JPS5945945A - ハ−メチック被覆方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、一般に光ファイバを被覆する方法に関する
ものであり、特にファイバが線引きされた直後に行なわ
れ、ファイバが腺引きされた後、特に貯蔵および使用中
における光ファイバの機械的強度を保持させるようにす
るそのような方法に関するものである。

〔発明の技術的背景〕

ファイバが理想的な栄件の下でｉ引きされた時に酸化シ
リコン光ファ・「バＡＡ料について銭σ（１１された開
型的な抗張力は１００万ｐ、ｓ、Ｉのオーダである。成
る柚の光通イばにおいてｌ’、ｉ　１　ｋｍ以上の長さ
の光ファイバを１丈用することが必侠である。そのよう
な３更い光ファイバｆ関用する時の技術上の問題はその
ようなファイバの光分な機械的強度が不足していること
である。すなわち市販の長い光ファイバの抗張力１ｄ５
０，０００乃至８０．０００ｐ＋ａ＋１の軛−４にある
。しかしながら例えは長大な光ファイバを１史用した迅
床支払刈抽シ１”）！）ミ、２ ステムのような成る特別の用途の光専竜体として使用す
る時には元ファイバは２００，０００ｐ、ｓ、を以上の
機械的強度が請求さＪしる。

前に述べた充分７ｉ：機株強度で長いファイバが処理さ
れない理由は通ｎのファイバの腺引き動作の間および後
に光４表緘的Ｊ孝擦および、或は水蒸気のような雰囲気
中の汚東物質による化学的なアタックを受けることによ
って生じたザブミクロンの大きさの表面の慟が存在する
ことである。これらの問題を解決しようとしてファイバ
の線引き後にこれらファイバに肩゛磯材料被稜を施すこ
とが行なわれている。しかしながら、これらの有機材料
被覆は水蒸気或は水酸基イオンの拡散を阻止できない。

これは便用中或は貯蔵中に南機材料を被覆したファイバ
の強度を減少させる。光ガラスファイバは非常に水蒸気
および多くの有害１■境に対して敏感である。それ故フ
ァイバはその構造的完全性を保護するためにハーメチッ
ク被ｋｆ必要とする。

シリコン或は各種金属のような無機材料でガラスファイ
バを仮積するために今日使用されている最も実行可能な
方法の１つは化学的蒸気付ｉ　（ＣＶＤ　）法によるも
のである。

化挙的蒸気付着法においては、被覆材料は単一のガス状
反応月料からそのような材料を住成装の反応温度で反応
させるかして気相で形成する。被覆材料はガス体中で粒
子を形成し、そのガス体中でそのような材料の解放或は
化学的形成が行なわれる。これらの粒子は次いでファイ
バの露出した表面に付層される。

この方法は次のような本１面的な欠点を自している。す
なわち、ｃｖＤ反応生成物（大体固体粒子である）は基
体表面、すなわちファイバの露出表面と作用して付着処
理中に表面に損傷ケ生成する。従来の＃ｉ験ではＣＶＤ
は通常ファイバ４Ｊ料中に亀裂や微細なりラックを生成
し−ｃファイバの強度を低下させるような実質的欠陥を
ファイバ中に生成する大きなグレイン或は円錐状成長体
を生じることが鋭祭されている。したがって、との肢覆
方法が使用される時にはファイバの単位長強度はファイ
バ或はファイバのコアの線引直後に、化学蒸気付着処理
でコアにハーメチック被覆を施す前にファイバの・付し
ていた強度より低下される。この強度の低下は釜中（ｉ
長には影暫しないけれども、それはしばしはハーメチッ
ク被覆を施したファイバの全体の強度をファイバ材料の
籾引きの直後に有していた強度に比較して著しく低下さ
せる。これはもちろん非常に大きな欠点である。

〔発明の目的〕

したがって、この発明の一般的な目的は従来技術の欠点
を除去することにある。

さらに説明すれは、この発明の目的は、ガラスファイバ
の露出表向に、特に光学プレフォームからファイバが想
引きされた直□後にハーメチック被覆を付着させる方法
を開発することであり、その方法は従来の方法の欠点を
Ｍせず、ファイバの強度の低下を生じないものである。

