JPS5949010A - 表面音響波装置およびその製造方法 - Google Patents
表面音響波装置およびその製造方法Info
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- JPS5949010A JPS5949010A JP58141802A JP14180283A JPS5949010A JP S5949010 A JPS5949010 A JP S5949010A JP 58141802 A JP58141802 A JP 58141802A JP 14180283 A JP14180283 A JP 14180283A JP S5949010 A JPS5949010 A JP S5949010A
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- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- loop
- thin film
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、基板表面上に互いに近接して配置される複数
の狭い間隔をおいて隅てられる金属薄膜構造体を有する
表面音響波装置″（以下ＳＡＷ装置と云う）に関するも
のである。
の狭い間隔をおいて隅てられる金属薄膜構造体を有する
表面音響波装置″（以下ＳＡＷ装置と云う）に関するも
のである。
互いに近接して配置さｔ７る複数の狭い間隔をおいて隔
てられる金属薄膜構造体を有するＳＡ′Ｗ￥；、、置の
製造において遭遇する面倒外問題ｄ１、通常、ニオブ酸
リチウム（ＬｉＮｂＯａ）またはタンタル酸リチア ム
（’ＬｔＴａＯ８）によって構成するｊｌ−電基板内の
狭い間隔をおいて隔てられる金属薄膜の間に表面クラッ
クが形成されることである。それらのクラックＩｒ、Ｊ
：、ＳＡＷ弾性コンボルバ−として知られているＳＡＷ
装償゛の製造中寸たは製造径寸もなくして生ずるのかに
とんどである。圧電基板の音響的な非直硫性を直接利用
するＳ’ＡＷ弾性コンボルバ−は、音響波発生トランス
デユーサから結合さノシて、それに入射する音響波のビ
ーム幅を狭くするために１組の向きイ）わぜられたパラ
ボラ形にテーパー状にの出力し↓狭い相互作用通路に結
合さ？Ｌる。その相互作用通路において実際の信号コン
ボリューションが行われる。コンボルバ−の効率を高ぐ
するように１ホーンによシ行われるビームの圧縮により
相互作用通路内における音響パワー密度が高くなる。上
記のコンボルバ−素子は全体として、圧電基板上に付着
されるマイクロストリップの形態を有する。ビームを圧
縮された音響波のテーパー状用辿路の間の狭い間隙を横
切って圧電基板の表面において行われる。圧′１１Ｌ基
板の表面における前記クラックは、基板上にマイクロス
トリップ・パターンを形成するために用いられる最後の
フオ１． ＋７ソグ２フ・リフトオフ工程の時にそれら
の間隙に生ずるのがほとんどであるが、リフトオフ工程
が終ってから数時間はクラックが生じないこともある。
てられる金属薄膜構造体を有するＳＡ′Ｗ￥；、、置の
製造において遭遇する面倒外問題ｄ１、通常、ニオブ酸
リチウム（ＬｉＮｂＯａ）またはタンタル酸リチア ム
（’ＬｔＴａＯ８）によって構成するｊｌ−電基板内の
狭い間隔をおいて隔てられる金属薄膜の間に表面クラッ
クが形成されることである。それらのクラックＩｒ、Ｊ
：、ＳＡＷ弾性コンボルバ−として知られているＳＡＷ
装償゛の製造中寸たは製造径寸もなくして生ずるのかに
とんどである。圧電基板の音響的な非直硫性を直接利用
するＳ’ＡＷ弾性コンボルバ−は、音響波発生トランス
デユーサから結合さノシて、それに入射する音響波のビ
ーム幅を狭くするために１組の向きイ）わぜられたパラ
ボラ形にテーパー状にの出力し↓狭い相互作用通路に結
合さ？Ｌる。その相互作用通路において実際の信号コン
