JPS5941788B2 - 回転式塗布装置 - Google Patents
回転式塗布装置Info
- Publication number
- JPS5941788B2 JPS5941788B2 JP50124094A JP12409475A JPS5941788B2 JP S5941788 B2 JPS5941788 B2 JP S5941788B2 JP 50124094 A JP50124094 A JP 50124094A JP 12409475 A JP12409475 A JP 12409475A JP S5941788 B2 JPS5941788 B2 JP S5941788B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating device
- disk
- photoresist
- rotary coating
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、回転式塗布装置に関するものである。
従来よりー般に用いられている、試料基板としての半導
体基板に対するホチレジスト等の粘住流体物の塗布法は
、第１図の如く、回転テーブル１を軸２を介して回転駆
動用モータ３に、直結成は間接結合し、モータ３を高速
回転させることに依つて、回転テーブル１を回転、駆動
させることを基本構造とした、定軸芯形回転塗付装置を
用い、回転テーブル１上に半導体基板４を減圧吸着法等
で保持させ、適量のホトレジスト５を、半導体基板４上
に滴下した後、回転テーブル１を高速回転させる事によ
つて、半導体基板４上のホトレジスト５を、遠心力で放
射状に拡散させて、半導体基板４上にホトレジスト５の
薄層を形成する方式である。この時、半導体基板４表面
上のホトレジスト５は、回転テーブル１が左向回転の場
合、第２図の矢印６の如き概略放射状の軌跡を抽いて半
導体基板４面上を周辺に向つて拡散し、周辺部に到達し
た余剰ホトレジストは、半導体基板４より離脱放出され
ることによつて、半導体基板４面上にほぼ均一なホトレ
ジスト薄膜が形成される。
体基板に対するホチレジスト等の粘住流体物の塗布法は
、第１図の如く、回転テーブル１を軸２を介して回転駆
動用モータ３に、直結成は間接結合し、モータ３を高速
回転させることに依つて、回転テーブル１を回転、駆動
させることを基本構造とした、定軸芯形回転塗付装置を
用い、回転テーブル１上に半導体基板４を減圧吸着法等
で保持させ、適量のホトレジスト５を、半導体基板４上
に滴下した後、回転テーブル１を高速回転させる事によ
つて、半導体基板４上のホトレジスト５を、遠心力で放
射状に拡散させて、半導体基板４上にホトレジスト５の
薄層を形成する方式である。この時、半導体基板４表面
上のホトレジスト５は、回転テーブル１が左向回転の場
合、第２図の矢印６の如き概略放射状の軌跡を抽いて半
導体基板４面上を周辺に向つて拡散し、周辺部に到達し
た余剰ホトレジストは、半導体基板４より離脱放出され
ることによつて、半導体基板４面上にほぼ均一なホトレ
ジスト薄膜が形成される。
しかし、このような従来の方式では、ホトレジスト５を
中心部より周辺部に対して放射状に拡散させることで、
薄膜を形成する機構に依つている関係上、半導体基板４
表面上に凹凸部、特に凸部或は、塵埃などの障害物Ｔが
存在した場合、障害物１の存在地点より、周辺部に向つ
て扇状形の陰影部８が形成され、同陰影部８は必然的に
ホトレス膜厚が減少し、結果的には部分的に膜厚を異に
した（ピンホール）などを含む）、ホトレジスト薄膜が
半導体基板４上に形成されることになる。
中心部より周辺部に対して放射状に拡散させることで、
薄膜を形成する機構に依つている関係上、半導体基板４
表面上に凹凸部、特に凸部或は、塵埃などの障害物Ｔが
存在した場合、障害物１の存在地点より、周辺部に向つ
て扇状形の陰影部８が形成され、同陰影部８は必然的に
ホトレス膜厚が減少し、結果的には部分的に膜厚を異に
した（ピンホール）などを含む）、ホトレジスト薄膜が
半導体基板４上に形成されることになる。
これは、ＬＳＩなど微細パターンを用いるホトエッチン
グでは、パターン崩れなどを招来する原因ともなる。ま
た定軸芯型回転装置を用いる関係上、半導体基板４の回
転中心は静止状態であり、中心近傍のホトレジスト５に
働く遠心力が弱いなどの要因で、周辺部に比較して中心
部の膜厚が不均一となる欠陥も生じる。
グでは、パターン崩れなどを招来する原因ともなる。ま
た定軸芯型回転装置を用いる関係上、半導体基板４の回
転中心は静止状態であり、中心近傍のホトレジスト５に
働く遠心力が弱いなどの要因で、周辺部に比較して中心
部の膜厚が不均一となる欠陥も生じる。
本発明は従来の射住流体物の塗布法にみられた欠陥を解
消し、試料基板を自転させるとともに同試料基板を支持
する回転盤の回転軸を移動させることにより、均質な粘