この発明の別の目的は、従来の被覆された光ファイバに
比較して耐久力の増大した被覆された高強度光ファイバ
を製造する方法を提供することである。

この発明の付随的な目的は上述の方法を遂行するのに適
した。装置を提供することである。

この発明のさらに別の目的は、構造が簡単で、廉価に製
造でき、それにも拘らず動作の信頼性が商いものである
ようにここに述べた型式の装置を構成することである。

この発明の付加的な目的は、上述の型式の装置をファイ
バの機械的強度を減少させることなくファイバ上にバー
メチ、り被覆をイ・ｊ’　４−ｔさせることができるよ
うに設計することである。

〔発明の概要〕

これらの目的および以下のω？、明により明らかにされ
るその他の目的を達成するために、この発明の特徴の１
つは次に述べるような光ファイバの露出表向にハーメチ
ック被覆を励す方法にある。すなわち、その方法り゛予
め定められた温度に加熱された時に被設材料に化学的に
変化することができる少なくとも１個の反応材料’ｆｒ
：宮む気体媒質中を光ファイバを通過させ、光ファイバ
を少なくとも露出表１１において少なくとも化学的変化
のための予め定められた温度に加熱し同時に直接露出衣
用１上に被覆）ｒＡ科の付層を行表わせるものである。

ハーメチック成績は光学プレフォー、２ムからファイバ
を、′原料きした１自佼に施し、ファイバの１１（Ｊ過
と加熱が回じｉｊｉ域で行なわれるようにするとよい。

この発明の方法を効果的に実施するためには加熱された
ファイバの露出表向の周囲で気体媒質を循環させるとよ
い。この循環を行なうために気体媒質を反応領域に限定
し、反応材料を含む補充気体媒質を反応領域に導入する
ようにすることができる。これはファイバの加熱された
露出表向に少なくとも１つの気体媒買流を指向させるよ
うにして行なうこともできる。加熱はファイバの露出表
向を直接放射線、特に赤外線で照射することによって行
なうことができる。

この発明の別の観点によればそのコア上に／’を一メチ
ツク被覆を有する高強度光コアイノ々の製造方法が提供
される。その方法においては光学プレフォームからコア
が解引きされ、線引きされたばかシのコアを予め定めら
れた温反に加熱された時に被覆材料に化学的に変換され
ることができる少なくとも１つの反応材料を含む気体媒
体中全通過させ、コアを少なくともその露出表面におい
て予め定められた温度に加熱して化学的変換を行なわせ
同時にｈλ出出面面上被覆材料の付着を直接性なわせる
。この方法においてはハーメチック被覆の外面にさらに
追加の被覆層を形成してもよい。これらの方法はまた上
述の単一の反応材料の代りに予め定められた温度に加熱
された時に相互反応により被覆材料を形成することので
きる２以上の反応祠科を気体媒質中に導入してもよい。

この発明の別の観点によれは光ファイバの絽出表Ｔｍに
ハーメチック被覆を施す装置−′が提供される。その装
置は反応領域を限定する手段と、予め定められた温度に
加熱された時に被覆拐料に化学的に変化することのでき
る１以上の反応材料を含む気体媒質を反応類域中に保持
する手段と、ファイバを少なくともその表■において化
学的変化を行なわせ同時にファイバの露出表向に被覆材
料を直接付層させるだめの予め定められた温度に加熱す
る手段とを備えている。そのような装置の加熱手段はフ
ァイバの露出表向に直接放射線を照射する手段、特にフ
ァイバと平行に延在するＳ、＋＋＋長い放射線源を備え
るとよい。

