JPS593086A - セラミツク表面への薄膜電極形成方法 - Google Patents
セラミツク表面への薄膜電極形成方法Info
- Publication number
- JPS593086A JPS593086A JP10779882A JP10779882A JPS593086A JP S593086 A JPS593086 A JP S593086A JP 10779882 A JP10779882 A JP 10779882A JP 10779882 A JP10779882 A JP 10779882A JP S593086 A JPS593086 A JP S593086A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- thin film
- film
- alloy
- ceramic surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発１１ＪＩは、各秤セラミックの表面上に薄膜電極を
形成づる方法に関し、更に詳しくは、貴金属電極膜の下
地どしてＮｉ−Ｃｕ含金のスパッタ膜を用いた薄膜電極
形成方法に関づ゛るらのである。
形成づる方法に関し、更に詳しくは、貴金属電極膜の下
地どしてＮｉ−Ｃｕ含金のスパッタ膜を用いた薄膜電極
形成方法に関づ゛るらのである。
電子部品を製造覆るに際してしシミツク基板上に薄膜電
極を形成させたい場合は非常に多い。
極を形成させたい場合は非常に多い。
たとえば、ＦＭセラミックフィルタにおいτＰ Ｚ Ｔ
’Ｗの圧電磁器板に外部引出し用の電極を設ける場合
や、ハイブリッドＩＣにおいて絶縁ヒラミック基板に各
独チップ部品ＪＵ載用あるいは外部引出し用の電極を設
ける場合である。
’Ｗの圧電磁器板に外部引出し用の電極を設ける場合
や、ハイブリッドＩＣにおいて絶縁ヒラミック基板に各
独チップ部品ＪＵ載用あるいは外部引出し用の電極を設
ける場合である。
このような場合、Ｌラミック某１々土に直接金や銀等の
電極膜を形成したの、で（、ム、基板との畜６性が悪く
、また伯の部材を前記電極膜に半ＥＯ付けしＪ、うとし
たとき、所謂「半田喰われ現象」が生じて電１ｆｆｉ材
が単口」に固溶し、電極が消失してしま−う。そこで、
従来一般には、セラミック基板と貴金属電極膜との間に
十地電極として、半田喰われ現象にバリヤーとして動く
ニッケル膜を介在させる構成が採られている。
電極膜を形成したの、で（、ム、基板との畜６性が悪く
、また伯の部材を前記電極膜に半ＥＯ付けしＪ、うとし
たとき、所謂「半田喰われ現象」が生じて電１ｆｆｉ材
が単口」に固溶し、電極が消失してしま−う。そこで、
従来一般には、セラミック基板と貴金属電極膜との間に
十地電極として、半田喰われ現象にバリヤーとして動く
ニッケル膜を介在させる構成が採られている。
ところが、ニッケルは強磁性金属であるため、マグネト
ロン型のｉ！′ｙ１３！スパッタ技術を用いることがで
きず、蒸着技術に頼らざるを得ない。しかし、蒸る法に
よる膜は、セラミック表面にふわりと付着したような状
態であるため、膜とヒラミックとの密着ツノが不充分で
剥＃１し易い欠点があつｌζ。密着力を増大させるため
には基板加熱（１列えば２！ｉ（１〜３００℃）を１１
えばＪ、いが、そう覆ると生産性が若しく ｊｐｊ化し
−（１）よ）。
ロン型のｉ！′ｙ１３！スパッタ技術を用いることがで
きず、蒸着技術に頼らざるを得ない。しかし、蒸る法に
よる膜は、セラミック表面にふわりと付着したような状
態であるため、膜とヒラミックとの密着ツノが不充分で
剥＃１し易い欠点があつｌζ。密着力を増大させるため
には基板加熱（１列えば２！ｉ（１〜３００℃）を１１
えばＪ、いが、そう覆ると生産性が若しく ｊｐｊ化し
−（１）よ）。
他方、ニッケルを用いない１ノ法どじでは、レラミック
基板上にまｆり［１ムの薄膜を、次に白金の薄膜４（れ
