JPS5933616A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS5933616A JPS5933616A JP57142519A JP14251982A JPS5933616A JP S5933616 A JPS5933616 A JP S5933616A JP 57142519 A JP57142519 A JP 57142519A JP 14251982 A JP14251982 A JP 14251982A JP S5933616 A JPS5933616 A JP S5933616A
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- Japan
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- terminals
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- thin film
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
- G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
- G11B5/3958—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition
- G11B5/3961—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition disposed at an angle to the direction of the track or relative movement
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- Mathematical Physics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はディジタル信号の記録再生等に用いられる薄膜
磁気ヘッドに関する。
磁気ヘッドに関する。
従来例の構成とその問題点
従来のディジタル信号等の再生に用いられる磁気抵抗効
果型ヘッドは第１図に示すように、記録媒体１と垂直（
Ｙ方向）に強磁性薄板を短冊状に形成した磁気抵抗効果
素子（以下ＭＲ素子という）を当接まだは近接させ、Ｍ
Ｒ素子２の長手方向（Ｚ方向）の両端に電極３．４を配
置し、この電極３，４間に定電流ｉを流し、そして記録
媒体１のＹ方向の信号磁界によりＸ方向の抵抗値変化を
電極３，４間の電圧変化により検出するようにしたもの
であった。
果型ヘッドは第１図に示すように、記録媒体１と垂直（
Ｙ方向）に強磁性薄板を短冊状に形成した磁気抵抗効果
素子（以下ＭＲ素子という）を当接まだは近接させ、Ｍ
Ｒ素子２の長手方向（Ｚ方向）の両端に電極３．４を配
置し、この電極３，４間に定電流ｉを流し、そして記録
媒体１のＹ方向の信号磁界によりＸ方向の抵抗値変化を
電極３，４間の電圧変化により検出するようにしたもの
であった。
一般に再生用の磁気抵抗効果型ヘッドは、記録用の誘導
型薄膜磁気ヘッドと同一デツキに組み込むか、同一基板
上に蒸着形成されるがして、接近した状態で使用される
。この時、記録電流は再生出力にもれ込むため（フィー
ドスルー）、記録している信号を同時に再生するような
同時モニターではデータ信号の再生が不可能となる。ま
たフィードスルーを減じるためや、短波長再生を行なう
だめに、ＭＲ素子の両側面に磁気空隙を置くシールド型
のヘッドでは外部磁石によってバイアスを加える場合、
シールドされているだめ、ＭＲ素子に十分な磁界をｌｊ
えるには大きな外部磁場が必要となり、その結果媒体に
記録された信号が消磁されまたシールド効果もフィール
トスルーに対しては、十分でなく記録時の同時モニター
が困難で実用にならない。このようなフィールドスル一
対策として、同一データを複数個のトラックに分配して
記録再生するだめに以下に示すような信号処理録し、再
生時に前記偶数番目のトラックからの出力の和信号と奇
数番目のトラックからの出力の和信号との引算出力を得
ることにより、ヘッド配線に重畳される同相のフィー
トスルーあるいはノイズの影響を相殺する方法である。
