JPS5936980A - セラミック配線基板とその製造方法 - Google Patents
セラミック配線基板とその製造方法Info
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- JPS5936980A JPS5936980A JP58120362A JP12036283A JPS5936980A JP S5936980 A JPS5936980 A JP S5936980A JP 58120362 A JP58120362 A JP 58120362A JP 12036283 A JP12036283 A JP 12036283A JP S5936980 A JPS5936980 A JP S5936980A
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- ceramic
- light emitting
- wiring
- film
- light
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- Pending
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0112—Absorbing light, e.g. dielectric layer with carbon filler for laser processing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発光表示装置等に用いられる、セラミック基板
−ヒに配線層を形成したセラミック配線基板１％に黒色
セラミック層を有するセラミック配線基板に関する。
−ヒに配線層を形成したセラミック配線基板１％に黒色
セラミック層を有するセラミック配線基板に関する。
この数年間固体発光表示装置が真空管よりなる表示管に
代わって使用される傾向にあり、その需要嵐は年々窄加
している。またその種類も多いがその一つとしてセラミ
ック基板上に配線層を形成したセラミック配線基板に発
光素子を接続してその各市１＠Ａと配線層とを金線等で
接続したものが矧られている。この柚の発光表示装置は
ガリウム・ヒ素の金員間化合物よりなる発光ダイオード
を８の字形に組合わせ複数組として使用すれば勧めて小
型に製造でき、多層配線を利用することで複雑な内部配
線を形成することができる。
代わって使用される傾向にあり、その需要嵐は年々窄加
している。またその種類も多いがその一つとしてセラミ
ック基板上に配線層を形成したセラミック配線基板に発
光素子を接続してその各市１＠Ａと配線層とを金線等で
接続したものが矧られている。この柚の発光表示装置は
ガリウム・ヒ素の金員間化合物よりなる発光ダイオード
を８の字形に組合わせ複数組として使用すれば勧めて小
型に製造でき、多層配線を利用することで複雑な内部配
線を形成することができる。
しかしながら従来このようなセラミック配線基板を用い
た表示装置において基板となるセラミックは普通白色で
あるために、発光時に素子とのコントラストが弱くなり
、また発光部以外に金メッキされた配線膜が見えるため
に表示がはっきりしない欠点があった。
た表示装置において基板となるセラミックは普通白色で
あるために、発光時に素子とのコントラストが弱くなり
、また発光部以外に金メッキされた配線膜が見えるため
に表示がはっきりしない欠点があった。
発光表示装置は一般に明るい場所で使用するものであり
１点滅だけが表示の目的ではなく例えば数字をはっきり
読み取り得るように表示することも必要であり、それに
対して現在用いられている発光素子は充分に強い光を有
しないので上記欠点が大きな問題となっていた。そこで
１発光素子部分のツノ打ち抜かれた枠体を設ける試みが
なされているが、ａｔ！！浩工程が増加し材料の使用ば
か多くなる欠点がル）ったっまた、表示部分に発光色に
あわせた着色フィルターを設け１発光Ｉ−ないときは表
示部と下地のセラミックとの区別をつかないような構造
のものが提案されているが、この構造のものは発光時に
フィルターにより光が吸収され１発光部と下地とのコン
トラストが小さくて見えにくい等の問題がル）った。
１点滅だけが表示の目的ではなく例えば数字をはっきり
読み取り得るように表示することも必要であり、それに