ボリューションが行われる。コンボルバ−の効率を高ぐ
するように１ホーンによシ行われるビームの圧縮により
相互作用通路内における音響パワー密度が高くなる。上
記のコンボルバ−素子は全体として、圧電基板上に付着
されるマイクロストリップの形態を有する。ビームを圧
縮された音響波のテーパー状用辿路の間の狭い間隙を横
切って圧電基板の表面において行われる。圧′１１Ｌ基
板の表面における前記クラックは、基板上にマイクロス
トリップ・パターンを形成するために用いられる最後の
フオ１． ＋７ソグ２フ・リフトオフ工程の時にそれら
の間隙に生ずるのがほとんどであるが、リフトオフ工程
が終ってから数時間はクラックが生じないこともある。
更に、現在まで観察されているクラックは間隙の左側縁
部または右側縁部に常に生ずるが（コンボルバーの各基
板上には少くとも２つの間隙がある）、間隙の左側縁部
と右側縁部の両方には決して生じ々いことから、クラッ
クの位僅は敏感な結晶の向きに生ずるようである。
部または右側縁部に常に生ずるが（コンボルバーの各基
板上には少くとも２つの間隙がある）、間隙の左側縁部
と右側縁部の両方には決して生じ々いことから、クラッ
クの位僅は敏感な結晶の向きに生ずるようである。
そのようなりラックはマイクロストリップ・パターンの
間を圧電基板の表面に沿って伝わる音響波に対する反射
境界として作用するから、そのようなりラックが存在す
るとＳＡＷ装備′の性能が低下することになる。とくに
ＳＡＷコンボルバ−においては、テーパー状ホーンと相
互作用通路の間の間隙に生ずるそのような間隙のために
、その」二を伝わる表面音響波信号の一部がそれらのコ
ンボルバ−から反射さぜられる。それらの反射信号は前
進信号と相互作用（コンボルブ）して自己コンボリュー
ション・スプリアス信号を生ずる。その自己コンボリユ
ーシヨン・スプリアス信号は表面音響波装置の信号対雑
音比を低くし、実効ダイナミックレンジを狭くする。
間を圧電基板の表面に沿って伝わる音響波に対する反射
境界として作用するから、そのようなりラックが存在す
るとＳＡＷ装備′の性能が低下することになる。とくに
ＳＡＷコンボルバ−においては、テーパー状ホーンと相
互作用通路の間の間隙に生ずるそのような間隙のために
、その」二を伝わる表面音響波信号の一部がそれらのコ
ンボルバ−から反射さぜられる。それらの反射信号は前
進信号と相互作用（コンボルブ）して自己コンボリュー
ション・スプリアス信号を生ずる。その自己コンボリユ
ーシヨン・スプリアス信号は表面音響波装置の信号対雑
音比を低くし、実効ダイナミックレンジを狭くする。
そのようなコンボルバ−は、表面音響波装置の製造中に
間隙の間に生ずる電界により生じさせられるものとイ６
ぜられる。そのような電界の発生源は決定が困難である
が、静電気の発生、パイロ電気効果、捕えられた電荷、
応力またはそれらの組合せによるものと想像される。
間隙の間に生ずる電界により生じさせられるものとイ６
ぜられる。そのような電界の発生源は決定が困難である
が、静電気の発生、パイロ電気効果、捕えられた電荷、
応力またはそれらの組合せによるものと想像される。
表面音響波装置ｔ９ｉの基板の間隙領域に生ずる表面コ
ンボルバ−は、その間隙を電気的に側路することによシ
効果的に解消される。詳しくいえば、少くとも２つの薄
膜構造体を有し、それらの薄膜構造体は、第１の薄膜構
造体を横切って進む表面音響波が間隙を横切って第２の
薄膜構造体まで伝えられるように配置されている第２の
構造体と第１の構造体の間に間隙を置いて配置゛：され
て構成されている表面音響波装置６においては、表Ｃａ
ｉ音響波装置の製造によシ生じさせられた表面の間隙領
域におけるコンボルバ−は、その間隙を電気的に側路す
る薄膜ループにより解消される。薄膜構造体との境界部
において表面音響波の伝わる向きに全体として垂直方向
へ延びるようにそのループは配置される。また、その側
