JPS5940710A - ミキサ回路 - Google Patents
ミキサ回路Info
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- JPS5940710A JPS5940710A JP57150558A JP15055882A JPS5940710A JP S5940710 A JPS5940710 A JP S5940710A JP 57150558 A JP57150558 A JP 57150558A JP 15055882 A JP15055882 A JP 15055882A JP S5940710 A JPS5940710 A JP S5940710A
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- mixer
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0608—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes
- H03D9/0633—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
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- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
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- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
- H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高周波信号を受信信号とし、高周波信号と局
部発振信号の差の周波数成分である中間周波信号を出力
信号とするミキサ回路に関し、特に、ストリップ線路あ
るいはマイクロストリップ線路を基本構成とするマイク
ロ波集積回路（ＭＩＣ）を用いたミキサ回路に関するも
のである。
部発振信号の差の周波数成分である中間周波信号を出力
信号とするミキサ回路に関し、特に、ストリップ線路あ
るいはマイクロストリップ線路を基本構成とするマイク
ロ波集積回路（ＭＩＣ）を用いたミキサ回路に関するも
のである。
従来例の構成とその問題点
第１図にミキサダイオードを用いた従来のＭＩＣ化ミキ
サ回路の構成例を示す。ここで、高周波信１入力端子１
から入力された高周波信号は主線路２を伝播して周波数
混合素子であるＩミキサダイオード３に印加される。端
子４から入力された局部発振信号は主線路２と高周波的
に結合し、局部発振信号のみを選択通過させる局発用帯
域通過フィルタ５を通過してミキサダイオード３に印加
される。６は低域通過フィルタで、中間周波信号を取り
出すと同時に高周波信号や局部発振信号に対してはミキ
サダイオード３の端子Ａｆ：高周波的に短絡させている
。７Ｉ−ｉミキサダイオード３で発生する中間周波信号
を取り出す中間周波信号出力端子である。８は高周波信
号に対しては通過特性を示すが中間周波信号に対しては
開放インピーダンスを示す中間周波信号阻止回路で、ミ
キサダイオード３から中間周波信号の約１／４波長（＝
ｊλｉｆ）の長さの距離の主線路２上に設けられている
。従って、ミキサダイオード３の端子Ｂは中間周波信号
で高周波的に短絡されることになる。
サ回路の構成例を示す。ここで、高周波信１入力端子１
から入力された高周波信号は主線路２を伝播して周波数
混合素子であるＩミキサダイオード３に印加される。端
子４から入力された局部発振信号は主線路２と高周波的
に結合し、局部発振信号のみを選択通過させる局発用帯
域通過フィルタ５を通過してミキサダイオード３に印加
される。６は低域通過フィルタで、中間周波信号を取り
出すと同時に高周波信号や局部発振信号に対してはミキ
サダイオード３の端子Ａｆ：高周波的に短絡させている
。７Ｉ−ｉミキサダイオード３で発生する中間周波信号
を取り出す中間周波信号出力端子である。８は高周波信
号に対しては通過特性を示すが中間周波信号に対しては
開放インピーダンスを示す中間周波信号阻止回路で、ミ
キサダイオード３から中間周波信号の約１／４波長（＝
ｊλｉｆ）の長さの距離の主線路２上に設けられている
。従って、ミキサダイオード３の端子Ｂは中間周波信号
で高周波的に短絡されることになる。
中間周波信号阻止回路８としては、高周波信号に対する
挿入損失が少なく通過帯域幅が広い帯域通過フィルタが
使われ、具体的構成例としては第２図に示すように２本
の終端開放ストリップ線路が終端開放ストリップ線路の
開放端から高周波信号の約１／４ （、Ｓ： １／４λ
８）の長さにわたり分布結合した１／４波長波長線路型
インタディジタル直流阻止回路９が使われる。この直流
阻止回路９の開放ス） ＩＪツブ線路間のギヤツブ間容
量は、例えば高周波信号周波数が１２ ＧＨｚでは通常
０．０数ｐＦ となり、中間周波数がＩ ＧＨｚとすれ
ばギヤツブ間容量の示すインピーダンスは数にΩとなり
、はぼ開放インピーダンスに近い。しかし、高周波信号