放射線照射手段としては１個以上の赤外線照射諒を設け
るとよい。

装置ｄの好ましい構造においては反応領域を限定する手
段は反応領域の周囲を囲み加熱する放射線に対して透明
な少なくとも１個の壁部分を備えている。その場合放射
線照射手段はこの壁部分の外側に配置され、壁部分を透
過して反応領域を通過するファイバの露出表面を１１１
射する少なくとも１個の放射線源を備えている。放射線
源によって放射されたエネルギを最大限に利用し、ファ
イバをできるたけ均一に加熱するために、放射線照射手
段が放射線源を少なくとも部分的に囲み、放射線源によ
って放射されたエネルギを反射し、反射した放射−を壁
部分を通過して反応領域を通過するファイバの露出表向
に入射させる少なくとも１個の反射部材を備えるとよい
。

気体媒質体を反応領域中に保持する手段は媒・以内の反
応Ｉ料を補充するために分解によｐ核種材料を生成する
少なくとも１つの反応材料、或は相互反応により予め定
められた温度で被瞳制料を形成することのできる２以上
の反応拐料を反応領域中に尋人する手段を備えることが
好ましい。

この発明はまたそのコア上にハーメチック被覆を有する
高強度光ファイバを製造する装置に関する。この装置は
、予め定められた温度に加熱された時に被覆材料に化学
的に変化することのできる１以上の反応拐料を含む気体
媒質を反応領域中に保持する手段と、光学ブレフオーム
からコアを線引きし、線引き直後に反応領域中をコアを
通過させる手段と、反応領域を通過するコアを少なくと
もその露出表面において予め定められた温度に加熱して
化学的に変化させ同時に露出表面上に直接被覆材料を付
着させる手段とを備えている。この装置はさらに反応領
域から出た陵、ハーメチック被覆の外面に少なくとも１
つの追加の被覆層を施す手段を備えるようにするとよい
。

ハーメチック被〜を施す上述の方法を以下異種核熱化学
的付着（ｈｅｔｅｒｏｇｅｎｅｏｕｓ　　ｎｕｃｌｅａ
ｔｌｏｎｔｈａｒｍｏｃｈｅｍｉｃａｌ　ｄａｐｏａｉ
ｓｉｔｉｏｎ　ｅ略称ＨＮＴＤ　）と呼ぶ。これはファ
イバを敗り囲む雰囲気中よシはむしろ加熱された基体表
面において直接異種化学反応によって付着物が生成され
る被覆方法である。付着されるべき要素或は物質の揮発
性化合物が蒸気化され、蒸気は加熱された基体（７アイ
パ）表面において非揮発性の反応生成物を生じるように
熱分解され或は他の蒸気と反応して基体上の被榎を形成
する。ＨＮＴＤ法は被覆および反応材料に応じて低温或
は高温で行なわれる。

）（ＮＴＤ法は化学的蒸気付着（ＣＶＤ　）法とは特別
の相違点を有する。ＣＶＤ法は均一な化学反応処理であ
り、反応生成物は主として気相中で形成される。それに
対してｆＩＮＴＤ法は基体上に直接微細粒状構造を生成
し、錐状成長体を完全に避けることができる。表面の損
傷を生じるような同体粒子と基体表面との相互作用は存
在しない。

被覆材料はニ ー　基体材料と良好な伺着または結合が得られるもので
なければならない。

−熱応力が最小に々るように情体制料に匹敵する熱膨張
係数を持た々ければならない。

−ファイバが使用される復境における汚染に対して抵抗
力がなければならない。

好ましい肢榎材料は、金属（合金を含む）、ガラスおよ
びセラミックである。基体飼料ｔまガラス、セラミ、り
および金属である。未反応の気相材料は主としてハロヶ
゛ン化シリコンのような金属ハロダン化物、ハロヶ゛ン
酸化物、水素化物、カーボニル、有機金属、金属有機化
合物等であシ、他の反応＋４料〃スおよびキャリヤガス
と共に使用することがでさる。