ぞれスパッタリングにて形成しく土地とし、イの土に金
や銀の薄膜を蒸着Ｊる方法がある。この方法は膜の密着
強僚が大きい利点を有りるが、白金を用いるため１ｄｌ
ｉ ４８が高く、スパッタ■程も多い！こめあまり量産
的（゛ない。
基板上にまｆり［１ムの薄膜を、次に白金の薄膜４（れ
ぞれスパッタリングにて形成しく土地とし、イの土に金
や銀の薄膜を蒸着Ｊる方法がある。この方法は膜の密着
強僚が大きい利点を有りるが、白金を用いるため１ｄｌ
ｉ ４８が高く、スパッタ■程も多い！こめあまり量産
的（゛ない。
本発明のＩＩ的は、−１−記のような従来技術の欠点を
解消し１．半田喰われ現象が牛じづ゛、セラミックどの
密名力が強く、しかし生産性の高い薄膜電極形成方法を
提供することにある。
解消し１．半田喰われ現象が牛じづ゛、セラミックどの
密名力が強く、しかし生産性の高い薄膜電極形成方法を
提供することにある。
以下、本発明につい（訂述りる。本発明に係るセラミッ
ク表面への薄膜電極形成方法は、図面に示Ｊように、セ
ラミック基板１の表面に、予め下地電極として、マグネ
［・ロン型スパッタ装置によって非磁性のＮｉ−Ｃｕ合
金の々９膜２を形成し、該Ｎｉ−Ｃｕ合金１１’ ２上
に貴金属電極材を付着さけて貴金属の薄膜電極３を形成
さける方法である。
ク表面への薄膜電極形成方法は、図面に示Ｊように、セ
ラミック基板１の表面に、予め下地電極として、マグネ
［・ロン型スパッタ装置によって非磁性のＮｉ−Ｃｕ合
金の々９膜２を形成し、該Ｎｉ−Ｃｕ合金１１’ ２上
に貴金属電極材を付着さけて貴金属の薄膜電極３を形成
さける方法である。
塁（Δどなるしラミックは如何なるものであってもよい
１１例えば、ＰＺＴのような圧電磁器板や各種ＩＣの基
板やバッフ７−ジ伺どじて用いられるアルミノ基板等で
あつ（よいし、（の池、ｙツブ抵抗Ａ％）ブップ′：、
１ンデン勺等てあってしＪ、い。本発明は、セラミック
祠料の表面に簿膜電４４ｊを形成りる場合の全てに適用
でさるものである。
１１例えば、ＰＺＴのような圧電磁器板や各種ＩＣの基
板やバッフ７−ジ伺どじて用いられるアルミノ基板等で
あつ（よいし、（の池、ｙツブ抵抗Ａ％）ブップ′：、
１ンデン勺等てあってしＪ、い。本発明は、セラミック
祠料の表面に簿膜電４４ｊを形成りる場合の全てに適用
でさるものである。
本発明で使用覆るスパッタ装買は、マグネ１−ロン型の
ハイレート・スパッタと呼ばれるもので、蒸発＆（気化
源）どしてのターグツ１〜（陰極）に特ｒＡ、な磁界を
かけ、基板の昇温を防ぐと同時にイー１着速度を増大き
ＶうるＪ、うな装置である。この種の装置は既に市販さ
れ使用されているので、その詳細についでは記載を省略
するが、簡単に述べると、例えばターグツ１〜を板状と
して放射状磁界をか（）るなどの手法により、ターゲッ
ト近傍で電子に長い連続軌道をもたせ、それによって密
度の高い電子雲を生成させ、低いｔ１力１’ （こおい
−（も電餌（ａＪ率がＪ、く、かつ電子の基板側への流
れ込みを防止（゛きるため、ｉｇｐＪ上・胃の少ないス
パッタリングを１１Ｊ能とするｂのである。しかし、こ
の装置で（５ジタ一グツト表面に磁力線が存在りること
が最大のポインｌ−Ｃある関係上、ニッケルのＪ、゛う
な強１稲性ＩｆＡ′ｃ′ターゲッ１〜を１ト１成でさな
い。
ハイレート・スパッタと呼ばれるもので、蒸発＆（気化
源）どしてのターグツ１〜（陰極）に特ｒＡ、な磁界を
かけ、基板の昇温を防ぐと同時にイー１着速度を増大き
ＶうるＪ、うな装置である。この種の装置は既に市販さ
れ使用されているので、その詳細についでは記載を省略
するが、簡単に述べると、例えばターグツ１〜を板状と
して放射状磁界をか（）るなどの手法により、ターゲッ
ト近傍で電子に長い連続軌道をもたせ、それによって密
度の高い電子雲を生成させ、低いｔ１力１’ （こおい
−（も電餌（ａＪ率がＪ、く、かつ電子の基板側への流
れ込みを防止（゛きるため、ｉｇｐＪ上・胃の少ないス
パッタリングを１１Ｊ能とするｂのである。しかし、こ
