
＿７「Ｍｇ２ＸＴｉ＿２→Ｘ０４−２Ｘ（ただし０くＸ
＜１．０）で示される系の磁１０器の誘電材料を合成す
ることにより誘電率が大きく、゛誘電損失れ’−小さく
、しかも誘電率の温度係数を広い範囲で自由に変えるこ
とができ、かつ広範な温度領域で誘電率の温度係数の値
が一定なすぐれた温度補償用磁器電材料になることを見
い出し■５ たものである。更に焼成温度も比較的低温
であり、製造容易な組成物であることも見い出された。
以下、実施例にもとづいて本発明の有効性を説明する。
実施例 （０くｘく１．０）で構成される磁器誘電材料について
はＬａ２Ｏ３，ＴｌＯ２，ＳｒＣＯ３，Ｔａ２Ｏ５，Ｍ
ｇＯの粉末をまたＬａ２Ｔｌ２Ｏ７，Ｓｒ２Ｔａ２Ｏ７
，フにＫｇＴｉ２ｌＯ４−２×（ｘ＝Ｏ）で構成される
磁器誘電材料については、Ｌａ２Ｏ３，ＴｌＯ２，Ｓｒ
ＣＯ３，Ｔａ２Ｏ５の粉末を各組成に応して秤量し、ポ
ールミルによつて混合の後、ろ過、乾燥し１０００〜１
２００℃、２時間の条件で予焼した。
＿７「Ｍｇ２ＸＴｉ＿２→Ｘ０４−２Ｘ（ただし０くＸ
＜１．０）で示される系の磁１０器の誘電材料を合成す
ることにより誘電率が大きく、゛誘電損失れ’−小さく
、しかも誘電率の温度係数を広い範囲で自由に変えるこ
とができ、かつ広範な温度領域で誘電率の温度係数の値
が一定なすぐれた温度補償用磁器電材料になることを見
い出し■５ たものである。更に焼成温度も比較的低温
であり、製造容易な組成物であることも見い出された。
以下、実施例にもとづいて本発明の有効性を説明する。
実施例 （０くｘく１．０）で構成される磁器誘電材料について
はＬａ２Ｏ３，ＴｌＯ２，ＳｒＣＯ３，Ｔａ２Ｏ５，Ｍ
ｇＯの粉末をまたＬａ２Ｔｌ２Ｏ７，Ｓｒ２Ｔａ２Ｏ７
，フにＫｇＴｉ２ｌＯ４−２×（ｘ＝Ｏ）で構成される
磁器誘電材料については、Ｌａ２Ｏ３，ＴｌＯ２，Ｓｒ
ＣＯ３，Ｔａ２Ｏ５の粉末を各組成に応して秤量し、ポ
ールミルによつて混合の後、ろ過、乾燥し１０００〜１
２００℃、２時間の条件で予焼した。
その後直径１６ｍｍの円板に加圧成形し、１３００℃〜
１４５０℃、１〜２時間の条件で焼成を行なつた。得ら
れた磁器の両面に銀電極を６００℃で焼き付けた後、次
の条件で誘電特性を測定した。誘電率と誘電損失は１Ｋ
Ｈｚの周波数でキャバシタンスブリツジを用いて測定し
た。温度係数は誘電率の値を−３０℃、０℃、２０℃、
５５℃、８５℃の各温度で測定し、２０℃における誘電
率の値を基準として求めた。ここで温度係数の数算は次
式に従つて行なつた。得られた結果のうち代表的な例を
第１表に掲げておいた。なお、第１表の温度係数の欄に
士の表示をしてあるのは、−３０゜Ｃから８５℃までの
各温度における温度係数が士の範囲内にあることを示し
てある。
１４５０℃、１〜２時間の条件で焼成を行なつた。得ら
れた磁器の両面に銀電極を６００℃で焼き付けた後、次
の条件で誘電特性を測定した。誘電率と誘電損失は１Ｋ
Ｈｚの周波数でキャバシタンスブリツジを用いて測定し
た。温度係数は誘電率の値を−３０℃、０℃、２０℃、
５５℃、８５℃の各温度で測定し、２０℃における誘電
率の値を基準として求めた。ここで温度係数の数算は次
式に従つて行なつた。得られた結果のうち代表的な例を
第１表に掲げておいた。なお、第１表の温度係数の欄に
士の表示をしてあるのは、−３０゜Ｃから８５℃までの
各温度における温度係数が士の範囲内にあることを示し
てある。
第１表より明らかなようにＬａ２Ｔｌ２Ｏ７，構成され
る磁器誘電材料は誘電率が大きく、誘電損失が小さい、
すぐれた特性を示している。
る磁器誘電材料は誘電率が大きく、誘電損失が小さい、
すぐれた特性を示している。
更に組成比を調整することにより温度係数の値を、およ
そ＋１００ｐｐｍ／Ｃから−１１００ｐｐｍ／Ｃ程度と
非常に広い範囲に調整できることが明らかである。しか
も、温度係数の温度に対する変化も±３０ｐｐｍ／Ｃ以
内または温度係数の±１０（！）以内におさまつている
。一方、Ｓｒ２Ｔａ２Ｏ７が６０モル％より多い組成範
囲では焼成を１４５０℃で行なつても、ち密に焼結しな
い。
そ＋１００ｐｐｍ／Ｃから−１１００ｐｐｍ／Ｃ程度と
非常に広い範囲に調整できることが明らかである。しか
も、温度係数の温度に対する変化も±３０ｐｐｍ／Ｃ以
内または温度係数の±１０（！）以内におさまつている