型薄膜磁気ヘッドと同一デツキに組み込むか、同一基板
上に蒸着形成されるがして、接近した状態で使用される
。この時、記録電流は再生出力にもれ込むため（フィー
ドスルー）、記録している信号を同時に再生するような
同時モニターではデータ信号の再生が不可能となる。ま
たフィードスルーを減じるためや、短波長再生を行なう
だめに、ＭＲ素子の両側面に磁気空隙を置くシールド型
のヘッドでは外部磁石によってバイアスを加える場合、
シールドされているだめ、ＭＲ素子に十分な磁界をｌｊ
えるには大きな外部磁場が必要となり、その結果媒体に
記録された信号が消磁されまたシールド効果もフィール
トスルーに対しては、十分でなく記録時の同時モニター
が困難で実用にならない。このようなフィールドスル一
対策として、同一データを複数個のトラックに分配して
記録再生するだめに以下に示すような信号処理録し、再
生時に前記偶数番目のトラックからの出力の和信号と奇
数番目のトラックからの出力の和信号との引算出力を得
ることにより、ヘッド配線に重畳される同相のフィー
トスルーあるいはノイズの影響を相殺する方法である。
この方法では同一信号を複数個のトラックで記録再生す
るだめに、信号数の複数倍（少なくとも２倍）以上の記
録ヘッドと再生ヘッドを必要とし、このためヘッド製造
」二の歩留りが悪く、またへノド配線数の増大等が生ず
るという問題がある。
るだめに、信号数の複数倍（少なくとも２倍）以上の記
録ヘッドと再生ヘッドを必要とし、このためヘッド製造
」二の歩留りが悪く、またへノド配線数の増大等が生ず
るという問題がある。
このような問題を克服するだめに、前記のように一つの
データを記録するだめのトラックを複数個とはせずに再
生ヘッドの構造をシャントバイアス法により実現する方
法がある。電流バイアス法の一構造であるシャントバイ
アス法は旬波長再生用として応用するシールド型であり
、これを第２図（ａ） 、 （ｂ）に示す。共通アース
端子２１を含む３端子２１，２２．２３を持ち、ＭＲ素
子２４はｒ。
データを記録するだめのトラックを複数個とはせずに再
生ヘッドの構造をシャントバイアス法により実現する方
法がある。電流バイアス法の一構造であるシャントバイ
アス法は旬波長再生用として応用するシールド型であり
、これを第２図（ａ） 、 （ｂ）に示す。共通アース
端子２１を含む３端子２１，２２．２３を持ち、ＭＲ素
子２４はｒ。
等の抵抗素子２５によって短絡されており、この抵抗素
子２５に流す電流によってＭＲ素子２４にバイアス磁界
を加える。このＭＲ素子２４には共通アース端子２１に
流れ込むように他の２端子に定電流源回路２６．２７か
ら定電流ｉが加えられており、そしてＭＲ素子２４には
逆方向のバイアス磁界ＨＢが外部から加えられる。Ｍは
ＭＲ素子２４の磁化方向である。このような状態に保た
れたＭＲ素子２４に信号磁界が入力されると、その−ロ
・ 信号磁界は共通ブース端子
２１を間にはさんだＭＲ素子２４の二つの部分は電流方
向が逆であるため逆相として感磁される。二つの電極に
出力される電圧の差信号を取ると、シャントバイアス法
では一般に出力はアンダーバイアスであるが一方の出力
がアンダー・くイアスで再生出力に歪があっても、他の
出力と相互に歪成分を打ち消し補うので再生出力は良好
となり、かつ外来ノイズも打ち消すが素子の均−性一や
、記録信号の均一性および機器間での互換性で問題とな
るアジマスの一致が他の構造のヘッドと比較するときび
しく要求され、実用的でない。捷だ、ＭＲ素子と抵抗素
子双方に電流を流すことか７−−、、、Ｊ−−一 動車
！旨１しし品ムら、ＭＲ素子特有のサーマルノイズの発
生も多くなるという欠点がある。
子２５に流す電流によってＭＲ素子２４にバイアス磁界
を加える。このＭＲ素子２４には共通アース端子２１に
流れ込むように他の２端子に定電流源回路２６．２７か
ら定電流ｉが加えられており、そしてＭＲ素子２４には
逆方向のバイアス磁界ＨＢが外部から加えられる。Ｍは
ＭＲ素子２４の磁化方向である。このような状態に保た
れたＭＲ素子２４に信号磁界が入力されると、その−ロ
・ 信号磁界は共通ブース端子
２１を間にはさんだＭＲ素子２４の二つの部分は電流方
向が逆であるため逆相として感磁される。二つの電極に
出力される電圧の差信号を取ると、シャントバイアス法
では一般に出力はアンダーバイアスであるが一方の出力