路の抵抗値が表面音響波装置の出力インピーダンスよシ
非常に高い、たとえば少くとも約３倍高い、表すると、
ループは表面音響波装置の永久的な部分とすることがで
き、しかも表面音響波装置の動作に大きな影響を及ぼす
ことはない。
ンボルバ−は、その間隙を電気的に側路することによシ
効果的に解消される。詳しくいえば、少くとも２つの薄
膜構造体を有し、それらの薄膜構造体は、第１の薄膜構
造体を横切って進む表面音響波が間隙を横切って第２の
薄膜構造体まで伝えられるように配置されている第２の
構造体と第１の構造体の間に間隙を置いて配置゛：され
て構成されている表面音響波装置６においては、表Ｃａ
ｉ音響波装置の製造によシ生じさせられた表面の間隙領
域におけるコンボルバ−は、その間隙を電気的に側路す
る薄膜ループにより解消される。薄膜構造体との境界部
において表面音響波の伝わる向きに全体として垂直方向
へ延びるようにそのループは配置される。また、その側
路の抵抗値が表面音響波装置の出力インピーダンスよシ
非常に高い、たとえば少くとも約３倍高い、表すると、
ループは表面音響波装置の永久的な部分とすることがで
き、しかも表面音響波装置の動作に大きな影響を及ぼす
ことはない。
ループは他の薄膜構造体と同時に基板−１−に付着する
ようにする。
ようにする。
本発明の別の実施例においてＣｊ、表面音響波装（ａは
コンボルバ−であり、薄膜構造体は、それぞれ、手を組
んだような形の２つのトランスデユーサ、２つのパラボ
ラ形ホーン、および相互作用通路である。
コンボルバ−であり、薄膜構造体は、それぞれ、手を組
んだような形の２つのトランスデユーサ、２つのパラボ
ラ形ホーン、および相互作用通路である。
本発明の利点は、表面音響波装置のホーンと相互作用通
路の間の間隙領域に生ずるクラックを解消するための手
段と、そのような表面音響波装置〜。
路の間の間隙領域に生ずるクラックを解消するための手
段と、そのような表面音響波装置〜。
を製造する方法が得られることである。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
本発明が第１図のＳＡＷコンボルバ−１０に示されてい
る。このコンボルバ−は入力トランスデユーサ１２．１
４と、パラボラ形ホーン１６．１８と、相互作用通路ｆ
ｒｔ４造体２０とで棺（造休さり、る。その相互作用通
路構造体２０は接地面２２，２４．２６と相互作用通路
２８により構成される。それらの素子は、当業者に知ら
れているように、圧電体、通常はニオブ酸リチウムの平
らな表面１３の上に配置されるマイクロストリップであ
る。典型的なホーン、たとえばホーン１６はパラボラを
形成する入力端部１６ｂと、出力端部１６ｅと、側壁１
６ｄ、１６ｅとを含む。典型的々ホーンの入力蛤部１６
ｂは、ホーンの長手軸１９に垂直な直ｉ１７により通常
形成される。その長手軸１９はホーン１８と相互作用通
路２８との長手軸と同じたけ延びる。ポーン１６．１Ｂ
と相互作用通路２８を構成するマイクロストリップ内に
間Ｒ１６ａ、 １８ａを形成するように、ホーン１６．
１８は相互作用通路２８に関して配置、される。
る。このコンボルバ−は入力トランスデユーサ１２．１
４と、パラボラ形ホーン１６．１８と、相互作用通路ｆ
ｒｔ４造体２０とで棺（造休さり、る。その相互作用通
路構造体２０は接地面２２，２４．２６と相互作用通路
２８により構成される。それらの素子は、当業者に知ら
れているように、圧電体、通常はニオブ酸リチウムの平
らな表面１３の上に配置されるマイクロストリップであ
る。典型的なホーン、たとえばホーン１６はパラボラを
形成する入力端部１６ｂと、出力端部１６ｅと、側壁１
６ｄ、１６ｅとを含む。典型的々ホーンの入力蛤部１６
ｂは、ホーンの長手軸１９に垂直な直ｉ１７により通常
形成される。その長手軸１９はホーン１８と相互作用通
路２８との長手軸と同じたけ延びる。ポーン１６．１Ｂ
と相互作用通路２８を構成するマイクロストリップ内に
