JPS5946076A - ホ−ル素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）技術勺野 本発明は化合物半導体材料を用いたボール素子に関する
。

（ｒ、＋　）従来技術 ホール素子（」第１図に示４一様な十字形状の゛１′、
導体薄膜（１）の入力端子間に電流を７ｉｔシで」−；
さ、この薄膜（１）の面に垂面な方向に彰界を作用さＨ
ると、出力端子に研宋畜４度Ｃ二応した電圧が発生４゛
るものであり、磁気の検出や／ｉＩ＋１定に利用汐ねる
。

従来、フ１り〜ノ１素ｒは第２図に示す如く、ガラス等
の絶縁基１ｆｆ（２）、４−にイン〉ラム・ア〉デモナ
イド（ＩｎＳｂ）の様な（ヒ合物゛（′導体層（３）を
薄着し、第１図に示１１字形状に、コ、・Ｔ　＞　′”
シ（化合物Ｉ′導ｔ＃Ｒ（３）の端部に重畳・して銅ソ
７・キより成る電極（１）を設置ｆ　、　　電極（４）
に１１−１〜線（５）をｆ’　＋ｎ　ｆｌ　ｕｌて形成
して、いた。

期−ヒしｌこホール素了−てはφ寺４／１を向１−ｌイ
）ノ：−ｙ）に、絶縁基板（２）の表面を鏡面状態とし
、史に化合物半導体層（３）の厚さをＩｎｗｎ程度よて
薄くする必Ｗがある。この結果基板（２＞　、”化合物
゛１″−導体層（３）との接着力および化合物゛１′導
体層〈３）と電極〈４）との接着力か１分−Ｃなく、リ
−１・線（５）が刊隙号−るおそれがあ−）た。

（ハ）発明の開示 本発明６ｊ断上り、　／−従来の欠点に鑑みてなされ、
従来の欠点を完全に除去４るホール素ｒ−を提１１（す
るものである。

本発明に依るホール素ｒは第３図に示４如へ、絶１ｉ基
ｔｆｆ（１１）ヒにイ〉・ノウム・ア〉デモ−）〆１−
（ＴｎＳｂ）の様な化合物半導体層（１２）を蒸着し、
所望のト字形状に−Ｔ−ング゛ングした後化合物゛［Ｌ
導体層（１２）の端部と重畳し基板（１１）上に拡がる
拡張電極（１３）を設け、拡張電極（１３）　、！：リ
ード線（１４）とを金属組゛線（１５）で接続して形成
される。

（ニ）実施例 オ発明に依るホール素頂は、０２ｍ厚のシリコン中結晶
基板の鏡面加工した主面に熱酸化膜を成長ｔａだ絶縁基
板（１１）を用い、この基板（１１）の熱酸化膜上にイ
ンジウム・アンチモナイド（ＩｎＳｂ）（１２）を１μ
ｍ程度蒸着し、約５００℃で熱処理して結晶化する。然
る後ホトエツチングにより第１１：１にがず」−字形状
に、コーンチングし、化合物半導体層（１２）の端部に
その一部を重畳し基板（１１）、１−に拡か２）拡張電
極（１３）を形成−４−る。拡張電極（１３）としｒは
Ｃｒ−Ａｕの二層構造とする。更に拡張電極（１３）の
基板（１１０一部分に金の金属細線（１５）の一端をポ
ンティ〉グし、他端はリード線（１４）にポンティング
される。その後エボキン樹脂等で全体をトランスファモ
ールドしエポール素子を完成す−る。

（ホ）効果 本発明に依れば拡張電極り１３）を大きく１れは基板（
１１）との十分な接着力が得ら才する利点を有４る。ま
たリード線（１４）との電気的接続は金属細線のボンデ
インクに１衣るの−〔、ホ〉ティンろ２時の）上刃デ・
素子完成後のリード線（１４）からの狛を化合物”ＩＬ
、１体層＜　１２　）　ｔｉ全く受け４高信頼性のホー
ｊン素了を実現できる。更に拡張電極（１３）にＣｒ−
Ａｕ０層構造を採るの又“ツイヤ−ボンデインクの信頼
性も十分である。

【図面の簡単な説明】

第１図はポール素子を説明するＬ面図、第２図１：ｌ徒
来のポール素ｒの構造を説１！Ｉ目’　？、）断面図、
第３ヌは本発明のポール素子の刷Ｉ−説明４る断面図で
ある□ １゛な図番の説明 （１１）は絶縁基板、（１２）は化ｉ’ｉ　＋４ｖ　１
−導体層、（１３）は拡張電極、　（１４）はリード線
、（１５）は金属細線である。 出願人　玉洋′唯機株式会ｊＪ　　外１名ゝ上ご　（

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １　羽用な裁板−１−に設（−１だ化合物半導体層と該
   化合物半導体層の端８１１と重畳し前記基板１−に拡が
   る拡張電極と前記基板」−の拡張電極−１−にボンーｉ
   ′１ン′）′されたり−１：線と接続した金属細線とよ
   り構成される、−とを′Ｐｆ徴占するポールＭ′：Ｆ−
   ６