JPS5946231A - アミドの脱アシル化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、アミドのアシル基の脱離（脱アシル化）に
より対応するアミンを得る方法に関するものである。さ
らに詳しく述べると、この発明は、ペニシリンおよびセ
ファロスポリンの脱アシル化により対応する６−アミン
ペニシラン酸または７−アミノセファロスポラン酸を得
る方法に関するものである。

アミドのイミノハライド／イミノエーテル法による脱ア
シル、すなわちアミドをハロゲン化剤で処理して対応す
るイミノハライドを得、これをアルコールで処理して対
応するイミノエーテルに変換し、イミノエーテルを加水
分解またはアルコーリシスして対応するアミンおよびエ
ステルを得ることは、既に知られている。この反応は、
例えばランダー、ジャーナル・オブ・ケミカル・ソサイ
アテイ第８３巻第３２０頁（１９０３年）および西ドイ
ツ公開公報第２２５８０７９号に記載されている。

多数の刊行物、例えばフエヒティッヒ等、ヘルベチカ・
シミ力・アクタ第５１巻第１１０８頁（１９６８年）お
よびショベット等、ジャーナルーオブ・オーがニックφ
ケミストリー第３６巻第１２５９頁（１９７１年）およ
び特許、例えばオーストリア特許２８０４７５号および
第３０１７５４号、並びに米国特許第３２３４２２３号
、３５７５９７０号および３５４９６２８号が、イミノ
ハライド／イミノエーテル法のペニシリンおよびセファ
ロスポリンの脱アシルに対する応用を記載している。得
られる生成物は、６−アミノペニシラン酸（６−ＡＩ’
Ａ）・、７−アミンセファロスポラン酸（７−ＡＣＡ）
、７−ア、ミノデスアセトキシセファロスポラン酸（７
−ＡＤＣＡ）のようなペニシリンおよびセファロスポリ
ンのＭ、　本構造、およびそのエステルおよび塩のよう
な誘導体である。イミノハライド／イミノエーテル法は
、このようなペニシリンおよびセファロスポリン中間体
の商業生産においてＲ異的な技術となっている。

これらすべての方法において、５塩化燐のようなハロゲ
ン化剤で処理してイミノハライド（ＰＣ１５処理の場合
イミノクロライド）を得る反応は、酸結合剤としての塩
基の存在下に行なわれる。しかし、ピリジン、ジメチル
アニリンおよびジエチルアニリンのような最も広く用い
られる塩基は、生態学的見地から問題かあり、最終生産
物中の不純物から除去するのが困難であって、１０００
１）ｌ）Ｉｌｌまたはそれ以１−にも及ふ計で存在する
ことがあった。また、１廿液または廃液からこれらの塩
基を回収もしくは完全除去することも極めて困難で、不
経済かつ高価についた。

この発明は、イミノハロゲン化工程において、生態学的
見地から許容され、容易に回収でき、最終生産物中の不
純物から実質的または完全に除去できる塩基の使用を提
案するものである。

さらに詳しく述べると、アミドを塩基の存在下にハロゲ
ン化剤で処理して対応するイミドハライドとし、これを
アルコールで処理してイミノエーテルに変換し、生成す
るイミノエーテルを加水分解またはアルコーリシスする
ことによる、アミドの脱アシル化により対応するアミン
を得る方法において、塩基として長鎖置換芳香族アミン
、長鎖置換ピリジン、またはポリマー結合ピリジンを用
い・ることを特徴とする方法を提供するものである。

好ましい長鎖置換芳香族アミンとしては、式（ＩＸ）（
式中、ｋ□１およびＲ１□は同一または異なってそれぞ
れ水素、ハロゲン、トリハロメチル、ニ１・口、低級ア
ルキル、または低級アルコキシ、Ｒ１３はＣ直鎖もしく
は分枝アルキル、Ｉ（１４は−１８ Ｃ８−１８直鎖もしくは分校アルキルを意味する）で示
されるものか含まれるも 式（ＩＸ）のうち好ましい化合物としては、Ｎ−メチル
−Ｎ−デシルアニリン、Ｎ−メチル−Ｎ−ドデシルアニ
リン、Ｎ−エチル−Ｎ−デシルアニリン、Ｎ−エチル−
Ｎ−ドデシルアニリン、Ｎ−メチル−Ｎ−テトラデシル
アニリン、Ｎ−メチル−Ｎ−テトラデシルアニリン、Ｎ
−メチル−Ｎ−ヘキサデシルアニリン、Ｎ−メチル−Ｎ
−オクタデシルアニリン、Ｎ、Ｎ−ジオクチルアニリン
、Ｎ−メチル−Ｎ−ドデシル−０−トルイジン、Ｎ−メ
チル−Ｎ−ドデシル−１）−アニシジン、オヨひＮ−メ
チル−Ｎ−ヘキサデシル−Ｐ−アニシジンが含まれる。