住流体物の薄膜を試料基板表面上に形成させうる回転式
塗布装置を提供することを目的とする。
消し、試料基板を自転させるとともに同試料基板を支持
する回転盤の回転軸を移動させることにより、均質な粘
住流体物の薄膜を試料基板表面上に形成させうる回転式
塗布装置を提供することを目的とする。
以下図面に従がつて本発明の回転式塗布装置を実施例に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
第３図｛］本発明の回転式塗布装置の基本的な平面略図
であり、第４図は同断面略図である。
であり、第４図は同断面略図である。
構造は所謂自公転磯構であり、１駆動モータ９の回転は
主軸１０によつて主円盤１１に伝達して居り、主円盤１
１１こ（ま、主軸１０より偏芯させた位置ｆこ回転軸受
１２を設け、同軸受１２には補助円盤１３の軸１４が嵌
合してあり、補助円盤１３が自由に回転出来る構造とな
つている。補助円盤１３の周壁１５は、主軸１０と同心
円を有する固定周壁１６ｆこ圧接して居り、固定周壁１
６の補助円盤１３の周壁１５が接触する部分は、硬質ゴ
ム１７など、若干の弾性と摩擦係数を有する素材で形成
すると良い。なお、これは、補助円盤１３の周壁１５面
に形成しても良い。上記の如き構成で、回転１駆動用モ
ータ９によつて主円盤１１を回転させれば、主円盤１１
上の補助円盤１３（ま固定周壁１６面ｆこ沿つて公転す
ると共（こ、補助円盤１３自体も軸１４を中心として、
固定周壁１６の摩擦により逆回転の自転運動を行なうこ
とになる。
主軸１０によつて主円盤１１に伝達して居り、主円盤１
１１こ（ま、主軸１０より偏芯させた位置ｆこ回転軸受
１２を設け、同軸受１２には補助円盤１３の軸１４が嵌
合してあり、補助円盤１３が自由に回転出来る構造とな
つている。補助円盤１３の周壁１５は、主軸１０と同心
円を有する固定周壁１６ｆこ圧接して居り、固定周壁１
６の補助円盤１３の周壁１５が接触する部分は、硬質ゴ
ム１７など、若干の弾性と摩擦係数を有する素材で形成
すると良い。なお、これは、補助円盤１３の周壁１５面
に形成しても良い。上記の如き構成で、回転１駆動用モ
ータ９によつて主円盤１１を回転させれば、主円盤１１
上の補助円盤１３（ま固定周壁１６面ｆこ沿つて公転す
ると共（こ、補助円盤１３自体も軸１４を中心として、
固定周壁１６の摩擦により逆回転の自転運動を行なうこ
とになる。
たとえば、補助円盤１３の外径φ１と固定周壁１６の内
径φ２の比８：１０と設定し、１駆動モータ９の回転数
を３０００ＲＰＭで１駆動した場合、補助円盤１３｛は
３０００／３７５０ＲＰＭの高速公自転を行なう。
径φ２の比８：１０と設定し、１駆動モータ９の回転数
を３０００ＲＰＭで１駆動した場合、補助円盤１３｛は
３０００／３７５０ＲＰＭの高速公自転を行なう。
また１公転自に於ける補助円盤１３上の運動は、第５図
に示す如く、補助円盤１３上の任意点Ａの軌跡（ば点線
矢印で、他の任意点Ｂでは一点鎖線矢印で示した軌跡を
くなど、補助円盤１３上では円運動を槍めた任意方向
の様々な軌跡を有する動きを示す。
に示す如く、補助円盤１３上の任意点Ａの軌跡（ば点線
矢印で、他の任意点Ｂでは一点鎖線矢印で示した軌跡を
くなど、補助円盤１３上では円運動を槍めた任意方向
の様々な軌跡を有する動きを示す。
したがつて、第６図の如く補助円盤１３土に半導体基板
４を設置し、減圧吸着孔１７を減圧させて、半導体基板
４を補助円盤１３上ｆこ吸着保持して、半導体基板４上
にホトレジスト５を滴下した後、，駆動用モータ９によ
つて補助円盤１３を高速自公転させれば、ホトレジスト
５（ま第５図の軌跡の一例を示した如く、様々な軌跡で
半導体基板４上を拡散し、余剰分（ま周辺域より離脱放
出される。
４を設置し、減圧吸着孔１７を減圧させて、半導体基板
４を補助円盤１３上ｆこ吸着保持して、半導体基板４上
にホトレジスト５を滴下した後、，駆動用モータ９によ
つて補助円盤１３を高速自公転させれば、ホトレジスト
５（ま第５図の軌跡の一例を示した如く、様々な軌跡で
半導体基板４上を拡散し、余剰分（ま周辺域より離脱放
出される。
よつて本方式の塗布法では、従来の定点からの放射状拡
散塗布法で発生する障害物に依る陰影部の発生はホトレ
ジストの全方向拡散によつて抑止され、半導体基板４全
面Ｆこ均質なホトレジスト薄層が形成される。以上説明
してきたように本発明の回転式塗布装置は、試料基板が
自転および公転をしているため、試料基板上の粘件流体
物の膜厚が均一なり、微細パターンのホトエツチング等
の半導体装置の製造工程が再現註良く得ることが可能と
なり、ＬＳＩ等の製造の歩留の向上が計れ、非常に工業
的価値の大なるものである。
散塗布法で発生する障害物に依る陰影部の発生はホトレ
ジストの全方向拡散によつて抑止され、半導体基板４全
面Ｆこ均質なホトレジスト薄層が形成される。以上説明
してきたように本発明の回転式塗布装置は、試料基板が
