JPS5935043A - ノボラック樹脂系ポジ型ホトレジスト用容器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は被膜形成材料のための容器に関するものである
。

近年における集積回路等の半導体素子の進歩にはめざま
しいものかあシ、これには、レゾスト材料、絶縁被覆ま
たは保護被覆材料、その他の被膜形成材料の発達も寄与
するところが太きい。例えば、集積回路の作製において
使用されるレゾスト膜の形成のｔ二めには、環化イム系
ネガ型ホＩ・レジスト材料、例えば環化ポリイソルン系
ネガ型ホトレジス＋−４１Ｊが主として用いられている
。また最近においては、高解像度が得られるホゾ型ホト
レジスト トレゾスト材料、或いは電子線、遠紫外線，Ｘ線などの
電離放射線に感応するレジスト材料その他が開発されて
実用にｇ（されるに至っている。また集積回路の絶縁層
若しくは保饅層を形成するための絶縁被覆または保護被
覆材料として、例えばアルキルポリシルセスキオキサン
、アリールボリシルセスキオギサン、アルケニルポリシ
ルセスキオキサンなどのシリコーン樹脂或いはポリイミ
ド樹脂などより成る絶縁被横または保護被覆材料が好ま
しいものとして使用されるに至っている。そしてこれら
のレゾス］・材料、絶縁被覆また（ｔ．Ｊ．保吐被榎拐
料などの被膜形成材料の使用量は今後一層増大するもの
と予胡される。

これらレジスト膜、絶縁または保護被覆膜などの被膜を
形成するための被膜形成材料は液状であってこれを塗布
乾燥させることにより被膜が形成されるのであるが、当
該被膜形成利料は通常メ！ラス製の容器内に１■納され
保存さｆする。

然るに、ガラス製の容器によシ被膜形成材別を長期間保
存すると，被膜形成材料が変性し、所期の被膜を形成す
ることのできない場合が少なくな（θ 木兄ＢＩＪ　ｒ、Ｉ：、以上の如き事情に基き、種々研
究を重ねた結果完成されたものであって、その目的は、
被膜形成材料を長期間保存するため医用いたときにも、
当該被膜形成材料を変性せしめることのない容器を提供
するにある。

本発明の特徴とするところは、ガラスよシ成シ、その内
面が加、熱下におい又硫黄酸化物で処理されたものであ
る点にある。

以下本発明について具体的に説明フる。

本発明においては、ガラス製の容器内を二酸化硫黄ガス
で充満せしめた状態で加熱することにより、若しくは加
熱されているガラス製の容器に二酸化硫黄ガスを充満せ
しめること氏よｐ、または高温で硫黄酸化物を発生ずる
熱分解性化合物、例えば硫酸アンモニウム、亜硫酸アン
モニウム、酸性硫酸アンモニウムなどのような硫酸もし
くは亜硫酸の弱ア、ルカリによる塩類の存在下でガラス
製の容器を〃１１熱【１．で、若しくは加熱されたガラ
ス製の容器にそのような化合物を投入して、当該化合物
を熱分解することにより、当該容器の内面を処理し、こ
れを被膜形成材料用容器とする。

以上における加熱温度は、通常４００〜６００℃の範囲
内が好ましいが、前記熱分解性化合物を用いる場合には
、その分解温度以上の温度であることが必要である。な
お、容器のガラスの熱変形温度以下であることが好まし
い。ガラス製の容器に充満せしめる二酸化硫黄ガスの量
は、二酸化硫黄ガスが容器の内面に十分に接触する量で
あれはよく、また、熱分解性化合物を用いる場合におり
るその化合物の量は、発生した硫黄酸化物のガスが容器
の内面に十分に接触することとなる鼠であればよい０ また、前記容器の利質でおるガラスは特に制限管受ける
ものでＬなく、ソーダ石灰ガラス、ポウケイ酸ガラスな
どの何れのガラスであってもよい。

本発明による被膜形成材料用容器を用いると、後述する
実施例の説明からも理解されるように、半導体素子、記
憶素子、その他の電子装置などの作製において必要とさ
れるレジスト材料、絶縁被覆または保護被覆材料などの
被膜形成材料を当該容器に入れて長期間保存したときに
も当該被膜形成材料が変性することがなく、所期の性能
を有する被膜を形成することができる。

なお、本発明の容器は、上記レジスト材料、絶縁被覆ま
たは保護被覆材料以外の、従来のガラス容器に保存する
と変性するような被膜形成材料にも適用し得ることは勿
論である。

以下本発明の実施例について説明するが、これらによつ
１本発明が限定されるものではない。

実施例１ 容量ｌｌのガラスびんの中に硫酸アンモニウム３ｇを入
れ、温度５５０℃の電気炉によシ熱処理し、硫酸アンモ
ニウムを熱分解させて本発明被膜形成材料用容器を得た
。