別の好ましい長鎖置換芳香族アミンとしては、式（Ｘ） （式中、ＲはＣ８−□８直鎖もしくは分枝アル４ キル　Ｒ１ｓおよび１（１６は同一または異なってＣア
ルキルを意味する） −４ で示される化合物が含まれる。

式（Ｘ）のうち好ましい化合物としては、ドデシル−ｐ
−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミン）フェニルエーテル、およ
びヘキ→ノーデシル−１）−（Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ
）フェニルエーテルが含まれる。

好ましい長鎖置換ピリジンとしては、式（Ｘｌ、）（式
中、Ｒ１□はＣ６−２０直結もしくは分校アルキル、Ｒ
およびに１９は同一　または異なって８ 水素またはＣｌ−１８直鎖もしくは分校アルキルを意味
する） で示されるものが含まれる。

式（Ｘｌ）のうち好ましい化合物としては、２−ドデシ
ルピリジン、３−ドデシルピリジン、４−トテシルピリ
ンン、２−オクタデシルピリジン、２．６−ジツニルピ
リジン、２，６−シメチルニ４″−へキンルビリシン、
２，６−シメチルー４−トリデンルピリジン、および２
，６−シメチルー４−ペンタデシルピリジンが含まれる
。

好ましいポリマー結合ピリジンとしては、式で示される
くり返し単位を含むものが含まれる。

その例としては、レイリー・タール−アント・ケミカル
・コーポレーションが市販するポリビニルピリジンがあ
る。

この発明の方法で用いる塩基は、ハロゲン化剤に対して
少なくとも等モル量使用するのが好適である。これらは
、例えば反応混合物中に生じた塩の形で、水弁混合性有
機溶媒による抽出により、またはポリマー結合ピリジン
の場合、ｐ過により、最終生産物の弔ｔａｌｌ　ｎｊＪ
に除去される。

従来、イミノハライド／イミノエーテル法で用いられた
塩基は、加水分解／アルコーリシス下程で生ずる水／ア
ルコール相から抽出できなかったのに対して、この発明
で用いる塩基は、上記のように水弁混合性有機溶媒によ
る抽出または１ｊ１過により、任意の所望ｐｌ＋におい
て、塩または遊離塩基の形で容易かつ実質的完全に抽出
することができる。その結果、最終生産物中に残留する
痕跡；１号の塩基は、従来使用された塩基では２００な
いし１０００　ＰＩ）１１１　以下にするのか困難であ
ったのに対して、１Ｑｐｌ）Ｉｎ　以下にまで減少させ
ることができる。さらに、この発明で用いる塩基は、容
易に、多かれ少なかれ走用的に再生させることかできる
。これらの塩基は、その顕著な疎水性により、（遊離塩
基または塩の形で）水および低級アルコール（例えはイ
ミノエーテル生成工程で用いるもの）に実質的不溶であ
る反面、多くの水弁混合性有機溶媒、例えばメチレンク
ロライドにμ・溶である。有機抽出物は、単に酸、次い
でアルカリで洗浄し濃縮することにより、この方法で使
用できる塩基に再生することができる。

この方法の各工程は、文献の記載と同様に実施できる。

すなわち、イミノハライド、望ましくはイミノクロライ
ドは、好適にはメチレンクロライドのような有機溶媒中
、望ましくは低温（こおいて、例えば５塩化燐で処理す
ることにより生成する。

次のイミノエーテルの生成は、望ましくは低〆ｆｊｔに
おいて、好まじくはイミノハライド生成工程で用いたの
と同一塩基のような塩基の存在下、例えはメタノールの
ような低級アルカノールにより達成される。イミノエー
テルは、次いで、例えば塩基性または酸性触媒の存在下
、水で加水分解するか、または例えばメタノールのよう
な低級アルカノールでアルコーリシスすることかできる
。

