JPS5940548A - 半導体集積回路におけるプログラミング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体集積回路にレーザ光を照射して処理を行
う方法に係り、特にレーザ光により半導体集積回路内の
配線を接続、あるいは切断する方法、およびその対象と
なる半導体集積回路に関するものである。

集積回路内の配線の一部を切断または接続（短絡）する
ことにより、製作源の集積回路チップにプログラム（回
路変更）を行うことができる。従来、このプログラム（
回路変更）は、例えば読み出し専用メモＩＪ　（ＲＯＭ
　）のプログラム、あるいは最近ではメモリ素子の欠陥
セルの救済に利用されている。これらの従来法として（
１）　　レーザにより外部から光学的にエネルギを与え
てＰｏ１ｙ　−ＳｉあるいはＭ、ニクロム等の配線の特
定部を切断する。

（２）　　レーザにより外部から光学的にエネルギを与
えて、即ちｐｏｌｙ　−Ｓｉ配線（低抵抗部）の一部に
設けられた高抵抗部（不純物が何もドープされていなく
ても良い）とその周辺部にレーザを照射して高抵抗部を
低抵抗化することより接続する。

が知られている。

いずれの方法でも、　ＲＯＭ等の場合には、あらかじめ
決められた部分、欠陥セルの救済に利用する場合にはメ
モリテスタ等での試験結果から決まる部分Ｋ、あらかじ
め設定された条件、即ち一定のレーザ・パワーおよび一
定のノくルス数を照射して、切断、接続等の処理を行っ
ている。

しかし、一般的にはレーザが照射される部分であるｐｏ
ｌｙ　−Ｓｉ　、　Ａｌ　、ニクロム等で形成された配
線は、Ｓｔ　Ｏ２、７’　ＳＧ（リンガラス）　、　、
５ｚ、Ａ’、　、　ＳｔＯ等の単層あるいはそれらの複
数の層からなるパッシベーション膜で覆われた状態で処
理され、必要に応じて特に切断を行った場合には最終的
ナハッシベーション膜を形成する。ここで、配線部の上
に形成されたパッシベーション膜を通してレーザを照射
すると、パッシベーション膜厚の変動により、干渉効果
のため反射率が大きく変動し、結果的に配線部に入力す
るレーザパワーが変動してしまう。そのため、切断を行
う場合には、一定条件でレーザを照射しても、配線が切
断できなかったり、基板Ｋまでダメージが生じたりして
しまう。また接続を行う場合には一定条件でレーザを照
射しても、接続できなかったり、配線が切断されてしま
ったりして、歩留りが低いという問題があった。これを
防ぐために、パッシベーション膜厚を一定にする努力が
なされているが、極めて困難であるのが現状である。

本発明の目的は従来技術の欠点をなくし、半導体集積回
路に対するレーザ処理を高品質・高歩留りに実施できる
方法およびそのための半導体集積回路を提供することに
ある。

本発明は、レーザな照射すべき配線部と同一構造の反射
率測定部を設けて、十分に低いエネルギで切断・接続に
用いるものと同一のレーザを照射して反射率を測定し、
その反射率から配線部で吸収されるレーザ・パワーを算
出し常に一定となる様に、レーザ発振器の出力を調整す
るか、途中の光学系により、照射されるレーザパワーを
調整するものである。

以下、図に従って本発明の実施例について説明する。ま
ず、本発明をレーザによる配線接続に適用した場合につ
いて述べる。第１図は一般的な配線接続部の構造を示す
図であり、Ｓｉ基板１に被着したＳｉｎ！膜２により基
板１と絶縁された２つのル＋形ｐｏｌｙ−５ｉ　（多結
晶シリコン層）３．４が極めて高抵抗の（例えば１０９
Ω１０以上）Ｐｏ１ｙ−Ｓｉ層（不純物がドープされて
いた（とも良い）からなる２層５を介在して対向してい
る配線構造を持ち、それらの上に絶縁膜８．絶縁膜９、
絶縁膜１０が形成されている。ここでル＋形層ろ、４お
よびｉ層５は厚さが１００〜５００ｒＬｍでありル＋形
層３，４はリンまたはヒ素が、不純物濃度１　（３ｕ／
ｃａ以上にドープされている。また絶縁膜８は、厚さが
２０〜２０旧諜（２００〜２００ＯＡ）のＳ乙Ｏ！膜、
絶縁膜９は１〜ｉＱｍｏ１％のリンを含む１００〜１０
０１０００ＴＬ、１〜１μｍ）の厚さのリンガラス膜（
ｐｓＧ膜）、絶縁膜１０は厚さが５００〜４０００　ｎ
ｍ（０，５〜４μｍ）のＳｉｎ、またはＳｉＯまたはＳ
ｉＮノ単独あるいはそれらの複数の膜から成っている最
終的な絶縁膜（Ｆｉルａｌ　ｌ’ａｚｒｉ　ｖａｓｉ　
ｏｎ膜）ゝである。

