JPS5946404B2 - プランジヤソレノイド装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプランジャソレノイド装置に係り、プランジャ
を所望の時間をもつて緩慢に吸引させることにより、瞬
間的に吸引されるため発生する雑音を防止しえ、また急
激に作動されることが不適当な負荷に適用できるように
したプランジャソレノイド装置を提供することを目的と
する。

従来よりテープレコーダにおいて使用されていたプラン
ジャソレノイド装置は、オン、オフの動作をしていたた
め、このプランジャソレノイド装置の負荷に無理を生じ
ていた。

例えば、プランジャソレノイド装置をピンチローラのキ
ヤプスタンヘの圧接のために使用した場合、プレイモー
ド時のピンチローラとキヤプスタンの圧接時の衝撃力は
相当の量であり、キヤプスタンの軸受の寿命を短かくす
る一つの原因となつていた。また瞬間的にプランジャが
吸引されるため、雑音（メカ的クリック音）を生じたり
、ピンチローラが瞬時に制動静止せず若干の振動（オー
バーシュート）を生じて好ましくなかつた。このため、
従来はメカ的クリック音、ピンチローラのオーバーシュ
ートを、メカ式エアーダンパー等を用いて減らさざるを
得なかつた。このため、従来のテープレコーダは機械的
に若干複雑となり、また所望の衝撃吸収特性を得るため
に粘性の高いものを使用した場合はダンパー作用中の時
間が衝撃防止に要する時間よりも長く短時間で所望のダ
ンパー特性が得られないという欠点があつた。本発明は
上記の欠点を除去したものであり、以下図面と共にその
一実施例につき説明する。

第１図はカセット式テープレコーダに適用した本発明装
置の一実施例のストップモード時における機構の平面図
、第２図は第１図のプレイモード時における機構の要部
の平面図、第３図は本発明装置の要部の一実施例の具体
的回路図で、各図中同一部分には同一符号を付してある
。第１図及び第２図において、１は摺動子２の位置変位
により抵抗値が可変せしめられる摺動抵抗器、３は通電
時プランジャ４を吸引し非通電時は復帰用スプリング５
によつてプランジャ４が引出されるソレノイドである。
上記摺動子２とプランジヤ４の先端部とは一体的に変位
するべく連結片６を介して連結されている。またプラン
ジヤ４の先端部にはピン７が植立されており、このピン
７には夫々先端部に長穴部が設けられているアーム８，
９の各長穴部が係合されている。このアーム８，９は長
穴部と反対側端部にピンチローラ１０，１１が設けられ
ており、軸８ａ，９ａを中心として回動自在に構成され
ている。また第３図において、前記摺動抵抗器１は端子
Ａ，Ｃ間を摺動子２が摺動する構成とされており、摺動
子２は端子Ｂ、抵抗を介してＮＰＮトランジスタＱ１の
ベースに接続されている。

ＮＰＮトランジスタＱ２はこのトランジスタＱ１と共に
不平衡差動増幅器を構成しており、トランジスタＱ２の
コレクタが抵抗を介してＰＮＰトランジスタＱ２のベー
スに接続されている。またトランジスタＱ２のベースは
抵抗Ｒ１を介して正の直流電源電圧入力端子に接続され
る一方、コンデンサＣ１を介して接地され、また切換ス
イツチＳＷの接点ａに接続されている。この切換スイツ
チＳＷは接点Ａ，ｂを有しており、接点ｂは空接点とさ
れ可動接片は接地されており、テープレコーダの操作ス
イツチと連動して切換わるよう構成されている。またコ
ンデンサＣ１は抵抗Ｒ２が並列接続されている。上記ト
ランジスタＱ３のコレクタは抵抗Ｒ３、コンデンサＣ２
を直列に介して前記トランジスタＱ１のベースに接続さ
れる一方、ＮＰＮトランジスタＱ４のベースに接続され
、更に抵抗Ｒ４を介して接地されている。トランジスタ
Ｑ４のエミツタと接地間にはソレノイド３が接続されて
いる。まず、ストツプモード時における本発明装置の動
作につき第１図及び第３図と共に説明するに、切換スイ
ツチＳＷは接点ａ側に閉成接続される。