がアンダー・くイアスで再生出力に歪があっても、他の
出力と相互に歪成分を打ち消し補うので再生出力は良好
となり、かつ外来ノイズも打ち消すが素子の均−性一や
、記録信号の均一性および機器間での互換性で問題とな
るアジマスの一致が他の構造のヘッドと比較するときび
しく要求され、実用的でない。捷だ、ＭＲ素子と抵抗素
子双方に電流を流すことか７−−、、、Ｊ−−一 動車
！旨１しし品ムら、ＭＲ素子特有のサーマルノイズの発
生も多くなるという欠点がある。
発明の目的
本発明は上記のような従来の欠点を解消したものであり
、アジマス調整が容易であり、寸だサーマルノイズの発
生もない薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
、アジマス調整が容易であり、寸だサーマルノイズの発
生もない薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
発明の構成
本発明は、ＭＲ素子に３つの端子を設け、内一つを比較
電接として共通端子とし、この共通端子を交流的に接地
し、他の２つの端子の一方を抵抗を介して接地し、他方
の端子より一定電流を供給して逆相の再生出力を得、こ
れを差動増幅することによりヘッドおよびヘッドからの
配線等に飛び込む外来ノイズの影響を除去するようにし
、またバイアス方法を誘導磁気異方性によるものとする
ことにより、媒体と薄膜ヘッドとの相々」２渉、すなわ
ち媒体の消磁や、ＭＲヘッド特有のサーマルノイズ等を
除去し、信号対雑音比の劣化のない良好なヘッドを提供
するものである。
電接として共通端子とし、この共通端子を交流的に接地
し、他の２つの端子の一方を抵抗を介して接地し、他方
の端子より一定電流を供給して逆相の再生出力を得、こ
れを差動増幅することによりヘッドおよびヘッドからの
配線等に飛び込む外来ノイズの影響を除去するようにし
、またバイアス方法を誘導磁気異方性によるものとする
ことにより、媒体と薄膜ヘッドとの相々」２渉、すなわ
ち媒体の消磁や、ＭＲヘッド特有のサーマルノイズ等を
除去し、信号対雑音比の劣化のない良好なヘッドを提供
するものである。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について第３図を用いて説明する
。本発明のＭＲ−＼ノドの構造としてυ↓、第１図に示
しだＭＲ素子に三端子を設けたものである。ＭＲ素子６
にＭ Ｒ電流供給及び再生出ノ月１ソリ出しのだめの３
つの端子７，８．９を設け、この内の端子９をコンデン
サ１６を介して接地する、すなわち、交流接地を行う。
。本発明のＭＲ−＼ノドの構造としてυ↓、第１図に示
しだＭＲ素子に三端子を設けたものである。ＭＲ素子６
にＭ Ｒ電流供給及び再生出ノ月１ソリ出しのだめの３
つの端子７，８．９を設け、この内の端子９をコンデン
サ１６を介して接地する、すなわち、交流接地を行う。
ＭＲ素子６が多数ある場合にはこの端一７−９は共通に
して共通端子として取り出し交流接地すれば配線のだめ
の端子数が少なくできる。端子８は抵抗１３を介して接
地する。この抵抗１３の抵抗値は端子７に接続される定
電流源回路１２の等価出力インピーダンスと同じ飴にす
る。定電流源回路１２からは端子７から端子８．抵抗１
３を通り接地側へ流れるＭＲ電流１０．１１を供給する
。端ｒ９は交流接地されているだけであるのでＭＲ電？
４Ｕ１０．１１ ｔｒｉ、全く同一となる。ぞして前記
ＭＲ素ｒ−６に外部から同一方向のバイアス磁界を加え
る。磁気記録媒体からの信号磁界により１ｖｉＲ素子６
の磁化方向Ｍが変化してその抵抗値が変化すると、ＭＲ
主電流一定電流であるので、ＭＲ素ｒ−６の抵抗値が小
さくなれば、端子７，９間の電位はドるが端子８（／ｉ
一定電位である。端子７の電位の変動喰は端子９のそれ
の２倍である。
して共通端子として取り出し交流接地すれば配線のだめ
の端子数が少なくできる。端子８は抵抗１３を介して接
地する。この抵抗１３の抵抗値は端子７に接続される定
電流源回路１２の等価出力インピーダンスと同じ飴にす
る。定電流源回路１２からは端子７から端子８．抵抗１
３を通り接地側へ流れるＭＲ電流１０．１１を供給する
。端ｒ９は交流接地されているだけであるのでＭＲ電？
４Ｕ１０．１１ ｔｒｉ、全く同一となる。ぞして前記
ＭＲ素ｒ−６に外部から同一方向のバイアス磁界を加え
