JPS5943580A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
- Publication number
- JPS5943580A JPS5943580A JP57152562A JP15256282A JPS5943580A JP S5943580 A JPS5943580 A JP S5943580A JP 57152562 A JP57152562 A JP 57152562A JP 15256282 A JP15256282 A JP 15256282A JP S5943580 A JPS5943580 A JP S5943580A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- photoelectric conversion
- conversion element
- depletion layer
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/28—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices being characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistors
- H10F30/283—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices being characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistors the devices having Schottky gates
- H10F30/2843—Schottky gate FETs, e.g. photo MESFETs
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、光検出を行なう光電変換素子に関する。
［発明の技術的背景と問題点］
従来、光検出用の光１ＴＬ変換素と１−では、光３み電
セル、フォトダイオード、フォトトランジスタなどがあ
り、多用されている。これらの光＜Ｋ換素子を光検出に
用いるには、素子に一定の？＃！ １（：、を印加して
おき、光が照射された時の電流（Ｉ■、）、Ｊ−暗時の
電流（Ｉ Ｉ））の差異を以って光の有無を検知しよう
とするものである。検出能を良くするにはＩ 、／Ｉゎ
が犬きくなければならずまだこれらの素子をある装置に
組込んで実用するには、ＩＪ、の絶対値が大きくなけれ
ばならない○ 古ころで、上記の光？に変換素子の光電流と一士、イー
のエネ）Ｌギにより素子内に誘起された電子又は正孔（
光キャリア）が担っている。光導ｉｔセルの場合、ＩＬ
と■９の差異は、開時と暗時のキャリ−ア数の差異であ
り、ＩＬを犬きくするため（（光に誘起されるギヤリア
数が多い光導電セルを製作しようとすると、同時に暗時
のキャリア数も多くなり、ＩＪ）が増大する。この場合
Ｉ Ｉ／／工１）は逆に小さくなるのが通常である。フ
ォトダイオードは、半導体のｐｎ接合を逆バイアス下で
使用するため、よりはｐｎ接合の飽和電流値となり小さ
いが、■、は接合付近で生成されたキャリアによるもの
がほとんどであり、ＩＩ、の絶対値はそれほど大きくな
い。フォトトランジスタは半導体のｐｎｐ接合又はｎｐ
ｎ接合のフック増倍作用を利用するもので、このだめＩ
Ｌはフォトダイオードより１桁大きくなるが、同時にＩ
Ｉ）が増加する。
セル、フォトダイオード、フォトトランジスタなどがあ
り、多用されている。これらの光＜Ｋ換素子を光検出に
用いるには、素子に一定の？＃！ １（：、を印加して
おき、光が照射された時の電流（Ｉ■、）、Ｊ−暗時の
電流（Ｉ Ｉ））の差異を以って光の有無を検知しよう
とするものである。検出能を良くするにはＩ 、／Ｉゎ
が犬きくなければならずまだこれらの素子をある装置に
組込んで実用するには、ＩＪ、の絶対値が大きくなけれ
ばならない○ 古ころで、上記の光？に変換素子の光電流と一士、イー
のエネ）Ｌギにより素子内に誘起された電子又は正孔（
光キャリア）が担っている。光導ｉｔセルの場合、ＩＬ
と■９の差異は、開時と暗時のキャリ−ア数の差異であ
り、ＩＬを犬きくするため（（光に誘起されるギヤリア
