JPS61199638A - 絶縁膜の形成方法 - Google Patents
絶縁膜の形成方法Info
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- JPS61199638A JPS61199638A JP4017585A JP4017585A JPS61199638A JP S61199638 A JPS61199638 A JP S61199638A JP 4017585 A JP4017585 A JP 4017585A JP 4017585 A JP4017585 A JP 4017585A JP S61199638 A JPS61199638 A JP S61199638A
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- JP
- Japan
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- substrate
- gas
- insulating film
- silicon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、絶縁膜を形成する方法に関し、特に半導体の
表面に絶縁膜を形成するものである。
表面に絶縁膜を形成するものである。
近年の半導体装置の製造工程においては、酸化膜形成に
代表される絶縁膜形成が不可欠な技術になっている。
代表される絶縁膜形成が不可欠な技術になっている。
従来、半導体装置の製造工程の中でもシリコン基板など
の半導体基板上に絶縁膜を形成する方法としては、たと
えば、乾燥酸化、水蒸気酸化などの熱酸化による方法や
、気相成長法などが知られている。
の半導体基板上に絶縁膜を形成する方法としては、たと
えば、乾燥酸化、水蒸気酸化などの熱酸化による方法や
、気相成長法などが知られている。
しかしながら、技術の進歩に伴う歩留り向上の要求や、
平面的のみならず立体的な微細化の要求があり、これら
の要求に答える技術として低温で迅速かつ高精度に酸化
膜を形成する方法が求められ、これに応する一例として
、エキンマレーザーなどの半導体基体の表層に吸収され
この表層部分を瞬時加熱する短波長レーザーを、半導体
基板の内部側を低温に保ちながら酸素雰囲気中の上記半
導体基板に照射し、迅速に表層部分に酸化膜を形成する
とともに、この内部側の歪などの発生を防止するような
酸化膜の形成の方法が知られている。
平面的のみならず立体的な微細化の要求があり、これら
の要求に答える技術として低温で迅速かつ高精度に酸化
膜を形成する方法が求められ、これに応する一例として
、エキンマレーザーなどの半導体基体の表層に吸収され
この表層部分を瞬時加熱する短波長レーザーを、半導体
基板の内部側を低温に保ちながら酸素雰囲気中の上記半
導体基板に照射し、迅速に表層部分に酸化膜を形成する
とともに、この内部側の歪などの発生を防止するような
酸化膜の形成の方法が知られている。
前述のように、短波長レーザーには、高速に酸化膜を形
成できる他、低温で基板内部にダメージを与えることな
く酸化を行うことができるという長所がある。しかし、
雰囲気を酸素０２にすることでは表面の酸化反応速度が
遅く、十分に短波長レーザーの性能を引き出せないのみ
ならず、酸化反応が瞬時かつ低温で行われることも手伝
って、ＳｉＯと５ｉ０２とが併存するような不均一な酸
化膜が形成される虞れがあった。
成できる他、低温で基板内部にダメージを与えることな
く酸化を行うことができるという長所がある。しかし、
雰囲気を酸素０２にすることでは表面の酸化反応速度が
遅く、十分に短波長レーザーの性能を引き出せないのみ
ならず、酸化反応が瞬時かつ低温で行われることも手伝
って、ＳｉＯと５ｉ０２とが併存するような不均一な酸
化膜が形成される虞れがあった。
本発明は、このような問題点に鑑み、基体の表層部分に
高速でかつ均一に絶縁膜を形成する方法を提供すること
を目的とする。
高速でかつ均一に絶縁膜を形成する方法を提供すること
を目的とする。
（問題点を解決するための手段〕
本発明は、基体に吸収されるエネルギービームを強反応
性ガス雰囲気中で基体に照射し、この基体表面に強反応
性ガスの構成原子と基体の構成原子で構成される絶縁層
を形成する方法により、上述の問題点を解決するもので
ある。
性ガス雰囲気中で基体に照射し、この基体表面に強反応
性ガスの構成原子と基体の構成原子で構成される絶縁層
を形成する方法により、上述の問題点を解決するもので