これにより、コンデンサＣ１、抵抗Ｒ２が夫々アースに
短絡され、トランジスタＱ２のベース電位はアースレベ
ルとなる。このとき摺動子２は端子Ｃ側に位置している
。トランジスタＱ２はオフであるから、トランジスタＱ
３，Ｑ４もオフである。よつて、トランジスタＱ４のコ
レクタ電流すなわちソレノイド３の励磁電流は流れず、
第１図に示す如くプランジヤ４が復帰用スプリング５の
バネカにより引出される。これにより、ピンチローラ１
０，１１は力セツト１２内に位置し、磁気テープ１３を
へツド１４，１５に摺接せず、第１図に示す如く力セツ
ト１２内に収納されたままとしている。次にプレイモー
ド時の本発明装置の動作につき第２図及び第３図と共に
説明するに、プレイモード時は切換スイツチＳＷは接点
ｂ側に切換接続される。これにより、直流電源電圧は抵
抗Ｒｌ，Ｒ２及びコンデンサＣ１よりなる積分回路を介
してトランジスタＱ２のベースに印加されることになる
。従つて、トランジスタＱ２のベース電位は抵抗Ｒｌ，
Ｒ２及びコンデンサＣ１の各値により決まるコンデンサ
Ｃ１の充電時定数（この値は任意に設定できる）に従つ
て抵抗Ｒｌ，Ｒ２により分圧された電源電圧値に向つて
徐々に上昇する。従つて、トランジスタＱ２及びＱ３の
コレクタ電流も上記充電時定数に従つて徐々に上昇して
いく。これにより、ソレノイド３の励磁電流は上記充電
時定数に従つて徐々に上昇し、プランジヤ４がこれに応
じて徐々に吸引され、摺動子２が端子Ａ側へ漸次移動す
る。従って、トランジスタＱ１のベース電位も徐々に上
昇する。ソレノイド３に流れる励磁電流によつてブラン
ジヤ４が緩慢に吸引されていきピンチローラ１０，１１
がキヤブスタン１８，１９に圧接されるとプランジヤ４
の吸引動作が停止する。

この状態でトランジスタＱ２のベース電位はトランジス
タＱ，のベース電位よりも高い値とされており、ソレノ
イド３には一定の励磁電流が流れている。なお、このと
き、仮に摺動子２が端子Ａに到達したとしても、トラン
ジスタＱ，のベース電位は端子Ａと直流電源＋ＤＣとの
間に接続されたツエナーダイオードにより固定され、ト
ランジスタＱ１のベース電位はトランジスタＱ２のベー
ス電位よりも高くならない。

これはトランジスタＱ１のベース電位がトランジスタＱ
２のベース電位ょり高くなつてしまうと、トランジスタ
Ｑ２の゛ベース・エミツタ間電圧がトランジスタＱ１の
ベース・エミツタ間電圧より低くなり、これにより、ト
ランジスタＱ３，Ｑ４がオフとされてソレノイド３が吸
引状態を保持できなくなるからである。但し、抵抗Ｒｌ
，Ｒ２、端子ＢとトランジスタＱ１のベースとの間に接
続された抵抗等の夫々の定数を適宜選定すれば、上記ツ
エナーダイオードを省略し得る。

また、プランジヤ４の吸引動作により第２図に示す如く
アーム８，９が軸８ａ，９ａを中心として所定方向に夫
々回動せしめられ、これと共にピン１６，１７に引つか
けられて磁気テープ１３が力セツト１２より引出され、
ヘツド１４，１５に摺接せしめられた状態となる。

このようにして、プランジヤ４が緩慢に吸引されるので
、メカ的クリツク音が出たり、ピンチローラがオーバー
シユートしたりすることがない。なお、プランジヤ４は
実際にはソレノイド３の吸引による慣性とスプリング５
のバネ定数とにより決まる周期をもつて振動しながら徐
々に吸引される。