間Ｒ１６ａ、 １８ａを形成するように、ホーン１６．
１８は相互作用通路２８に関して配置、される。
コンボルバ−１０のｍ 能Ｂ ）シンスデューサ１２に
与えられた信号を、第２のトランスデユーサ１４に与え
られた信号とコンボルブして、コンボルブされた結果を
ボー） ２８ａに生ずることである。そのポー） ２Ｂ
＆は、相互作用通路２８の中間部から直角に延びる分岐
である。
与えられた信号を、第２のトランスデユーサ１４に与え
られた信号とコンボルブして、コンボルブされた結果を
ボー） ２８ａに生ずることである。そのポー） ２Ｂ
＆は、相互作用通路２８の中間部から直角に延びる分岐
である。
次に、トランスデユーサ１０の動作を説明する。
１つの信号、電気信号が適当であるが指を紹んだような
形の部分１２ａ、１２ｃを横切ってＣ図示していない装
置により）トランスデユーサ１２へ与えられる。ぞれら
の部分１２ａ、１２ｃ ｉｔ導’Ｆｉｔ ）ラック１２
ｂと、その導電トラックに指を組合せたように組合わさ
れる導電ｌ・ラック１２ｂでそれぞれ構成される。
形の部分１２ａ、１２ｃを横切ってＣ図示していない装
置により）トランスデユーサ１２へ与えられる。ぞれら
の部分１２ａ、１２ｃ ｉｔ導’Ｆｉｔ ）ラック１２
ｂと、その導電トラックに指を組合せたように組合わさ
れる導電ｌ・ラック１２ｂでそれぞれ構成される。
与えられた箱、気信号に応答して、トランスデユーサ１
２Ｆｉ、圧電基板の表面に音響波を生ずる。その？Ａ響
波の波面はクラック１２ｂ、１２ｄに平行である。
２Ｆｉ、圧電基板の表面に音響波を生ずる。その？Ａ響
波の波面はクラック１２ｂ、１２ｄに平行である。
その音％１波はパラボラホーン１６の入力姑部１６ｂに
おいて受けられる。その受けらｉ’Ｊ’ｒ音％ｉ４１波
はホーン構造体に含捷れようとし、波面は長手軸１９に
全体として垂直にそのホーン＋１６造体を通ってホーン
の出力端部１６ｅへ向う。ホーンを横切っている間に、
パラボラ側に入射した減面部分はそ第１から反射されて
ω力瑞部１６ｃへ戻る。ホーンのこの作用により、そｈ
を横切って進む波が、入力端部１６ｂの幅、すなわち、
点１７ａと１７ｂの間の距離と、出力端部１６ｂの幅、
すなわち、点２１ａと２１ｂの間の距離との比に等しい
値だけ圧縮される。典型的ホーンにおいては、ビームの
圧縮比は１０対１である。
おいて受けられる。その受けらｉ’Ｊ’ｒ音％ｉ４１波
はホーン構造体に含捷れようとし、波面は長手軸１９に
全体として垂直にそのホーン＋１６造体を通ってホーン
の出力端部１６ｅへ向う。ホーンを横切っている間に、
パラボラ側に入射した減面部分はそ第１から反射されて
ω力瑞部１６ｃへ戻る。ホーンのこの作用により、そｈ
を横切って進む波が、入力端部１６ｂの幅、すなわち、
点１７ａと１７ｂの間の距離と、出力端部１６ｂの幅、
すなわち、点２１ａと２１ｂの間の距離との比に等しい
値だけ圧縮される。典型的ホーンにおいては、ビームの
圧縮比は１０対１である。
そハ、と同時に、第１の信号とコンボルグされる第２の
信号か、導７１Ｌトラック１４ｂと、ぞλ１．に指を組
むようにして組合される導電トラック１４ｄとでそれぞ
れ構成されている組合さ、！また部分１４ａ、１４ｂを
横切ってトランスデユー′ｖ−１４へ辱えらノする。
信号か、導７１Ｌトラック１４ｂと、ぞλ１．に指を組
むようにして組合される導電トラック１４ｄとでそれぞ
れ構成されている組合さ、！また部分１４ａ、１４ｂを
横切ってトランスデユー′ｖ−１４へ辱えらノする。
その結果得られた７３響彼し」、ポーン１８をホーン１
６について先に説明したようにして横切り、ビームを圧
縮された波かホーン１８を出力端部１８ｃから出る。出
力端部１６ｃから出だビームを圧縮された波は圧電表面
を（ｔＱ切って相互作用通路２８のボート２８ｂへ結合
さオし、ホーンの出力端部１８ｃから出だ波は圧？ＬＬ
表面を横切って相互作用通路２８のボ） ２８ｃへ結合
