JPS5941867A - 貫通穴を有するセラミックス部品の製造方法 - Google Patents
貫通穴を有するセラミックス部品の製造方法Info
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- JPS5941867A JPS5941867A JP57053204A JP5320482A JPS5941867A JP S5941867 A JPS5941867 A JP S5941867A JP 57053204 A JP57053204 A JP 57053204A JP 5320482 A JP5320482 A JP 5320482A JP S5941867 A JPS5941867 A JP S5941867A
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- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/83—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
- H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＡｕＺｎ系電極部材と５ｉｏ２または５ｉ３１
Ｊ４系絶縁膜との密着性が向上した電極及びその形成方
法に開平るものである。
Ｊ４系絶縁膜との密着性が向上した電極及びその形成方
法に開平るものである。
従来、Ｐ型１−ｖ族化合物半導体及びＰ型３元または４
元混晶化合物半導体のＰ型オーム性電極としてＡｕＺｎ
系合金が多く用いらノ１．できた。通常、ＡｕＺｎ系電
極の形成方法としては第１図に示すように真空中で５ｉ
０２４だは５ｉ５Ｎ４系の絶縁膜２上にＡｕＺｎ合金を
蒸着して電極部材１を形成した後、Ｈ２等の還元性雰囲
気中にて温度３〔１０°Ｃ〜５００°Ｃで熱処理してい
た。
元混晶化合物半導体のＰ型オーム性電極としてＡｕＺｎ
系合金が多く用いらノ１．できた。通常、ＡｕＺｎ系電
極の形成方法としては第１図に示すように真空中で５ｉ
０２４だは５ｉ５Ｎ４系の絶縁膜２上にＡｕＺｎ合金を
蒸着して電極部材１を形成した後、Ｈ２等の還元性雰囲
気中にて温度３〔１０°Ｃ〜５００°Ｃで熱処理してい
た。
しかし、ＡｕＺｎ系電極部月１と５ｉｏ２−または５ｉ
ｓＮ４系の絶縁膜２との密着性が弱く、デバイス加工上
電極剥離、ボンデイング不良前の問題が生じる欠点を有
していた。
ｓＮ４系の絶縁膜２との密着性が弱く、デバイス加工上
電極剥離、ボンデイング不良前の問題が生じる欠点を有
していた。
このため、これを避けるためＡｕＺｎ系箱、極材料を絶
縁膜２と密着性の良い゛醒極材料に代えたり、第２図に
示すように絶縁膜２とＡｕＺｎ系電極部材１との間にＣ
ｒ 、 Ａｕ等密着性の良い材料を挾んだ構造等が考え
られているが、コンタクト抵抗が増大する、工程が増加
し複雑となる、等の欠点を有し、電極形成方法としては
あまり好ましくなかった。
縁膜２と密着性の良い゛醒極材料に代えたり、第２図に
示すように絶縁膜２とＡｕＺｎ系電極部材１との間にＣ
ｒ 、 Ａｕ等密着性の良い材料を挾んだ構造等が考え
られているが、コンタクト抵抗が増大する、工程が増加
し複雑となる、等の欠点を有し、電極形成方法としては
あまり好ましくなかった。
本発明は前記欠点を解決し、ＡｕＺｎ系電極部材と５１
０２またはＳｉ３Ｎ４系絶縁膜との密着性を向上させた
電極とその形成方法を提供することを目的とするもので
ある。
０２またはＳｉ３Ｎ４系絶縁膜との密着性を向上させた
電極とその形成方法を提供することを目的とするもので
ある。
すなわち、本発明は、ＡｕＺｎ系′題極部材と５１０２
まだはＳｉ３Ｎ４系絶縁膜との界面にＺｎＯＭ−ｊたは
ＺｎＮ層が形成されると両者間の密着性が向上すること
に着目してなされたものである。
まだはＳｉ３Ｎ４系絶縁膜との界面にＺｎＯＭ−ｊたは
ＺｎＮ層が形成されると両者間の密着性が向上すること
に着目してなされたものである。
以下、本発明の実施例について説明する。
まず、第１実施例について説明すると、ＡｕＺｎ系合金
を真空中で５１０２またはＳｉ！ＳＮ４系絶縁膜４上に
蒸着して電極（１１−材５を形成し、［７かる後、Ｎ２
等の不活性ガス雰囲気中にて温度４００〜５００°Ｃで
熱処理する。すると、５ｉ０２またはＳｉ３Ｎ４系絶図
に示すように絶縁族生が５１０２の場合にはＺｎ０層６
が形成され、またＮ１．５Ｎ４の場合にかよＺｎＮ層６