。一方、Ｓｒ２Ｔａ２Ｏ７が６０モル％より多い組成範
囲では焼成を１４５０℃で行なつても、ち密に焼結しな
い。
従つて、この組成範囲は実用材料には適さない。また、
Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７が１０モル％より少ない組成範囲、お
よび−２．Ｍｇ２ＸＴｉ２−！ＸＯ４−！０（０く≦１
．０）が８０モル％より多い組成範囲では温度計数の温
度に対する変化が±３０ｐｐｍ／Ｃ以内、あるいは温度
計数の±１０％以内という条件と誘電率の値が３０以上
という条件を同時には満足しない。以上のことから本発
明の組成範囲を次の組成範囲に限定する。
Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７が１０モル％より少ない組成範囲、お
よび−２．Ｍｇ２ＸＴｉ２−！ＸＯ４−！０（０く≦１
．０）が８０モル％より多い組成範囲では温度計数の温
度に対する変化が±３０ｐｐｍ／Ｃ以内、あるいは温度
計数の±１０％以内という条件と誘電率の値が３０以上
という条件を同時には満足しない。以上のことから本発
明の組成範囲を次の組成範囲に限定する。
（Ｏくｘく１．０）の三成分系において
（ただしα＋β＋ｒ＝１．０）と表わしたときα，β，
γの値が、それぞれ０．１≦α １，０，０〈βく０．
６０，０〈ｒ＜．０．８の条件をみたす範囲で作られる
組成を持つことを特徴とする温度補償用磁器誘電材料。
γの値が、それぞれ０．１≦α １，０，０〈βく０．
６０，０〈ｒ＜．０．８の条件をみたす範囲で作られる
組成を持つことを特徴とする温度補償用磁器誘電材料。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ｌａ＿２Ｔｉ＿２Ｏ＿７、Ｓｒ＿２Ｔａ＿２Ｏ＿７
、１／２Ｍｇ＿２＿ｘＴｉ＿２＿−＿２＿ｘＯ＿４＿−
＿２＿ｘ（０≦ｘ≦１．０）の三成分系においてα〔Ｌ
ａ＿２Ｔｉ＿２Ｏ＿７〕・β〔Ｓｒ＿２Ｔａ＿２Ｏ＿７
〕・γ〔１／２Ｍｇ＿２＿ｘＴｉ＿２＿−＿２＿ｘＯ＿
４＿−＿２＿ｘ〕（ただしα＋β＋γ＝１）と表わした
ときα、β、γの値が、それぞれ０．１≦α≦１．０、
０＜β≦０．６０、０＜γ≦０．８の条件をみたす範囲
で作られる組成を持つことを特徴とする温度補償用磁器
誘電材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56212408A JPS593010B2 (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 温度補償用磁器誘電材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56212408A JPS593010B2 (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 温度補償用磁器誘電材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57154715A JPS57154715A (en) | 1982-09-24 |
| JPS593010B2 true JPS593010B2 (ja) | 1984-01-21 |
Family
ID=16622087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56212408A Expired JPS593010B2 (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 温度補償用磁器誘電材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593010B2 (ja) |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP56212408A patent/JPS593010B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57154715A (en) | 1982-09-24 |
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