自転および公転をしているため、試料基板上の粘件流体
物の膜厚が均一なり、微細パターンのホトエツチング等
の半導体装置の製造工程が再現註良く得ることが可能と
なり、ＬＳＩ等の製造の歩留の向上が計れ、非常に工業
的価値の大なるものである。
第１図は従来の回転式塗布装置の基本構造を示す側面略
図、第２図は第１図に示す回転式塗布装置による塗布時
の粘件流体物の運動軌跡を示す略図、第３図及び第４図
は本発明の回転式塗布装置の基本構造を示す平面略図及
び断面略図、第５図は本発明の回転式塗布装置の自公転
塗布時の軌跡を示す図、第６図は本発明の回転式塗布装
置の一実施例の断面略図である。 ４・・・・・・試料基板、９・・・・・・回転１駆動用
モータ、１０・・・・・・主軸、１１・・・・・・主円
盤、１２・・・・・・回転軸受、１３・・・・・・補助
円盤、１４・・・・・・軸、１６・・・・・・固定周壁
。
図、第２図は第１図に示す回転式塗布装置による塗布時
の粘件流体物の運動軌跡を示す略図、第３図及び第４図
は本発明の回転式塗布装置の基本構造を示す平面略図及
び断面略図、第５図は本発明の回転式塗布装置の自公転
塗布時の軌跡を示す図、第６図は本発明の回転式塗布装
置の一実施例の断面略図である。 ４・・・・・・試料基板、９・・・・・・回転１駆動用
モータ、１０・・・・・・主軸、１１・・・・・・主円
盤、１２・・・・・・回転軸受、１３・・・・・・補助
円盤、１４・・・・・・軸、１６・・・・・・固定周壁
。
Claims (1)
- １ 被塗布基板を配置する補助円盤を、自転する主円盤
に偏芯させて設置し、かつ前記補助円盤は前記主円盤上
で前記主円盤と異なる回転をさせることにより、前記基
板を自公転させ粘性流体物を前記基板上に均一に塗布さ
せることを特徴とした回転式塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50124094A JPS5941788B2 (ja) | 1975-10-14 | 1975-10-14 | 回転式塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50124094A JPS5941788B2 (ja) | 1975-10-14 | 1975-10-14 | 回転式塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5247836A JPS5247836A (en) | 1977-04-16 |
| JPS5941788B2 true JPS5941788B2 (ja) | 1984-10-09 |
Family
ID=14876763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50124094A Expired JPS5941788B2 (ja) | 1975-10-14 | 1975-10-14 | 回転式塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941788B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57113869A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-15 | Fujitsu Ltd | Coating method for resin liquid and coating method used for this |
| JPS61156114U (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-27 | ||
| US5264246A (en) * | 1989-05-02 | 1993-11-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Spin coating method |
| JPH0666255B2 (ja) * | 1989-05-02 | 1994-08-24 | 三菱電機株式会社 | スピン塗布装置及び方法 |
| US5032492A (en) * | 1989-08-21 | 1991-07-16 | At&T Bell Laboratories | Photolithographic masking process and apparatus |
-
1975
- 1975-10-14 JP JP50124094A patent/JPS5941788B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5247836A (en) | 1977-04-16 |
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