慣用されるように、この発明の方法では、例えはカルボ
ン酸基や遊離アミ７基のような出発原料中の反応性基を
、イミノハライド生成工程の前に１呆護し、このような
保護基を、もし加水分解／アルコーリシス工程中に同時
に除去されていない場合には、この方法の完了後に除去
することが望ましい。

この発明の方法は、特にペニシリン、セファロスポリン
およびその誘導体の脱アシル化に適している。さらに詳
細に述゛へると、この発明の方法は、式（Ｉ） 〔式中、Ｘは式（１１）または（］Ｔ’ａ’）の基０Ｏ
ＩＩ （式中、Ｒ１はメチル、メトキシ、ハロゲン、アセトキ
シメチルまたは−ＣＩｌ　−５−複素環を示す）を意味
する〕 で示される化合物並びにそのエステルおよび塩の製造法
において、式（Ｉｆｆ　） １１ １１ （式中、Ｘは上記の意味、Ｙ−Ｃｏ−はカルボン酸残基
を意味する） で示される化合物またはそのエステルもしくは塩をこの
発明の方法により脱アシル化することからなる方法に関
するものである。

カルボン酸アシル基’１−Ｃｏ−は、天然、半合成また
は合成ペニシリンおよびセファロスポリンに存在する任
意の基であってよい。好ましい基としては、）′が水素
、所望によりハロゲンで１回または２回以上置換された
Ｃ１−６アルキル、または式（１ｖ）または（Ｘり１１
）隠 〔式中、１ζ２は水素、低級アルギル、ベンジル、また
はジフェニルメチル、Ｉζ３は水素、または式（Ｖ）ま
たは（Ｖｌ）の基 −ＣＯ−Ａ−Ｒ６（Ｖｌ　） （式中、１（４おｊ；び１ζ５は同一または異なって水
素、二１・口、シアノ、アシル、または低級アルコキシ
カルボニル、Ａは０またはＮｒｌ、Ｒ６は低級アルキル
、または式（■）の基 （式中、ｎは、ＡかＯの場合１ないし６、ＡがＮｆｌの
場合Ｏないし６、Ｒ７およびＲ８は同一または異なって
水素、ハロゲン、ニトロ、低級アルキル、または低級ア
ルコキシである）を示す）、１（９およ０：’　Ｒ１ｏ
　　は同一または異なって水素、ハロゲン、低級アルキ
ル、低級アルコキシ、ヒドロキシ、またはアミノ、Ｚは
酸素、または硫黄、ｍはＯまたはＩを意味するコ この発明の方θミによって脱アシルされるペニシリン、
セファロスポリンおよびその誘韓体には、特にｆ記のも
のが含まれる。

ペニシリンｖ１ペニシリンＧ１セファロスポリンＣ１６
−クロロアセトアミドペニシラン酸、ヘ−［２，２−ジ
エトキシノＪルボニルビニル（］、　）　Ｅセファロス
ポリポリ、Ｎ−（２−ニトロ−２−カルボエトキシビニ
ル（１，）　）セファロスポリンＣ１７−（Ｎ−（２，
２−ジェトキシカルボニル）ビニル〕アジピノイルアミ
ノ−３−（（１−メチル−１、２，３，４−テトラゾー
ル−５−イル）チオメチル〕−３−セフェムー４ニカル
ボン酸、７−（Ｎ−（２，２−ジェトキシカルボニル）
ビニル〕アシヒンアミド−３−（（２，５−ジヒドロ−
６−ヒドロキシ−５−オキソ−２−メチル−１，２，４
−１−リアジン−３−イル）チオメチル〕−３−セフェ
ムー４−カルボン酸、７−（Ｎ−（２，２−ジェトキシ
カルボニル）ビニル〕アジピンアミド−３−［（４，５
−ジヒドロ−６−ヒドロキシ−５−オキソ−４−メチル
−１，２，４−１−リアジン−３−イル）チオメチル〕
−３−セフェ１．−４−カルボン酸、３−デスアセトキ
シ−３−（１−メチル−１，２，３，４−テトラゾール
−５−イル）チオセファロスポリンｃ、３−デスアセト
キシ−３−（２，５−ジヒドロ−６−ヒドロキシ−５−
オキソ−２−メチル−１，２，４−トＩＪアジンー３−
イル）チオセファロスポリンＣ，３−デスアセトキシ−
３−（４，，５−ジヒドロ−６−ヒドロキシ−５−オキ
ソ−４−メチル−１，２，４−ｈリアジン−３−イル）
チオセアロ△ スポリンＣ１７−フェノキシアセトアミド−３−メチル
−３−セフェム−４−カルボン酸、７〜夕ロロアセトア
ミドー３−メチル−３−セフェム−４−カルボン、酸、
７−フェニルアセトアミド〜３−メチル−３−セフェム
−４−カルボン酸、Ｎ−工Ｉ・キシカルボニルセファロ
スポリンＣ，Ｎ−メトキシ力ルホニルセファロスポリン
Ｃ，Ｎ−イソ−ブチルカルバモイル）セファロスポリン
Ｃ，Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモイル）セファロスポ
リン０、Ｎ−クロロアセチルセファロスポリンＣ１およ
び７−ベンジルアミノ−３−メチル−３−セフェム−４
−カルボン酸。

