JPS5931019A - Ｍｂｅ法によるｉｃの製造法並にその製造装置 - Google Patents
Ｍｂｅ法によるｉｃの製造法並にその製造装置Info
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- JPS5931019A JPS5931019A JP57140489A JP14048982A JPS5931019A JP S5931019 A JPS5931019 A JP S5931019A JP 57140489 A JP57140489 A JP 57140489A JP 14048982 A JP14048982 A JP 14048982A JP S5931019 A JPS5931019 A JP S5931019A
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- Japan
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- component
- molecular beam
- droplets
- manufacturing
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2901—Materials
- H10P14/2907—Materials being Group IIIA-VA materials
- H10P14/2911—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/22—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using physical deposition, e.g. vacuum deposition or sputtering
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＭＢＩ！＋法による工０の製造法益にその製
造装置に関する。
造装置に関する。
従来、光通信システムを実用化させるため、同一の基板
上にレーザーダイオード、ＬＥＤなどの発光素子、光導
波路、グレーディング、光ファイバーと結合されるカプ
ラーなどの所要の工０集積体を形成する方法としてＭＢ
Ｋ法による光重０の製造法が有望視されている。その方
法とシテ、メカニカルマスクを用いれば基板の任、ｔの
場所に所望形状の工０を容易に集積形成できるので光重
０製造技術として将来有望と思われる。
上にレーザーダイオード、ＬＥＤなどの発光素子、光導
波路、グレーディング、光ファイバーと結合されるカプ
ラーなどの所要の工０集積体を形成する方法としてＭＢ
Ｋ法による光重０の製造法が有望視されている。その方
法とシテ、メカニカルマスクを用いれば基板の任、ｔの
場所に所望形状の工０を容易に集積形成できるので光重
０製造技術として将来有望と思われる。
しかし乍ら、この方法により実験研究を行なって来たが
、基板上に集積の１０の成長のために、基板を５５０〜
７００°Ｃに加熱保持し乍ら、分子線の照射を行なう必
要があるが、光重０の場合、ＧａＡｓ基板を使用すると
き、その真空中でこの基板温度を上げて行くと、比較的
低温の場合は、わづかではあるが、ＧａとＡａが対にな
って表面から脱離し、５８０°Ｃ以上の高温ではＡ８が
選択的に脱離するようになり、基板表面ではＡｓが抜け
て第１図の微分干渉顕微鏡写真（ｘ８００）に見られる
ように、水滴状のＧａが多数形成される。基板表面から
のＡｓ＋が選択的に脱離する現象は、基板温度が６００
℃以上で非常に顕著になる。１方レーザー発光素子を製
作するだめのＡ４１Ｇ１−、ｙＡｓ成長は、欠陥の少な
い良質の膜を得るため６５０°Ｃ以上に基板を加熱した
方がよいことが最近外って来た。この点に鑑みても、基
板を高温に加熱し乍ら製造することが好ましく、目、つ
不ロＪ欠である。
、基板上に集積の１０の成長のために、基板を５５０〜
７００°Ｃに加熱保持し乍ら、分子線の照射を行なう必
要があるが、光重０の場合、ＧａＡｓ基板を使用すると
き、その真空中でこの基板温度を上げて行くと、比較的
低温の場合は、わづかではあるが、ＧａとＡａが対にな
って表面から脱離し、５８０°Ｃ以上の高温ではＡ８が
選択的に脱離するようになり、基板表面ではＡｓが抜け
て第１図の微分干渉顕微鏡写真（ｘ８００）に見られる
ように、水滴状のＧａが多数形成される。基板表面から
のＡｓ＋が選択的に脱離する現象は、基板温度が６００
℃以上で非常に顕著になる。１方レーザー発光素子を製
作するだめのＡ４１Ｇ１−、ｙＡｓ成長は、欠陥の少な
い良質の膜を得るため６５０°Ｃ以上に基板を加熱した
方がよいことが最近外って来た。この点に鑑みても、基
板を高温に加熱し乍ら製造することが好ましく、目、つ
不ロＪ欠である。
