JPS5933690A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents

磁気バブルメモリ素子

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Publication number
JPS5933690A
JPS5933690A JP57140943A JP14094382A JPS5933690A JP S5933690 A JPS5933690 A JP S5933690A JP 57140943 A JP57140943 A JP 57140943A JP 14094382 A JP14094382 A JP 14094382A JP S5933690 A JPS5933690 A JP S5933690A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
loops
loop
magnetic bubble
block
boot
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57140943A
Other languages
English (en)
Inventor
Kengo Nogai
野涯 研悟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP57140943A priority Critical patent/JPS5933690A/ja
Publication of JPS5933690A publication Critical patent/JPS5933690A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (])発明の技術分野 本発明は電子引W装置の端末枦・等の記憶装済として用
いられる磁気バブルメモリ素子に関するものである。
(2)技術の背景 磁気バブルを利用して情件の蓄積、論理演算等を行なう
化2気バブル利用装置u1不揮発性、高記憶密度及び低
消費重力、小型If部であり、さらには櫓、械的要素を
全く含ま々い固体素子であることから高い信頼性を有す
るなどの特徴をもっているため、大容量メモリとしての
将来が期待さねている。
とのVシバプノt・メモリ装置に用いられるメモリ零子
超、例えばガドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶
基析の上に液相エピタキシャル成琵法により磁性ガーネ
ットの薄膜を形rJνし、その上にパーマロイF、?・
膜によりティーバー又はハーフディスク等のパターンを
行列させたバブル伝播路を形成しておき、バブルのある
ところを ”1”、力いところを “0“とじて情報を
記録するようにガっている1またこの伝播路の構成にけ
シリアルルーフ方式とメジア−マイナ一方式とがある。
(3)従来技術と問題点 第1図はメジャーマイナ一方式の1例を示またもので、
バブル発生器1を有する巷き込み用メジャーライン2と
、このメジャーライン2にクワラフゲートによ+)で接
続されたマイナーループ3−1〜3−n Hひブートル
ープ4と、このマイナーノ[−ブ〃びブートノL−ブか
らトランスファゲートによって接続゛された読み出し用
メジャーライン5と、その一端に設けられたバブル検出
器6拳により構成されている。々おブートループ4は基
板結晶の欠陥とか、伝播路の欠陥によりマイナーループ
3−1〜3−0の中に不良7t−フが生じたとき、その
不良ループ情報を格納しておき、書き込み、読み出し時
にこの不良/l−フを使用しかいようにするためのもの
でま)る。
このようなメジャーマイナ一方式のメモリ素子において
は、最近の記憶容重のJ〜り加平求K(ヒなって卯2図
の如く同一チップ士に複委ν(1,、’のメジャーマイ
ナー構成のブロックA−’Dが形成さhるようになって
来ている。このようにブロック数が多くなるとブートル
ープ4が不良と力る確率も増加し7て来る。ところが従
来のメモリ素子(l」、このブートループが各ブロック
に1個ずつであったため、ブートループに不良が出ると
、そのフロックのみならずチッソ全体が不良となり、チ
ップの歩留り率が低下するという欠点があっ六。
(4)発明の目的 本発明は上記従来の欠点に鑑み、同一チッソ上に複数の
メジャーマイナー構成のブロックを有し7、その製造の
際の歩留υ率を同士するようにした磁気バブルメモリ素
子を提供することを「目的とするものである。
(5)発明の構成 イしてこの目的は本発明によりは、同一チップ上にメジ
ャーマイナー構成のブロックを枚数ブロック備えた砒ケ
バプルメモリ素子において、各ブロックはそわそれ複数
個のブートループを具備していることを特命とする磁気
バブルメモリ素子を祈供することによって達成される。
(6)発明の実施例 以1本発明実MII例を図面によって詳述する。
第3シ1は本発明による磁気バブルメモリ素子の構成を
示す図である。、同図において8超バブル発生器7を有
する書き込み用メジャーライン、9−1〜9−n はマ
イナーループ、lo−1〜104  けフートループ、
lli’検出器12を有する舒み出し用メジャーライン
をそれぞれ示している。そ[7てマイナーループ9−1
〜9.idスワップゲート]3を介して書き込み用メジ
ャーライン8 K 接+Hされ、且つレプリケータ14
を介してV「み出し用メジャーライン11に接た・^・
している またブートループ10−1〜10−4 はブ
ートスワップケート15を介して若き込み用メジャーラ
イン8に接続され、−目つフ゛−トレブリケータ16を
介して散み出し用メジャーラインIIに接L・トシてい
る。6本実施例はこのように構成:されたブロックを蝮
p個有している一寸六本実施例の特徴は名ブロック、ブ
ロックj〜ブロック4にそれぞれ初数個(図では4個)
のブートループ10−1〜10−4を設けたことである
。
このように棺、lx−された本実施例は次の如くにして
用いらiする。い1例えは第3図の如くブートループの
不良(×印を伺して示す)がフロックjは4′$目(J
O−<)、フ゛ロック2け1番目、ブロック4は2番目
にそれそわあるものとする この場合4ブロツクを通し
て良ループなのは3番目のループであり、このブートル
ープに不良ルーブデータをそわぞれ格納しておく。なお
ブートループプが良ループであるか不良ループであるか
は予め夕1部のROMK議いておくか、もしくけブロッ
ク1の1番目のループにそのデータを■:いておけによ
い。
このように本実施例はブートループにも冗長性があるの
でバブルメモリを製作する場合に従来に比し歩留り率が
向上する。
第4図は本発明のバブルメモリ素子の他の実施例を示う
図である。同図は1ブロツクのみを示した図であり、回
申、第3図と同−剖1分は同一ね号を付して示した。本
実施例が前実施例と異なるところは、点線で囲ったA部
分である。即ち各ブートループ10−1〜10−4から
検出器】2までの読み出しライン11の長さを同一にし
たことである。
このように構成することにより、何れのブートループか
らも検出器】2までの距離が等しくなるため、前実施例
の如く各ブロックで同一番目のブートループを使用する
必要はなく、良ループであれば何11のブートループを
使用しても良い1、従って前実施例よシも更に冗長性が
大となシ歩留り率は向上する。
(7)発明の効果 以上、詳細に貌甲しまたように、本発り1の磁勿バブル
メモリ素子は、メジャーマイナー構Rの複t<1ブロツ
クに対し、各フロックにそれぞれ複数個のブートルーフ
を設けることにまり、製造時の歩留り率向上を可能とし
た効用・大たるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2Mは桜来のメジャーマイナー構成の磁気
バブルメモリ素子の朴1成を示す図、第3図は本発明に
よる磁気バブルメモリ蒙子の構成を示す図、第4図は他
の実施例の構成を示す図である。 図面において、7はバブル発生器、8は書き込み用メジ
ャーライン、9−1〜’LnNマイナーループ、10−
】〜10−4はフートル−プ、11は読み出しライン、
12は検出器、13けスワップゲート、14はレフリケ
ータ、15はブートスワップゲート、16はプートレプ
リケータをそれぞれ示す。 第1 図 第2図 A            I=l         
   t−UIJPJB図 15  15 138 7   13