数が多い光導電セルを製作しようとすると、同時に暗時
のキャリア数も多くなり、ＩＪ）が増大する。この場合
Ｉ Ｉ／／工１）は逆に小さくなるのが通常である。フ
ォトダイオードは、半導体のｐｎ接合を逆バイアス下で
使用するため、よりはｐｎ接合の飽和電流値となり小さ
いが、■、は接合付近で生成されたキャリアによるもの
がほとんどであり、ＩＩ、の絶対値はそれほど大きくな
い。フォトトランジスタは半導体のｐｎｐ接合又はｎｐ
ｎ接合のフック増倍作用を利用するもので、このだめＩ
Ｌはフォトダイオードより１桁大きくなるが、同時にＩ
Ｉ）が増加する。
以上のように従来の光検出用の光電変換素子はＩＬ
として光キャリアを用いるため、ＩＬの大きな素子を製
作するのが困難であり、ＩＬを大きくしようとするとＩ
Ｄが同時に増大し、Ｉ、／Ｉ。が小さくなるという問題
点がちった。
として光キャリアを用いるため、ＩＬの大きな素子を製
作するのが困難であり、ＩＬを大きくしようとするとＩ
Ｄが同時に増大し、Ｉ、／Ｉ。が小さくなるという問題
点がちった。
［発明の目的］
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、高感
度の光電変換素子を提供することを目的とする。
度の光電変換素子を提供することを目的とする。
［発明の概要コ
本発明による光電変換素子は、基板上に形成された半導
体３と、前記半導体に電圧を印加し電流を検出するため
の２個の電極とからなる光電変換素子において、ｔ）ｉ
Ｊ記２個の電極の中間に、１）Ｉ■記半導体内に空乏層
を生じ忙しめるだめの金属もしくは半導体が形成されて
おり、前記？と乏層の厚さがｎｉＪ記半導体の厚さとほ
ぼ同程度である光電変換素子である。
体３と、前記半導体に電圧を印加し電流を検出するため
の２個の電極とからなる光電変換素子において、ｔ）ｉ
Ｊ記２個の電極の中間に、１）Ｉ■記半導体内に空乏層
を生じ忙しめるだめの金属もしくは半導体が形成されて
おり、前記？と乏層の厚さがｎｉＪ記半導体の厚さとほ
ぼ同程度である光電変換素子である。
［発明の効果］
本発明によれば、従来の光電変換素子である光導電セル
、フォトダイオ−ド、フォトトランジスタなどに比し、
製造工程も複雑でな（、Ｉ、、の絶対値が犬きく、１〜
かもＩ Ｉ／Ｉ Ｄの大きな高感度の光電変換素子が得
られる。
、フォトダイオ−ド、フォトトランジスタなどに比し、
製造工程も複雑でな（、Ｉ、、の絶対値が犬きく、１〜
かもＩ Ｉ／Ｉ Ｄの大きな高感度の光電変換素子が得
られる。
［発明の実施例］
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）（ｂ）に本発明による光電変換素子の上面
図、断面図を示す。（１）はｉ形のガリウム砒素（Ｇａ
ＡＳ）基板であり、基板（１）上に光〕ｄ変換素子の本
体（２）吉なるｎ形のＧａＡＳがエビタキンヤル成長さ
れている。
図、断面図を示す。（１）はｉ形のガリウム砒素（Ｇａ
ＡＳ）基板であり、基板（１）上に光〕ｄ変換素子の本
体（２）吉なるｎ形のＧａＡＳがエビタキンヤル成長さ
れている。
本体（２）である（）ａＡｓのドナ密度（ＮＤ）は約８
Ｘ１０Ｃｒｎで抵抗率（ρｎ）は約１Ω１であった。本
体（２）の厚さは約１μｍである。本体（２）上の両端
には金−ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ）共晶から成る電極
が形成されており、以下それぞれをソース（３）、ドレ
イン（４）と記す。
Ｘ１０Ｃｒｎで抵抗率（ρｎ）は約１Ω１であった。本
体（２）の厚さは約１μｍである。本体（２）上の両端
には金−ゲルマニウム（Ａｕ−Ｇｅ）共晶から成る電極
が形成されており、以下それぞれをソース（３）、ドレ
イン（４）と記す。
ソース（３）、ドレイン（４）のそれぞれの下の本体（
２）には、両電極のオーム性接触を良好にするためのｎ
土層（５）が形成されている。またソース（３）、ドレ
イン（４）の中間の本体（２）の上には、 ＧａＡｓに
ショットキ障壁を生じせしめる金属（６）である白金が
光が通過できるように薄く蒸着されており、この金Ｗ６
（６）の下の本体（２）内部には、ショットキ障壁に起
因する空乏層（７）が広がっている。
２）には、両電極のオーム性接触を良好にするためのｎ
土層（５）が形成されている。またソース（３）、ドレ