ある。
絶縁膜形成速度を上げるための強反応性ガスと、高速に
絶縁膜形成の可能なエネルギービームとを使用すること
によって、短時間で基板の表面層に絶縁膜を均一に形成
する。
絶縁膜形成の可能なエネルギービームとを使用すること
によって、短時間で基板の表面層に絶縁膜を均一に形成
する。
〔実施例〕
本発明の好適な実施例を図面を参照しながら説明する。
第１の実施例として、エネルギービームにＸｅＣｔエキ
シマレーザ−（波長３０８ｎｍ）のレーザービームａを
使用し、強反応性ガス雰囲気としてオゾンを含む雰囲気
（０２ガス、０．５気圧と１％の０３ガスを含む０２ガ
ス、０．５気圧の混合ガスによる。以下、該混合ガスを
０３１０１１ガスと称す。）中でシリコン基板に酸化膜
を形成した例を説明する。
シマレーザ−（波長３０８ｎｍ）のレーザービームａを
使用し、強反応性ガス雰囲気としてオゾンを含む雰囲気
（０２ガス、０．５気圧と１％の０３ガスを含む０２ガ
ス、０．５気圧の混合ガスによる。以下、該混合ガスを
０３１０１１ガスと称す。）中でシリコン基板に酸化膜
を形成した例を説明する。
第１図に示すように、絶縁膜形成装置ｌの内部に基板と
してシリコン基板２を反応室４に置き、給気ロアから０
ｓ１０２ガスを送り、この反応室４の雰囲気を０３７０
２とする。上記絶縁膜形成装置１の上部に設けられた石
英窓５とレンズ６を介して照射されるＸｅＣ１エキシマ
レーザ−３のレーザービームａを該シリコン基板２上に
照射して、上記シリコン基板２の極表層部分のみ加熱す
るとともに、この部分で０ｓ１０２ガスの酸素原子とシ
リコン基板２のシリコン原子の反応を惹起して、上記シ
リコン基板２の表面層に酸化シリコン膜を形成する。
してシリコン基板２を反応室４に置き、給気ロアから０
ｓ１０２ガスを送り、この反応室４の雰囲気を０３７０
２とする。上記絶縁膜形成装置１の上部に設けられた石
英窓５とレンズ６を介して照射されるＸｅＣ１エキシマ
レーザ−３のレーザービームａを該シリコン基板２上に
照射して、上記シリコン基板２の極表層部分のみ加熱す
るとともに、この部分で０ｓ１０２ガスの酸素原子とシ
リコン基板２のシリコン原子の反応を惹起して、上記シ
リコン基板２の表面層に酸化シリコン膜を形成する。
上記ＸｅＣｌエキシマレーザ−３のレーザービームａは
、レーザーエネルギーが５００ｍＪ／ａｊ、３５ｎ３の
パルス幅、１秒当たりｌＯパルスで計８００パルスの照
射条件で使用したものである。
、レーザーエネルギーが５００ｍＪ／ａｊ、３５ｎ３の
パルス幅、１秒当たりｌＯパルスで計８００パルスの照
射条件で使用したものである。
そして、このシリコン基板２の表層部分で起こる反応は
、 ａ） ０３ ＋Ｓ ｉ→ｓ ｔｏ＋ｏ２及び、 ｂ） ＳｉＯ＋０３→５ｔｏ２＋ｏ２という二段階の
反応によって進行していると考えられ、シリコン基板２
の表層部分の酸化反応である。
、 ａ） ０３ ＋Ｓ ｉ→ｓ ｔｏ＋ｏ２及び、 ｂ） ＳｉＯ＋０３→５ｔｏ２＋ｏ２という二段階の
反応によって進行していると考えられ、シリコン基板２
の表層部分の酸化反応である。
この酸化膜の形成状態を赤外吸収スペクトルの分光分析
によって調べた結果を第２図に示す。
によって調べた結果を第２図に示す。
第２図に示すように、０ｓ１０ｓガスによって形成され
た酸化シリコン膜の吸収スペクトル（第２図中実線で示
す、）は、１１００ｃｍ→の波数部分に酸化シリコンの
ストレッチングモードの吸収に相当するピークを有し、
該ピーク部分で０２ガスによって形成された酸化シリコ
ン膜の吸収スペクトル（第２図中破線で示す、）と比較
して吸収が強く起こり、より厚い酸化シリコン膜が形成
されていること、すなわち、より酸化速度が大きくなっ
ていることがわかる。また、さらにこのピークは０２ガ
スによって形成された酸化シリコン膜の吸収スペクトル
と比較してもゆらぎがなく鋭い立ち上がりを示している
ため、均一な酸化シリコン膜が形成されていることを示
している。
た酸化シリコン膜の吸収スペクトル（第２図中実線で示
す、）は、１１００ｃｍ→の波数部分に酸化シリコンの
ストレッチングモードの吸収に相当するピークを有し、
該ピーク部分で０２ガスによって形成された酸化シリコ
ン膜の吸収スペクトル（第２図中破線で示す、）と比較
して吸収が強く起こり、より厚い酸化シリコン膜が形成
されていること、すなわち、より酸化速度が大きくなっ
ていることがわかる。また、さらにこのピークは０２ガ
スによって形成された酸化シリコン膜の吸収スペクトル
と比較してもゆらぎがなく鋭い立ち上がりを示している