本発明は、か−る要求を満足しながら、上記の小部分’
＆［消し、基板面に水滴状のＧａの生成な法を提供する
もので、加熱により脱離する成分を含む基板に、これを
所要温度に加熱した状態に維持し乍ら１１１− ’Ｖ族
に属する物質の分子線をメカニカルマスクを通し照射し
その所要の工０を集積形成する方法に於て、その照射と
併行して、前記の加熱により離脱し易い成分と同じ成分
から成る物質を、基板面に蒸発補給するようにしたこと
を特徴とする。
＆［消し、基板面に水滴状のＧａの生成な法を提供する
もので、加熱により脱離する成分を含む基板に、これを
所要温度に加熱した状態に維持し乍ら１１１− ’Ｖ族
に属する物質の分子線をメカニカルマスクを通し照射し
その所要の工０を集積形成する方法に於て、その照射と
併行して、前記の加熱により離脱し易い成分と同じ成分
から成る物質を、基板面に蒸発補給するようにしたこと
を特徴とする。
次に本発明実施の１例を添付図面につき説明する。
真空容器内の、下部に分子線照射用の１対のるつぼｔｌ
ｌｆ２＋を用意し、１方のるつぼ（１）からＧａの分子
線が他方のるつげ（２）からはＡｓの分子線が放射され
て、上方の所定形状の透孔（３）の開けられたメカニカ
ルマスク（４）を介してその上方のＧａ −ＡＢ材から
成る基板（５）の所定個所に照射されてその透孔（３）
と同じ形状の集積体（６）が形成されるようにし、１万
基板（５）は予め５５０〜７００°Ｃ１例えば６７０°
Ｃに加熱されて居り、その集積体（６）の成長を行なう
ようにした。
ｌｆ２＋を用意し、１方のるつぼ（１）からＧａの分子
線が他方のるつげ（２）からはＡｓの分子線が放射され
て、上方の所定形状の透孔（３）の開けられたメカニカ
ルマスク（４）を介してその上方のＧａ −ＡＢ材から
成る基板（５）の所定個所に照射されてその透孔（３）
と同じ形状の集積体（６）が形成されるようにし、１万
基板（５）は予め５５０〜７００°Ｃ１例えば６７０°
Ｃに加熱されて居り、その集積体（６）の成長を行なう
ようにした。
本発明によれば、これに加え、該基板（５）からの輻射
熱を受ける位置に、基板（５１が前記マスク（４）と対
向しない面域に対向して、内部にＡｓ（７）を入れたる
つは（８）を併設し、基板（５）からの輻射熱によりＡ
８が加熱されて蒸発し、常にその蒸気が基板（５）面に
蒸着供給され、基板（５）の成分Ａ８の撰択的脱離を常
に補給されるようにした。図面では、中心に筒状の中空
部（９）ヲ有する環状のるつぼ（８）を示し、該るつぼ
（８）はＰＢＮ、グラファイト、タンタルなどの耐熱性
のものでつくる。而して該６つに（８）の中空部（９）
の頂部に、前記のマスク（４）を装着し、その外周には
同材質のるつぼ蓋板（１０１が施されて居り、その蓋板
（１０１には所望の小さい孔０１）を穿設されて、内部
のＡｓが過剰に外部に蒸発することを防止し、これらの
孔圓より適量のＡｓ蒸気が噴射されるようにした。而し
て前記中心の中空部（９）は前記のＧａ及びＡ８の分子
線が導入しその上方のマスク（４１ｅ介して基板（５１
の中心に所定の１０集積膜（６）を形成するようにした
。尚、輻射熱が強い場合は、るつは（８）の蓋ＱＱＩの
上面に反射板を設けて、るつばの温度が上がりすぎない
ようにすることができる。
熱を受ける位置に、基板（５１が前記マスク（４）と対
向しない面域に対向して、内部にＡｓ（７）を入れたる
つは（８）を併設し、基板（５）からの輻射熱によりＡ
８が加熱されて蒸発し、常にその蒸気が基板（５）面に
蒸着供給され、基板（５）の成分Ａ８の撰択的脱離を常
に補給されるようにした。図面では、中心に筒状の中空
部（９）ヲ有する環状のるつぼ（８）を示し、該るつぼ
（８）はＰＢＮ、グラファイト、タンタルなどの耐熱性
のものでつくる。而して該６つに（８）の中空部（９）
の頂部に、前記のマスク（４）を装着し、その外周には
同材質のるつぼ蓋板（１０１が施されて居り、その蓋板
（１０１には所望の小さい孔０１）を穿設されて、内部
のＡｓが過剰に外部に蒸発することを防止し、これらの
孔圓より適量のＡｓ蒸気が噴射されるようにした。而し
て前記中心の中空部（９）は前記のＧａ及びＡ８の分子
線が導入しその上方のマスク（４１ｅ介して基板（５１
の中心に所定の１０集積膜（６）を形成するようにした
。尚、輻射熱が強い場合は、るつは（８）の蓋ＱＱＩの
上面に反射板を設けて、るつばの温度が上がりすぎない
ようにすることができる。
かくして、このＩＯの製造中、基板（５）からは加熱で
Ａａが脱離するが１方該Ａ８収容るつは（８）からは常
に基板面にＡｓ蒸気が供給されその脱離分を補給される
ので、従来のようなＧａ成分に基板表面がかたより滴状
Ｇａの生成が防止され、第２図の微分干渉顕微鏡写真（
ｘ８００）に見るように、基板は全面に亘り鏡面でＧａ
球の全く生成のない表面モルホロジーが保たれて良好な
ＩＯ実製品得られる。尚、基板とるつぼの周辺のひ素分
圧はｌＸ１０ ）−ル以下が一般である。