イン（４）の中間の本体（２）の上には、 ＧａＡｓに
ショットキ障壁を生じせしめる金属（６）である白金が
光が通過できるように薄く蒸着されており、この金Ｗ６
（６）の下の本体（２）内部には、ショットキ障壁に起
因する空乏層（７）が広がっている。
第１図に示しだ本発明による光電変換素子のソース（３
）、ドレイン（４）それぞれが負・正となる電圧（Ｖ）
−ｅ印加した場合の電流−電圧特性（Ｉ−Ｖ特性）を１
．００１Ｘの白色光照射における開時及び暗時それぞれ
について測定した結果の一例を第２図人に示す。同図に
は本発明との比較のために、本発明による光電変換素子
の本体（２）と厚さ、幅、長さの形状が同様な硫化カド
ミウム（ＣｄＳ）光導″シセルによる特性Ｂをも示した
。
）、ドレイン（４）それぞれが負・正となる電圧（Ｖ）
−ｅ印加した場合の電流−電圧特性（Ｉ−Ｖ特性）を１
．００１Ｘの白色光照射における開時及び暗時それぞれ
について測定した結果の一例を第２図人に示す。同図に
は本発明との比較のために、本発明による光電変換素子
の本体（２）と厚さ、幅、長さの形状が同様な硫化カド
ミウム（ＣｄＳ）光導″シセルによる特性Ｂをも示した
。
本発明による光電変換素子の特性は、第２図かられかる
よｆ、うに、明ビ流（ＩＬ）は印加ｔＫ圧Ｖに比例して
大きくなり、一方、暗電流（■、〕）はＶがある程度大
きな領域になると飽和して」？す、■の変化に対し、Ｉ
Ｉ）はほぼ一定値をとる。このような領域では、ＩＬと
ＩＤの比（ＩＴ７’ｌ４））は１０６以上となっている
。これに対し、ＣｄＳ光導′眠セルの場合、Ｉｖ’Ｉｓ
）は１０５徨度であり、ＩＬの絶対値は本発明の光電変
換素子より２桁近く小さい。このように、本発明による
光電変換素子は、従来の光Ｔ１工変換素子に比べ大きな
ＩＬ値が得られ、且つ、■し′ＩＤ比も十分大きくなる
吉いう著しい効果がある。
よｆ、うに、明ビ流（ＩＬ）は印加ｔＫ圧Ｖに比例して
大きくなり、一方、暗電流（■、〕）はＶがある程度大
きな領域になると飽和して」？す、■の変化に対し、Ｉ
Ｉ）はほぼ一定値をとる。このような領域では、ＩＬと
ＩＤの比（ＩＴ７’ｌ４））は１０６以上となっている
。これに対し、ＣｄＳ光導′眠セルの場合、Ｉｖ’Ｉｓ
）は１０５徨度であり、ＩＬの絶対値は本発明の光電変
換素子より２桁近く小さい。このように、本発明による
光電変換素子は、従来の光Ｔ１工変換素子に比べ大きな
ＩＬ値が得られ、且つ、■し′ＩＤ比も十分大きくなる
吉いう著しい効果がある。
本発明による光電変換素子の動作を説明すると以下のよ
うになる。
うになる。
第３図は、本発明による光電変換素子の動作状態を模式
的に示したものであり、同図（ａ）は、暗時における無
バイアス状態、同図（ｂ）は、暗時において、ソース（
３）に負ドレイン（４）に正の電圧を印加した状態、同
図（Ｃ）は、開時において、ソースに負、ドレインに正
の電圧を印加した状態をそれぞれ表わすものである。半
導体にショットキ障壁を形成しだ場合、その空乏層の厚
さＷは、 Ｗニ２ε。ε、・ｖｂ１／ｑＮＩ） で表現される。ここに、６．）は真空の誘電率、εＳは
半導体の比誘電率、■ｂ１はビルトインポテンシャル、
ｑは電子の電荷、ＮＩ）は半導体のドナ密度である。Ｎ
Ｄ ＝ ８ Ｘ １０”ｃｍ、 ３の（）ａＡｓＫｐｔ
を蒸着サセテンヨットキ障壁を形成した場合Ｗは約１μ
ｍとなる。
的に示したものであり、同図（ａ）は、暗時における無
バイアス状態、同図（ｂ）は、暗時において、ソース（
３）に負ドレイン（４）に正の電圧を印加した状態、同
図（Ｃ）は、開時において、ソースに負、ドレインに正
の電圧を印加した状態をそれぞれ表わすものである。半
導体にショットキ障壁を形成しだ場合、その空乏層の厚
さＷは、 Ｗニ２ε。ε、・ｖｂ１／ｑＮＩ） で表現される。ここに、６．）は真空の誘電率、εＳは
半導体の比誘電率、■ｂ１はビルトインポテンシャル、
ｑは電子の電荷、ＮＩ）は半導体のドナ密度である。Ｎ
Ｄ ＝ ８ Ｘ １０”ｃｍ、 ３の（）ａＡｓＫｐｔ
を蒸着サセテンヨットキ障壁を形成した場合Ｗは約１μ
ｍとなる。
従ってＧａＡｓの厚さを、１μｍ程度にすると、第：３
図（ａ）のように空乏層（６）は半導体の厚さ方向はぼ
全体に広がっている。従９てソース（３）、ドレイン（
４）に電圧を印加した場合、電流は、半導体本体（２）
の底のごく薄い層をしか流れることができない。従って