第１図に示した配線接続部に対して、絶縁膜８゜９．１
０に対して十分に透明な波長のレーザ光７をｒＬ＋形ｐ
ｏｌｙ−５ｉ層６，４および２層５に照射すると適正な
レーザ条件のもとでは、を層５にル１形層ろ、４または
ＰＳＧＳ２Ｏ２ちらか、あるいは両方からリンが拡散し
、１層５は低抵抗化する。この時、絶縁膜８，９．１０
には、はとんど損傷を与えない。ここで、適正なレーザ
条件とは、例えばＱスイッチＹＡＧレーザの第２高調波
を用いて、１〜２パルスでｐｏｌｙ−Ｓｉ配線部を断線
に致らしめるパワー密度の１／２のパワー密度で数ノく
ルス〜数１０パルス照射する条件である。また、ここで
、低抵抗化により接続された状態とは、高抵抗ｐｏｌｙ
−５ｉ層（１層）５の抵抗値が１０５Ω以下に低下した
状態を１５゜これはレーザ照射前の高抵抗ｐｏｌｙ　−
ＳＬ層（１層）５の抵抗値１０°Ω以上と比較すると１
０４以上の変化であり、完全に短絡状態、即ち接続状態
と見なして差支えない。

しかしながら、半導体チップを製造する工程において、
絶縁膜８，９．１０の膜厚を常に一定に保つことは極め
て困難である。ここで絶縁膜８，９゜１０の膜厚が変化
した場合につし・て述べる。絶縁膜１０をＳ　ｒ−Ｏｔ
の単層膜とすると、絶縁膜８，９．１０ともに波長５３
２４Ａ０（ＹＡＧレーザの第２高調波）に対して屈折率
１４５と考えて差支えなく、吸収も無視できるから、絶
縁膜８，９，１０を全体として一層の絶縁膜と考えるこ
とができる。この時、ＹＡＧレーザの第２高調波を上記
構造に垂直に入射した場合の絶縁膜の膜厚と反射率の変
化をＳｉの屈折率を４．３として第２図に示す。この図
からλ わかる様に］Ｔ＝　１８５６　Ａを周期に反射率は約１
１％〜３９％の範囲で変化する。（λは入射光の波長。

ルは絶縁膜の屈折率）即ち、一定の出力のレーザ７を照
射した場合、実効的にｐｏｌｙ　−Ｓｉ層ろ。

４．５で吸収されるレーザ・エネルギは照射エネルギに
対して６１％〜８９％の範囲で変化することを示してい
る。

次に絶縁膜１０として窒化シリコン膜の単層膜を用いた
場合について述べる。窒化シリコンの５３２４／ｆに対
する屈折率は約２．０である。前述のごとく絶縁膜８と
絶縁膜９は膜厚がそれぞれ２０〜２００　ｎｍ　、　１
００−１０００　ｎｍであるが光学的には同質であり、
１２０〜１２００ｎｒｎの絶縁膜と考えることができる
。また絶縁膜１０は５００〜４０００　ｎｍである。

ここで絶縁膜８，９０合計を６４０ルｍ　絶縁膜１０を
１４００ｒＬｍとする。第３図に絶縁膜８，９を６４０
ｎｍ忙固定して、絶縁膜１０が１２００〜１６００ｎ、
ｍの範囲で変化した場合、第４図に絶縁膜１０を１４０
０ｒＬｍに固定して、絶縁膜８，９が４００〜ＢＯＯｎ
ｍの範囲で変化した場合の反射率の変化を示す。各々、
１２％〜６１％、０．４％〜６１％の範囲で変化してい
る。

