JPS5857844B2 - 温度補償用磁器誘電材料 - Google Patents

温度補償用磁器誘電材料

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JPS5857844B2
JPS5857844B2 JP56176058A JP17605881A JPS5857844B2 JP S5857844 B2 JPS5857844 B2 JP S5857844B2 JP 56176058 A JP56176058 A JP 56176058A JP 17605881 A JP17605881 A JP 17605881A JP S5857844 B2 JPS5857844 B2 JP S5857844B2
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JP
Japan
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composition
temperature
temperature coefficient
dielectric material
temperature compensation
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JP56176058A
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JPS57163910A (en
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留治 大野
和利 中井
和明 内海
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 La2Ti2o7.Sr2Nb2O79MgTiO3で
構成される三成分系磁器誘電材料に関するものである。
本発明は誘電率が大きく、誘電損失が小さく、しかも誘
電率の温度係数が小さぐ、かつ広範な温度領域で直線性
の良好な温度補償用磁器誘電材料を提供するものである
。
温度補償用磁器コンデンサは通信機器や、カラーテレビ
等の回路素子として多用されており、この場合温度係数
は小さく(例えば−350〜+200ppm/℃)、し
かも温度係数は温度に対して一定値を保つことが望1れ
ている。
これ1でこの種の材料として、SrTiO3,CaTi
O3゜Mg T i03 t Ca Z r 03 ’
Jを主成分とする組成物が用いられている。
しかし、これらの材料では誘電率の温度係数が−350
〜+200 pp町4cのものでは誘電率の値が30〜
16と小さく、さらに温度係数の温度依存性すなわち温
度係数の直線性も±60pprry/″C以上と大きい
欠点があった。
これらの欠点を補う材料としてLa2O3−Ti02−
MgO系の材料が開発された(特開昭4912400)
。
この材料は、温度係数をほぼ零にせしめることに成功し
、かつ温度係数の温度依存性もある程度改善されている
。
しかし、目的に応じて、温度係数の調整をすることは不
可能であった。
本発明はこれらの欠点を改善したものである。
La2Ti2O7,Sr2Nb2O79MgTiO3で
構成される磁器誘電材料を合成することにより誘電率の
温度係数が小さく、誘電率が高く、誘電損失が小さくか
つ誘電率の温度変化がほぼ直線的である、すぐれた温度
補償用磁器誘電材料になることを見い出したものである
。
更に焼成温度も比較的低温であり、製造容易な組成物で
あることも見い出された。
以下実施例にもとすいて、本発明の詳細な説明する。
実施例 La2O3,TiO2,SrCO3,Nb2055Mg
0の粉末を各組成に応じて秤量し、ボールミルによって
混合の後、r過、乾燥し、1000℃〜1200℃、2
時間の条件で予焼した。
その後、直径16關の円板に加圧成形し1300℃〜1
450℃1〜2時間の条件で焼成を行なった。
得られた磁器の両面に銀電極を600℃で焼き付けた後
、次の条件で誘電特性を測定した。
誘電率と誘電損失ば1 kH’z の周波数で、キャパ
シタンスブリッジを用いて測定した。
温度係数は誘電率の値を一80℃、0℃、 20℃。
55℃、85°Cの各温度で測定し、20℃に釦ける誘
電率の値を基準として求めた。
ここで温度係数の計算は次式に従って行なった。
但し TK : 温度係数 (ppm/c)ε T、T℃における誘電率の値 20.20″cKむける誘電率の値 T :測定温度 得られた結果のうち代表的な例を表に掲げてむいた。
表の成分組成比の各々の組成については図に黒丸で示し
、かつ実施例の番号と対応するように図中にも番号を付
した。
表の温度係数の欄に士の表示をしであるのは、30℃か
ら+85℃1での各温度における温度係数が士の範囲内
にあることを示しである。
表より明らかなように、本発明の組成物は誘電率が大き
く、誘電損失が小さな優れた誘電特性を示している。
更に実用上、最も重要な特性の−っである温度係数は組
成比の調整により+40 ppm/”c 程度から−
350ppm/℃程度1で自由に変えられることか分か
る。
しかもその温度係数の温度に対する変化も±30 p
pm/’c以下と非常に小さく、すなわち誘電率の温度
変化が直線的である。
以上の特徴は通信機器の回路素子として最も望ましいも
のである。
La2Ti2q、Sr2Nb2O79MgTiO3で構
成される磁器誘電材料において図の31 、32 。
* 33.34,6 、Aで囲1れる組成範囲内では温度
係数の温度に対する変化が±30ppmを越えてし1う
。
また表の39.40.41およびMgTiO3の組成す
なわち図の39.40,41゜Bで囲1れる組成範囲内
では誘電率の値が30より小さい値を持ってし1う。
以上のことから本発明の組成範囲を次の組成範囲に限定
する。
La2Ti2O7,Sr2079MgTiO3の三成分
系において XCLa2Ti2O7〕・YC8r2Nb207〕・Z
(MgTiO3)(但しX+Y+Z= 1.00 )
と表わしたときx、y、zの値がそれぞれ X Y Z 1.00 0 0 0.25 0 0.75 0.05 0.10 0.85 0 0.15 0.85 0 0.55 0.45 0.20 0.45 0.35 0.30 0.50 0.20 0.25 0.65 0.1 0.15 0.85 0 なる値を有する組成比で囲1れる組成範囲(ただしXの
値が零である組成範囲、Yの値が零である組成範囲、お
よびZの値が零である組成範囲は除く)。
【図面の簡単な説明】
図は本発明組成物の組成範囲および実施例に示した組成
物の組成比を示す図である。 図におけるAば5r2Nb207を表わし、BはMg
T s 03 を表わしている。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 I La2Ti2Q、5r2Nb2()、tMgTi
    03o三威分系において XCLa2Ti2O7〕・YC8r2Nb2oT〕・Z
    〔Mg T io 3 〕 (但LX+Y+Z= 1.00 )と表わしたときX、
    Y。 Zの値がそれぞれ なる値を有する組成比で囲1れる組成範囲(ただしXの
    値が零である組成範囲、Yの値が零である組成範囲、お
    よびZの値が零である組成範囲を除く)にある組成を有
    することを特徴とする温度補償用磁器誘電材料。
JP56176058A 1981-11-02 1981-11-02 温度補償用磁器誘電材料 Expired JPS5857844B2 (ja)

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JPS57163910A JPS57163910A (en) 1982-10-08
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