が形成される。
を真空中で５１０２またはＳｉ！ＳＮ４系絶縁膜４上に
蒸着して電極（１１−材５を形成し、［７かる後、Ｎ２
等の不活性ガス雰囲気中にて温度４００〜５００°Ｃで
熱処理する。すると、５ｉ０２またはＳｉ３Ｎ４系絶図
に示すように絶縁族生が５１０２の場合にはＺｎ０層６
が形成され、またＮ１．５Ｎ４の場合にかよＺｎＮ層６
が形成される。
ＺｎＯ層、Ｚｎ’Ｎ層６は絶縁膜４とＡｕＺｎ系′１１
１！極部材５とを結びつける働きをするため、絶縁膜４
と電極部材５との密着性は大巾に向−ヒする。−また、
従来の製造設備を変更することなく単に熱処理雰囲気を
還元性ガスからＮ２ガス等の不活性ガスに変えることに
よって容易に得られるから非常に経済性にも優れている
。
１！極部材５とを結びつける働きをするため、絶縁膜４
と電極部材５との密着性は大巾に向−ヒする。−また、
従来の製造設備を変更することなく単に熱処理雰囲気を
還元性ガスからＮ２ガス等の不活性ガスに変えることに
よって容易に得られるから非常に経済性にも優れている
。
なお上記実施例で不活性ガス雰囲気中で熱処理するのは
、絶縁膜４上にＡｕＺｎ系合金を真空中で蒸着して電極
部材５を形成した後、Ｎ２等の還元性ガス雰囲気中にて
温度４００〜５００″Ｃで熱処理した場合には、絶縁族
生とＡｕＺｎ系電極部材５との界面に形成されたＺｎＯ
−１−たけＺｎＮ層は直ちに還元され解離して第１図と
同じ状態となり、密着性の向上には寄与しないためであ
る。
、絶縁膜４上にＡｕＺｎ系合金を真空中で蒸着して電極
部材５を形成した後、Ｎ２等の還元性ガス雰囲気中にて
温度４００〜５００″Ｃで熱処理した場合には、絶縁族
生とＡｕＺｎ系電極部材５との界面に形成されたＺｎＯ
−１−たけＺｎＮ層は直ちに還元され解離して第１図と
同じ状態となり、密着性の向上には寄与しないためであ
る。
また５ｉｏ２またはＳｉ３Ｎ、系絶縁膜ヰ上にＡｕを真
空中で蒸着して電極部材５を形成した後、１１２等の不
活性ガス雰囲気中にて温度４００〜５００°Ｃで熱処理
しても前記絶縁膜４と電極部材５との密着性の向上は認
められない。
空中で蒸着して電極部材５を形成した後、１１２等の不
活性ガス雰囲気中にて温度４００〜５００°Ｃで熱処理
しても前記絶縁膜４と電極部材５との密着性の向上は認
められない。
次に第２実施例について説明する。この実施例は還元性
ガス雰囲気中下においてもＺｎＯ層またはＺｎＮ層を形
成することができるようにしたものであって、絶縁膜４
上にＡｕＺｎ系合金を真空中で蒸着して電極部材５を形
成した後、Ｃｒ 、 Ｎｉ 、Ｔｉ等の高融点金属７を
’ｉ！ｊ、 （５部材５の表面に蒸着し、しかる後Ｎ２
等の還元性ガス雰囲気中で熱肌理した後、前記高融点金
属７をエツチング処理等で除去する。
ガス雰囲気中下においてもＺｎＯ層またはＺｎＮ層を形
成することができるようにしたものであって、絶縁膜４
上にＡｕＺｎ系合金を真空中で蒸着して電極部材５を形
成した後、Ｃｒ 、 Ｎｉ 、Ｔｉ等の高融点金属７を
’ｉ！ｊ、 （５部材５の表面に蒸着し、しかる後Ｎ２
等の還元性ガス雰囲気中で熱肌理した後、前記高融点金
属７をエツチング処理等で除去する。
この場合にはＮ２が高融点金属゛ｌに妨げられて絶縁膜
４と電極部材５の界面まで進まないため還元作用は起こ
らず、絶縁族生と′ｗｉ極部材５との界面にはＺｎ０層
６まだはＺｎ／Ｎ層６が形成され、絶縁膜４とＡｕＺｎ
系電極部材５との密着性は向上する。
４と電極部材５の界面まで進まないため還元作用は起こ
らず、絶縁族生と′ｗｉ極部材５との界面にはＺｎ０層
６まだはＺｎ／Ｎ層６が形成され、絶縁膜４とＡｕＺｎ
系電極部材５との密着性は向上する。
次に上記実施例による密着性向上を示す試験結果につい
て説明する。
て説明する。
金属顕微鏡によって撮影した写真１−ａ、ｉ−ｂにおい
て白く見える円形部分が電極で黒い部分が絶縁膜である
。この試験は次のようにして行なった。まず基板上にＳ
ｉ３Ｎ４絶縁膜を形成し、その上に直径５−００ μａ
φのＡｕＺｎ合金（Ｚｎ ｉ ｏ％）を蒸着して円形の
電極部材を形成した後、写真１−ａはＮ２ガス雰囲気中
で、写真１−ｂはＮ２ガス雰囲気中で、温度４５０℃で
２分間熱処理してそれぞれの試料を作成する。次にこれ
らの試料の表面に粘着テープを貼り伺げた後、この粘着
テープを急激に引き剥がした。
て白く見える円形部分が電極で黒い部分が絶縁膜である
。この試験は次のようにして行なった。まず基板上にＳ
ｉ３Ｎ４絶縁膜を形成し、その上に直径５−００ μａ