上述の、およびその他のこの発明の目的および唱−徴は
添付図＋ｍを参照にした以下の。５ｔ　Ｌｌｌｌにより
さらに明らかにされよう。

〔発明の実施例〕

ｈ↓１図を参照すると記号ｌは被覆された光７ア・ｆパ
を製造する装置全体を示す日己号として１史用されてい
る。装置Ｊはその主要構成部分としてファイバプレフォ
ームの線引き炉２、反応装置ｔ（１３、ポリマー被覆装
置４、キュア炉５、および勝引き装に６を備えている。

肪引き装置６は略図的にスプールとして示されている。

縁引き装置６は通常の方法でチャ、り９に取り付けられ
線引き炉２中にまで伸びているプレフォーム８からファ
イバ７を線引きする。必要ならば腺引き動作中チャック
９によってプレフォーム８を回転させてもよく、それは
効果のめることである。脚引き炉２中に入っているブレ
フオーム８０部分は高温ガス、酸水素焔、プラズマフレ
ーム或は熱放射縁等の通常の方法で加熱される。

ブレフオーム８ｆ：加熱するのに使用される特定の方法
はこの発明にとって重要なものではない。

重装なことヲ」想引き炉２を出た直後、いずれにせよフ
ァイバ７の耕しい腺引きされた４出表面が何等かの損傷
を受ける前にファイバ７が反応装置ｆ　３内に入ること
である。反応装置３は内部の反応室１０を限定し、その
反応冨１０中に反応ガス７１に入口Ｉ）から導入され、
１史用された反応ガスは出口１２から放出される。前述
のように、また恢で計しく説明するように反応ガスは少
なくとも１つの反ＵｍＬ＋拐料才たは物質からなるか或
はそれを含の１、その反応材料は予め定められた温度に
加熱されたとき反応装置ｍの反応室１０内でファイバ７
の外面に施されるノ・−メチツク被覆の材料を生成する
。反応ガスｉ１反応箪１０を通るファイバ７の進行方向
と反対に反応室ＪＯ中を通過して流すとよい。反応室ｉ
ｏの周囲には流り」な窓１３が設けられている。加熱装
置１４は透明な窓Ｊ３の外側に配置され、放射線特に赤
外−放射をファイバ７が反応室１０を通過するときファ
イバ７の庫出表面に与える。

透明な窓１３は全てのＳｔ、＋ｔの放射線に対して透明
である心安はないか、ファイバ７の落出した外面を加熱
するために１吏用する放射線に対しては透明でなければ
ならない。さらに詳細な加熱装置１４の（・ｎ造につい
ては後に第２図を衾照に説明する。

さらに、第１図には反応室ＪＯ内で）・−メチツク被覆
を施されたファイバ７が反応装置３から出た後、ポリマ
ー被覆装置４の内部を通って導かれる状態が示されてい
る。ポリマー被覆装置４は普通の構造のものであシ、そ
れ故ここでは詳細な説明は行なわない。少なくとも１つ
の追加の被覆、特にポリマー被覆が反応装置３の反応室
１０内で生成された前述のノー−メチツク被覆の上に施
されることを説明すれば充分である。このポリマー被覆
が施された後、ファイバ７はキュア炉５を通過し、そこ
でポリマー被覆は特にそれに熱を加えられて所望の特性
を被覆に与えるようにキュアされる。キュア炉５の構造
も普通のものでありここでは説明を省略する。

最後に被覆されたファイバ７は線引き装置すなわちスプ
ール６に到達し、少なくとも一時的に貯蔵するためにそ
こに巻取られる。

反応装置３のさらに詳細な構造はＭ２図に示されている
。加熱装置ノ４はファイバ７の通行方向に実質上平行に
延在する２個の細長い加熱素子すなわち熱源１５を備え
ている。細長い熱源Ｊ５は関連する実ノμ上断■形状が
楕円形の反射鏡Ｊ６の焦点にそれぞれ配置ｄされている
。一方フアイバフは楕円の他方の焦点を通過する。