これらの膜厚と反射率の関係は、例えば、裳華房　金属
、藤原　共著　［薄膜（応用物理学選書３　）Ｊ　Ｐ、
２２７かも求めたー即ち、絶縁膜８゜９．１０の膜厚に
より反射率が１％以下から６１％まで変化する。このこ
とは、レーザ出力が一定でも、ｐｏｌｙ−５ｉ層３，４
．５への実効的なレーザ入力は３９％〜９９％の間で変
化することを意味しており、例えばレーザ出力を１μノ
一定で照射してもＰｏ１ｙ−５乙Ｊ＠３，４．５で吸収
されるエネルギは０．３９μｍ〜０．９９μノ　の範囲
でばらつく。このことは、レーザ出力が常に一定でも、
吸収エネルギが少ないため、低抵抗化が起こらない場合
や、吸収エネルギが多すぎてｐｏｌｙ　−Ｓｉ　ｆｆ４
３，４．５が損傷を受ける場合が生じ、接続の歩留りが
低いという問題が生じる。しかも、第３図および第４図
に示した変化は一方の膜厚を一定にした場合の特性であ
るが、実際には両方の膜厚が同時に変化するため、それ
ぞれが１１０１Ｌ変化するだけで、反射率が大きく変化
する場合もあり、さらにレーザ出力のバラつきも考慮す
る乏、歩留り低下は著しい。

本発明のレーザ処理方法を示す。半導体メモリチップ内
に設けられた配線接続部あるいは、配線接続部と同一構
造（レーザ照射の対象となるＰｏ１ｙ−５ｉ層３，４．
５の下部構造は任意で良い）部分に、使用するレーザと
同一レーザでがっ出力が十分に低い状態で照射し、レー
ザ発振出力から配線接続部に照射されたレーザエネルギ
を求め（途中の光学系の透過率は予めわがっている）、
配線接続部、あるいはそれと同一構造の部分からの反射
光量から、反射率を算出する。

この反射率から配線接続部で吸収された実効的なレーザ
・エネルギーを求め、実効的なレーザエネルギが最適条
件となる様にレーザ発振器出力を調整するか、途中の光
学系で配線接続部に照射される出力を調整した後、目的
の配線接続部に照射する。照射されるレーザ・スポット
径が配線接続部と同等あるいは小さい場合には、配線接
続部自体で反射率を求め、スポット径が大きい場合には
、チップ内の特定部に設けた反射率測定部で反射率を求
める。

第５図に本発明による半導体メモリ・チップを示す。数
■×数調のＳｉ基板１１上に数万から数１０万個のメモ
リセル１２（予備メモリセルも含む）が形成され、チッ
プ周辺にはボンディング用パッド１３が形成されている
。また、メモリセル１２内に欠陥が発見された場合に、
予備メモリに切り換えるための選択回路１４が設けられ
ており、その一部は第１図に示す構造を持っている。そ
して、選択回路に近い部分に反射率測定部１５が形成さ
れている。この反射率測定部１５は、第６図に示すａＫ
第７図に示した配線接続部と同じ断面構造、即ちＳｉ基
１と５ｉｎ２膜２土にｐｏｌｙ−５ｉ層１６（この場合
は、ｒＬ＋形層でもＬ層でも良い）が、照射されるレー
ザ７のスポット径と、位置性め精度を考慮した大きさ、
例えば２０μｍ口あるいは２０１１ｍφに形成され、そ
の上には第１図と同様に、絶縁膜８，９．１０が形成さ
れている。

次に第５図に示したチップにレーザを照射する場合の手
順について述べる。第７図に、本発明を実施するに最適
なレーザ光学系を示す。ここでは説明に必要な部分のみ
を示しである。レーザ発低器１７から発振したレーザ光
１８を対物レンズ１９に入射するために光路を曲げるミ
ラー２０゜２１およびＸ−Ｙ方向にレーザ光１８を走査
するための例えばガルバノミラ−２２（図中では一方向
だけを示す）およびミラー２０からの透過光量を検出す
るための光検出器２３．ミラー２４かもの反射光景を検
出するための光検出器２５　、　Ｘ　−Ｙステージ２６
上に載置されたウェハまたはチップ２７に照射するレー
ザ出力を調整するための透過光量調整器２８、および、
ウエノ・またはチップ２７の位置決め、光量検出器２３
．２５の信号からレーザ光景・反射率等の演算、透過光
量調整器２８の制御、およびレーザの０Ｎ−ＯＦＦ等の
制御を行うための制御装置２９かも成っている。