■Ｄｌ′ｌｔは極めて小さい。印加する４圧を増してい
くと、第３図（ｂ）のように空乏ＩＹｔ（６）がドレイ
ン（４）側で広がっていき、所謂ピンチオフ状態となり
、電圧をいくら増大しても醒流値は変化せず飽和する。
図（ａ）のように空乏層（６）は半導体の厚さ方向はぼ
全体に広がっている。従９てソース（３）、ドレイン（
４）に電圧を印加した場合、電流は、半導体本体（２）
の底のごく薄い層をしか流れることができない。従って
■Ｄｌ′ｌｔは極めて小さい。印加する４圧を増してい
くと、第３図（ｂ）のように空乏ＩＹｔ（６）がドレイ
ン（４）側で広がっていき、所謂ピンチオフ状態となり
、電圧をいくら増大しても醒流値は変化せず飽和する。
即ち、第２図のｒＤ−ｖ特性が現われることとなる。
一方、光を照射すると、光のエネルギにより電子−正孔
対が生成され、空乏層の厚さＷが短くなる。
対が生成され、空乏層の厚さＷが短くなる。
即ち、半導体本体（２）の底にキャリアが通過できるチ
ャンネルが生じ、このｆｉｌＬ分を通−って大きな血’
ｒｉｆｔが５ｆれる。これが第２図の１５、−Ｖ７侍性
でヰ）る５、ところで、上述のような）′ｒ、による空
乏層の厚テＮの変化は、う“１ニーｌがある程度大きく
なると、その光量゛の変化に対する空乏層厚の変化率は
小さくなり上述のよりな光電変換素子の構成では、光量
検＋＋３には不利である。このへに鑑みて改良をなした
光電変換素子の模式図を第４図に、この素子の特性の一
例を第５図に示す。改良曳け、半導体（て・／ヨソトキ
障壁を生ずる金属（６）とリース（３）とを一定の抵抗
（８）で接続したものである。光のエネルギにより生成
されたキャリアのうち正孔は金属（Ｇｌにより収集され
、抵抗（８）を通ってソース（３）側へ流れる。
ャンネルが生じ、このｆｉｌＬ分を通−って大きな血’
ｒｉｆｔが５ｆれる。これが第２図の１５、−Ｖ７侍性
でヰ）る５、ところで、上述のような）′ｒ、による空
乏層の厚テＮの変化は、う“１ニーｌがある程度大きく
なると、その光量゛の変化に対する空乏層厚の変化率は
小さくなり上述のよりな光電変換素子の構成では、光量
検＋＋３には不利である。このへに鑑みて改良をなした
光電変換素子の模式図を第４図に、この素子の特性の一
例を第５図に示す。改良曳け、半導体（て・／ヨソトキ
障壁を生ずる金属（６）とリース（３）とを一定の抵抗
（８）で接続したものである。光のエネルギにより生成
されたキャリアのうち正孔は金属（Ｇｌにより収集され
、抵抗（８）を通ってソース（３）側へ流れる。
このとき抵抗（８）の両端に電位差が生じ、との′ｉＬ
位差に対応して空乏層（力の厚さが変化する。即ち、素
子に入射する光量に従って空乏層の厚さが！Ｉｉ制御さ
れ、ソース（３）、ドレイン（４）間を流れる電流が変
化することになり、第５図に示したようなｌ特性が得ら
れたのである。
位差に対応して空乏層（力の厚さが変化する。即ち、素
子に入射する光量に従って空乏層の厚さが！Ｉｉ制御さ
れ、ソース（３）、ドレイン（４）間を流れる電流が変
化することになり、第５図に示したようなｌ特性が得ら
れたのである。
以上述べたように本発明による光電変換素子では、ＩＬ
、 ＩＩ、／ＩＤ 共に大きな光電変換素子力３実現で
き、光量の変化にＩＬの変化力４対Ｊ？Ｓし、光量１ｂ
用の光電変換素子として適用が可能となる。
、 ＩＩ、／ＩＤ 共に大きな光電変換素子力３実現で
き、光量の変化にＩＬの変化力４対Ｊ？Ｓし、光量１ｂ
用の光電変換素子として適用が可能となる。
尚、上述の説明では、本発明の実施例として、ｐ形基板
上のｎ形ＱａＡｓを光電変換素子の本体とした例につい
て述べたが、ｎ形基板上のｐ形ＱａＡｓを以っても同様
の効果を得ることができる。
上のｎ形ＱａＡｓを光電変換素子の本体とした例につい
て述べたが、ｎ形基板上のｐ形ＱａＡｓを以っても同様
の効果を得ることができる。
まだ、実施例には、ＱａＡｓ本体内に空乏層を生ずる手
段としてｐｔによるショットキー障壁を形成しだが、こ
の金属はＡ、１１などでもよく、またショットキ障壁の
代わりに、本体のＱａＡＳの不純物密度にＪ七し十分大
きな不純物密度を有する本体と導電形の逆なＧａＡＳを
形成し、このｐｎ接合（てより空乏層を生じせしめても
同様の効果が得られる。なんとなれば、ｐｎ接合におい
てはｐ又はｎの一方の不純物密度が他方のそれに比１〜