ため、均一な酸化シリコン膜が形成されていることを示
している。
上記第１の実施例にあっては、シリコン基板２を基板上
して用いた例を示したが、上述したように本発明は、基
板にエネルギービームが吸収されることによって強反応
性ガスとの熱反応を生じさせるものであるから、上記エ
ネルギービームの波長には、各基板毎に制限が加わる。
して用いた例を示したが、上述したように本発明は、基
板にエネルギービームが吸収されることによって強反応
性ガスとの熱反応を生じさせるものであるから、上記エ
ネルギービームの波長には、各基板毎に制限が加わる。
たとえば、シリコン基板２のように構成原子がシリコン
原子である場合には、加熱に必要なエネルギービームの
波長λは、 λ＜１１３０ｎｍ の波長であることが要求され、さらに、基板に対して効
果的でかつ内部の熱歪を生じないように酸化を行うため
には、少なくともエネルギーの吸収に関する減衰定数で
ある吸収係数αを α＞ｌＱ３ｃｍ’ とすることが好ましく、たとえば上記実施例のように基
板をシリコンとした場合には、この条件を満たすような
波長λは、 λ＜６５０ｎｍ となる、この光源であるエネルギービームとしてたとえ
ばレーザーの場合は、Ａｒレーザー、ＸｅＣｌエキシマ
レーザ−１ＸｅＦエキシマレーザ−２ＫｒＦエキシマレ
ーザ−１Ａ ｒ Ｆエキシマレーザ−１さらには、ルビ
ーレーザー、ＹＡＧレーザー等の２次以上の高調波など
を使用することができる。またさらに、低圧水銀ランプ
、エレクトロンビーム、イオンビーム等の光源を使用す
ることもでき、以上の光源の組み合わせによるエネルギ
ービームでもよい。
原子である場合には、加熱に必要なエネルギービームの
波長λは、 λ＜１１３０ｎｍ の波長であることが要求され、さらに、基板に対して効
果的でかつ内部の熱歪を生じないように酸化を行うため
には、少なくともエネルギーの吸収に関する減衰定数で
ある吸収係数αを α＞ｌＱ３ｃｍ’ とすることが好ましく、たとえば上記実施例のように基
板をシリコンとした場合には、この条件を満たすような
波長λは、 λ＜６５０ｎｍ となる、この光源であるエネルギービームとしてたとえ
ばレーザーの場合は、Ａｒレーザー、ＸｅＣｌエキシマ
レーザ−１ＸｅＦエキシマレーザ−２ＫｒＦエキシマレ
ーザ−１Ａ ｒ Ｆエキシマレーザ−１さらには、ルビ
ーレーザー、ＹＡＧレーザー等の２次以上の高調波など
を使用することができる。またさらに、低圧水銀ランプ
、エレクトロンビーム、イオンビーム等の光源を使用す
ることもでき、以上の光源の組み合わせによるエネルギ
ービームでもよい。
また、エネルギーと一ムとして、上記短波長レーザーの
パルスレーザ−を使用した場合にも、そのパルス幅に、
表面温度の設定や上記強反応性ガスの特性によって十分
な酸化を行うための条件があり、パルス幅τは、 ２ＪＤ・τ＜１０（ａａ） （Ｄ：熱拡散係数） であることが好ましく、従ってシリコン基板の場合には
、 τッｑｙ＞〈１３０ （ｐｓ） であることが望ましい。
パルスレーザ−を使用した場合にも、そのパルス幅に、
表面温度の設定や上記強反応性ガスの特性によって十分
な酸化を行うための条件があり、パルス幅τは、 ２ＪＤ・τ＜１０（ａａ） （Ｄ：熱拡散係数） であることが好ましく、従ってシリコン基板の場合には
、 τッｑｙ＞〈１３０ （ｐｓ） であることが望ましい。
本発明の絶縁膜形成方法に使用される強反応性ガスは、
上述の第１の実施例では、０２ガス、０゜５気圧と１％
の０３ガスを含むｏ２ガス、０．５気圧の混合ガスを用
いて酸化膜の形成を行ったが、これに限定されず他の気
体を使用して酸化膜を形成してもよく、たとえばｗｓ酸
化物としてＮｏガス、Ｎ、Ｏガス、Ｎｏ２ガスを使用す
ることも可能である。また、ハロゲンであるＦ２、Ｃ１
２、Ｂｒ２、■２等のガスや、ＣＣ１４やＳＦ６等のハ
ロゲンの化合物ガスによって酸化膜等の絶縁膜を形成し
てもよく、さらに窒化膜形成のためにアンモニアガスを
使用することもできる。
上述の第１の実施例では、０２ガス、０゜５気圧と１％
の０３ガスを含むｏ２ガス、０．５気圧の混合ガスを用
いて酸化膜の形成を行ったが、これに限定されず他の気
体を使用して酸化膜を形成してもよく、たとえばｗｓ酸
化物としてＮｏガス、Ｎ、Ｏガス、Ｎｏ２ガスを使用す
ることも可能である。また、ハロゲンであるＦ２、Ｃ１
２、Ｂｒ２、■２等のガスや、ＣＣ１４やＳＦ６等のハ
ロゲンの化合物ガスによって酸化膜等の絶縁膜を形成し
てもよく、さらに窒化膜形成のためにアンモニアガスを
