JPS593952A - アルミニウム配線層の形成方法 - Google Patents
アルミニウム配線層の形成方法Info
- Publication number
- JPS593952A JPS593952A JP11151882A JP11151882A JPS593952A JP S593952 A JPS593952 A JP S593952A JP 11151882 A JP11151882 A JP 11151882A JP 11151882 A JP11151882 A JP 11151882A JP S593952 A JPS593952 A JP S593952A
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- JP
- Japan
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- aluminum
- semiconductor substrate
- wiring layer
- ultrafine particles
- ultrafine
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ＩＩ 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造におけるアルミニウム配線層
の形成方法に関するものである。
の形成方法に関するものである。
（２）従来技術と問題点
ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置の相互配線は一般にアルミ
ニウム（ＡＬ）でもって半導体装置製造工程での最終工
程に近いところで形成されている。
ニウム（ＡＬ）でもって半導体装置製造工程での最終工
程に近いところで形成されている。
この配線形成がアルミニウムの真空蒸着又はスパッタに
よって行なわれるわけであるが、半導体基板の表面は様
々な工程をへていくごとに凹凸の段差が形成されている
ので、その段差部分にてアルミニウムの蒸着膜又はスパ
ッタ膜が薄くなったシ段切れを庄じζい、その結果とし
て、相互配線の断線が生じることもあシ、歩留ｐ低下の
原因となっている。
よって行なわれるわけであるが、半導体基板の表面は様
々な工程をへていくごとに凹凸の段差が形成されている
ので、その段差部分にてアルミニウムの蒸着膜又はスパ
ッタ膜が薄くなったシ段切れを庄じζい、その結果とし
て、相互配線の断線が生じることもあシ、歩留ｐ低下の
原因となっている。
（３）発明の目的
本発明の目的は、半導体基板表面の凹凸段差部にて段切
れの生じないアルミニウム膜を形成する方法を提案し、
段差に起因する配線の断線を防止することである。
れの生じないアルミニウム膜を形成する方法を提案し、
段差に起因する配線の断線を防止することである。
（４）発明の構成
上述の目的が、アルミニウムの超微粒子を低圧の不活性
雰囲気中で生成し、この雰囲気中で水平方向に振動させ
た段差表面を有する半導体基板上に堆積し、次に１００
ないし４００℃の＠度への加熱によって堆積した超微粒
子を溶融し冷却してアルミニウム膜を形成することから
なるアルミニウム配線層の形成方法を提供することによ
って達成される。
雰囲気中で生成し、この雰囲気中で水平方向に振動させ
た段差表面を有する半導体基板上に堆積し、次に１００
ないし４００℃の＠度への加熱によって堆積した超微粒
子を溶融し冷却してアルミニウム膜を形成することから
なるアルミニウム配線層の形成方法を提供することによ
って達成される。
アノシミニウムの超微粒子はガス蒸発法によって粒径Ｉ
ＯないしＪＵＵｎｍのものが不活性ガスの圧力（１ない
し５０ ’ｌ’ｏｒｒ ）下で得られる（例えば、斉藤
弥へ：技術ノート（超微粒子の製法）金属微粒子、応用
物理、第５０巻、第２号（１９８３）、ｐｐ、 Ｉ ４
９−１５０参照）。
ＯないしＪＵＵｎｍのものが不活性ガスの圧力（１ない
し５０ ’ｌ’ｏｒｒ ）下で得られる（例えば、斉藤
弥へ：技術ノート（超微粒子の製法）金属微粒子、応用
物理、第５０巻、第２号（１９８３）、ｐｐ、 Ｉ ４
９−１５０参照）。
（５） 発明の実施態様
以下０本発明の笑施態様例を図面を参照して説明する。
アルミニウム膜を形成すべき半導体基板を搭載する振動
支持台を公知の超微粒子製造装置に組込んでアルミニウ
ム膜形成装置（図示せず）とする。
支持台を公知の超微粒子製造装置に組込んでアルミニウ
ム膜形成装置（図示せず）とする。
アルミニウムの超微粒子を生成するために、蒸発室を１
０”−’Ｔｏｒｒ’Ｅで威圧し、不活性ガス（Ｈｅ、Ａ
ｒ又はＸｅ）を１ないし５０ Ｔｏｒｒの圧力まで導入
し、そして、高純度のアルミニウム＃（ソース）全加熱
して粒径が１０ないしｌ Ｕ Ｏｎｍの超微粒子を生成
する。この超微粒子１を振動支持台２（第１図）に搭載
した半導体基板３上に堆積させるわけて必るが、その際
Ｖこ振動支持台２を０．１〜Ｉ ＫＨ２の振動数で、０
．１和り、下の振動幅にて水平方向に振動させて半導体
基板３上の四部４内に超微粒子を集めるようにする。こ
の凹部４は、例えば、半導体基＆３のＳｉＯ□などの絶