対して現在用いられている発光素子は充分に強い光を有
しないので上記欠点が大きな問題となっていた。そこで
１発光素子部分のツノ打ち抜かれた枠体を設ける試みが
なされているが、ａｔ！！浩工程が増加し材料の使用ば
か多くなる欠点がル）ったっまた、表示部分に発光色に
あわせた着色フィルターを設け１発光Ｉ−ないときは表
示部と下地のセラミックとの区別をつかないような構造
のものが提案されているが、この構造のものは発光時に
フィルターにより光が吸収され１発光部と下地とのコン
トラストが小さくて見えにくい等の問題がル）った。
本発明は上記問題を解消するためなされたもので、その
一つの目的は表示部において下地を黒色となして表示効
果のすぐれたセラミック配線基板を８Ａ供することにあ
り、他の目的は上記セラεツク配線基板の製造方法を提
供することにある。
一つの目的は表示部において下地を黒色となして表示効
果のすぐれたセラミック配線基板を８Ａ供することにあ
り、他の目的は上記セラεツク配線基板の製造方法を提
供することにある。
以下本発明を実施例により詳細に説明する。
第１図は本発明に従った一層配線のセラミック配線基板
を用いた発光表示装置を示す斜視図、第２図はその断面
図である。
を用いた発光表示装置を示す斜視図、第２図はその断面
図である。
■は発光表示装置の支持基板となるセラミック基板（厚
さ０．５〜１．５關）で、焼結された状態では白色が普
通である。２は配線金属膜（膜厚１０〜２０μ）で上記
セラミック基板１上に形成されている。この配線金Ｗ＆
膜２は一部においてその上に取付けられた発光素子基板
およびその電極に接続し１発光素子間相互を配線し、ま
たその外端部２ｂは露出し゛Ｃ外部接続端子となるもの
で、これらはタングステン、モリブデン、タンタル等の
高融点金属焼結体よりなり表面は錆、接着性の改善等の
ため金メッキされている、３は黒色アルミナ絶縁物で、
配線金属膜２を保護すると同時に発光部分とのコントラ
ストを強くし得るように黒色を有する。この黒色アルミ
ナ絶縁物３はセラミック材料であるアルミナ（Ａ−ｇｔ
Ｏｓ ）を主体とし、これにシリカ（ＳｉＯ□ ）、−
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び黒色化材として、二酸
化チタン（Ｔ ｒ ０２）を添加したものを印燭的手段
により形成し１Ｍ元雰囲気中で焼結して黒色に変化させ
たものである。
さ０．５〜１．５關）で、焼結された状態では白色が普
通である。２は配線金属膜（膜厚１０〜２０μ）で上記
セラミック基板１上に形成されている。この配線金Ｗ＆
膜２は一部においてその上に取付けられた発光素子基板
およびその電極に接続し１発光素子間相互を配線し、ま
たその外端部２ｂは露出し゛Ｃ外部接続端子となるもの
で、これらはタングステン、モリブデン、タンタル等の
高融点金属焼結体よりなり表面は錆、接着性の改善等の
ため金メッキされている、３は黒色アルミナ絶縁物で、
配線金属膜２を保護すると同時に発光部分とのコントラ
ストを強くし得るように黒色を有する。この黒色アルミ
ナ絶縁物３はセラミック材料であるアルミナ（Ａ−ｇｔ
Ｏｓ ）を主体とし、これにシリカ（ＳｉＯ□ ）、−
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び黒色化材として、二酸
化チタン（Ｔ ｒ ０２）を添加したものを印燭的手段
により形成し１Ｍ元雰囲気中で焼結して黒色に変化させ
たものである。
ＴｌＯ２を還元した場合還元が不完全なためチタンがイ
オン化して格子欠陥により光の吸収が起って黒色に見え
るのであると考えられる。セラミック成分に対してＴ
ｉ Ｏ２を増加させるほど黒色化するが、ある稈度以上
になると黒さはほぼ一定となる。
オン化して格子欠陥により光の吸収が起って黒色に見え
るのであると考えられる。セラミック成分に対してＴ
ｉ Ｏ２を増加させるほど黒色化するが、ある稈度以上
になると黒さはほぼ一定となる。
４は金属配線の露出部−「なわちボンディング部にメッ
キにより形成された金薄膜、５は発ｙＣ素子瓜 で−Ｊ’−Ｖ族金属間化合物を主体とする発光ダイオー
ドからなり１発光時の色は赤色または緑色である。６は
コネクタ線で１発光素子５の電険と金属配線膜２とを）
Ｆ続するためのものである。