の装置で（５ジタ一グツト表面に磁力線が存在りること
が最大のポインｌ−Ｃある関係上、ニッケルのＪ、゛う
な強１稲性ＩｆＡ′ｃ′ターゲッ１〜を１ト１成でさな
い。
−てこで、本発明で゛は、−１・地雷）も４Ａ判として
ノ１１０性のＮ１−（：ｕ合金を用いており、この合金
膜をマグネ１ヘロン型スパツタ装置［Ｃ形成りる点に最
大の特徴がある。かかるＮｒ−Ｃｕ合金のスパッタ膜が
貴金属電極の下地として極めて良好な特性を呈づること
は、本発明省が種々実験検ａ」の結果、ｔよじめ（知得
したこと（ある。
ノ１１０性のＮ１−（：ｕ合金を用いており、この合金
膜をマグネ１ヘロン型スパツタ装置［Ｃ形成りる点に最
大の特徴がある。かかるＮｒ−Ｃｕ合金のスパッタ膜が
貴金属電極の下地として極めて良好な特性を呈づること
は、本発明省が種々実験検ａ」の結果、ｔよじめ（知得
したこと（ある。
Ｎｉ−Ｃｕ合金の組成は、Ｎｉ、′Ｃｕで！ｉ ０ ／
’ ＬＩ Ｏ〜４５．・５５の範囲が特に好ましい。こ
の範囲は勿論常温で非磁性であるし、耐酸化性にも優れ
ている。このＮｉ−Ｃｕ合金は非磁性であるため、マグ
ネトロン型スパッタ装置ぐ膜形成を行うことがで・き、
スパッタ膜は蒸着膜と）ｆつで基（反との密老１１が良
いし、半［ＩＪ喰われ現象にハリ＼Ｉ−どじて動く。
’ ＬＩ Ｏ〜４５．・５５の範囲が特に好ましい。こ
の範囲は勿論常温で非磁性であるし、耐酸化性にも優れ
ている。このＮｉ−Ｃｕ合金は非磁性であるため、マグ
ネトロン型スパッタ装置ぐ膜形成を行うことがで・き、
スパッタ膜は蒸着膜と）ｆつで基（反との密老１１が良
いし、半［ＩＪ喰われ現象にハリ＼Ｉ−どじて動く。
下地型（本の上に形成りる員金属電曝は、通１１３、銀
や金のスパッタ膜である。下地電極Ｘｂ員金金属電極膜
厚は、足板の性状や電極の使用目的等によつ−（異なる
が、！！ｌ！型的な直は、土地電極膜が約（１，２５ｕ
ｍ 、 Ｌｔｌ金属電極膜が約１．りμｍ’ｃある。
や金のスパッタ膜である。下地電極Ｘｂ員金金属電極膜
厚は、足板の性状や電極の使用目的等によつ−（異なる
が、！！ｌ！型的な直は、土地電極膜が約（１，２５ｕ
ｍ 、 Ｌｔｌ金属電極膜が約１．りμｍ’ｃある。
次に本発明の実施例について説明し、従来方法との比較
結果についてら言及づる。まず、使用しｌ５ＩＪ板は、
ＰＺＴ圧電磁器板である。まり゛陰極にＮｉ−Ｃｕ合金
（Ｎ ｉ ／ ＣＬｌ ＝ ５０／ ５０ ）をレット
し、３０秒のプレースバッタをした後、スパッタリング
をしく下地電極を形成づる。次に陰極にＡｇをしツ１〜
し、同じ＜ ３０秒のプレースバッタの後、本スパッタ
リングをづる。本スパッタリングの条件及び膜厚は第１
表に示１通りである。
結果についてら言及づる。まず、使用しｌ５ＩＪ板は、
ＰＺＴ圧電磁器板である。まり゛陰極にＮｉ−Ｃｕ合金
（Ｎ ｉ ／ ＣＬｌ ＝ ５０／ ５０ ）をレット
し、３０秒のプレースバッタをした後、スパッタリング
をしく下地電極を形成づる。次に陰極にＡｇをしツ１〜
し、同じ＜ ３０秒のプレースバッタの後、本スパッタ
リングをづる。本スパッタリングの条件及び膜厚は第１
表に示１通りである。
なａ３、従来方法とはＮｉ蒸着Ｉ１９を１ζ地電極とし
た場合で、膜厚はＮｉが２５００人、八〇が１５０００
人であり、基板加熱温度を１５０℃にして製作した場合
の例である。躾の密着強度にり１する評価法には色々あ
るが、上記数値は簡便法として次のにうな方法で測定し
たしのである。レラミック’Ａｋ上の電極にスパークル
銀入り半田Ｊ（１ｍｍφ、０．５１１１ｍｔ ）を載せ
、ての上にすずメッキ銅線を基板面に対して卸直に保楯
し、半［口を加熱溶融してＪずメッキ銅線を半田イ」け
づる。
た場合で、膜厚はＮｉが２５００人、八〇が１５０００
人であり、基板加熱温度を１５０℃にして製作した場合
の例である。躾の密着強度にり１する評価法には色々あ
るが、上記数値は簡便法として次のにうな方法で測定し