縁−５に設けられたコンタクトホールであって、シリコ
ンウェハ６又は配線層（図示せず）が凹所４の底となっ
ている。
０”−’Ｔｏｒｒ’Ｅで威圧し、不活性ガス（Ｈｅ、Ａ
ｒ又はＸｅ）を１ないし５０ Ｔｏｒｒの圧力まで導入
し、そして、高純度のアルミニウム＃（ソース）全加熱
して粒径が１０ないしｌ Ｕ Ｏｎｍの超微粒子を生成
する。この超微粒子１を振動支持台２（第１図）に搭載
した半導体基板３上に堆積させるわけて必るが、その際
Ｖこ振動支持台２を０．１〜Ｉ ＫＨ２の振動数で、０
．１和り、下の振動幅にて水平方向に振動させて半導体
基板３上の四部４内に超微粒子を集めるようにする。こ
の凹部４は、例えば、半導体基＆３のＳｉＯ□などの絶
縁−５に設けられたコンタクトホールであって、シリコ
ンウェハ６又は配線層（図示せず）が凹所４の底となっ
ている。
なお、振動支持台２はｔ【磁石を利用するなどの公知の
振動子Ｌｉによって振動させることができる。
振動子Ｌｉによって振動させることができる。
アルミニウム超微粒子の堆積を上述した振動を与えなが
ら１続してほぼ平坦な所定厚さの超微粒子層７（第２図
１）を凹凸表面の半導体基板３上に形成する。
ら１続してほぼ平坦な所定厚さの超微粒子層７（第２図
１）を凹凸表面の半導体基板３上に形成する。
次に、超微粒子層を溶融してアルミニウム膜８（第３図
）とするために１００ないし４００℃の温度への加熱処
理を行なう。この加熱処理は例えば振動支持台にニクロ
ム線などの電熱線を配置して抵抗加熱によりおこなう。
）とするために１００ないし４００℃の温度への加熱処
理を行なう。この加熱処理は例えば振動支持台にニクロ
ム線などの電熱線を配置して抵抗加熱によりおこなう。
加熱処理後冷却してから半導体基板３をアルミニウム膜
形成装置から取出す。金属超微粒子はその材料の融点と
比べて極めて低温にて溶融する特色がある（例えば寺倉
清之二表面融解、日本物理学会誌、Ｉ！３７巻、第２号
（１９８２）、１）Ｉ）、 １４８参照）、アルミニウ
ム配線をオミソクコンタクトとするために４００℃相度
の温度にてアニールすることが望ましい。
形成装置から取出す。金属超微粒子はその材料の融点と
比べて極めて低温にて溶融する特色がある（例えば寺倉
清之二表面融解、日本物理学会誌、Ｉ！３７巻、第２号
（１９８２）、１）Ｉ）、 １４８参照）、アルミニウ
ム配線をオミソクコンタクトとするために４００℃相度
の温度にてアニールすることが望ましい。
超微粒子を溶融状態にしてそのまま４００’Ｃまで加熱
するとアルミニウムとシリコン基＆ノシリコンとの合金
化が進むので、なるべく低い温度にて溶融化・しそして
冷却凝固したアルミニウム膜をアニールすることが望ま
しい。
するとアルミニウムとシリコン基＆ノシリコンとの合金
化が進むので、なるべく低い温度にて溶融化・しそして
冷却凝固したアルミニウム膜をアニールすることが望ま
しい。
上述した超微粒子の堆積および加熱処理は、アルミニウ
ムの酸化を防止するために、超微粒子生成時の低圧不活
性ガス雰囲気中にそ行なう。
ムの酸化を防止するために、超微粒子生成時の低圧不活
性ガス雰囲気中にそ行なう。
このように形成したアルミニウム膜を従来と同様にホト
エツチングして所足の配線パターンを形成する。
エツチングして所足の配線パターンを形成する。
（６）発明の詳細
な説明したように、本発明に係る方法によって形成され
たアルミニウム膜は第３図に示すように段差部にて薄く
なったシ段切れが生じることはないので、配線の断線は
生じない。したがって、相互配線の歩留りが向上して製
品歩留りが良くなる。
たアルミニウム膜は第３図に示すように段差部にて薄く
なったシ段切れが生じることはないので、配線の断線は
生じない。したがって、相互配線の歩留りが向上して製
品歩留りが良くなる。
第１図は、振動している半導体基板上へのアルミニウム
超微粒子の堆積を示す概略断面図であり、第２図は、堆
積し九アルミニウムの超微粒子層を示す概略断面図であ
り、 第３図は１本発明の方法によって形成したアルミニウム
膜を示す概略断面図である。 １・・・・・・アルミニウムの超微粒子、２・・・・・
・振動支持台、３・・・・・・半導体基板、４・・・・
・・凹部、７・・・・・・超微粒子層、８・・・・・・
アルミニウム膜。 特杵出願人 富士通株式会社 叫・許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之
超微粒子の堆積を示す概略断面図であり、第２図は、堆
積し九アルミニウムの超微粒子層を示す概略断面図であ
り、 第３図は１本発明の方法によって形成したアルミニウム
膜を示す概略断面図である。 １・・・・・・アルミニウムの超微粒子、２・・・・・
・振動支持台、３・・・・・・半導体基板、４・・・・
・・凹部、７・・・・・・超微粒子層、８・・・・・・
アルミニウム膜。 特杵出願人 富士通株式会社 叫・許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士 西 舘 和 之 弁理士 内 １）幸 男 弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- １、アルミニウムの超微粒子を低圧の不活性雰囲気中で
