JPH0213392B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0213392B2 JPH0213392B2 JP56187702A JP18770281A JPH0213392B2 JP H0213392 B2 JPH0213392 B2 JP H0213392B2 JP 56187702 A JP56187702 A JP 56187702A JP 18770281 A JP18770281 A JP 18770281A JP H0213392 B2 JPH0213392 B2 JP H0213392B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- magnetic bubble
- guardrail
- memory element
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は電子計算装置の端末機器等のメモリと
して用いられる磁気バブルメモリの素子作成法に
関するものである。
して用いられる磁気バブルメモリの素子作成法に
関するものである。
(2) 技術の背影
磁気バブルメモリを利用して情報の蓄積、論理
演算等を行なう磁気バブル利用装置は不揮発性、
高記憶密度、低消費電力、小型軽量である等種々
の特徴をもち、さらには機械的要素を全く含まな
い固体素子であることから非常に高い信頼性を有
し、従つて端末機器メモリとしての利用等におい
て今後によせる期待は非常に大きい。
演算等を行なう磁気バブル利用装置は不揮発性、
高記憶密度、低消費電力、小型軽量である等種々
の特徴をもち、さらには機械的要素を全く含まな
い固体素子であることから非常に高い信頼性を有
し、従つて端末機器メモリとしての利用等におい
て今後によせる期待は非常に大きい。
この磁気バブルメモリ装置に用いられる素子は
製作技術および材料の進歩に従つて１素子内に格
納される磁気バブル（以下バブルという）の記憶
容量は年とともに増加し、一方記憶媒体であるバ
ブル径は減少し、またAu或いはNi−Cu合金など
からなる導電パターン及びパーマロイなどからな
る転送パターンは微小化の一途を辿つている。
製作技術および材料の進歩に従つて１素子内に格
納される磁気バブル（以下バブルという）の記憶
容量は年とともに増加し、一方記憶媒体であるバ
ブル径は減少し、またAu或いはNi−Cu合金など
からなる導電パターン及びパーマロイなどからな
る転送パターンは微小化の一途を辿つている。
例えば記憶容量1Mビツトのメモリ素子の場合、
最小パターン寸法は約1μmであり、10mm角の磁性
ガーネツト結晶膜上に電子回路の全パターンが形
成される。
最小パターン寸法は約1μmであり、10mm角の磁性
ガーネツト結晶膜上に電子回路の全パターンが形
成される。
(3) 従来技術と問題点
これらのパターンについて、現在用いられてい
る形成法としては磁性ガーネツト膜上に金属及び
絶縁物を蒸着又はスパツタし、これをホトリソグ
ラフイ法でパターン形成する方法がとられてい
る。このホトリソグラフイにおいてパターン投影
に高性能な投影露光機を用いる場合、可能転写領
域は10mm角であるが、分解能などによる歩留りを
考慮し分解能の良い中心部を用い５×10mmのパタ
ーン領域を２回露光して10mm角の回路パターンを
形成し、これを１素子とすることが行なわれてい
る。従つてこのような方法では１露光毎に作成さ
れるパターンは完全に互に独立したものとなり露
光領域間で一つの伝播パターンを共有するという
技術は無かつた。
る形成法としては磁性ガーネツト膜上に金属及び
絶縁物を蒸着又はスパツタし、これをホトリソグ
ラフイ法でパターン形成する方法がとられてい
る。このホトリソグラフイにおいてパターン投影
に高性能な投影露光機を用いる場合、可能転写領
域は10mm角であるが、分解能などによる歩留りを
考慮し分解能の良い中心部を用い５×10mmのパタ
ーン領域を２回露光して10mm角の回路パターンを
形成し、これを１素子とすることが行なわれてい
る。従つてこのような方法では１露光毎に作成さ
れるパターンは完全に互に独立したものとなり露
光領域間で一つの伝播パターンを共有するという
技術は無かつた。
(4) 発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、投影型露光
機を用いて作成される２以上の露光領域間の伝播
路を接続することができる磁気バブルメモリ素子
作成法を提供することを目的とするものである。
機を用いて作成される２以上の露光領域間の伝播
路を接続することができる磁気バブルメモリ素子
作成法を提供することを目的とするものである。
(5) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば磁気バルブ用
ウエーハの上にバルブ発生器、検出器、伝播路等
が金属及び絶縁物の蒸着又はスパツタ及びイオン
インプラ等と写真食刻により形成される磁気バブ
ルメモリ素子の前記写真食刻時に、レチクルに作
成された回路形成用パターンを投影型露光機に
て、ウエーハ上に塗られた感光物質に該ウエーハ
を所定量移動して少くとも２回転写露光を行なう
磁気バブルメモリ素子作成方法において、磁気バ
ブル伝播路形成用のレチクルは、パターン領域の
外周をとり巻くガードレールの対向する２辺のそ