Ａａが脱離するが１方該Ａ８収容るつは（８）からは常
に基板面にＡｓ蒸気が供給されその脱離分を補給される
ので、従来のようなＧａ成分に基板表面がかたより滴状
Ｇａの生成が防止され、第２図の微分干渉顕微鏡写真（
ｘ８００）に見るように、基板は全面に亘り鏡面でＧａ
球の全く生成のない表面モルホロジーが保たれて良好な
ＩＯ実製品得られる。尚、基板とるつぼの周辺のひ素分
圧はｌＸ１０ ）−ル以下が一般である。
前記成分補給用るつは（８）は、別個の加熱源で加熱し
てもよいが、上記のように基板の輻射熱を利用すること
が経済的で好ましい。基板（５）とるつげ（８）の距離
は、例えば１龍程度とする。
てもよいが、上記のように基板の輻射熱を利用すること
が経済的で好ましい。基板（５）とるつげ（８）の距離
は、例えば１龍程度とする。
上記実施例から明らかなように、Ｇａ−ＡＢの分子線の
集積層形成に代え、周期律表の■−Ｎ族に属する物質か
ら選び使用することができる。例えば工ｎＰ基板に対し
Ｐを補給する場合などである。
集積層形成に代え、周期律表の■−Ｎ族に属する物質か
ら選び使用することができる。例えば工ｎＰ基板に対し
Ｐを補給する場合などである。
本発明は、光ＩＯの他、光以外の２次元的な選択成長素
子或は３次元回路素子にも応用できる。
子或は３次元回路素子にも応用できる。
このように本発明によるときは、ＭＢＥ法によシメカニ
カルマスクを介して、加熱基板にＩＩＩ−Ｖ族に属する
物質を分子線照射することと平行して、該基板より脱離
する成分を当てて補給するようにしたので、従来のよう
な不都合なく、スートイツキヨメトリーからのずれがな
い。表面モルホロジーの保持された良質の工０製品が得
られ光重０等の製造に好適である。
カルマスクを介して、加熱基板にＩＩＩ−Ｖ族に属する
物質を分子線照射することと平行して、該基板より脱離
する成分を当てて補給するようにしたので、従来のよう
な不都合なく、スートイツキヨメトリーからのずれがな
い。表面モルホロジーの保持された良質の工０製品が得
られ光重０等の製造に好適である。
第１図は従来法による製品の１部の平面図を示す顕微鏡
写真、第２図は拳法実施の１例の裁断側面図、第６図は
その分解斜面図、第４図は拳法による製品の１部の平面
図を示す顕微鏡写真である。 （１）（２）・・・るつは （３）・・・透
孔（４）・・・メカニカルマスク （５１・・・
基板（６）・・・集 積 体 （７）
・・・ム８（８）・・・る つ ぼ 外２名 第１図 第２図 １０５− 手続補正書（方式） 昭和 ５７．１２．１’肱 日 特許庁長官殿 ■、小事件表示 昭和５７年特許願第１４０４８９号 ２、発明の名称 ＭＢｌ［を法ＶＣよる工０の製造法並にそのｌｉ！１１
造装置３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 日本真空技術株式会社 ４、代 理 人 東京都港区新橋２丁目１６番１ニュー新橋ヒ／Ｌ ７０
３６００２弁理士北 利゛ 欣 − 電話５０３−７１１１１８（代） ５補正命令の「１伺 昭和５７年１１月５０日 ６、 ＠正の対象 り■細書の発明の詳細な説明の欄並に図面の簡単な説明
の楠及び１３１面 ７、 補正の内容 （１） 明細１１第３頁第２行乃至第５行の「基板表
面では・・・・・・形成される。」を「微分干渉顕微鏡
により観察した所、基板Ａ表面ではＡｓが抜けて、第１
図示のように、Ｇａの水滴状物Ｂが多数形成される。」
と訂正する。 （２）仝書記６頁第６行乃至第５行の「第２図示の・・
・・・・基板は全面に亘り」を「第４図示のように、基
板（５）け全面にＢｐ」と訂正する〇（３）仝書第７頁
第９行乃至第１０行の「平面図を示す顕微鏡写真、」を
「拡大平面図、」と訂正する。 （４）仝嘗仝頁第１２行の「平面図を示す顕微鏡写真で
ある。」を「拡大平面図を示す。」と訂正する。 （５） 図面中給１図及び第４図につき、顕微鏡写真
を削除し、添付別紙の通シ図面による表示に変える。
写真、第２図は拳法実施の１例の裁断側面図、第６図は
その分解斜面図、第４図は拳法による製品の１部の平面
図を示す顕微鏡写真である。 （１）（２）・・・るつは （３）・・・透
孔（４）・・・メカニカルマスク （５１・・・
基板（６）・・・集 積 体 （７）
・・・ム８（８）・・・る つ ぼ 外２名 第１図 第２図 １０５− 手続補正書（方式） 昭和 ５７．１２．１’肱 日 特許庁長官殿 ■、小事件表示 昭和５７年特許願第１４０４８９号 ２、発明の名称 ＭＢｌ［を法ＶＣよる工０の製造法並にそのｌｉ！１１
造装置３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 日本真空技術株式会社 ４、代 理 人 東京都港区新橋２丁目１６番１ニュー新橋ヒ／Ｌ ７０
３６００２弁理士北 利゛ 欣 − 電話５０３−７１１１１８（代） ５補正命令の「１伺 昭和５７年１１月５０日 ６、 ＠正の対象 り■細書の発明の詳細な説明の欄並に図面の簡単な説明