る。磁気記録媒体からの信号磁界により１ｖｉＲ素子６
の磁化方向Ｍが変化してその抵抗値が変化すると、ＭＲ
主電流一定電流であるので、ＭＲ素ｒ−６の抵抗値が小
さくなれば、端子７，９間の電位はドるが端子８（／ｉ
一定電位である。端子７の電位の変動喰は端子９のそれ
の２倍である。
これにより、端子７の端子９に対する変動電圧、すなわ
ち端−ｆ−７に現われる再生出力と端子８の端子９に対
する変動電圧、すなわち端子９に現われる再生出力とは
ｑいに逆相となる。端子７，８にの正側と負仕入勾にそ
れぞれ供給し、差動増幅すればＭＲ素子６よりの再生出
力が得られる。なお、ＭＲ主電流向きが前記と逆であっ
ても同様である。
ち端−ｆ−７に現われる再生出力と端子８の端子９に対
する変動電圧、すなわち端子９に現われる再生出力とは
ｑいに逆相となる。端子７，８にの正側と負仕入勾にそ
れぞれ供給し、差動増幅すればＭＲ素子６よりの再生出
力が得られる。なお、ＭＲ主電流向きが前記と逆であっ
ても同様である。
ところで、記録電流のフィードスルー等の外来ノイズは
交流であるので、ヘッド及びヘッドからの配線には交流
接地側（インピーダンスの低い側）へ流れるように混入
する。すなわち外来ノイズは、端子７側のＭＲ素子、配
線への混入と、端子８佃のＭＲ素子、配線への混入とは
同相となる。
交流であるので、ヘッド及びヘッドからの配線には交流
接地側（インピーダンスの低い側）へ流れるように混入
する。すなわち外来ノイズは、端子７側のＭＲ素子、配
線への混入と、端子８佃のＭＲ素子、配線への混入とは
同相となる。
第３図に示しだ構成における微小信４等価回路ｄ、前記
に述べたことにより第４図に示すようになる１、ＭＲ素
子６の端子７側において伯ν１６が、（りり、信号ｅｓ
を発生している。外来ノイズ１８Ｑ、１．ｅｎとして表
わされる。定電流源は内部インピーダンスが抵抗１３と
同じ値を有する抵抗２ｏて［＾”き換えて表わされる。
に述べたことにより第４図に示すようになる１、ＭＲ素
子６の端子７側において伯ν１６が、（りり、信号ｅｓ
を発生している。外来ノイズ１８Ｑ、１．ｅｎとして表
わされる。定電流源は内部インピーダンスが抵抗１３と
同じ値を有する抵抗２ｏて［＾”き換えて表わされる。
一方、ＭＲ素了−６の端子８側では信号源１７があり、
端子Ｔ側の信号ｅｓと逆相の信号−ｅ８を発生腰外来ノ
イズ１’ｊ ＆、Ｊ：☆ｉｉ４ ｆ−８側と同相のｅｎ
として表わされる。ｌ端ｒ−７１１１１系と端子８側系
のインピーダンスは同一であるので、外来７′イズは前
記のように端子７側、端子８側ともに同じｅｎとなる。
端子Ｔ側の信号ｅｓと逆相の信号−ｅ８を発生腰外来ノ
イズ１’ｊ ＆、Ｊ：☆ｉｉ４ ｆ−８側と同相のｅｎ
として表わされる。ｌ端ｒ−７１１１１系と端子８側系
のインピーダンスは同一であるので、外来７′イズは前
記のように端子７側、端子８側ともに同じｅｎとなる。
以」二の結果、２つの端子からの信号を差動増幅器１４
に入力することにより、その出力にはノイズ成分は打ち
消され、信号成分が２０６として得られることになり、
外来ノイズの影響を全く受けない再生出力を得ることが
できる。そして、ＭＲ素子θの抵抗変化が共通の端子９
に対して左右の素子の位相が同相であるために、第２図
のシャントバイアス法によるヘッド−Ｃ現われだアジマ
スに対する出力波形の変動は本発明においては問題でな
い。更にバイアス手段のために電流を素子先端部に余分
に加えないので、ジュール熱によるサーマルノイズは軽
減される。まだ本発明においては、定電流源は一つでよ
いので回路構成が簡単となる利点がある。
に入力することにより、その出力にはノイズ成分は打ち
消され、信号成分が２０６として得られることになり、
外来ノイズの影響を全く受けない再生出力を得ることが
できる。そして、ＭＲ素子θの抵抗変化が共通の端子９
に対して左右の素子の位相が同相であるために、第２図
のシャントバイアス法によるヘッド−Ｃ現われだアジマ
スに対する出力波形の変動は本発明においては問題でな
い。更にバイアス手段のために電流を素子先端部に余分
に加えないので、ジュール熱によるサーマルノイズは軽
減される。まだ本発明においては、定電流源は一つでよ
いので回路構成が簡単となる利点がある。
本発明をより効果的に実施するために、媒体の消磁やノ
イズの発生がない、すなわち信号ＳとノイズＮ比を劣化