使用することもできる。
上記強反応性ガスの圧力については、上記第１の実施例
の０３ガス分圧に限定されず、たとえば０３ガスの分圧
を高くすることにより、また、圧力を常圧から高圧へと
制御することにより、より反応速度を向上させることが
できる。
の０３ガス分圧に限定されず、たとえば０３ガスの分圧
を高くすることにより、また、圧力を常圧から高圧へと
制御することにより、より反応速度を向上させることが
できる。
尚、この強反応性ガス雰囲気中で、エネルギービームを
基板に照射して、該基板を加熱して反応を生じさせ絶縁
膜を形成する方法の応用としては、たとえば高電子易動
度を有するＧａＡｓなどの基板に対しても応用すること
ができ、従来、酸化に際して、有害な砒素が発生すると
いう危惧があったが、基板内部の砒素の発生を抑えて表
面に酸化膜を形成するごとができる。また、基板として
は、Ｔ ａ ％ Ｍ ｏ ｓ Ａ １等の材質の絶縁膜
を形成できるものであればいかなるものでもよい。
基板に照射して、該基板を加熱して反応を生じさせ絶縁
膜を形成する方法の応用としては、たとえば高電子易動
度を有するＧａＡｓなどの基板に対しても応用すること
ができ、従来、酸化に際して、有害な砒素が発生すると
いう危惧があったが、基板内部の砒素の発生を抑えて表
面に酸化膜を形成するごとができる。また、基板として
は、Ｔ ａ ％ Ｍ ｏ ｓ Ａ １等の材質の絶縁膜
を形成できるものであればいかなるものでもよい。
次に、本発明の第２の実施例として、強反応性ガス雰囲
気中でエネルギービームを基板に照射し、該基板の表層
部を熔融して、基板内部の特性に影響を与えることなく
、高速度に絶縁膜を形成した例を説明する。
気中でエネルギービームを基板に照射し、該基板の表層
部を熔融して、基板内部の特性に影響を与えることなく
、高速度に絶縁膜を形成した例を説明する。
第２の実施例は、第１の実施例に説明した絶縁膜形成装
置ｌを使用し、同様にＸｅＣｌエキシマレーザ−３のレ
ーザービームａを用いて、０ｓ１０２ガス雰囲気中のシ
リコン基板２に照射した。
置ｌを使用し、同様にＸｅＣｌエキシマレーザ−３のレ
ーザービームａを用いて、０ｓ１０２ガス雰囲気中のシ
リコン基板２に照射した。
シリコン基板２の表層部を溶融するのに必要なエネルギ
ーは、約２６０ｍＪ／−であり、ＸｅＣｌエキシマレー
ザ−３のレーザービームａのシリコン基板２の表面での
反射を考慮しておよそ６５０ｍＪ／ａＪのエネルギーが
あればよく、たとえば１１００ｍＪ／−のエネルギービ
ームの場合には、表層から３４０ｎｍ程度の深さまでが
熔融領域となり、この溶融領域の拡大に伴って酸化速度
も増大している。
ーは、約２６０ｍＪ／−であり、ＸｅＣｌエキシマレー
ザ−３のレーザービームａのシリコン基板２の表面での
反射を考慮しておよそ６５０ｍＪ／ａＪのエネルギーが
あればよく、たとえば１１００ｍＪ／−のエネルギービ
ームの場合には、表層から３４０ｎｍ程度の深さまでが
熔融領域となり、この溶融領域の拡大に伴って酸化速度
も増大している。
この表層部の溶融によって、本実施例の場合は、０３１
０！Ｉガスに含まれる原子である酸素が基板の構成原子
であるシリコンと化学的結合し、酸化シリコンを生成す
る。この場合に、基板表面が溶融することによってシリ
コン原子と酸素原子の結合の機会を増大させるため、単
に加熱することによる酸化シリコン膜形成に比べ短時間
で酸化シリコン膜を形成することができると考える。
０！Ｉガスに含まれる原子である酸素が基板の構成原子
であるシリコンと化学的結合し、酸化シリコンを生成す
る。この場合に、基板表面が溶融することによってシリ
コン原子と酸素原子の結合の機会を増大させるため、単
に加熱することによる酸化シリコン膜形成に比べ短時間
で酸化シリコン膜を形成することができると考える。
尚、強反応性ガスの光分解を可能とするような波長のエ
ネルギービームを照射し、光分解と上述したエネルギー
ビームによる加熱や溶融とを組み合わせて絶縁膜を形成
してもよい。
ネルギービームを照射し、光分解と上述したエネルギー
ビームによる加熱や溶融とを組み合わせて絶縁膜を形成
してもよい。
本発明に係る絶縁膜の形成方法によれば、エネルギービ
ームが基板の表層にのみ吸収されて、この表層部で強反
応性ガスが短時間で反応して絶縁膜を形成するため、基
板の内部を損傷することもなく、かつ高速で均一な絶縁
膜を形成することができる。また、熔融による方法では
、さらに迅速に絶縁膜を形成することができる。
ームが基板の表層にのみ吸収されて、この表層部で強反