まず、Ｘ−Ｙステージ２６上に置かれたウェハまたはチ
ップ２７に対して、Ｘ−Ｙ−θの位置決め調整を行った
後、第５図に示した反射率測定部１５に対して十分に低
い出力でレーザ光１８を照射する。この時ミラー２ｏを
透過した光量を光景検出器２６で検出する。ミラー２ｏ
の透過率が予めわかっていれば、発振したレーザ光１８
の出力を知ることができる。また透過光量調整器２８で
十分に低い出力に調整しであるが、透過率がわかれば、
ミラー２１．２４．２２および対物レンズ１９の反射率
、あるいは透過率を考慮して、ウェハまたはチップ２７
に照射されたレーザ出力が算出できる。一方、ウェハま
たはチップ２７がら反射したレーザ光は対物レンズ１９
を透過し、ミラー２２゜２４を反射して光量検出器２５
に入力し、反射光量を検出する。この時、対物レンズ１
９の透過率ミラー２２，２４の反射率がわかれば、ウェ
ハまたはチップ２７からの反射光量を算出することがで
きる。これら、実際に照射されたレーザ光量と反射光量
から、反射率を算出することは容易である。

例えば、ミラー２００反射率γ２ｏが９８％（透過率は
１−７２０）＋ミラー２１０反射率測定部が９９％ミラ
ー２４０反射率”１４が１０％、ガルバノミラ−２２０
反射率ｒ、が９９％、対物レンズ１９の透過率ｔ１゜が
８０ｑ６として、光量検出器２３で、０．２μＪ検出し
たとすれば、レーザ発振出力Ｐ。＝１”２０＝１０μＪ
が得られる。透過光量調整器２８が透過率ｔ２．＝２％
に設定してあれば、実際にウエノ・またはチップ２７に
照射されたレーザ光−ＩＩｋＰ′はＰ″”’／’Ｏ”２
０”２１’（１”！４）”！２’ｔｌＧ”２ｇ＝０１６
８μＪと求まる。一方、光量検出器２５での光量がＰ″
−０，００５４６μＪと検出されれば、反射光量−〇、
５即ち５０％と算出できる。ここで第１図に示した配線
接続部に対して、低抵抗に必要かつ十分なレーザエネル
ギが０．５μＪであるならば、レーザ発振器１７の出力
を一定のまま、透過光量調整器２８の透過率を ０．１４４６　（１４，４６％）に設定して、予め決定
されている、あるいはメモリテスタで検査した結果に基
づいて、第５図に示した選択回路１４内の配線接続部に
レーザを照射する。これにより、絶縁膜８，９．１０に
よる反射率の変化の影響を全く受けずに、常に一定のエ
ネルギがｐｏｌｙ　−Ｓｉ層６，４゜５に入力する様に
レーザを照射することができる。１チツプ内の処理が終
了１−たら、他のチップでも同じ手順でくり返す。この
場合、１チツプ内の絶縁膜８，９．１０の膜厚のばらつ
きは、無視できる程度であり、また、１チツプを処理す
るのに要する時間内でのレーザ発振器１７の出力の変化
も無視できるものとして、１チツプにつき１ケ所の測定
を行っている。しかし、レーザ発振器１７０発振出力が
短時間内に変動する場合には、レーザな発振するたび毎
に光量検出器２３での検出光量から、透過光量調整器２
８の透過率を調整することＫより、ウエノ・またはチッ
プ２７に照射されるレーザ・エネルギを常圧一定にする
ことは可能である。（ただし、パルス間のばらつきを補
正することはできない。） １チツプ内での絶縁膜８，９，１０の膜厚のばらつきが
無視できない場合には、第８図に示す様に選択回路１４
内の配線接続部周辺あるいは、膜厚の変化が無視できる
程度の位置に反射率測定部１５′あるいは１５〃を設け
、レーザ処理が必要な部分に一番近い部分で、接続を行
うたびに反射率を測定することにより、より完全に絶縁
膜８゜９．１０の膜厚のばらつきによる反射率の変化を
補正することができる。

この他、各チップ位置の精位置決め、あるいはチップの
原点位置検出に用いるターゲット・マークを用いた反射
率測定が可能である。即ちチップ上の特定位置に、第７
図に示したＸ−Ｙステージ２６（ステップ・アンド・リ
ピータも含む）Ｋよるチップ・サイズに相当する移動量
の精度範囲に十分大る大きさの矩形、あるいはＬ字型の
Ｐｏ１ｙ　−Ｓｉ層を形成し、ｐｏｌｙ−５ｉ層上をＸ
−Ｙ２方向にレーザを走査（十分に低いエネルギで）し
て、ｐｏｌｙ−５ｉ層とその周辺の反射率の差から、タ
ーゲットマーク位置を検出する方法がとられている。例
えば第９図に示すターゲットマークの断面に対して、断
面に平行な方向にレーザ光１８を走査すると、第７図に
示した光学系の光量検出器２５の信号として、第１０図
に示す信号が得られる。ここでターゲット・マークの断
面は第６図に示した反射率測定部と全く同一でも良い。