生成し、との雰囲気中で水平方向に振動させた段差表面
を有する半導体基板上に堆積し、次に１００ないし４０
０℃の温度への加熱によって堆積した超微粒子を溶融し
冷却してアルミニウム膜を前記半導体基板上に形成する
ことからなるアルミニウム配線層の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11151882A JPS593952A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | アルミニウム配線層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11151882A JPS593952A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | アルミニウム配線層の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593952A true JPS593952A (ja) | 1984-01-10 |
| JPH0254658B2 JPH0254658B2 (ja) | 1990-11-22 |
Family
ID=14563346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11151882A Granted JPS593952A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | アルミニウム配線層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593952A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63208244A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01298169A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Tokyo Electron Ltd | 膜形成方法 |
| JPH1197392A (ja) * | 1997-09-16 | 1999-04-09 | Ebara Corp | 微細窪みの充填方法及び装置 |
| WO2001027983A1 (en) * | 1999-10-15 | 2001-04-19 | Ebara Corporation | Method and apparatus for forming interconnection |
| JP2006519493A (ja) * | 2003-02-07 | 2006-08-24 | ナノ クラスター デバイシス リミテッド | テンプレートでクラスタが集合した線 |
| JP4578755B2 (ja) * | 2000-05-02 | 2010-11-10 | 日揮触媒化成株式会社 | 集積回路の製造方法 |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11151882A patent/JPS593952A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63208244A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01298169A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Tokyo Electron Ltd | 膜形成方法 |
| JPH1197392A (ja) * | 1997-09-16 | 1999-04-09 | Ebara Corp | 微細窪みの充填方法及び装置 |
| WO2001027983A1 (en) * | 1999-10-15 | 2001-04-19 | Ebara Corporation | Method and apparatus for forming interconnection |
| US6730596B1 (en) | 1999-10-15 | 2004-05-04 | Ebara Corporation | Method of and apparatus for forming interconnection |
| JP4578755B2 (ja) * | 2000-05-02 | 2010-11-10 | 日揮触媒化成株式会社 | 集積回路の製造方法 |
| JP2006519493A (ja) * | 2003-02-07 | 2006-08-24 | ナノ クラスター デバイシス リミテッド | テンプレートでクラスタが集合した線 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0254658B2 (ja) | 1990-11-22 |
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