式（ＩｌＦ　）の出発原料が反応性の基を含む場合には
、前述のように、これを反応中保護することが望ましい
。特に、出発原料が遊離酸形の場合、これをエステル化
、例えばトリメチルクロロシランでシリル化することに
より保護することが望ましい。トリメチルシリル基は、
続く加水分解／アルコーリシス工程中に脱離する。脱ア
シル化した式（１）の最終生産物は、ｐＩＩを等重点に
調節し、望ましくは前述のようにこの工程前に塩基を除
去して、反応混合物中から単離される。

この発明で使用する塩基は、公知であるか、または市販
の出発原料から公知の方法により製造することができる
。例えば、タナ力等、ジャーナル・オブ・ファーマシュ
ーテイカルΦソサイアティ・オブ・ジャパン第６３巻第
３５３　Ｌｉｔ　Ｃ１９４３年）、ドイツ特許第６１１
２８３号（１９３３年）、シランＩ・およびメー、ベリ
ヒテ第２２巻第１７５　ｓ　ｒ−ｚ、アリ−およびシュ
ブランド、ジャーナル・オブ・ジ・アメリカン・ケミカ
ル・ソサイアテイ第８０巻第３３２２および３３２７頁
（１９５８年）、ライボートおよびフーグザンド、ケミ
カル・ウィークｌ）　第５２巻第３５７頁、アメスおよ
びポ１クマン、ジャーナル・オブ・ケミカル−フサイア
フ４１９５２年第】ｏ５７および１０００頁、ナイトお
よびショウ、ジャ廿サル・オブーケミカル・ソザイアテ
ィ１９３８年第６８２頁、チチバビン、ヘミッシエリエ
ントラｉ゛ラット１９０６（１）第１４３９頁、ゴツト
フリートおよびウルツアー、ヘミッシエ・ツェントラル
ブラット１９２８（１）第１１９３頁、ライボートおよ
びヘイ、ルケイユーデ・トラボ・シミク第７２巻第５１
３．５２０＠（１９５３年）、バルコフスキー、エチル
・ド・シミ（１１）第１９巻第４８７．５０２頁（１９
４４年）参照。

以下の実施例は、この発明を説明するものである。なお
、７Ａ＋ｉ度は摂氏の度で示す。

実施例１ ７−アミノセファロスポラン酸（７−Ａ　ＣＡ　）Ｎ−
（２，２−ジェトキシカルボニル）ビ゛ニルセファロス
ポリンＣ５８，５ｇを不活性ガス雰囲気中でメチレンジ
クロライド５００　ｍｌにけんたくする。トリメチルク
ロロシラン６５　ｍＩ！を添加後、アンモニアカス１０
９をすばやく液面下に偉人すると、その間に温度が上昇
する。混合物を１０分間煮Ｎ１；シ、−１４℃に冷却す
る。Ｎ−メチル−Ｎ−ドデシルアニリン”ｔ、−ｏｇを
加え、混合物を再び一１４℃に冷却する。冷却を続けな
がら、５塩化燐３５ｇを３０分間に加え、その間温度を
−１２ないし一８℃に保つ。−１０℃附近で２０分間攪
拌後、反応混合物を一１２℃に冷イした乾燥メタノール
５００　ｍｌ中に注入する。