入力端子１側に接続される回路に中間周波数の帯域内で
共振特性を示す共振回路が形成されれば、直流阻止回路
９あるいは中間周波信号阻止回路８のギヤツブ間容量が
結合容量として働くため、ミキサダイオード３の端子Ｂ
から中間周波信号阻止回路８側をみたインピーダンスに
共振特性が現われ、共振周波数前後にわたってミキサダ
イオード３の端子Ｂが短絡状態とはならない。
挿入損失が少なく通過帯域幅が広い帯域通過フィルタが
使われ、具体的構成例としては第２図に示すように２本
の終端開放ストリップ線路が終端開放ストリップ線路の
開放端から高周波信号の約１／４ （、Ｓ： １／４λ
８）の長さにわたり分布結合した１／４波長波長線路型
インタディジタル直流阻止回路９が使われる。この直流
阻止回路９の開放ス） ＩＪツブ線路間のギヤツブ間容
量は、例えば高周波信号周波数が１２ ＧＨｚでは通常
０．０数ｐＦ となり、中間周波数がＩ ＧＨｚとすれ
ばギヤツブ間容量の示すインピーダンスは数にΩとなり
、はぼ開放インピーダンスに近い。しかし、高周波信号
入力端子１側に接続される回路に中間周波数の帯域内で
共振特性を示す共振回路が形成されれば、直流阻止回路
９あるいは中間周波信号阻止回路８のギヤツブ間容量が
結合容量として働くため、ミキサダイオード３の端子Ｂ
から中間周波信号阻止回路８側をみたインピーダンスに
共振特性が現われ、共振周波数前後にわたってミキサダ
イオード３の端子Ｂが短絡状態とはならない。
従って、出力端子７における中間周波数での出力インピ
ーダンスが共振周波数前後にわたり太きく影響され中間
周波信号での出方整合条件も大きく影響される。結局ミ
キサ回路の周波数特性上に急峻な劣化現象が現われると
いう致命的欠陥を生じることとなる。
ーダンスが共振周波数前後にわたり太きく影響され中間
周波信号での出方整合条件も大きく影響される。結局ミ
キサ回路の周波数特性上に急峻な劣化現象が現われると
いう致命的欠陥を生じることとなる。
発明の目的
本発明は、中間周波信号阻止回路が結合容量として働く
のを防止することにより、中間周波数の帯域内で起こる
周波数特性上の致命的欠陥を防止することのできるミキ
サ回路を提供することを目的とするものである。
のを防止することにより、中間周波数の帯域内で起こる
周波数特性上の致命的欠陥を防止することのできるミキ
サ回路を提供することを目的とするものである。
発明の構成
本発明では、上記一般の構成に加えて、中間周波信号阻
止回路から高周波信号入力端子側を見たインピーダンス
が中間周波数の帯域内に共振特性が生じないように構成
したことを特徴とするものである。
止回路から高周波信号入力端子側を見たインピーダンス
が中間周波数の帯域内に共振特性が生じないように構成
したことを特徴とするものである。
実施例の説明
以下に本発明の詳細な説明する。
第３図に本発明の一実施例を示す。ここで、第１図中と
同一箇所には同一番号を付して説明する。
同一箇所には同一番号を付して説明する。
第３図において、高周波信号入力端子１がら入力された
高周波信号は主線路２を伝播しでミキサダイオード３に
印加される。端子４から入力された局部発振信号は主線
路２と高周波的に結合し、局部発振信号のみを選択通過
させる局発用帯域通過フィルタ６を通過してミキサダイ
オード３に印加される。６は低域通過フィルタで、中間
周波信号を取り出すと同時に高周波信号や局部発振信号
に対してはミキサダイオード３の端子Ａを高周波的に短
絡させている。７はミキサダイオード３で発生する中間
周波信号を取シ出す中間周波信号出力端子である０８は
高周波信号に対しては通過特性を示すが中間周波信号に
対しては開放インピーダンスを示す中間周波阻止回路で
、ミキサダイオード３から中間周波信号の約１／４波長
（ｚ１／４λｉｆ）の長さの距離に主線路２上に設けら
れている。中間周波信号阻止回路８より高周波信号入力
端子１側の主線路２Ｉ／ｃ、Ｌかも、中間周波数での高
インピーダンス点ＣＫ低域通過フィルタ１０の一端が接
続され、他端は抵抗とバイパス容量の直列接続回路ある
いは単に抵抗で構成された終端回路１１で糸条端されて
いる。
高周波信号は主線路２を伝播しでミキサダイオード３に
印加される。端子４から入力された局部発振信号は主線
路２と高周波的に結合し、局部発振信号のみを選択通過
させる局発用帯域通過フィルタ６を通過してミキサダイ
オード３に印加される。６は低域通過フィルタで、中間
周波信号を取り出すと同時に高周波信号や局部発振信号
に対してはミキサダイオード３の端子Ａを高周波的に短
絡させている。７はミキサダイオード３で発生する中間
周波信号を取シ出す中間周波信号出力端子である０８は
高周波信号に対しては通過特性を示すが中間周波信号に
対しては開放インピーダンスを示す中間周波阻止回路で
、ミキサダイオード３から中間周波信号の約１／４波長
（ｚ１／４λｉｆ）の長さの距離に主線路２上に設けら
れている。中間周波信号阻止回路８より高周波信号入力
端子１側の主線路２Ｉ／ｃ、Ｌかも、中間周波数での高
インピーダンス点ＣＫ低域通過フィルタ１０の一端が接
続され、他端は抵抗とバイパス容量の直列接続回路ある
いは単に抵抗で構成された終端回路１１で糸条端されて
いる。