応性ガスが短時間で反応して絶縁膜を形成するため、基
板の内部を損傷することもなく、かつ高速で均一な絶縁
膜を形成することができる。また、熔融による方法では
、さらに迅速に絶縁膜を形成することができる。
第１図は本発明の製造方法を具現する製造装置の概略図
であり、第２図は雰囲気をそれぞれ０３１０２ガスと０
２ガスとしたときの絶縁膜の吸収スペクトルの測定デー
タを比較した特性図である。 ｌ・・・絶縁膜形成装置 ２・・・基板（シリコンウェハ） ３・・・ＸｅＣｌエキシマレーザ− ａ・・・レーザービーム（エネルギービーム）特 許
出 願 人 ソニー株式会社代理人 弁理士
小池 見開 田村榮− ｓ１！ｌ１ ％ ２ ｇ 手続ネ甫正書（自発） ■、事件の表示 昭和６０年 特許願 第４０１７５号 ２、発明の名称 絶縁膜の形成方法 ３゜補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称 （２
１８） ソ ニ − 株 式 会 社代表者大賀典雄 ４、代理人 住所 〒１０５東京都港区虎ノ門二丁目６番４号第１１
森ビル１１階 置 （５０Ｂ） ８２６６ Ｆ５自
発 ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ノＩ−一；（ ７、補正の内容 （１）明細書、第２頁第７行目に記載される「エキシマ
レーザ−」を「エキシマレーザ−光」に補正する。 （２）明細書、第２頁第９行目に記載される「短波長レ
ーザー」を「短波長レーザー光」に補正する。 （３）明細書、第８頁第３行目に記載される「（ｐ３）
」を［（μｍ）Ｊに補正する。 （４）明細書、第８頁第７行目に記載される「１３０」
をｒｌ、３Ｊに補正する。 （５）明細書、第９頁第９行目に記載されるｒＧａＡｓ
Ｊの次に［やＩｎＰＪを挿入する。 （６）明細書、第９頁第１１行目に記載される「有害な
砒素」を「有害な砒素や燐」に補正する。 （７） 明細書、第９頁第１２行目に記載される「た
が、基板内部の砒素」を「たが、短時間のうちに酸化を
行うので基板内部の砒素や燐」に補正する。 以上
であり、第２図は雰囲気をそれぞれ０３１０２ガスと０
２ガスとしたときの絶縁膜の吸収スペクトルの測定デー
タを比較した特性図である。 ｌ・・・絶縁膜形成装置 ２・・・基板（シリコンウェハ） ３・・・ＸｅＣｌエキシマレーザ− ａ・・・レーザービーム（エネルギービーム）特 許
出 願 人 ソニー株式会社代理人 弁理士
小池 見開 田村榮− ｓ１！ｌ１ ％ ２ ｇ 手続ネ甫正書（自発） ■、事件の表示 昭和６０年 特許願 第４０１７５号 ２、発明の名称 絶縁膜の形成方法 ３゜補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号名称 （２
１８） ソ ニ − 株 式 会 社代表者大賀典雄 ４、代理人 住所 〒１０５東京都港区虎ノ門二丁目６番４号第１１
森ビル１１階 置 （５０Ｂ） ８２６６ Ｆ５自
発 ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ノＩ−一；（ ７、補正の内容 （１）明細書、第２頁第７行目に記載される「エキシマ
レーザ−」を「エキシマレーザ−光」に補正する。 （２）明細書、第２頁第９行目に記載される「短波長レ
ーザー」を「短波長レーザー光」に補正する。 （３）明細書、第８頁第３行目に記載される「（ｐ３）
」を［（μｍ）Ｊに補正する。 （４）明細書、第８頁第７行目に記載される「１３０」
をｒｌ、３Ｊに補正する。 （５）明細書、第９頁第９行目に記載されるｒＧａＡｓ
Ｊの次に［やＩｎＰＪを挿入する。 （６）明細書、第９頁第１１行目に記載される「有害な
砒素」を「有害な砒素や燐」に補正する。 （７） 明細書、第９頁第１２行目に記載される「た
が、基板内部の砒素」を「たが、短時間のうちに酸化を
行うので基板内部の砒素や燐」に補正する。 以上
Claims (1)
- 強反応性ガスを含む雰囲気中において、基体に吸収され
るエネルギービームを上記基体に照射して、上記基体表
面に上記強反応性ガスに含まれる原子と上記基体の構成
原子とからなる絶縁膜を形成する方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4017585A JPS61199638A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 絶縁膜の形成方法 |