得られる混合物を氷水５００　ｍｅ中で攪拌し、分岐し
、水層をメチレンジクロライド１００　ｍｅで抽、中す
る。アンモニア水を１４５分間に加えることにより水層
のＩＪｌｌを３．５にに１１、（節する。混合物を１５
分間攪拌し７、沈殿をガラスη１板１−に集め、水５０
ｍ１およびアセ］・ンで８ＬＳｒトＬ、５０℃で真空乾
ツ・■する。無色の純７−ＡＣＡ２３．７３；Ｍ理論値
の８７％）を得る。使用したＮ−メチル−Ｎ−ドデシル
アニリンを再生するには、有機層を２Ｎ−ＩＩＣｌ、２
Ｎ−Ｎａ０１１および水で洗浄する。

メチレンジクロライドおよびヘキサメチ１／ンジオキフ
ランを常圧で留去する。Ｎ−メチル−Ｎ−ドデシルアニ
リンは残１６（再生収率９７％）として残る。

実施例２ ７−アミノセファロスポラン酸 セファロスポリンＣナトリウム塩２水化物４７゜３ｇを
、トリメチルクロロシラン６３　ｍｌおよびアンモニア
１０ｇで実施例１と同様にシリル化し、Ｎ−メｆルーＮ
−１ｓデシルアニリン７Ｏ□ｌｅの存在ド５塩化ｔＪ　
３５　ｊ７と実施例１にしたかつて反応さぜる。アルコ
ーリシスおよび加水分解後、分岐し、実施例１と同様に
１）１！調節して純７−ＡＣＡ２４゜２ｇ（８９％）を
１１１る。

実施例３ ７−７′ミノ−３−（１−メチル−１，２，３，４−テ
ｉ・ラブ−ルー５−イル）チオメチル−３−セフェム−
４−ノノルボン酸 ７−しＮ−（２，２−ジェトキシカルボニル）ビニル〕
アンピンアミド−３−（（１−メチル−１，、２，３，
４−テトラソール−５−イル）チオメチル１−３−セフ
ェム−４−カルホン６ｔ２６．３９を乾燥メチレンジク
ロライト５０　ｍｌ！にけんだくし、Ｎ−エチル−Ｎ−
ドデシルアニリン１８　ｍＩ！とｒ工ｊｊ合する。トリ
メチルクロロシラン４．８　ｍ１！を滴下［、混合物を
３０℃附近で１５分間攪拌する。−１２℃にべＹ却し、
５塩化燐３．７　ｓ　ｇを加え、反応混り物を一１０℃
附近でさらに４０分間攪拌する。

次いで、混合物を一１４℃に予冷した乾悌メタノール８
０　ｎ＋／に注入する。氷水８０　ｎＪ、を加え、混合
物をさらに３分間攪拌し、分岐する。水層をメチレンジ
クロライド３０１ｎｅで抽出し、アンモニア溶液で１）
１１３．５に調節する。混合物を１５分間攪拌し、沈殿
を汐コ取し、水およ０・アセトン各３０？ｎ／！で６（
４浄し、５０℃で真空乾燥する。純標記化合物２．７９
Ｃ８２％）を得る。Ｎ−エチル−Ｎ−ドデシルアニリ〕
ノ塩基は実施例１のへ一メチルーＮ−ドデシルアニリン
と同様に再生ずることかできる。