反応装置３は容器Ｊ７を俯え、反射ｉｚ！１６は熱ｙ１
ｓに対する空洞を画定する容器Ｊ７７内に置換数は或は
連結することができる。熱源１５は加熱のため放射−喝
・に赤劉線を放射し、それは直接或は反射鏡１６で反射
されて透明な窓１３に入射し、窓１３を辿って線引きさ
れたファイバ７を照射する。放射線の幾つかの選択され
た軌跡を示す勝が図示されている。容器Ｊ７は複数の区
画またはダクト１８を備え、それを通って水のような冷
却媒体が循環して反射ε３１６の領域における容器１７
を冷却する。

第３図に示されているように、キュア炉５（第１図参照
）から出た彼のその最終状態におけるファイバ７はガラ
スその他類似物のような光学材料の芯部Ｊ９と、反応装
置ｉｆ　Ｅ中でこの発明のＨＮＴＤ法によって製造され
たハーメチック層２０と、被覆装置４において被覆され
キュア炉５においてキュアされた有機材料の外部被栓２
ノとを備えている。芯部Ｊ９は光ファイバのコア部分で
あってもよい。

通常のファイバの線引きにおいては固体プレフォームか
らファイバが線引きされる時それはポリマー被覆装置ｇ
を通過してファイバの清新な赤面を保鱈咳し取扱いを容
易にするための被覆を施される。したがって、ＨＮＴＤ
法によるハーメチック板積は線引き領域２とポリマー被
覆装置４との間で行なわれなければならない。加熱ｉ＆
１４の補助作用によりファイバ７だけが反応室１０内で
付着のための異４％　（ｈｅｔｅｒｏｇｅｎｅｏｕｓ）
化学反応に所望される温度に加熱される。この反応温度
は異軸化学反応温度と呼ぶ。透明な窓Ｊ３の壁部におけ
る温度はファイバ表面の温度よりも低くなる。それ故化
学反応生成物が壁の内面に沈涜することはない。ガラス
ファイバ上ヘハーメチック被覆を行なう低温および尚温
反応粂注は（オンラインにおいて）次の表１に示されて
いる。表Ｉには金属およびセラミックの被覆飼料の数例
だけが表示されている。

反応材料を構成する揮発性金属化合物の蒸気は蒸発によ
って発生される。この蒸発は揮発性化合物を加熱するか
或は揮発性化合物と接触するように非反応性のガスを流
すことによって行なわれ、ファイバ７の表■で直に反応
して金属となシ、同時に沈着される。揮発性の反応の副
産物は全て出口Ｊ２から排出される。

付着のパラメータはガスの流Ｈ１率、圧力および温度で
ある。反応ガスの一度および基体温度の増加は付着速度
を増加させる。基体温度′ｆｒ：増加させるか或は反応
ガスの一度を減少させると薄膜或は被覆２ｏの結晶性が
増加する。不純物は核形成速度を変え、構造欠陥を生じ
ることによって薄ｊＩＱの成長に影４１！１を与える。

例えはシリコンを付着させている間のカーボンによる汚
染は積層欠陥およびホイスカを生じステラフ０動作を阻
害する。

薄膜はガ′ラスに強固に付着しなけれＩ丁ｒならず、か
つファイバの表…１に例等の六曲慣湯を生成してはなら
ない。シリコンなどの金属のン専膜すな（わちｂ慢ｚｏ
とガラスファイバの芯部１９との間の熱膨張係数の不整
合は薄膜とファイバとの境界向において事故を生じるよ
うな大きな応力を生じるものではならない。

前に述べたように耕しい縁引きされたファイバ７は周囲
堀境の影響によって感知されるような損傷を受ける前に
ハーメチック板積２０を施されなければならない。これ
を行なうために線のものとするか、或は第１図に示すよ
うに管状の遮蔽体２２が廟引き炉２と反応装置７ｔ３と
の間に挿入される。その場合ファイバ７は遮蔽体２２の
内部を通り、シたがって周囲ＪＪｉｔ臂の影響から保−
される。この後者の方法は遮蔽体２２に線引き動作の−
だの、或はｊ…欠的な管理を行なうことができるように
直Ｈ’＋ｉｌＪ御用の窓を設けることを可能にするとい
う特別の利点を有している。