十分大きな場合、その空乏層はほとんど不純物密度の小
さな層にイ申びる７５≧らである。
段としてｐｔによるショットキー障壁を形成しだが、こ
の金属はＡ、１１などでもよく、またショットキ障壁の
代わりに、本体のＱａＡＳの不純物密度にＪ七し十分大
きな不純物密度を有する本体と導電形の逆なＧａＡＳを
形成し、このｐｎ接合（てより空乏層を生じせしめても
同様の効果が得られる。なんとなれば、ｐｎ接合におい
てはｐ又はｎの一方の不純物密度が他方のそれに比１〜
十分大きな場合、その空乏層はほとんど不純物密度の小
さな層にイ申びる７５≧らである。
光電変換素子材料としてＧａＡＳではな（３ｉを適用し
た場合も、光電変換特性には＃ｔ＃Ｙ同様の効果力５あ
った。
た場合も、光電変換特性には＃ｔ＃Ｙ同様の効果力５あ
った。
第１図は本発明による光電変換素子の構造図、第２図は
本発明による光電変換素子の光電変換特性図、第３図は
本発明による光電変換素子の動作を説明する模式図、第
４図は改良した光電変換素子の構造図であり、第５図は
改良しだ光電変換素子の光電変換特性図である。 ■・・基板、２・・光電変換素子本体、３ ・ソース、
４・ ドレイン、 ５・・ｎ＋層、 ６・・・ショットキ障壁金属、７・・
・空乏層、８・・抵抗。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第 （図 、 （／Ｓ〕 栴 ４ Ｎ 第 ２ 図 （１１）７０ＩηΣンＨＶ（Ｖ） ｍ ３ 図 ど ７ （２ 乙 ７ 第Ｓ図 印カロ暁１）「 Ｖ （ｖＣ
本発明による光電変換素子の光電変換特性図、第３図は
本発明による光電変換素子の動作を説明する模式図、第
４図は改良した光電変換素子の構造図であり、第５図は
改良しだ光電変換素子の光電変換特性図である。 ■・・基板、２・・光電変換素子本体、３ ・ソース、
４・ ドレイン、 ５・・ｎ＋層、 ６・・・ショットキ障壁金属、７・・
・空乏層、８・・抵抗。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 第 （図 、 （／Ｓ〕 栴 ４ Ｎ 第 ２ 図 （１１）７０ＩηΣンＨＶ（Ｖ） ｍ ３ 図 ど ７ （２ 乙 ７ 第Ｓ図 印カロ暁１）「 Ｖ （ｖＣ
Claims (2)
- （１）基板−Ｌｌで形成された半導体、と、前記半導体
に電圧を印加し電流を検出するだめの２個の電極とから
なる光電変換素子において、前記２個の′ｉＬ極の中間
に、前記半導体内に空乏層を生じせしめるための金属も
しくは半導体が形成されており、前記空乏層の厚さが、
前記半導体の厚さとｔ？ｆ、ぼ同程度となることを特徴
とする光電変換素子。 - （２）１時だ１請求の範囲第１項記載の光電変換素子に
おいで、２個の電極のいずれか一方と、空乏層を生じせ
［７めるプζめの金属もしくは半導体とを一定の抵抗値
をもつ物質にて接続１−たことを特徴とする九′？δ変
換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57152562A JPS5943580A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57152562A JPS5943580A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943580A true JPS5943580A (ja) | 1984-03-10 |
Family
ID=15543187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57152562A Pending JPS5943580A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943580A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63249765A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-17 | カネボウ株式会社 | パイル構造物の染色法 |
| JPS63249764A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-17 | カネボウ株式会社 | パイルを有する繊維構造物の染色法 |
