JPS63208244A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63208244A JPS63208244A JP4188287A JP4188287A JPS63208244A JP S63208244 A JPS63208244 A JP S63208244A JP 4188287 A JP4188287 A JP 4188287A JP 4188287 A JP4188287 A JP 4188287A JP S63208244 A JPS63208244 A JP S63208244A
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Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にプラズマ窒
化膜を層間絶縁膜とする多層アルミ配線の形成方法に関
する。
化膜を層間絶縁膜とする多層アルミ配線の形成方法に関
する。
アルミ多層配線半導体装置の層間絶縁膜には、通常、シ
リコンの酸化膜（Ｓｔｏｗ）および窒化膜（Ｓｉ３Ｎ、
）または燐硅酸ガラス膜（ＰＳＧ）などが用いられるが
、信頼性が特に問題となる装置では耐湿性の高いプラズ
マＣＶＤ窒化膜が多用される。
リコンの酸化膜（Ｓｔｏｗ）および窒化膜（Ｓｉ３Ｎ、
）または燐硅酸ガラス膜（ＰＳＧ）などが用いられるが
、信頼性が特に問題となる装置では耐湿性の高いプラズ
マＣＶＤ窒化膜が多用される。
〔発明が解決しようとする問題点）
このプラズマＣＶＤ窒化膜は成長温度が３００℃以下と
比較的低く膜質もすぐれているので半導体装置の信頼性
を著しく向上せしめるが、その一方では半導体装置の製
造過程においてアルミ配線導体に１アルミ消失”を生じ
るなど信頼性上きわめて重大な障害をしばしば起こす。
比較的低く膜質もすぐれているので半導体装置の信頼性
を著しく向上せしめるが、その一方では半導体装置の製
造過程においてアルミ配線導体に１アルミ消失”を生じ
るなど信頼性上きわめて重大な障害をしばしば起こす。
この１アルミ消失”現象はアロイまたは組立工程などに
おける熱処理によって生じるもので熱処理温度が４００
℃を超えると著しく発生し易くなシアルミ配線を局所的
に空洞化して断線鷹たはスルー・ホール部のオープン事
故をひき起こす。
おける熱処理によって生じるもので熱処理温度が４００
℃を超えると著しく発生し易くなシアルミ配線を局所的
に空洞化して断線鷹たはスルー・ホール部のオープン事
故をひき起こす。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、多層アルミ配線導
体に１アルミ消失”を生じることなき半導体装置の製造
方法を提供することである。
体に１アルミ消失”を生じることなき半導体装置の製造
方法を提供することである。
本発明によれば、半導体装置の製造方法は、プラズマ窒
化膜を層間絶縁膜として多層アルミ配線を形成する多層
配線形成工程の熱処理温度が４００℃を超えない範囲に
制御されることを含む。
化膜を層間絶縁膜として多層アルミ配線を形成する多層
配線形成工程の熱処理温度が４００℃を超えない範囲に
制御されることを含む。
すなわち、本発明によれば、アルミ多層配線形成時にお
けるアロイ等の熱処理温度は従来性なわれる４５０〜５
００℃よシ遥るかに低い４００’Ｃを超えない範囲に制
御される。
けるアロイ等の熱処理温度は従来性なわれる４５０〜５
００℃よシ遥るかに低い４００’Ｃを超えない範囲に制
御される。
熱処理温度が４００℃を超えない範囲では層間絶縁膜が
プラズマＣＶＤ窒化膜で形成されている場合でも層間絶
縁膜からアルミ配線に加わる機械的応力その他の障害は
著しく軽減され“アルミ消失“による不良発生率が極端
に減少することが実験により立証される。以下図面を参
照して本発明の詳細な説明する。
プラズマＣＶＤ窒化膜で形成されている場合でも層間絶
縁膜からアルミ配線に加わる機械的応力その他の障害は
著しく軽減され“アルミ消失“による不良発生率が極端
に減少することが実験により立証される。以下図面を参
照して本発明の詳細な説明する。
〔実施例〕
第１図および第２図はそれぞれ本発明の効果を示す一つ
の実験データ図および実験に用いた半導体装置の多層ア
ルミ配線部の断面図である。第１図は試料数６００個に
対するアロイ熱処理温度と良品個数との関係を示し斜線
を付した４００℃を超えない範囲が本発明の熱処理領域
、また、これを超える４５０〜５００℃の範囲が従来方
法の熱処理領域である。実験に用いた半導体装置の配線
部は第２図に示すように、半導体基板１と、フィールド
絶縁膜２と、第１層アルミ配線３と、シリカ塗布膜４か
らなる第１の層間絶縁膜と、プラズマＣＶＤ窒化膜５か
らなる第２の層間絶縁膜と、第２層アルミ配線６と、プ
ラズマＣＶＤ窒化膜７からなるカバー絶縁膜とを含む。
の実験データ図および実験に用いた半導体装置の多層ア
ルミ配線部の断面図である。第１図は試料数６００個に
対するアロイ熱処理温度と良品個数との関係を示し斜線
を付した４００℃を超えない範囲が本発明の熱処理領域
、また、これを超える４５０〜５００℃の範囲が従来方
法の熱処理領域である。実験に用いた半導体装置の配線
部は第２図に示すように、半導体基板１と、フィールド
絶縁膜２と、第１層アルミ配線３と、シリカ塗布膜４か