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、 同一グ・ツブ上にメジャーマイナー構成のブロッ
    クを複数プロックイm2えた磁気バブルメモリ素子にお
    いて、名フロックし1−1第1イわ忰羨シ偕のブトルー
    プを具仙17ていることを植機とするθ?磁気バブルメ
    モリ素子
JP57140943A 1982-08-16 1982-08-16 磁気バブルメモリ素子 Pending JPS5933690A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57140943A JPS5933690A (ja) 1982-08-16 1982-08-16 磁気バブルメモリ素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57140943A JPS5933690A (ja) 1982-08-16 1982-08-16 磁気バブルメモリ素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5933690A true JPS5933690A (ja) 1984-02-23

Family

ID=15280417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57140943A Pending JPS5933690A (ja) 1982-08-16 1982-08-16 磁気バブルメモリ素子

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JP (1) JPS5933690A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7719174B2 (en) 2004-06-24 2010-05-18 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Surface mounting discharge tube has soldering tapers formed at peripheral edges of electrode side surfaces that seal and project outwardly from opposite ends of cylindrical ceramic envelope

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7719174B2 (en) 2004-06-24 2010-05-18 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Surface mounting discharge tube has soldering tapers formed at peripheral edges of electrode side surfaces that seal and project outwardly from opposite ends of cylindrical ceramic envelope

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