この得られた信号からターゲットマークの中心、例えば
、低反射部と高反射部の信号の中間値を示す位置の中心
からを求め（Ｘ−Ｙ２方向について）、この中心をチッ
プの原点として、選択回路内の配線接続部をチップの設
計寸法から求めることができるが、このター１ゲツト・
マーク上で得られた反射光量から、絶縁膜８，９．１０
の反射率を求めることができることは前記した通りであ
る。また、ｐｏｌｙ−５ｉ層１６とその周辺からの反射
光量の差が明確に得られない場合もある（周辺部におい
て５ｉｎｔ膜２が加。

わることによって反射光量がｐｏｌｙ−５ｉ屑１６上と
同程度になる場合）が、第１１図忙示す様忙、ｐｏｌｙ
　−Ｓｉｉ層６の周辺に反射率が異なる層６゜（例えば
Ｍ）をＰｏ１ｙ　−Ｓｉ　ｆ４１６と接して、あるいは
絶縁膜８あるいは８，９．あるいは８，９．１０を介し
て形成しても、（第１１図はｐｏｌｙ−５ｉ層１６と接
している場合を示す）あるいは、第１２図に示す様に、
十分大きなｐｏｌｙ　−Ｓｉｉ層６の中央部上に、ｐｏ
ｌｙ−５ｉ層１６と接して、あるいは絶縁膜８．あるい
は８，９．あるいは８，９．１０を介して形成しても（
第１２図は絶縁膜８，９を介して形成された場合を示す
）、十分に目的（位置決めおよび反射率の測定）を達す
ることができる。

また、十分に大きなｐｏｌｙ−５ｉ　　（不純物をドー
グしていないＮ４）に矩形あるいはＬ字形に不純物をド
ープした領域を形成するか、あるいは十分大きなｐｏｌ
ｙ−５ｉ（不純物拡散層）に矩形あるいはＬ字形の１層
（不純物をドープしていない属）を形成してもｉ層と不
純物拡散層の反射率の差から、同じ目的を達することが
できる。

ただし、第１１図の場合、得られる信号は周辺が高（中
央部が低くなり、また第１２図の場合中央部が高く周辺
が低くなる。求める反射光量は第１１図の場合は中央部
、第１２図の場合は周辺部である。また、第９図〜第１
２図に示したターゲットマークな利用する実施例は第５
図に示した反射率測定部を設けた場合と同様に１チツプ
につき、１０ｒ２ケ所の測定で１チップ全体の処理を行
うものである。

以上、本発明をＲＯＭへの書き込み、あるいは半導体メ
モリの欠陥セル救済を目的とした配線接続に適用した場
合について説明して来た。しかし、同様の目的のため、
配線切断を行うために適用した場合も全く同じ効果が得
られる。即ち反射率が高すぎると切断部への実効的なレ
ーザ・エネルギが低くなり切断できながったり、反射率
が低すぎると、切断部への実効的なレーザ・エネルギが
高すぎ、基板に損傷を与えたりするが、本発明を適用す
れば、チップ毎あるいは切断部毎に反射率を測定して、
最適なレーザ・エネルギで、配線部に入力することがで
き、その歩留りを向上することが可能であることは明ら
かである。

この他、半導体素子の製造工程において、部分的なある
いは全面のレーザ・アニーリング（イオン注入した部分
の結晶欠陥の回復）２部分的な結晶状態の変化（多結晶
あるいはアモルファスから単結晶へ、単結晶から多結晶
あるいはアモルファスへ）等のレーザ処理を行う際にも
、光学的に性質の異なる膜を介してレーザ処理を行う場
合に、干渉による実効的な入力エネルギーの変化を補正
して、高品質なレーザ処理を行うことができることは明
らかである。

また、用いるレーザとして、本実施例ではＱスイッチＹ
ＡＧレーザの第２高調波を用いた場合について説明して
来たが、それに限定されるものではなく、パルス発振、
ＣＦ（連続）発振によらず、また波長にもよらず、レー
ザ処理に用いるレーザで実際の反射率が測定可能である
ことは明らかである。