φのＡｕＺｎ合金（Ｚｎ ｉ ｏ％）を蒸着して円形の
電極部材を形成した後、写真１−ａはＮ２ガス雰囲気中
で、写真１−ｂはＮ２ガス雰囲気中で、温度４５０℃で
２分間熱処理してそれぞれの試料を作成する。次にこれ
らの試料の表面に粘着テープを貼り伺げた後、この粘着
テープを急激に引き剥がした。
Ｎ２ガス雰囲気中で熱処理した場合は写真１−ａから明
らかなように電極部材が大部分（約９０％以上）剥離さ
れているが、 Ｎ２ガス雰囲気中で熱処理した場合は写
真ｊ−ｂのように全く剥離しておらず密着性の著しい向
上が明白である。
らかなように電極部材が大部分（約９０％以上）剥離さ
れているが、 Ｎ２ガス雰囲気中で熱処理した場合は写
真ｊ−ｂのように全く剥離しておらず密着性の著しい向
上が明白である。
写真２はスクラッチ法により密着性をｔ′Ｆ価した例で
、写真１で示した試料を用い、先端半径３０μ携の球形
をルたダイヤモンドグローブ（写真３はダイヤモンドグ
ローブの先端形状を示す）によって荷重１０ｇでＡｕＺ
ｎ系電極部材表１ａｉをひつかき、その痕跡を比較した
ものである。Ｎ２ガス雰囲気中で熱処理したものでは写
１ｃ２− ａのように電極部材が広く剥離されているの
に対し、Ｎ２ガス雰囲気中で熱処理したものでは写真２
−ｂのように剥離が全く生じていない。
、写真１で示した試料を用い、先端半径３０μ携の球形
をルたダイヤモンドグローブ（写真３はダイヤモンドグ
ローブの先端形状を示す）によって荷重１０ｇでＡｕＺ
ｎ系電極部材表１ａｉをひつかき、その痕跡を比較した
ものである。Ｎ２ガス雰囲気中で熱処理したものでは写
１ｃ２− ａのように電極部材が広く剥離されているの
に対し、Ｎ２ガス雰囲気中で熱処理したものでは写真２
−ｂのように剥離が全く生じていない。
次に、ＩｎＧａＡｓＰ／工ｎＰ系半導体レーザのＰ型電
極として本発明による電極を用いた第３実施例を第５図
に示す。
極として本発明による電極を用いた第３実施例を第５図
に示す。
Ｂ１５Ｎａ絶縁膜８はＰ−ＩｎＧａＡｓＰ層９の上に形
成され、電極となる部分１０がストライプ状に工 ４゜
ツチング除去されている。Ａｕ−Ｚｎ合金電極部材１１
は絶縁膜８とＰ −ＩｎＧａＡ日Ｐ層９の上に蒸着され
た後、 Ｎ２雰囲気中４５０°Ｃで２分間熱処理を施す
と、Ｅ１１５Ｎ４絶縁膜８とＡｕ−Ｚｎ電極部材１１間
にＺｎＮ層１２が形成され、強固な密着性が得られた。
成され、電極となる部分１０がストライプ状に工 ４゜
ツチング除去されている。Ａｕ−Ｚｎ合金電極部材１１
は絶縁膜８とＰ −ＩｎＧａＡ日Ｐ層９の上に蒸着され
た後、 Ｎ２雰囲気中４５０°Ｃで２分間熱処理を施す
と、Ｅ１１５Ｎ４絶縁膜８とＡｕ−Ｚｎ電極部材１１間
にＺｎＮ層１２が形成され、強固な密着性が得られた。
この時、電極となるストライプ部分１０の構成は従来と
全く同等であるためオーミック性はまったく損なわれず
に８１ｓＮａ絶縁［βとＡｕＺｎ電極部材１１との密着
性が向上し半導体レーザのへき聞及びポンディング性が
著しく改善された。
全く同等であるためオーミック性はまったく損なわれず
に８１ｓＮａ絶縁［βとＡｕＺｎ電極部材１１との密着
性が向上し半導体レーザのへき聞及びポンディング性が
著しく改善された。
なお、図中１３はＰ−工ｎＰクラッド層、１４はＰ−工
ｎＧａＡＰ活性層、１５はＮ−工ｎＰクラッドｈれ１６
はＮ −ＩｎＰ基板、１７はＮ型電極である。
ｎＧａＡＰ活性層、１５はＮ−工ｎＰクラッドｈれ１６
はＮ −ＩｎＰ基板、１７はＮ型電極である。
以上説明゛したように本発明は絶縁膜と電極部材との間
にＺｎＯ層、またはＺｎＮ層を形成したので、コンタク
ト抵抗を増大させることなしに著しく密着性が向上し、
またへき聞及びボンディング性も著しく向上し、その結
果半導体部品の信頼性も向上する。
にＺｎＯ層、またはＺｎＮ層を形成したので、コンタク
ト抵抗を増大させることなしに著しく密着性が向上し、
またへき聞及びボンディング性も著しく向上し、その結
果半導体部品の信頼性も向上する。
第１−は従来の、Ｎ２等の還元性雰囲気中で熱処理した
場合の絶縁膜とＡｕＺｎ系電極部材の断面図、第２図は
従来の、Ｃｒ 、 Ｎｉ等を絶縁膜とＡｕＺｎ系電極部
材との間に挾んで密着性を向上させた場合の断面図、第
６配本発明の第１実施例を示す断面図、第４図は本発明
の第２実施例を示す断面図、第５図は本発明の第３実施
例を示す断面図である。 写真１−ａ、１−ｂは従来例及び本発明による電極を粘
着テープ剥離法で密着性を評価した金属顕微鏡写真、写