-
1982
- 1982-09-03 JP JP57152562A patent/JPS5943580A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63249765A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-17 | カネボウ株式会社 | パイル構造物の染色法 |
| JPS63249764A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-17 | カネボウ株式会社 | パイルを有する繊維構造物の染色法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0296428B1 (en) | Heterojunction interdigitated schottky barrier photodetector | |
| CN109686809B (zh) | 一种iii族氮化物半导体可见光雪崩光电探测器及制备方法 | |
| CN113921646A (zh) | 单光子探测器及其制作方法、单光子探测器阵列 | |
| CN104779316B (zh) | 一种新型GaN基PIN结构紫外探测器 | |
| CN108807567A (zh) | 一种可调制表面能带的碲镉汞雪崩二极管探测器 | |
| JPH0799778B2 (ja) | 広いバンドギヤツプキヤツプ層を有する背面照明形フオトダイオード | |
| US20140217540A1 (en) | Fully depleted diode passivation active passivation architecture | |
| US4488038A (en) | Phototransistor for long wavelength radiation | |
| US4282541A (en) | Planar P-I-N photodetectors | |
| JPS5943580A (ja) | 光電変換素子 | |
| JPS5893386A (ja) | 半導体光電変換装置 | |
| US5179431A (en) | Semiconductor photodetection device | |
| JPS61170079A (ja) | 半導体受光素子 | |
| CN207320147U (zh) | 一种具有二维电子气去噪屏蔽环的AlGaN紫外探测器 | |
| US4860074A (en) | Alternating gradient photodetector | |
| CN112382687B (zh) | 一种平面型光电探测器及其制备方法 | |
| KR20030054665A (ko) | 저온성장 화합물반도체를 이용한 ｈｅｍｔ 구조의 ｍｓｍ광검출기 제조방법 | |
| Cai et al. | Design of band-engineered bidirectional avalanche photodetector enabling switchable dual-band ultraviolet detection | |
| CN103247675B (zh) | 具备光电转换和放大功能的异质结三极管 | |
| CN118198170B (zh) | 一种电流极性可控的半导体光电探测器及设有其的器件 | |
| WO2022261829A1 (zh) | 一种ⅲ族氮化物异质结光电探测器 | |
| Sednev et al. | Current–Voltage Characteristics of nBp Structures with Absorbing In0. 53Ga0. 47As Layer | |
| RU221645U1 (ru) | Полупроводниковый фотодиод для инфракрасного излучения | |
| JPH07105522B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN111341841B (zh) | 基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件 |