される。ホーンの出力端部と相互作用通路の間に示され
ているバイアス・カット間隙、たとえばバイアス・カッ
ト間隙１６ａにより当業者であれば知っているように、
ポーンの出力端レント乃゛反射を少くする。相互作用通
路２８内の音響波は相互に作用［−で、すなわち、相互
にコンポルプして、ボート２８ａにコンボルブさハ５／
ζ結果を生ずる。
６について先に説明したようにして横切り、ビームを圧
縮された波かホーン１８を出力端部１８ｃから出る。出
力端部１６ｃから出だビームを圧縮された波は圧電表面
を（ｔＱ切って相互作用通路２８のボート２８ｂへ結合
さオし、ホーンの出力端部１８ｃから出だ波は圧？ＬＬ
表面を横切って相互作用通路２８のボ） ２８ｃへ結合
される。ホーンの出力端部と相互作用通路の間に示され
ているバイアス・カット間隙、たとえばバイアス・カッ
ト間隙１６ａにより当業者であれば知っているように、
ポーンの出力端レント乃゛反射を少くする。相互作用通
路２８内の音響波は相互に作用［−で、すなわち、相互
にコンポルプして、ボート２８ａにコンボルブさハ５／
ζ結果を生ずる。
間隙１６ａ、１８ａを電気的に短絡するマイクロストリ
ップ・ループ３０．３２は動作破卵を有しないか、表面
音響波装置の製造中にｌｉＵ隙領域に表面クラックが生
ずることを阻止する。なるべくなら、ループ３０．３２
のだめのパターンに１、製造中に圧電結晶表面」−にマ
イクロストリップ・パターンを形成するために用いられ
るフォトリングラフ・マスクに組込む。ループ３ｏのよ
うな典型的なルーグー１、ホーン１６と相互作用通路２
８から長手ｌｌｌ１ｌ１１９ニ垂直ＶＣＩＩＥ Ｕ ル
Ｆｉｌ ３０ａ 、 ３０ｂ −Ｃ４７：ｔ Ｄ）、キ
ノ）−ルｉ：＝とに注意すべきである。それらの脚は、
長手）抽１９に平行に延びるマイクロストリップ部分３
０ｃにより橋絡さハる。広い意味においては、ループは
弧のような任意の形にできるが、ポーンおよび相互作用
通路とのループ境界部においで、ホーンと相互作用通路
から垂直に延びるほうが好ましい。典型的なループの抵
抗値が表面音響波装置す°の出力インピーダンスよシ大
幅に高いとすると、ループが存在しても表面音響波装置
の動作ににＪ、大きな影響を与えないから、ループを表
面音響波装置ｉに設けたま才とすることができる。こノ
圭は、製造後に表面音響波装置「イに１易をつけること
なしにマイクロストリップ物質を除去するととｔよ一般
に困ｉｔであるから、とくに魅力的である。訓型的々表
面音響波装置の用カインピーダンスは約５０オームであ
る。
ップ・ループ３０．３２は動作破卵を有しないか、表面
音響波装置の製造中にｌｉＵ隙領域に表面クラックが生
ずることを阻止する。なるべくなら、ループ３０．３２
のだめのパターンに１、製造中に圧電結晶表面」−にマ
イクロストリップ・パターンを形成するために用いられ
るフォトリングラフ・マスクに組込む。ループ３ｏのよ
うな典型的なルーグー１、ホーン１６と相互作用通路２
８から長手ｌｌｌ１ｌ１１９ニ垂直ＶＣＩＩＥ Ｕ ル
Ｆｉｌ ３０ａ 、 ３０ｂ −Ｃ４７：ｔ Ｄ）、キ
ノ）−ルｉ：＝とに注意すべきである。それらの脚は、
長手）抽１９に平行に延びるマイクロストリップ部分３
０ｃにより橋絡さハる。広い意味においては、ループは
弧のような任意の形にできるが、ポーンおよび相互作用
通路とのループ境界部においで、ホーンと相互作用通路
から垂直に延びるほうが好ましい。典型的なループの抵
抗値が表面音響波装置す°の出力インピーダンスよシ大
幅に高いとすると、ループが存在しても表面音響波装置
の動作ににＪ、大きな影響を与えないから、ループを表
面音響波装置ｉに設けたま才とすることができる。こノ
圭は、製造後に表面音響波装置「イに１易をつけること
なしにマイクロストリップ物質を除去するととｔよ一般
に困ｉｔであるから、とくに魅力的である。訓型的々表
面音響波装置の用カインピーダンスは約５０オームであ
る。