実施例４ ６−アミツベニシラン酸（６−Ａ　Ｎ　Ａ　）フエノキ
シメヂルペニンラン酸カリウムＪｔｉｘ。

６４ｇを乾燥メチレンジクロライド１２０　ｍｌにけん
だくする。トリメチルクロロシラン７．６＃＋７！を加
え、アンモニアガスを、３．５℃附近まで−１−昇した
２品度か下降し始めるまで導入する。反応混合物に窒素
を１０分間吹ｉΔみ、次いで一２０℃に冷却する。Ｎ−
メチル−Ｎ−テトラデシルアニリン１３、８　ｍｌを加
え、混合物を再び−２０℃に冷却する。５塩化燐８．９
ｇを、温度か一１８℃以上に」−昇しないように３回に
分けて加える。−２０℃でさらに２０分間攪拌後、混合
物を一３０℃に冷却Ｌ、−４０℃に予冷したメタノール
１５０ｔｎｌ中にｔ１巳人する。得られる混合物を氷水
１５０　ｍＩ！に注入し、３分間攪拌し、分液する。水
層をメチレンジクロライド３０　ｍｌで抽出し、アンモ
ニア溶液で１〕１１を４．２に調節する。無色の沈殿を
沖取し、水３０　ｒｎｌおよびアセトン３０ｍ１で洗浄
し、４０℃で真空乾燥する。純標記化合物５．５６ｇ（
８６％）を無色粉末として得る。Ｎ−メチル−Ｎ−テト
ラテシルアニリン塩基は実施例１のへ一メチルーＮ−ド
デシルアニリンと同様に再生することができる。

実施例５ ７−アミン−３−メチル−３−セフェム−４−カルボン
酸（７−ＡＤＣＡ　） ７−クロロアセチルアミノ−３−メチル−３−セフェム
−４−カルボン酸８．７９をメチレンジクロライド１０
０＋ｉにけんだ＜シ、トリメチルクロロシラン７、４　
ｍｅを加える。乾燥アンモニアガスを、一旦上昇した温
度が下降し始めるまで偉人する。

短時間還流し一１４℃に冷却した後、ヘーエチルーＮ−
ヘキサデシルアミン１５．８．ｎｌを加える。次いで５
塩（Ｉｌ、燐８ｇを、温度が一１０℃以」−ニ上Ｊｊ１
しないように３回に分けて加える。反応混合物をさらに
−１５ねいし一１０℃で３０分間攪拌し、−１４℃に予
冷したメタノール１５０＋ｎ！、に注入する。次いで、
混合物を氷水１５０　ｍｌと混合する。

短時間強く攪拌し、分液する。水層をメチレンジクロラ
イトで洗浄し、アンモニア溶液でＰＩＩヲ３゜８に調整
する。無色の沈殿をθ・〒取し、水およびアセトン各３
０　ｍｌで洗浄し、５ｏ″Ｃ：で真空乾燥する。純標記
化合物（５，８５ｇ、９１％）を無色粉末として得る。

Ｎ−エチル−Ｎ−ヘキサデシシルアニリンは実施例１の
Ｎ−メチル−Ｎ−ドデシルアニリンと同様に再生するこ
とができる。

実施例６ ツーアミノ−３−（２，５−ジヒドロ−６−ヒドロキシ
−５−オキソ−２−メチル−１，２，４−トリアジン−
３−イル）チオメチル−３−セフェム−４−カルボン酸 ７−［：Ｎ−（２，２−ジェトキシカルボニル）ビニル
〕アジピノイルアミノ−３−（２，５−ジヒドロ−６−
ヒ］パロキシー５−オキソ−２−メチル−１，２，４−
）リアジン−３−イル）チオメチル−３−セフェム−４
−カルボン酸１４ｇをメチレンジクロライド８０　ｍ１
！にけんだくする。Ｎ−メチル−Ｎ−ドデシルアニリン
４０　ＴｎＩ！を加え、次いでトリメチルクロロンラン
１２ｚｎｌを滴下すると、その間；こメ１１シ度が」−
昇する。混合物を３５℃で１０分間攪拌し、−１４℃に
冷却する。５塩化燐９．。１５ｇを加え、その間温度を
一１０℃以−ドに保ち、混合物を一１２℃で３５分間攪
拌する。次いで、混合物を一１４℃に冷却したメタノー
ル１２０　Ｔｌｌ１に注入する。得られる混合物を氷水
１５０　ｍｌに注入１．．３シ）間充分攪拌する。分液
し、水層をメチレンジクロライド３０ｉで洗浄する。水
層のｐＨをアンモニア水で３に調節し、無色の沈殿を戸
取１７、水３０ｍ１．メタノール３０ｉおよびアセ［・
ン３０ｎＪで洗浄し、４０℃で真空乾燥する。純標記化
合物６．０７ｇ（８２％）を得る。