以上この発明の原理を特定の装置に関連して説明した。

しかしこの説明は単なる例示に過ぎないものであって特
許請求の範囲に記載された発明の技術的範囲を制限する
ものではないことを明瞭に理解すべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図は被損された光ファイバを製造するためのこの発
明の１実施例の装置の概略図を示し第２図は第１図の線
■−Ｈに治った断面図を拡大して示す。第３図は第１図
の装置により製造された被覆されたファイバの拡大した
横断面図を示す。 １・・・光フアイバ製造装置、２・・・線引き炉、３・
・・反応装置、４・・・ポリマー被覆装置、５・・・キ
ュア炉、６・・・線引き装置、７・・・ファイバ、８・
・・プレフォーム、ＪＯ・・・反応室、１３・・・透明
な窓、Ｊ４・・・加熱装置、１５・・・熱源、１６・・
・反射鏡、ノア・・・容器、１Ｂ・・・ダクト、１９・
・・芯部、２０・・・ハーメチック層、２ノ・・・外部
被覆、２２・・・遮蔽体。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）予め定められた温度に加熱された時に被覆材料に
   化学的に変化することのできる少なくとも１個の反応材
   料を含む気体媒質中を光ファイバを通過させ、光ファイ
   バを、少なくともその露出された表面において、化学的
   に変化し同時に易“Ｋ出光面に被）ｋ月料が直接付着す
   る予め定められた温度以上に加熱し、光ファイバの露出
   表面にハーメチック被覆を被着することを特徴とする光
   ファイバの製造方法。 （２）ハーメチック被覆は光学ブレフオームからファイ
   バを線引きした直後に光ファイバに施される特許請求の
   範囲第１項記載の方法。 （３）　　前記ファイバの通過および加熱は同じ領域で
   行なわれる特許請求の範囲第１狽記載の方法。 （４）　　ファイバの加熱された露出表面の周囲の気体
   媒質を循環される特許請求の範囲第１項記載の方法。 （５）前記循環のために気体媒質を反応領域に限定し、
   反応材料を含む補充気体媒質を反応領域に尋人する特許
   請求の範囲第４項記載の方法。 （６）前記循環のためにファイバの加熱された露出表面
   に対して少なくとも１個の気体媒質流を指向１せる特許
   請求の範囲第４項記載の方法。 （７）前記加熱は露出表面に対する放射−の照射を含む
   特許請求の範囲第４項記載の方法。 （８）　　光学ブレフオームからコアを線引きし、線引
   きされたばかシのコアを予め定められた温Ｋに加熱され
   た時に被覆材料に化学的に変化することのできる少なく
   とも１個の反応材料を含む気体媒質中を通過させ、コア
   を少なくとも露出表面において、化学的に変化し同幅に
   露出表面に被蝋拐料の直接付層が行なわれる予め定めら
   れた温度以上に加熱し、高い強度の光ファイバを製造す
   る特許［ｉ青水の範囲第１項記載の方法。 （９）前記気体媒質中の通過と加熱は同じ領域で行なわ
   れる特許請求の範囲第８項記載の方法。 ←（）　ファイバの加熱された露出表面の周囲で気体媒
   質を循環させる特ｇＩｆ請求の範囲第８項記載の方法。 ←９　循環にあたシ気体媒質を反応領域中に限定し、反
   応材料を含む補充気体媒質を反応領域に導入する特許請
   求の範１Ｉ１１第１０項記載の方法。 ０→　循環にあたシファイバの加熱された露出表向に対
   して少なくとも１つの気体媒質流を指向させる特許請求
   の範囲第１０項記載の方法。 θ１　前記加熱は露出表向に対する放射線の照射を含む
   特許請求の範囲第ｉｏ項記載の方法。 （ｌ・９　　ハーメチック被覆の外向に別の被覆層が施
   されるｔ―許請求の範囲第８ＪＭ記載の方法。 Ｑラ　予め定められた温度に加熱てれた時に被覆材料に