真２−ａ、２−ｂは同様に写真３のダイヤモンドプロー
ブを用いてスクラッチ法で密着性を評価した金属顕微鏡
写真である。 ル・・・絶縁膜、５・・・電極部材、６・・・ＺｎＯ層
またはＺｎＮ層、７・・・高融点金属層。 特許 出願人 安立電気株式会社 代理人 弁モ１１士 早 川 誠 志第１図 第３
図 第５図 手続補正書（方式） 昭和５８年９月２９日 特許庁長官若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許願第５３２０４号２
、発明の名称 電極とその形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都港区南麻布五丁目１０番２７号名称 （０
５７）安立電気株式会社 代表者 １） 島 −部 ４、代 理 人 〒１０５ 電話４３５−４７０２住
所 東京都港区新橋４−２４−３ 昭和５８年８月１０日（発送日：昭和５８年８月５０日
）６、補正の対象 明細書の［４、図面の簡単な説明」の欄７、補正の内容 明細書の第９頁の第１行目〜第５行目の「写真ｊ−ａ、
ｊ−ｂは・・・・・・・・・・・写真である。」の文を
削除する。 ３１１
場合の絶縁膜とＡｕＺｎ系電極部材の断面図、第２図は
従来の、Ｃｒ 、 Ｎｉ等を絶縁膜とＡｕＺｎ系電極部
材との間に挾んで密着性を向上させた場合の断面図、第
６配本発明の第１実施例を示す断面図、第４図は本発明
の第２実施例を示す断面図、第５図は本発明の第３実施
例を示す断面図である。 写真１−ａ、１−ｂは従来例及び本発明による電極を粘
着テープ剥離法で密着性を評価した金属顕微鏡写真、写
真２−ａ、２−ｂは同様に写真３のダイヤモンドプロー
ブを用いてスクラッチ法で密着性を評価した金属顕微鏡
写真である。 ル・・・絶縁膜、５・・・電極部材、６・・・ＺｎＯ層
またはＺｎＮ層、７・・・高融点金属層。 特許 出願人 安立電気株式会社 代理人 弁モ１１士 早 川 誠 志第１図 第３
図 第５図 手続補正書（方式） 昭和５８年９月２９日 特許庁長官若杉和夫殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許願第５３２０４号２
、発明の名称 電極とその形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都港区南麻布五丁目１０番２７号名称 （０
５７）安立電気株式会社 代表者 １） 島 −部 ４、代 理 人 〒１０５ 電話４３５−４７０２住
所 東京都港区新橋４−２４−３ 昭和５８年８月１０日（発送日：昭和５８年８月５０日
）６、補正の対象 明細書の［４、図面の簡単な説明」の欄７、補正の内容 明細書の第９頁の第１行目〜第５行目の「写真ｊ−ａ、
ｊ−ｂは・・・・・・・・・・・写真である。」の文を
削除する。 ３１１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （２） ＡｕＺｎ系電極部材と５ｉｏ２−）：たはＥ
１１３Ｎ４系絶縁膜とによって構成される電極において
；前記絶縁膜に真空中でＡｕＺ ｎ系合金を蒸着してＩ
Ｌ電極部材形成し、しかる後不活性ガス雰囲気中で熱処
理して前記絶縁膜と前記電極部材との界面にＺｎＯ層ま
たはＺｎＮ層を形成することを特徴とする電極の形成方
法。 （３） ＡｕＺｎ系電極部材と５１０２または５ｉ５
Ｎ４系絶縁膜とによって構成される電極において；前記
絶縁膜に真空中でＡ、ｕＺｎ系合金を蒸着して電極部材
を形成し、しかる後Ｃｒ、 Ｎｉ 、Ｔｉ等の高融点金
属を前記電極部材表面に蒸着した後、還元性ガス雰囲気
中で熱処理して、前記絶縁膜と電極部材との界面にＺｎ
＆’１４たはＺｎＮ層を形成することを特徴とする電極
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053204A JPS5941867A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 貫通穴を有するセラミックス部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053204A JPS5941867A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 貫通穴を有するセラミックス部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5941867A true JPS5941867A (ja) | 1984-03-08 |