以上述べて来た様に、本発明によれば使用するレーザに
対して透明な膜を介してレーザ処理を行う場合罠、透明
膜の膜厚変化によるレーザ光の干渉効果を補正して一定
のレーザ条件で高品質高歩留りに処理が行える効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の適用対象である配線接続部の構成図、
第２図〜第４図は膜厚が変化した場合の反射率の変化を
示す図、第５図は本発明の半導体メモリチップを示す図
、第６図は反射率測定部の断面図、第７図は本発明方法
を実施するための光学系構成図、第８図は本発明の別な
実施例である半導体メモリチップを示す図、第９図はタ
ーゲットマークの断面図、第１０図はり面図。　。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｓｉ基板２・・
・・・・・・・・・・・・・・・・５　ｔ　Ｏｔ膜ろ、
４・・−・・・・・・・・ル＋形Ｐｏ１ｙ　−Ｓｉ　層
５・・・・・・・・・・・・・・・・１層８，９，１０
・・・・・・絶縁膜 １５．１５’、１５“・・・反射率測定部１７・・・・
・・・・・・・・・・・レーザ発振器１８・・・・・・
・・・・・・・・・レーザ光１９・・・・・・・・・・
・・・・・対物レース２３．２５・・・・・・・・・光
量検出器２８・・・・・・・・−・・・・・透過光量調
整器１６・・・・・・・・・・・・・・・ｐｏｌｙ　−
Ｓｉ層３０・・・・・・・・・・・・・・反射率の異な
る層代理人弁理士　薄　１）利　幸 鴇　　１　　図 箆　　２　　図 糸色　展翫月莫　月莫　万引　　（１”１ｍ）第　３　
図 ＋２００　　　＋３００１４００　　１５００／６００
許ポヘ　芹−Ｖ坤胃　１０の　月菫ハＥ　（’ｎ　　筑
）第　４　図 り色添４月外　８，９０合言十月莞ｉ（ｎｍ）箋　Ｓ　
図 ｒ 第　　６　　図 第　　７　　図 箋　８　口 ｌ 第　　９　　　図 第　１０　　図 正負　位　貫 第　１１　　口

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　レーザ光に対して透明な膜を介して、レーザ処理
   を行う場合に、被レーザ処理部と同一構造の上記レーザ
   光に対して透明な膜を有する反射率測定部を有すること
   を特徴とする半導体集積回路。 ２、特許請求の範囲第１項記載の半導体集積回路におい
   て、半導体集積回路の特定位置に設けた被レーザ処理部
   と同一構造の部分および反射率の異なる部分からなり、
   反射光量の差から上記半導体集積回路の位置検出と被レ
   ーザ処理部の反射率測定を行うターゲットマークを備え
   たことを特徴とする半導体集積回路。 ３、　レーザ光に対して透明な膜を介してレーザ処理を
   行うレーザ処理方法において、被レーザ処理部と同一構
   造の部分に、レーザ処理を行うのに用℃・るものと同一
   レーザを、出力を十分低い状態で照射して、レーザ発振
   器出力と上記同一構造の部分からの反射光量を検出し、
   反射率を求め、その反射率から被レーザ処理部に吸収さ
   れる実効エネルギを求め、実効エネルギが常に一定とな
   る様に被レーザ処理部に照射されるレーザ出力を調整す
   ることを特徴とするレーザ処理方法。 ４　上記特許請求の範囲第６項記載のレーザ処理方法に
   おいて、被レーザ処理部と同一構造の部分として、被レ
   ーザ処理部自体を用いることを特徴とするレーザ処理方
   法。 ５　上記特許請求の範囲第３項記載のレーザ処理方法に
   おいて、被レーザ処理部と同一構造の反射率測定部を被
   レーザ処理部の周辺に設け、上記反射率測定部での反射
   率から、被レーザ処理部に照射されるレーザ出力を調整
   することを特徴とするレーザ処理方法。 ６、　レーザ光に対して透明な膜を介してレーザ処理を
   行うレーザ処理方法において、被レーザ処理部と同一構
   造の部分および反射率が異なる部分からなるターゲット
   マークを設け、レーザ処理を行うに用いる同一レーザを
   、出力を十分低い状態で照射走査して、上記ターゲット
   マークからの反射光量を検出し、その反射光量から被レ
   ーザ処理体の位置検出と、被レーザ処理部の反射率測定
   を同時に行い、得られた反射率から被レーザ処理部に吸
   収される実効エネルギを求め、実効エネルギが常に一定
   となる様に被レーザ処理部に照射されるレーザ出力を調
   整することを特徴とするレーザ処理方法。