   作字的に変化することのできる１以上の反応材料を言む
   気体媒質体を形成する工程と、この気体媒質体中をファ
   イバを通過させる工程と、ファイバを、少なくともその
   露出表向において、化学的に変化し同時に露出表面に被
   覆材料が直接付着される温度以上に加熱する工程とを具
   備している特許請求の範囲第１項記載の方法。 （１〜　前記気体媒質体を形成する工程は予め足められ
   た温度において被覆材料を形成するように相互反応をす
   ることのできる２以上の反応材料を気体媒質体中に導入
   することを含んでいる特許請求の範囲第１５狽記載の方
   法。 曹　反応領域を限定する手段と、 予め定められた温度に加熱された時に被覆材料に化学的
   に変化することのできる１以上の反応材料を含む気体媒
   質体を反応領域中に維持する手段と、 光ファイバを、少なくともその露出表向において、化学
   的に変化し同時に露出表向上に被覆材料が直接付着され
   るような予め定められた温度以上に加熱する手段とを共
   崗していることを特徴とする光ファイバ製造装置。 ０婉　前記加熱する手段はファイバの露出表面に放射線
   を照射する手段を備えている特許請求の範囲第１７項記
   載の製造装置。 ０１　　前記放射線を照射する手段は１岡以上の赤外−
   源を協えている特許請求の範囲第１８項記載の東■Ｉ。 Ｋ）　　前記反応領域を限定する手段は、反応領域の周
   囲を囲み前記放射線に対して透明な少なくとも１個の壁
   部分を備え、前記放射線を照射する手段は、前記壁部分
   の外側に配置され、壁部分を透過して反応領域を通過す
   るファイバの露出表面を照射する１個以上の放射＃ｌ源
   を備えている特許請求の範囲第１８項記載の製造装置。 （２１）前記放射線を照射する手段は前記放射線源を部
   分的に囲み、放射線源より放射された放射線を前記壁部
   分の方向に反射させ、この低部分を透過して反応領域を
   通過するファイバの露出表向に入射させる少、なくとも
   １個の反射部材を具備している特許請求の範囲第２０項
   記載のｌＡ造装置。 （２２）前記放射線源はファイバと実買上平行に残在す
   る細長い１１−以上の放射、−源を具備している特許請
   求のＩＩＩ［シ囲第１８項ｇ己載の製造装置ａ０（２３
   ）前記気体媒質体を反応領域中に維持する手段は、気体
   媒質体中の反応材料を補充するために前記反応領域中に
   ＨｉＪ記１以上の反応拐科をｌ！ｉ人する手段を備えて
   いる特ｖ−Ｆ請求の範囲第１７項記載の製造装置。 （２４）前記気体媒質体を反応穎城中に維持する手段は
   、気体媒質体中の反応桐材を補充するために予め定めら
   れた温度で前記板稽拐料を形成するように相互反応する
   ことのできる２以上の反応飼料を反応領域に導入する手
   段を具備している特許請求の範囲第１７項記載の製−ｆ
   ｉｉ装置。 （２５）反応領域を限定する手段と、 予め定められた温度に加熱された時に被覆材料に化学的
   に変化することのできる１以上の反応材料を含む気体媒
   質体を反応領域中に維持する手段と、 光学プレフォームからコアを腺引きし１．ＩＬＪｌ引き
   直後に前記反応領域を通ってそのコアを通過させる手段
   と、 前記反応狽域を通過するコアを、少なくともその露出表
   面において、化学的に変化し同時に露出表面に被覆材料
   が直接付着されるような予め定められた温度以上に加熱
   する手段とを具備していることを特徴とするコア上にハ
   ーメチック被覆を有する高強度光ファイバを製造するだ
   めの特許請求の範囲第１７項記載の製造装置。 （２６）反応領域から出た後、ハーメチック被覆の外面
   に少なくとも１）ｆｉの別の被覆を施す手段を具備して
   いる特許請求の範囲第２５項記載の製造装置。