の楠及び１３１面 ７、 補正の内容 （１） 明細１１第３頁第２行乃至第５行の「基板表
面では・・・・・・形成される。」を「微分干渉顕微鏡
により観察した所、基板Ａ表面ではＡｓが抜けて、第１
図示のように、Ｇａの水滴状物Ｂが多数形成される。」
と訂正する。 （２）仝書記６頁第６行乃至第５行の「第２図示の・・
・・・・基板は全面に亘り」を「第４図示のように、基
板（５）け全面にＢｐ」と訂正する〇（３）仝書第７頁
第９行乃至第１０行の「平面図を示す顕微鏡写真、」を
「拡大平面図、」と訂正する。 （４）仝嘗仝頁第１２行の「平面図を示す顕微鏡写真で
ある。」を「拡大平面図を示す。」と訂正する。 （５） 図面中給１図及び第４図につき、顕微鏡写真
を削除し、添付別紙の通シ図面による表示に変える。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 加熱によシ脱離する成分を含も基板に、これを所要
温度に加熱した状態に維持し乍ら■−■族に属する物質
の分子線をメカニカルマスクを通し照射しその所要のＩ
Ｏを集積形成する方法に於て、その照射と併行して、前
記の加熱により離脱し易い成分と同じ成分から成る物質
を、基板面に蒸発補給するようにしたことを特徴とする
ＭＥＮ法による工Ｏの製造法。 ２ 工Ｏを形成すべき加熱によシ離脱し易い成分を含訃
基板に■−■族に属する物質の分子線を照射する照射源
をメカニカルマスクを介して設け、該メカニカルマスク
とは別に、該基板に対向して前記成分補給用の蒸発源を
設けて成る工Ｏ製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57140489A JPS5931019A (ja) | 1982-08-14 | 1982-08-14 | Ｍｂｅ法によるｉｃの製造法並にその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57140489A JPS5931019A (ja) | 1982-08-14 | 1982-08-14 | Ｍｂｅ法によるｉｃの製造法並にその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5931019A true JPS5931019A (ja) | 1984-02-18 |
| JPH0415611B2 JPH0415611B2 (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=15269799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57140489A Granted JPS5931019A (ja) | 1982-08-14 | 1982-08-14 | Ｍｂｅ法によるｉｃの製造法並にその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931019A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6265412A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Sharp Corp | 分子線エピタキシヤル装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5377170A (en) * | 1976-12-20 | 1978-07-08 | Fujitsu Ltd | Selective growth method of compound semiconductor |
-
1982
- 1982-08-14 JP JP57140489A patent/JPS5931019A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5377170A (en) * | 1976-12-20 | 1978-07-08 | Fujitsu Ltd | Selective growth method of compound semiconductor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6265412A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Sharp Corp | 分子線エピタキシヤル装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0415611B2 (ja) | 1992-03-18 |
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