主線路２上の点Ｃは中間周波数では高インピーダンス点
であり、しかも点Ｃには抵抗終端された低域通過フィル
タ１０が接続されているため、高周波信号入力端子１側
に共振回路が形成されていても抵抗ダンピングされてし
まう。従って、ミキサダイオード３の端子Ｂがら中間周
波信号阻止回路８側をみたインピーダンスに共振特性が
現われなくなり、端子Ｂは中間周波数で確実に短絡され
、ミキサ回路に生じる致命的欠陥を防止できる。
であり、しかも点Ｃには抵抗終端された低域通過フィル
タ１０が接続されているため、高周波信号入力端子１側
に共振回路が形成されていても抵抗ダンピングされてし
まう。従って、ミキサダイオード３の端子Ｂがら中間周
波信号阻止回路８側をみたインピーダンスに共振特性が
現われなくなり、端子Ｂは中間周波数で確実に短絡され
、ミキサ回路に生じる致命的欠陥を防止できる。
第４図は本発明の別の実施例であり、第３図と同一箇所
には祠−喘晰餐替同一番号を付して説明する。第４図に
おいて１２は終端開放の低域通過フィルタで、中間周波
信号阻止回路８の近傍で、ミキサダイオード３側の主線
路２に接続されており、低域通過フィルタ１２の開放端
からミキサダイオード３″！、での距離が中間周波信号
の約１／４波長（＝、７λ□ｇ）の長さに選ばれている
。それ以外は第３図と構成は全く同じである。
には祠−喘晰餐替同一番号を付して説明する。第４図に
おいて１２は終端開放の低域通過フィルタで、中間周波
信号阻止回路８の近傍で、ミキサダイオード３側の主線
路２に接続されており、低域通過フィルタ１２の開放端
からミキサダイオード３″！、での距離が中間周波信号
の約１／４波長（＝、７λ□ｇ）の長さに選ばれている
。それ以外は第３図と構成は全く同じである。
第４図においても終端回路１１で終端された低域通過フ
ィルタ１０が中間周波数での高インピーダンス点Ｃで主
線管２と接続されているため、高周波信号入力端子１側
に共振回路が形成されていても抵抗ダンピングされてし
捷う。従って、第３図の場合と同様の作用・効果が得ら
れる。
ィルタ１０が中間周波数での高インピーダンス点Ｃで主
線管２と接続されているため、高周波信号入力端子１側
に共振回路が形成されていても抵抗ダンピングされてし
捷う。従って、第３図の場合と同様の作用・効果が得ら
れる。
第５図は本発明の別の一実施例であり、第３図と同一箇
所には同一番号を付して説明する。１３は増幅器を構成
する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）はＦＥＴ１３のド
レイン端子りが接続されたソース接地の高周波信号用Ｆ
ＥＴ増幅器１４を構成している。抵抗１５とバイパス容
量１６の直列接続回路で終端された低域通過フィルタ１
ｏが中間周波数での高インピーダンス点Ｃで主線路２に
接続されており、抵抗１６とバイパス容量１６の接続端
子１７からはＦＥＴ１３のドレインバイアス電源が供給
されている。それ以外の構成は第３図と全く同じである
。
所には同一番号を付して説明する。１３は増幅器を構成
する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）はＦＥＴ１３のド
レイン端子りが接続されたソース接地の高周波信号用Ｆ
ＥＴ増幅器１４を構成している。抵抗１５とバイパス容
量１６の直列接続回路で終端された低域通過フィルタ１
ｏが中間周波数での高インピーダンス点Ｃで主線路２に
接続されており、抵抗１６とバイパス容量１６の接続端
子１７からはＦＥＴ１３のドレインバイアス電源が供給
されている。それ以外の構成は第３図と全く同じである
。
第５図の実施例において、抵抗終端された低域通過フィ
ルタ１０が中間周波数での高インピーダンス点Ｃで主線
路２と接続されているため、ＦＥＴ増幅器１４側に中間
周波数での共振回路が形成されていても抵抗ダンピング
されてしまう。従って、ミキサダイオード３の端子Ｂか
ら中間周波信号阻止回路８側をみたインピーダンスに共
振特性が現われなくなシ、端子Ｂは中間周波数で確実に
短絡され、ミキサ回路に生じる致命的欠陥を防止できる
。更に、低域通過フィルタ１０．抵抗１５．バイパス容
量１６がＦＥＴ増幅器１４のドレインバイアス回路を兼
用しているために、ＦＥＴ増幅器のバイアス回路とミキ
サ回路の共振防止回路を別々に設ける必要がなくなり、
回路が小形化され構成も簡素化される。
ルタ１０が中間周波数での高インピーダンス点Ｃで主線
路２と接続されているため、ＦＥＴ増幅器１４側に中間
周波数での共振回路が形成されていても抵抗ダンピング
されてしまう。従って、ミキサダイオード３の端子Ｂか
ら中間周波信号阻止回路８側をみたインピーダンスに共
振特性が現われなくなシ、端子Ｂは中間周波数で確実に
短絡され、ミキサ回路に生じる致命的欠陥を防止できる
。更に、低域通過フィルタ１０．抵抗１５．バイパス容
量１６がＦＥＴ増幅器１４のドレインバイアス回路を兼
用しているために、ＦＥＴ増幅器のバイアス回路とミキ
サ回路の共振防止回路を別々に設ける必要がなくなり、
回路が小形化され構成も簡素化される。
発明の効果
本発明によれば、ミキサ回路の中間周波数領域で生じる
周波数特性上の急峻な劣化を防止でき、特性の優れたマ
イクロ波用ミキサ回路を得ることができる。