キにより形成された金薄膜、５は発ｙＣ素子瓜 で−Ｊ’−Ｖ族金属間化合物を主体とする発光ダイオー
ドからなり１発光時の色は赤色または緑色である。６は
コネクタ線で１発光素子５の電険と金属配線膜２とを）
Ｆ続するためのものである。
この発光表示装置は、発光素子５苓・８の字型に若干の
ＦＪ記的部分を加えた形に配置し、外部接続端子からの
入力信号により任意の数字が表示されるようになってい
る。
ＦＪ記的部分を加えた形に配置し、外部接続端子からの
入力信号により任意の数字が表示されるようになってい
る。
この実施例においては配線層２を単層とした場合につい
て説明したが、数字桁が多い発光表示装置の場合−′Ｐ
複雑な文字を表示する表示装置に適用する場合において
は、内部配線が働めて複雑となるために多層配線として
組立てられる。□第３図は本発明の他の実施例に従った
多層配線のセラミック配線基板を用いた発光表示装置に
適用した場合を示し、その場合下層、中層の絶縁層は黒
色成分を含まないセラミック材によって形成される。
て説明したが、数字桁が多い発光表示装置の場合−′Ｐ
複雑な文字を表示する表示装置に適用する場合において
は、内部配線が働めて複雑となるために多層配線として
組立てられる。□第３図は本発明の他の実施例に従った
多層配線のセラミック配線基板を用いた発光表示装置に
適用した場合を示し、その場合下層、中層の絶縁層は黒
色成分を含まないセラミック材によって形成される。
つぎに単層の配線を有するセラミック配線基板を製造す
る場合の態様を第４図について工程順に説明する。
る場合の態様を第４図について工程順に説明する。
ｔａｌ グリーン・シート状の生セラミツク基板１（
厚さ０．５〜１２酊）上に、タングステン、モリブデン
、タンタル等の高融点金員ペーストを印刷して配線金属
膜２を形成し、約８０Ｃ内外の温度で配線金属膜２を乾
燥させる。
厚さ０．５〜１２酊）上に、タングステン、モリブデン
、タンタル等の高融点金員ペーストを印刷して配線金属
膜２を形成し、約８０Ｃ内外の温度で配線金属膜２を乾
燥させる。
ｔｂｌ 次にＴｉＯ２を数重撤％程度含有するアルミ
ナペーストを印刷して、８００程度の温度で乾燥するこ
とにより絶縁層３を形成する。上記絶縁層３が形成され
る部分は１発光素子と配線金属膜２におけるボンディン
グ部、外部接続端子部とを除くすべての部分の表面であ
る。
ナペーストを印刷して、８００程度の温度で乾燥するこ
とにより絶縁層３を形成する。上記絶縁層３が形成され
る部分は１発光素子と配線金属膜２におけるボンディン
グ部、外部接続端子部とを除くすべての部分の表面であ
る。
なお、多層配線の場合は配線金属膜２と絶縁層３の形成
を交互に繰返丁が、その場合下層の絶縁ノ鹸はｉ” ｉ
０．等の黒色化成分を＠寸ない普通のセラミック材料
を使用する。
を交互に繰返丁が、その場合下層の絶縁ノ鹸はｉ” ｉ
０．等の黒色化成分を＠寸ない普通のセラミック材料
を使用する。
配線金属膜２、絶縁層３の形成後、チッ素ガス。
或いは゛水素ガス等の還元雰囲気中で、温度１６００Ｃ
以上にて焼結処理する。この処理によってセラミック、
金属は一体に焼結されるがＴｉＯ□を台む絶縁ｊ−３に
おいて′ｒ１０□が還元され、イオン化して黒色化する
。
以上にて焼結処理する。この処理によってセラミック、
金属は一体に焼結されるがＴｉＯ□を台む絶縁ｊ−３に
おいて′ｒ１０□が還元され、イオン化して黒色化する
。
（ｃｌ 配線金縞膜２の露出部分に防錆およびポンデ
ィング性向」二のために金メッキ４を施工っ＋（１１配
線金属膜２上の所定の部分に発光素子５を接続する。
ィング性向」二のために金メッキ４を施工っ＋（１１配
線金属膜２上の所定の部分に発光素子５を接続する。
ｔｅｌ Ｍ後に発光素子５の電＠８をコネクタ線６を
介して対応する配線金蝙膜２のボンディング笥Ｓに接続
して装置は完成する。
介して対応する配線金蝙膜２のボンディング笥Ｓに接続
して装置は完成する。
なお、配線金ＰＡ膜上のボンディング部分は黒色化され
ないが、それは陰めて微小な部分であり表示の際問題と
ならない。
ないが、それは陰めて微小な部分であり表示の際問題と
ならない。
以上説明したごとく本発明のセラミック配線基板を用い
れば１発ｙｔ動作時に表示部において黒いバックに対し
発光部分のコントラストが大で有効な表示のでさる発光