この容器の内外表面を水道水で洗浄した後、電気抵抗値
がＩＭΩ・αの純水で１回当該容器の内部をすすぎ、更
に電気抵抗値が１７ＭΩ・傭の超純水で３回描該容器の
内部をすすいだ。この容器をフリー／オー・１′／（ダ
／Ｍ業社製、ＳＤＲ−２００Ｍ型）を用いて温度７０Ｃ
で１０時間乾燥し、室温まで冷却した後、これにポジ型
ホトレゾスト材料を孔径０．２／ｊｍのメンブランフィ
ルタ−によりｒ過しながら９４６ｍ１！充填した。そし
て清浄なポリエチレン製内蓋を装着し、更に外蓋を装着
した。ここに用いたポジ型ホトレゾスト材料は、ノボラ
ック樹脂および没食子酸ラウリルと１．ｚ−ナフトキノ
ンジアジド−５−スルホニルクロリドとの反応モル比１
：２．５の縮合物をセロソルブアセテートに溶解したも
のであシ、固型分濃度２４．４重量％、粘度１９ｃＰ（
２５Ｃ）の溶液である。

以上の操作社すべて、米国連邦規格Ｎｏ、　Ｚ　０９　
ａによるクラス１００００のクリーンルーム内に設置し
た、除塵率９９．９７チ（０，５μｍ径の粒子に対する
値）の高性能フィルターを内装したクリーンルーム内で
行ない、充填容器をそのまま５ケ月間保存した。

保存期間の経過後、容器内のホトレジスト材料をシリコ
ンウェハーに塗布し、その被膜の特性を洞ぺたところ、
保存する前のホトレジスト材料による被膜に比し、感度
、ＷＦ像度、塗膜性、ビンホール密度、その他の点にお
いて劣るところは認められなかった。

比較例１ 実施例ＩＫおけると同様のガラスびんを水で十分洗浄（
７Ｉ、・後、ｌ容Ｎ％の塩酸水溶液をびんの開口ｆで人
Ｊまたものを超音波洗浄装置（２５ＫＨ７−、出力ａｌ
ｌ（ＩＷ）内に立工、びんの肩口の高さまで水道水を入
れ、ｉ％０分間超音波処理を施（２，その後びんを取シ
出して内部の塩酸水溶液を除去し、比較用容器を得た。

この比較用容器を実施例１と同様に洗浄処理し、ホトレ
ジスト材料を充填し、保存した。そして同様の特性テス
トを行なったところ、比較用容器に保存されたホトレジ
スト材料による被膜は、感度、解像度の点では劣った点
はなかったが、膜厚１１１ｍの被膜ではｌＯ〜１００ｚ
＊ｍのピンホールが多数発生したことが認められた。

実施例２ 実施例１における硫酸アンモニウム３ｇ（７）（ｌに炬
硫酸アンモニウム２ｇを用いたほかは実施例１と全く同
様に処理して本発明容器を得た。

この容器を用い、充填材料として塩素化ポリメチルスチ
レンより成るレジスト材料〔樹脂濃度１Ｏ１７重量％の
ギシレン溶液、粘度Ｚ６ｃＰ　（ｚｓｃ）：１を用いた
ほかは実施例１と同様にして室温で８ケ月間保存した。

この保存後のレゾスト材料の電子線に対する感度を測定
したところ、保存前の感度と同じく０．６μＣ／ｃｍ　
２であった。

比較例２ 比較例ＩＫおけると同様にして比較用容器を得、これを
用いて実施例２と同様にレジスト材料を保存した。保存
後のレジスト材料の電子線に対する感度は１．１　ｔｔ
　Ｃ／ｃｗｔ２と大幅に低下したものであった。

実施例８ 実施例１におけると同様にして本発明容器を得、これを
用い、充填材料としてメチルポリシルセスキオキサン（
〔η〕”＝ｏ、１８）の２０重ｔチ酢酪１１−プチル溶
液を用いたほかは実施例１と同様にして充填を行ない、
温度＋ＤＣで４ケ月間保存した。

この保存後の溶液の温度８０ｔ、’における粘度は８．
８ｃＰであり、保存前の粘度８．８ｃＰＫ比してその差
は僅がであり、測定誤差の範囲内にあり、実際上変化は
認められなかった。

比較例８ 比較例１におけると同様にして比較用容器を得。

これを用いて実施例８と同様にメチルポリシルセスキオ
キサンの保存を行なったところ、保存開始後８０を経過
したときＫは温度３ｏｃにおける当初の粘度が１１．８
ｃＰと大幅に増大し、１７日を経過したときには充填物
はゼリー状に固化してしまい、もはやコーティングして
被膜を形成することのできないものとなった。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ■）ガラスより成り、その内面が加熱下において硫黄酸
   化物で処理されたものであることを特徴とする被膜形成
   材料用容器。