周波数特性上の急峻な劣化を防止でき、特性の優れたマ
イクロ波用ミキサ回路を得ることができる。
第１図は従来の一例のミキサ回路のパターン図、第２図
はその１／４波長波長線路型インタディジタル直流阻止
回路のパターン図、第３図、第４図。 第６図はそれぞれ本発明の実施例におけるミキサ回路の
パターン図である。 １・・・・・・高周波信号入力端子、２・・・・・・主
線路、３・・・・・・ミキサ・ダイオード、８．１０・
・・・・・低域通過フィルタ、８・・・・・・中間周波
信号阻止回路、１４・・・・・・ＦＥＴ増幅器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ４ 第３図 第４図 第５図
はその１／４波長波長線路型インタディジタル直流阻止
回路のパターン図、第３図、第４図。 第６図はそれぞれ本発明の実施例におけるミキサ回路の
パターン図である。 １・・・・・・高周波信号入力端子、２・・・・・・主
線路、３・・・・・・ミキサ・ダイオード、８．１０・
・・・・・低域通過フィルタ、８・・・・・・中間周波
信号阻止回路、１４・・・・・・ＦＥＴ増幅器。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ４ 第３図 第４図 第５図
Claims (3)
- （１）高周波信号入力端子と周波数混合素子の一端とを
接続して高周波信号を前記周波数混合素子に伝達する主
線路と、前記周波数混合素子に局部発振信号を印加する
手段と、前記周波数混合素子の他端に接続され高周波信
号と局部発振信号の差の周波数成分である中間周波信号
を取り出すフィルタと、前記主線路上に設けられ、高周
波信号に対しては通過特性を示すが、中間周波信号に対
しては開放インピーダンスを示す中間周波信号阻止回路
と、前記周波数混合素子の一端を中間周波信号で高周波
的に接地短絡する手段とを備えるとともに、前記中間周
波信号阻止回路より前記高周波信号入力端子側を見たイ
ンピーダンスが中間周波信号で共振特性をもたないよう
に構成したことを特徴とするミキサ回路。 - （２）高周波信号入力端子側にある主線路に低域通過フ
ィルタの一端を接続し、この低域通過フィルタの他端を
抵抗終端したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のミキサ回路。 - （３）高周波信号入力端子側に、電界効果トランジスタ
による増幅器を接続するとともに、他端が抵抗終端され
た低域通過フィルタを前記増幅器のバイアス回路として
用いたことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のミ
キサ回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57150558A JPS5940710A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | ミキサ回路 |
| US06/526,279 US4541123A (en) | 1982-08-30 | 1983-08-25 | Mixer circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57150558A JPS5940710A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | ミキサ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5940710A true JPS5940710A (ja) | 1984-03-06 |
| JPH0124441B2 JPH0124441B2 (ja) | 1989-05-11 |
Family
ID=15499501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57150558A Granted JPS5940710A (ja) | 1982-08-30 | 1982-08-30 | ミキサ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5940710A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185106A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波ミキサ−回路 |
-
1982
- 1982-08-30 JP JP57150558A patent/JPS5940710A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63185106A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波ミキサ−回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0124441B2 (ja) | 1989-05-11 |
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