表示装置が得られる。また黒色の度合は、絶縁ペースト
に混入するＴ ｉ Ｏ２の割合により任意に側副でき、
混入の割合が多いほど黒色度が強くなる。
れば１発ｙｔ動作時に表示部において黒いバックに対し
発光部分のコントラストが大で有効な表示のでさる発光
表示装置が得られる。また黒色の度合は、絶縁ペースト
に混入するＴ ｉ Ｏ２の割合により任意に側副でき、
混入の割合が多いほど黒色度が強くなる。
図面はすべ°Ｃ本発明の実施例を示し、第１図は本発明
のセラミック配線基板を用いた発光表示装置の斜視図、
第２図は一層配線を有するセラミソのセラミック配線基
板の製造工程を工程順に示す断面図である。 １・・・セラミック基板、２・・・配線金ＩＩ４膜、３
・・・絶縁層（黒色アルミナ）、４・・・金＃膜、５・
・・発光素子、６・・・コネクタ線。 第 １ 図 ？ 第 ２ 図
のセラミック配線基板を用いた発光表示装置の斜視図、
第２図は一層配線を有するセラミソのセラミック配線基
板の製造工程を工程順に示す断面図である。 １・・・セラミック基板、２・・・配線金ＩＩ４膜、３
・・・絶縁層（黒色アルミナ）、４・・・金＃膜、５・
・・発光素子、６・・・コネクタ線。 第 １ 図 ？ 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 白色セラミック基板の一生面上に選択的に形成され
た導体層と、上記導体層の少なくとも一部を露出するよ
うに、上記白色セラミック基板の一主面を置っ−Ｃ形゛
成された黒色セラミック層とからなることを特徴とする
セラミック配線基板。 ２ 基板上にグリーンセラミックを印Ａ６す的手段によ
り塗布して金属配＃ｊ！膜および絶縁層を交互に形成し
、次にり２なくとも配線層が形成された基板表面上に酸
化し易い金属の酸化物を含むセラミック材料よりなる絶
縁層を印刷的手段により部分的に形成し、その後還元零
１２Ｈ気中にて焼結処理することを特徴とするセラミッ
ク配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58120362A JPS5936980A (ja) | 1983-07-04 | 1983-07-04 | セラミック配線基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58120362A JPS5936980A (ja) | 1983-07-04 | 1983-07-04 | セラミック配線基板とその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP47018038A Division JPS5748869B2 (ja) | 1972-02-23 | 1972-02-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5936980A true JPS5936980A (ja) | 1984-02-29 |
Family
ID=14784316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58120362A Pending JPS5936980A (ja) | 1983-07-04 | 1983-07-04 | セラミック配線基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936980A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014072520A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Lg Innotek Co Ltd | 発光装置 |
-
1983
- 1983-07-04 JP JP58120362A patent/JPS5936980A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014072520A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Lg Innotek Co Ltd | 発光装置 |
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