そこで本実施例では、第３図に示す抵抗Ｒ３及びコンデ
ンサＣ２よりなる直列回路を上記振動周期に対応した周
波数特性を有する負帰還回路として設け、上記振動周期
に対しては回路全体の利得を低下し発振状態とならぬよ
うにしている。この場合、負帰還回路の周波数特性は、
上記振動周期の大きさに応じて適宜選択的に設定される
。なお、上記の実施例では力セツト１２内の磁気テーブ
１３の引出しに本発明装置を適用する場合につき説明し
たが、本発明装置はこれに限られるものではなく、力セ
ツトホルダをエジエクトする等の他の種々の用途にも適
用できるものである。またトランジスタＱ２のベースに
印加する基準変化電圧は上記実施例では積分回路により
得ている。が、その他の方法によつて得るようにしても
よく、またその変化はアナログ的であるかデイジタル的
であるかを問わない。上述の如く、本発明になるプラン
ジヤソレノイド装置は、ソレノイドの励磁電流レベルに
対応して吸引せしめられるブランジヤのこの吸引位置に
対応した電圧を発生する位置電圧発生手段と、上記ブラ
ンジヤ位置とは無関係に上記プランジヤの吸引動作開始
時以降から漸次レベル変化する電圧を発生する変化電出
発生手段と、上記位置電圧発生手段及び変化電圧発生手
段よりの両発生電圧を夫々比較して得た電圧により上記
ソレノイドの励磁電流レベルを漸次変化するように制御
する励磁電流制御手段と、上記プランジヤの復帰用スプ
リングと、上記ソレノイドの吸引による慣性と該プラン
ジヤの復帰用スプリングのバネ定数とにより決まる振動
の周波数に対して利得を低下させるように働く周波数特
性を有し上記励磁電流制御手段にて比較して得た電圧を
上記位置電圧発生手段の出力側に負帰還する負帰還手段
とよりなるため、ブランジヤを上記変化電圧のレベル変
化に対応して緩慢に吸引させることができ、従つて瞬間
的に吸引されるために生ずる雑音の発生を防止でき、ま
た吸引開始から吸引完了までの時間は上記変化電圧のレ
ベル変化の割合を設定することにより任意に得ることが
でき、またピンチローラ等の急激に作動されることが不
適当な負荷に適用でき、従来用いられていたメカ式エア
ーダンパー等を不要にでき、衝撃を防ぐに十分な時間だ
けダンパー作用を発揮でき、またプランジヤを電気的に
制御しているので機械的に制御する場合に比し信頼性高
く経年変化が少なく、又、上記振動周期に対しては回路
全体の利得を低下せしめ得、これにより、プランジヤを
ソレノイドの吸引による慣性とスプリングのバネ定数と
によつて決まる周期で振動させることなく、安定な状態
で緩慢に吸引せしめ得る等の特長を有するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は力セツト式テープレコーダに適用した本発明装
置の一実施例のストツブモード時における機構の平面図
、第２図は第１図のプレイモード時における機構の要部
の平面図、第３図は本発明装置の要部の一実施例の具体
的回路図である。 １・・・・・・摺動抵抗器、３・・・・・・ソレノイド
、４・・・・・・プランジヤ、５・・・・・・復帰用ス
プリング、１２・・・・・・力セツト、１３・・・・・
・磁気テーブ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ ソレノイドの励磁電流レベルに対応して吸引せしめ
   られるプランジャの吸引位置に対応した電圧を発生する
   位置電圧発生手段と、上記プランジャ位置とは無関係に
   上記プランジャの吸引動作開始時以降から漸次レベル変
   化する電圧を発生する変化電圧発生手段と、該位置電圧
   発生手段及び変化電圧発生手段よりの両発生電圧を夫々
   比較して得た電圧により上記ソレノイドの励磁電流レベ
   ルを漸次変化するように制御する励磁電流制御手段と、
   上記プランジャの復帰用スプリングと、上記ソレノイド
   の吸引による慣性の該プランジャの復帰用スプリングの
   バネ定数とにより決まる振動の周波数に対して利得を低
   下させるように働く周波数特性を有し上記励磁電流制御
   手段にて比較して得た電圧を上記位置電圧発生手段の出
   力側に負帰還する負帰還手段とよりなり、上記プランジ
   ャを緩慢に吸引するように構成したことを特徴とするプ
   ランジャソレノイド装置。