させない他の実施例を第６図に示す。この第５図はＭＲ
素子６の側面図で第３図の実施例との相異点はＭＲ素子
６のバイアス磁界が第３図の場合には外部磁石や電流等
による外来的な手段で印加しているのに対し、第５図の
ものでは、磁化が誘導磁気異方性によって最適バイアス
方向に向けられている点である。この誘導磁気異方性ケ
」：次のようにして得る。すなわち、ＭＲ素子６が蒸着
される基板の表面をラッピングテープ等により一方向に
研摩すると基板表面の荒さはラップ条痕にならって一定
方向だけ異方的に荒れる。
イズの発生がない、すなわち信号ＳとノイズＮ比を劣化
させない他の実施例を第６図に示す。この第５図はＭＲ
素子６の側面図で第３図の実施例との相異点はＭＲ素子
６のバイアス磁界が第３図の場合には外部磁石や電流等
による外来的な手段で印加しているのに対し、第５図の
ものでは、磁化が誘導磁気異方性によって最適バイアス
方向に向けられている点である。この誘導磁気異方性ケ
」：次のようにして得る。すなわち、ＭＲ素子６が蒸着
される基板の表面をラッピングテープ等により一方向に
研摩すると基板表面の荒さはラップ条痕にならって一定
方向だけ異方的に荒れる。
ラップ条痕間の間隔はランダムであるが、このラップ条
痕に沿って磁区が発生し、との磁区は細分化されるとと
もに配向性が良好となり、大きな誘導磁気異方＋１−が
得られる。
痕に沿って磁区が発生し、との磁区は細分化されるとと
もに配向性が良好となり、大きな誘導磁気異方＋１−が
得られる。
以上のように付鳥された誘導磁気異方性によって、ＭＲ
素子６には外的な手段でもってバイアス磁界を印加する
必要性がなくなり、媒体の消磁がなく、またバイアス電
流による発熱等でＭＲ素子６にサーマルノイズのないヘ
ッドを提供することができる。
素子６には外的な手段でもってバイアス磁界を印加する
必要性がなくなり、媒体の消磁がなく、またバイアス電
流による発熱等でＭＲ素子６にサーマルノイズのないヘ
ッドを提供することができる。
発明の効果
以」二のように本発明は簡単な構成でアジマス調整が容
易であるとともに、サーマルノイズの発生もない薄膜磁
気ヘッドを提供することができだものであり、その効果
は大である。
易であるとともに、サーマルノイズの発生もない薄膜磁
気ヘッドを提供することができだものであり、その効果
は大である。
第１図、第２図（ａ）、（ｂ）は従来例を示す図、第３
図は本発明の一実施例を回路とともに示す図、第４図は
同等価回路図、第５図は他実施例の磁気抵抗効果素子の
側面図である。 ６・・・・・・磁気抵抗効果素子、７，８．９・・・・
・端子、１０．１１・・・・・・電流、１２・・・・・
・定電流源回路、１３・・・・・・抵抗、１４・・・・
・差動増幅器、１６・・・・・・コンデンサ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 αυ 第５図
図は本発明の一実施例を回路とともに示す図、第４図は
同等価回路図、第５図は他実施例の磁気抵抗効果素子の
側面図である。 ６・・・・・・磁気抵抗効果素子、７，８．９・・・・
・端子、１０．１１・・・・・・電流、１２・・・・・
・定電流源回路、１３・・・・・・抵抗、１４・・・・
・差動増幅器、１６・・・・・・コンデンサ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 αυ 第５図
Claims (1)
- 基板上に被着形成された強磁性体よりなる磁気抵抗効果
素子を持つ薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗効果
素子の磁化を一定方向にバイアスするとともにこの素子
に信号磁界を印加し、この磁気抵抗効果素子の中点の共
通端子を交流的に接地し、かつ他の２端子のうち一方の
端子を抵抗を介して接地し、他方の端子より一定電流を
供給することにより前記共通端子と他の２端子との間の
抵抗値の変化をそれぞれ再生電圧として差動的に取り出
すように構成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57142519A JPS5933616A (ja) | 1982-08-17 | 1982-08-17 | 薄膜磁気ヘツド |