らなる第１の層間絶縁膜と、プラズマＣＶＤ窒化膜５か
らなる第２の層間絶縁膜と、第２層アルミ配線６と、プ
ラズマＣＶＤ窒化膜７からなるカバー絶縁膜とを含む。
ここで、ＰおよびＱはそれぞれ第２層アルミ配線６に生
じた１アルミ消失部”で、第１図縦軸の良品個数は試料
数６００個のうちこれら６アルミ消失部”Ｐ、Ｑの何れ
をも発生せずに製造された個数である。
じた１アルミ消失部”で、第１図縦軸の良品個数は試料
数６００個のうちこれら６アルミ消失部”Ｐ、Ｑの何れ
をも発生せずに製造された個数である。
第１図から明らかなように、本発明の製造方法によれば
９５％以上の歩溜シを得られるに対し従来の製造方法に
よるときは９０％を超えることができず悪いときには８
０％にまで低下する。従来アロイ等の熱処理温度は通常
４５０〜５００℃を普通として来たが４００℃以下でも
充分であり信頼性上特に問題となることはない。
９５％以上の歩溜シを得られるに対し従来の製造方法に
よるときは９０％を超えることができず悪いときには８
０％にまで低下する。従来アロイ等の熱処理温度は通常
４５０〜５００℃を普通として来たが４００℃以下でも
充分であり信頼性上特に問題となることはない。
以上詳ａＫ説明したように、本発明によれば、多層アル
ミ配線の形成工程における熱処理温度を４００℃を超え
ない範囲に制御することにょシアルミ配線の１アルミ消
失”問題を効果的に解決し得るので、アルミ多層配線半
導体装置の信頼性および製造歩溜りの向上に顕著なる効
果を奏することができる。
ミ配線の形成工程における熱処理温度を４００℃を超え
ない範囲に制御することにょシアルミ配線の１アルミ消
失”問題を効果的に解決し得るので、アルミ多層配線半
導体装置の信頼性および製造歩溜りの向上に顕著なる効
果を奏することができる。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の効果を示す一つ
の実験データ図および実験に用いた半導体装置の多層ア
ルミ配線部の断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・フィールド
絶縁、３・・・・・・第１層アルミ配線、４・・・・・
・シリカ塗布膜、５゜７・・・・・・プラズマＣＶＤ窒
化膜、６・・・・・・第２層アルミ配線、Ｐ、Ｑ・・・
・・・アルミ消失部。 ４−Ｐ押入 妻押キ カ 百 ネ゛可≦）Ｗ２
回
の実験データ図および実験に用いた半導体装置の多層ア
ルミ配線部の断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・フィールド
絶縁、３・・・・・・第１層アルミ配線、４・・・・・
・シリカ塗布膜、５゜７・・・・・・プラズマＣＶＤ窒
化膜、６・・・・・・第２層アルミ配線、Ｐ、Ｑ・・・
・・・アルミ消失部。 ４−Ｐ押入 妻押キ カ 百 ネ゛可≦）Ｗ２
回
Claims (1)
- プラズマ窒化膜を層間絶縁膜として多層アルミ配線を形
成する多層配線形成工程を有する半導体装置の製造方法
において、前記多層配線形成工程の熱処理温度が４００
℃を超えない範囲に制御されることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4188287A JPS63208244A (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4188287A JPS63208244A (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63208244A true JPS63208244A (ja) | 1988-08-29 |
Family
ID=12620646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4188287A Pending JPS63208244A (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63208244A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593952A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | アルミニウム配線層の形成方法 |
| JPS60119755A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | Nec Corp | 多層配線半導体集積回路装置 |
-
1987
- 1987-02-24 JP JP4188287A patent/JPS63208244A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS593952A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | アルミニウム配線層の形成方法 |
| JPS60119755A (ja) * | 1983-12-01 | 1985-06-27 | Nec Corp | 多層配線半導体集積回路装置 |
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