実施例７ フーアミノデスアセトキシセフアロスポラン酸（７−Ａ
ＤＣＡ） ７−フェニルアセチルアミンデスアセトキシセファロス
ポラン酸３３．２ｇをメチレンジクロライト３００　ｍ
ｅにけんたくし、トリメチルクロロシラン１６９を加え
る。乾燥アンモニアを導入し、その間に内温か約３５℃
に１−昇する。発熱反応の終了後、アンモニアの導入を
停市し、混合物を１０分間還流する。混合物を除湿下に
一１４℃まで冷却し、２，６−シメチルー４−ペンクデ
シルピリジン３８．１ｇを加える。５塩化燐２Ｓｌを冷
却下に少滑つつ加え、この間内温が一５℃以」−に」−
昇しないように注意する。−１０ないし一５℃で１時間
攪拌後、反応混合物を一１４℃に予冷したメタノール１
００　ｍｌに注入し、氷水２５０　ｍｌ！で加水分解す
る。分液し、水層をメチレンジクロライド５０ｄで抽出
する。７−ＡＩ）ＣＡは水層をアンモニア溶液でＩ）Ｉ
＋　３．８ない（７４に調節すると沈殿し、これをθ−
１取して水およびメタノールで洗浄し、５０℃で真空乾
・燥する。純７−ＡＩ）ＣＡ　１９．１　！　（８９％
）を得る。使用した塩基は実施例１と同様に再生するこ
とかできる。

実施例８ ７−アミンセファロスポラン酸 ”　　（２，２−ジェトキシカルボニルビニル）セファ
ロスポリンｃ２ｃ＋、２５ｇおよびポリビニルピリジン
２８９をメチレンジクロライド３００　ｍｌにけんた＜
Ｌ、、ｌ−リメチルクロロシラン３８ｇを加える。乾燥
アンモニアを導入し、その間に温度が３９ないし４０℃
に上昇する。温度が下降し始めると直ちにアンモニアの
導入を停止し、混合物を窒素中−１４℃に冷却する。こ
のｔ都度で、５塩化燐２０．８９を加え、その間温度を
一５℃以下に保つ。−１０℃附近で１時間攪拌後、反応
混合物を一１４℃に予冷したメタノール１００　ｍｌに
注入し、この混合物を氷水２５０ｍ１で加水分解する。

ポリビニルピリジン塩酸塩を生成する２層混合物から戸
去し、分液する。７−ＡＣΔは、水層をアンモニアでｐ
ｌ！３．５に調節することにより沈殿し、これをガラス
Ｐ板上に集め、水およびメタノールで洗浄し、５０℃で
真空乾燥する。純標記化合物１１．６ｇ（８６％）を得
る。ポリビニルピーリジン塩酸塩は、２Ｎ−ＮａＯＩＩ
と攪拌し、水で中性になるまで洗浄し、１００℃で乾燥
して再生する。