| EP82111355A EP0081240B1 (en) | 1981-12-09 | 1982-12-08 | Thin film magnetic head |
| DE8282111355T DE3279790D1 (en) | 1981-12-09 | 1982-12-08 | Thin film magnetic head |
| US06/448,058 US4660113A (en) | 1981-12-09 | 1982-12-09 | Magnetoresistive thin film head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57142519A JPS5933616A (ja) | 1982-08-17 | 1982-08-17 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5933616A true JPS5933616A (ja) | 1984-02-23 |
| JPH0341890B2 JPH0341890B2 (ja) | 1991-06-25 |
Family
ID=15317239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57142519A Granted JPS5933616A (ja) | 1981-12-09 | 1982-08-17 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933616A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS644914A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-10 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Thin film magnetic head |
| US5452148A (en) * | 1993-02-22 | 1995-09-19 | Fujitsu Limited | Preamplifing circuit for a magnetoresistance device |
| WO2005020214A1 (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-03 | Fujitsu Limited | 再生ヘッド及び磁気ディスク装置 |
| KR100822611B1 (ko) * | 2006-01-10 | 2008-04-16 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 재생 헤드 및 자기 디스크 장치 |
-
1982
- 1982-08-17 JP JP57142519A patent/JPS5933616A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS644914A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-10 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Thin film magnetic head |
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| US7408730B2 (en) | 2003-08-26 | 2008-08-05 | Fujitsu Limited | Reproducing head and magnetic disk drive |
| KR100822611B1 (ko) * | 2006-01-10 | 2008-04-16 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 재생 헤드 및 자기 디스크 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0341890B2 (ja) | 1991-06-25 |
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