れぞれ一部を移動させ、その移動した跡に読み出
しライン又は書き込みラインの両端を導いて形成
しておき、該レチクルを移動して２回の露光を行
なうとき、ガードレールの１辺が重なるように露
光して、１回目と２回目に露光された読み出しラ
イン又は書き込みラインを接続すると共に、重ね
て露光されたガードレール部分が二重露光により
消滅するようにしたことを特徴とする磁気バブル
メモリ素子作成法を提供することによつて達成さ
れる。
ウエーハの上にバルブ発生器、検出器、伝播路等
が金属及び絶縁物の蒸着又はスパツタ及びイオン
インプラ等と写真食刻により形成される磁気バブ
ルメモリ素子の前記写真食刻時に、レチクルに作
成された回路形成用パターンを投影型露光機に
て、ウエーハ上に塗られた感光物質に該ウエーハ
を所定量移動して少くとも２回転写露光を行なう
磁気バブルメモリ素子作成方法において、磁気バ
ブル伝播路形成用のレチクルは、パターン領域の
外周をとり巻くガードレールの対向する２辺のそ
れぞれ一部を移動させ、その移動した跡に読み出
しライン又は書き込みラインの両端を導いて形成
しておき、該レチクルを移動して２回の露光を行
なうとき、ガードレールの１辺が重なるように露
光して、１回目と２回目に露光された読み出しラ
イン又は書き込みラインを接続すると共に、重ね
て露光されたガードレール部分が二重露光により
消滅するようにしたことを特徴とする磁気バブル
メモリ素子作成法を提供することによつて達成さ
れる。
(6) 発明の実施例
以下本発明実施例を図面によつて詳述する。
第１図は本発明による磁気バブルメモリ素子作
成法を実施するためのレチクルを示す図であり、
ａは全体図、ｂはａ図のイ部分の拡大図、ｃはａ
図のロ部分の拡大図をそれぞれ示す。
成法を実施するためのレチクルを示す図であり、
ａは全体図、ｂはａ図のイ部分の拡大図、ｃはａ
図のロ部分の拡大図をそれぞれ示す。
同図において１は書き込み用メジヤーライン、
２は読み出し用メジヤーライン、３-1〜３-oは書
き込み用メジヤーラインと読み出し用メジヤーラ
インにトランスフアゲート等を介して接続された
マイナーループ、４は読み出しラインに接続され
たデイテクタ、５はＴパターンを並べたガードレ
ールをそれぞれ示す。
２は読み出し用メジヤーライン、３-1〜３-oは書
き込み用メジヤーラインと読み出し用メジヤーラ
インにトランスフアゲート等を介して接続された
マイナーループ、４は読み出しラインに接続され
たデイテクタ、５はＴパターンを並べたガードレ
ールをそれぞれ示す。
ａ図のイ部分はｂ図の拡大図に示す如くガード
レール５の一部が欠除されその欠除部６の入口に
読み出しライン２が延長されて形成されている。
また欠陥部６の外方にガードレールの一部のパタ
ーン７が形成されている。またａ図のロ部分もｃ
図の拡大図に示す如くガードレール５の一部が切
除され、その切除部８の中に読出しライン２が延
長して形成されている。さらに切除部８の外方に
ガードレールの一部のパターン９が形成されてい
る。
レール５の一部が欠除されその欠除部６の入口に
読み出しライン２が延長されて形成されている。
また欠陥部６の外方にガードレールの一部のパタ
ーン７が形成されている。またａ図のロ部分もｃ
図の拡大図に示す如くガードレール５の一部が切
除され、その切除部８の中に読出しライン２が延
長して形成されている。さらに切除部８の外方に
ガードレールの一部のパターン９が形成されてい
る。
上述のようなレチクルを用いて行なうバブルメ
モリ素子作成手順を第２図を用いて説明する。先
ずａ図の如くウエーハ上に塗られた感光物質にレ
チクル１０の右方部分を投影する。
モリ素子作成手順を第２図を用いて説明する。先
ずａ図の如くウエーハ上に塗られた感光物質にレ
チクル１０の右方部分を投影する。
次にｂ図の如くウエーハをP1だけ移動してレ
チクル１０の２回目の投影を行なう。このときの
ピツチP1は左方のガードレールの欠除部６に、
さきに投影されたガードレールの一部９が丁度嵌
り込むようなピツチとする。
チクル１０の２回目の投影を行なう。このときの
ピツチP1は左方のガードレールの欠除部６に、
さきに投影されたガードレールの一部９が丁度嵌
り込むようなピツチとする。
次にｃ図の如くウエーハをP2だけ移動してレ
チクル１０の３回目の投影を行なう。このときの
ピツチP2は左辺のガードレールがさきに投影し
たレチクルの右辺のガードレールに一致するよう
なピツチとする。このように投影するとガードレ
ール５の欠除部で左右の読み出しライン２は接続
される。なおこのピツチP2で連続して投影すれ
ば単位パターンが複数個連続した素子を得ること
ができる。この時、チツプ内のガードレールパタ
ーンの大部分は２重露光で消滅する。
チクル１０の３回目の投影を行なう。このときの
ピツチP2は左辺のガードレールがさきに投影し
たレチクルの右辺のガードレールに一致するよう
なピツチとする。このように投影するとガードレ
ール５の欠除部で左右の読み出しライン２は接続
される。なおこのピツチP2で連続して投影すれ
ば単位パターンが複数個連続した素子を得ること
ができる。この時、チツプ内のガードレールパタ
ーンの大部分は２重露光で消滅する。
最後にｄ図の如くウエーハをP3だけ移動して
レチクル１０を投影する。このときのピツチP3
は左方のガードレールの一部７がさきに投影した
レチクルのガードレール５に接してその欠除部８
を塞ぐようなピツチとする。なおP2はP1，P3と