たしのである。レラミック’Ａｋ上の電極にスパークル
銀入り半田Ｊ（１ｍｍφ、０．５１１１ｍｔ ）を載せ
、ての上にすずメッキ銅線を基板面に対して卸直に保楯
し、半［口を加熱溶融してＪずメッキ銅線を半田イ」け
づる。
ｔしてバネ秤て引張り強度を測定りる方法である。また
、半田耐性とは、２５０℃に加熱されたホットシレー１
・−］二（・、電極に銀入り＋１ｌ１１−を載せ、電４
Ｊｉ面積が１分になるまでの時間を測定したものである
。
、半田耐性とは、２５０℃に加熱されたホットシレー１
・−］二（・、電極に銀入り＋１ｌ１１−を載せ、電４
Ｊｉ面積が１分になるまでの時間を測定したものである
。
一］−記の比較結末から、本発明ＩＪ法は従来のニッケ
ル蒸着法に比し、密着強度及びｌ’ ｌｌｊ耐性ともに
２ （ｔ１以上に向上さＵうることが判る。
ル蒸着法に比し、密着強度及びｌ’ ｌｌｊ耐性ともに
２ （ｔ１以上に向上さＵうることが判る。
本発明（ま上記のように構成したセラミック表面への７
１９膜電（らλ形成方法であるから、半［１１喰４つれ
現象が生じないのは勿論のこと、ヒラミックどの密る力
が強く、しかも膜月Ｎ′＋１のイする速度が人さいため
生産性も高いといったすぐれた効果を秦しうるちのであ
る。
１９膜電（らλ形成方法であるから、半［１１喰４つれ
現象が生じないのは勿論のこと、ヒラミックどの密る力
が強く、しかも膜月Ｎ′＋１のイする速度が人さいため
生産性も高いといったすぐれた効果を秦しうるちのであ
る。
図面は本発明にＪ、つ（作製し！、：電極の構造を示Ｊ
説明図である。 １・・・レフミック基板、２・・・Ｎｉ−Ｃｕ合金膜、
３・・・員金属電極。
説明図である。 １・・・レフミック基板、２・・・Ｎｉ−Ｃｕ合金膜、
３・・・員金属電極。
Claims (1)
- １、’ｌｘラミックの表面に白金属の薄膜電極を形成づ
る方法において、該ヒラミックの表面に、予め下地電極
どし゛（、マグネト１−］ン型スパッタ装置によって非
磁性のＮ ｊ −Ｃｕ合金の薄膜を形成し、該Ｎｉ−Ｃ
ｕ合金膜土合金全土ｉｌｉ′Ｓ電極材を（＝Ｊ着させる
ことを特徴どするセラミック表面への簿膜電極形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10779882A JPS593086A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | セラミツク表面への薄膜電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10779882A JPS593086A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | セラミツク表面への薄膜電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593086A true JPS593086A (ja) | 1984-01-09 |
Family
ID=14468295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10779882A Pending JPS593086A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | セラミツク表面への薄膜電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593086A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648811A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Furukawa Electric Co Ltd | Forming method for rubber or plastic cable connecting section |