Family
ID=12936337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57053204A Pending JPS5941867A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 貫通穴を有するセラミックス部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5941867A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005129524A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-19 | Samsung Sdi Co Ltd | リチウムイオン２次電池 |
| US7147962B2 (en) | 2000-03-30 | 2006-12-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Lithium secondary battery and manufacturing method thereof |
| US9287588B2 (en) | 2010-01-13 | 2016-03-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing battery |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5627990A (en) * | 1979-08-14 | 1981-03-18 | Nec Corp | Formation of semiconductor ohmic electrode |
| JPS56144559A (en) * | 1980-04-10 | 1981-11-10 | Toshiba Corp | Compound semiconductor element |
| JPS57115864A (en) * | 1981-01-12 | 1982-07-19 | Toshiba Corp | Compound semiconductor device |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57053204A patent/JPS5941867A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5627990A (en) * | 1979-08-14 | 1981-03-18 | Nec Corp | Formation of semiconductor ohmic electrode |
| JPS56144559A (en) * | 1980-04-10 | 1981-11-10 | Toshiba Corp | Compound semiconductor element |
| JPS57115864A (en) * | 1981-01-12 | 1982-07-19 | Toshiba Corp | Compound semiconductor device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7147962B2 (en) | 2000-03-30 | 2006-12-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Lithium secondary battery and manufacturing method thereof |
| JP2005129524A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-05-19 | Samsung Sdi Co Ltd | リチウムイオン２次電池 |
| US9287588B2 (en) | 2010-01-13 | 2016-03-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing battery |
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