特許出願人　ビオヘミ−・ゲゼルシャフト・ミツト・ベ
シュレンクテル・ハフラング 代理人弁理士青山　葆　　外１名

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　アミドを塩基の存在下にハロゲン化剤で処理
   して対応するイミドハライドとし、これをアルコールで
   処理してイミノエーテルに変換し、生成するイミノエー
   テルを加水分解またはアルコーリシスすることによる、
   アミドの脱アシル化により対応するアミンを得る方法に
   おいて、塩基として長鎖置換芳香族アミン、長鎖置換ピ
   リジン、またはポリマー結合ピリジンを用いることを特
   徴とする方法。
2. （２）　　アミドがペニシリン、セファロスポリンまた
   はその誘導体である、特許請求の範囲第１項記載の方法
   。
3. （３）　　アミンが式（１） 〔式中、Ｘは式（１１）または（１Ｔａ）（７）基（式
   中、ｌζ１はメチル、メトキシ、／Ｘロゲン、アセトキ
   シメチルまたは−ＣＩ＋２−５−　複素環を示す）を意
   味する〕 で示される化合物並びにそのエステルおよび塩であり、
   式（ＩＩＴ　） （式中、Ｘは上記の意味、ｙ−ｃｏ−はカルボン酸残乱
   を意味する） で示される化合物またはそのエステルもしくは塩を脱ア
   シル化することからなる、特許請求の範囲第２項記載の
   方法。
4. （４）アミドカベニジリンＶ、ペニシリンＧ１セファロ
   スポリン０１６−クロロアセトアミドペニシラン酸、Ｎ
   −［：２．２−ジェトキシカルボニルビニル（１）］セ
   ファロスポリンＣ，Ｎ−〔２−ニトロ−２−カルボエト
   キシビニル（１））セファロスポリンＣ１７−（Ｎ−（
   ２，２−ジェトキシカルボニル）ビニル〕アジピノイル
   アミノ−３−〔（１−メチル−１，、２，３，４−テト
   ラゾール−５−イル）チオメチル］−３−セフェムー４
   −カルボン酸、？−ＣＮ−Ｃ２，２−ジェトキシカルボ
   ニル）ビニル］アジピンアミド−３−［（２，５−ジヒ
   ドロ−６−ヒドロキシ−５−オキソ−２−メチル−１，
   ２，１−トリアジン−３−イル）チオメチル］−３−セ
   フェムー４−カルボン酸、７−［Ｎ−（２゜２−ジェト
   キシカルボニル）ビニル〕アジピンアミド−１１：（４
   ，５−ジヒドロ−〇−ヒドロキシー５−オキソー４−メ
   チル−１，２，４−トリアジン−３・−イル）チオメチ
   ル〕−３−セフェムー４−カルボン酸、３−デスアセト
   キシ−３−’（１−メチル−１，２，３，４−テトラゾ
   ール−５−イル）チオセファロスポリンＣ１３−デスア
   セトキシ−３−（２，５−ジヒドロ−６−ヒトロキシー
   ５−オキソ−２−メチル−１，２，４−１−リアジン−
   ３−イル）チオセファロスポリンＣ１３−デスアセトキ
   シ−３−（４，５−ジヒドロ−６−ヒドロキシ−５−オ
   キソ−４−メチル−１，２，４−トリアジン−３−イル
   ）チオ上アロスポリンＣ１フーフニノキシアセへ ドアミド−３−メチル−３−セフェム−４−カルボン酸
   、７−クロロアセトアミド−３−メチル−３−セフェム
   −４−カルボン酸、７−フェニルアセトアミド−３−メ
   チル−３−セフェム−４−カルボン］　Ｎ−エトキシカ
   ルボニルセファロスポリンＣ，Ｎ−メトキシカルボニル
   セファロスポリンＣ，Ｎ−（Ｎ’−ブチルカルバモイル
   ）セファロスポリンＣ，Ｎ−（Ｎ’−フェニルカルバモ
   イル）セファロスポリンＣ，Ｎ−クロロアセチルセファ
   ロスポリンＣ１および７−ベンジルアミノ−３−メチル
   −３−セフェム−４−カルボン酸である、特許：１！ｆ
   求の範囲第３項記載の方法。
5. （５）塩基が式（Ｕ　Ｘ　） （式中、Ｉ（および１（１２は同一または異なつ１ てそれぞれ水素、ハロゲン、トリハロメチル、二１・口
   、（ｊｌ＆アルキル、または低級アルコキシ、１支１３
   はＣｌ−１，８直鎖もしくは分枝アルキル、Ｉ（１４は
   Ｃ８−□８直鎖もしくは分枝アルキルを意味する）で示
   される化合物である、特許請求の範囲第１項記載の方法
   。
6. （６）塩基が式（Ｘ） （式中、ｌ（はＣ直鎖もしくは分枝アル１．４　　　　
   ８−１８ キル、ｋ　およびＩ（１６は同一または異なって５ Ｃ１−４アルキルを意味する） で示される化合物である、特許請求の範囲第１項記載の
   方法。
7. （７）塩基が式（×１） （式中、■（１７は０６−２０直鎖もしくは分校アルキ
   ル、ｋ　　およびｌ３１９　　は同一または異なって８ 水素またはＣ直鎖もしくは分校アルキルを−１８ 意味する）で示される化合物である、特許請求の範囲第
   １項記載の方法。
8. （８）塩基が式（Ｘｉｌ） で示されるくり返し１１１位を含むものである、特許５
   １−求の範囲第１項記載の方法。
9. （９）　　塩基をハロゲン化剤に対して少なくとも等モ
   ル使用する、特許請求の範囲第１項記載の方法。