| EP86901517A EP0216933B1 (en) | 1985-02-28 | 1986-02-28 | Method for fabricating an insulating oxide layer on semiconductor substrate surface |
| DE8686901517A DE3680623D1 (de) | 1985-02-28 | 1986-02-28 | Verfahren zur herstellung isolierender oxid-schichten auf einem halbleiterkoerper. |
| PCT/JP1986/000103 WO1986005320A1 (en) | 1985-02-28 | 1986-02-28 | Method and system for fabricating insulating layer on semiconductor substrate surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4017585A JPS61199638A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61199638A true JPS61199638A (ja) | 1986-09-04 |
Family
ID=12573434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4017585A Pending JPS61199638A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61199638A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01154524A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-16 | Fujitsu Ltd | 酸化膜の形成方法 |
| JPH01201924A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 素子分離方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4996300A (ja) * | 1973-01-19 | 1974-09-12 | ||
| JPS5421172A (en) * | 1977-07-18 | 1979-02-17 | Nec Corp | Manufacture for semiconductor device |
| JPS5538068A (en) * | 1978-09-12 | 1980-03-17 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Preparation of semiconductor device |
| JPS5567143A (en) * | 1978-11-15 | 1980-05-21 | Toshiba Corp | Method for manufacturing semiconductor device |
| JPS55105334A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-12 | Mitsubishi Electric Corp | Method for surface treatment |
| JPS57138161A (en) * | 1981-02-20 | 1982-08-26 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS57202738A (en) * | 1981-06-05 | 1982-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5979531A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Hitachi Ltd | 薄膜形成方法 |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP4017585A patent/JPS61199638A/ja active Pending
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