異るがP1，P3は同じでも良い。
レチクル１０を投影する。このときのピツチP3
は左方のガードレールの一部７がさきに投影した
レチクルのガードレール５に接してその欠除部８
を塞ぐようなピツチとする。なおP2はP1，P3と
異るがP1，P3は同じでも良い。
以上の如くにして複数単位のパターン領域を形
成した磁気バブルメモリ素子において、その読み
出しラインの接続を行なうことができる。勿論同
様の手法により書き込みラインの接続も可能であ
る。
成した磁気バブルメモリ素子において、その読み
出しラインの接続を行なうことができる。勿論同
様の手法により書き込みラインの接続も可能であ
る。
(7) 発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の磁気バ
ブルメモリ素子作成法は限られた露光領域しか持
たない露光機を用いてその領域以上の面積を持つ
素子が１枚のレチクルを使用して簡単に作成し得
るといつた効果大なるものである。
ブルメモリ素子作成法は限られた露光領域しか持
たない露光機を用いてその領域以上の面積を持つ
素子が１枚のレチクルを使用して簡単に作成し得
るといつた効果大なるものである。
第１図は本発明による磁気バブルメモリ素子作
成法に使用するレチクルを説明するための図、第
２図は本発明による磁気バブルメモリ素子作成法
の作成手順を説明するための図である。 図面において１は書き込みライン、２は読み出
しライン、３-1〜３-oはマイナーループ、４はデ
イテクタ、５はガードレール、６及び８はガード
レール欠除部、７及び９はガードレールの一部、
１０はレチクルをそれぞれ示す。
成法に使用するレチクルを説明するための図、第
２図は本発明による磁気バブルメモリ素子作成法
の作成手順を説明するための図である。 図面において１は書き込みライン、２は読み出
しライン、３-1〜３-oはマイナーループ、４はデ
イテクタ、５はガードレール、６及び８はガード
レール欠除部、７及び９はガードレールの一部、
１０はレチクルをそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気バブル用ウエーハの上にバブル発生器、
検出器、伝播路等が金属及び絶縁物の蒸着又はス
パツタ及びイオンインプラ等と写真食刻により形
成される磁気バブルメモリ素子の前記写真食刻時
に、レチクルに作成された回路形成用パターンを
投影型露光機にて、ウエーハ上に塗られた感光物
質に該ウエーハを所定量移動して少くとも２回転
写露光を行なう磁気バブルメモリ素子作成方法に
おいて、 磁気バブル伝播路形成用のレチクルは、パター
ン領域の外周をとり巻くガードレールの対向する
２辺のそれぞれ一部を移動させ、その移動した跡
に読み出しライン又は書き込みラインの両端を導
いて形成しておき、該レチクルを移動して２回の
露光を行なうとき、ガードレールの１辺が重なる
ように露光して、１回目と２回目に露光された読
み出しライン又は書き込みラインを接続すると共
に、重ねて露光されたガードレール部分が二重露
光により消滅するようにしたことを特徴とする磁
気バブルメモリ素子作成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187702A JPS5889805A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 磁気バブルメモリ素子作成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56187702A JPS5889805A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 磁気バブルメモリ素子作成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5889805A JPS5889805A (ja) | 1983-05-28 |
| JPH0213392B2 true JPH0213392B2 (ja) | 1990-04-04 |
Family
ID=16210658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56187702A Granted JPS5889805A (ja) | 1981-11-25 | 1981-11-25 | 磁気バブルメモリ素子作成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5889805A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143785A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-06 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory element |
-
1981
- 1981-11-25 JP JP56187702A patent/JPS5889805A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5889805A (ja) | 1983-05-28 |
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