| JPH02244543A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-09-28 | Toshiba Corp | 電子管内蔵用分圧抵抗素子および電子管 |
-
1982
- 1982-06-23 JP JP10779882A patent/JPS593086A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648811A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Furukawa Electric Co Ltd | Forming method for rubber or plastic cable connecting section |
| JPH02244543A (ja) * | 1989-03-17 | 1990-09-28 | Toshiba Corp | 電子管内蔵用分圧抵抗素子および電子管 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4720401A (en) | Enhanced adhesion between metals and polymers | |
| JPS593086A (ja) | セラミツク表面への薄膜電極形成方法 | |
| JPS6191909A (ja) | 硬質磁気材料永久磁石の取り付け方法 | |
| US4806725A (en) | Circuit substrate and thermal printing head using the same | |
| JPH03179793A (ja) | セラミックス基板の表面構造およびその製造方法 | |
| US4659378A (en) | Solderable adhesive layer | |
| JPS60211068A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JPS59137379A (ja) | 複合焼結セラミクスと金属との接着方法 | |
| JPS60245153A (ja) | 半導体装置用高電気絶縁性基板 | |
| JP2702732B2 (ja) | 薄膜形成用ターゲット | |
| JPS6376866A (ja) | Ｍｎ−Ａｌ−Ｆｅ磁性合金薄膜の製造方法 | |
| JPH0816262B2 (ja) | 電 線 | |
| JP2000299514A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JPS59164676A (ja) | セラミツクスと金属の接合体及びその製造方法 | |
| JPS63255377A (ja) | 透明導電膜パタ−ン上の金属電極層 | |
| JP2000353931A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JPS62123087A (ja) | 金属化面を持つ窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JPS61189610A (ja) | 磁気記録媒体用磁性材料 | |
| JPH01172579A (ja) | めっき性の良好な鉄及び鉄合金 | |
| JPS6098612A (ja) | 電極材料 | |
| JPS58180092A (ja) | ホ−ロ−基板の製造方法 | |
| JPH04263063A (ja) | 表面に錫の被覆層を有する銅又は銅合金層 | |
| JPS6251110A (ja) | ガラスパネル基板 | |
| JPS61119667A (ja) | アルミニウム薄層の蒸着方法 | |
| JPS5848402A (ja) | 酸化物半導体素子の電極形成方法 |