約１５０〜５００オームのループ抵抗値は間隙領域にお
ける基板表面にクラックが生ずることを防ぐばかりでな
く、コンボルバ−の性能に影響を及ばずことなしに、ル
ープをコンボルバ−の永久的な部分としてその場所に放
置できる。
ける基板表面にクラックが生ずることを防ぐばかりでな
く、コンボルバ−の性能に影響を及ばずことなしに、ル
ープをコンボルバ−の永久的な部分としてその場所に放
置できる。
第２図は、本発明を用いて基板３９の−Ｅに構成された
実際のコンボルバーの一部を示すものである。テーパー
状ホーン４０．４２ののど部分４０Ｑ 。
実際のコンボルバーの一部を示すものである。テーパー
状ホーン４０．４２ののど部分４０Ｑ 。
４２Ｃは間隙４４．４６をそれぞれ横切って相互作用通
路４８と通じていることが示されている。ホーン４０，
４２は円すい台形として示されているが、それらのホー
ンは実際には第１図のデーバー状パンボラホーンに類似
すること、および躯１図に示すトランスデユーサに類似
するトランスデユーサが、第１図を参照して説明したよ
うにしてポーンの入カウ；＾１部において用いられる。
路４８と通じていることが示されている。ホーン４０，
４２は円すい台形として示されているが、それらのホー
ンは実際には第１図のデーバー状パンボラホーンに類似
すること、および躯１図に示すトランスデユーサに類似
するトランスデユーサが、第１図を参照して説明したよ
うにしてポーンの入カウ；＾１部において用いられる。
第２図を参照して、間隙４４．４６のバイアスカットは
、第１図の滑らかなバイアスカットではなくて、段状、
３段となっていることがわかる。これはホーンの端部と
相互作用領域からのコヒーレントな反射を少くするため
である。
、第１図の滑らかなバイアスカットではなくて、段状、
３段となっていることがわかる。これはホーンの端部と
相互作用領域からのコヒーレントな反射を少くするため
である。
ここで説明している実施例においてｄ：、相互作用通路
８ｄ：等しい間隔をおいて隔てられた複数の出力ボート
５４〜６０を有する。それらの出力ボートは、ｉ１１互
作用通路４８の側方からｉｑ角に延びる分岐６１〜６８
の上にそれぞｉｌ、配置直される。当業者なら知ってい
るように、相互作用通路４８において行われたコンボリ
ューションの結果がそのコンボリューションの最中に現
われる複数の出力ボートを用いることにより、相互作用
通路に沿う距離の関数としてより一様外コンボリューシ
ョン出力信号を得ることができる。
８ｄ：等しい間隔をおいて隔てられた複数の出力ボート
５４〜６０を有する。それらの出力ボートは、ｉ１１互
作用通路４８の側方からｉｑ角に延びる分岐６１〜６８
の上にそれぞｉｌ、配置直される。当業者なら知ってい
るように、相互作用通路４８において行われたコンボリ
ューションの結果がそのコンボリューションの最中に現
われる複数の出力ボートを用いることにより、相互作用
通路に沿う距離の関数としてより一様外コンボリューシ
ョン出力信号を得ることができる。
マイクロストリップ・ループ５０．５２が間隙４４．４
６をそれぞれ横切る電気的側路として設けられる。それ
らのループは、前記１−だように、コンボルバーを構成
する残りのマイクロストリップ部品と同時に基板上に付
着されるのはもちろんである。この実施例においては、
相互作用通路４８０幅すなわち寸法Ｃは約３２＋ＩＩ＋
ａ、典型的なループの幅、たとえば直径りは約Ｉ Ｑ
ｍｍである。それらの寸法によりコンボルバ−の前記ル
ープ３０は約５０オームとなり、ループの抵抗値は約１
５０オームとなる。それらの値は、ループがコンボルバ
−の永久的な部品としてそのまま改質された場合に、コ
ンボルバ−の性能に大きな影響を及ぼさない関係の値で
ある。
６をそれぞれ横切る電気的側路として設けられる。それ
らのループは、前記１−だように、コンボルバーを構成
する残りのマイクロストリップ部品と同時に基板上に付
着されるのはもちろんである。この実施例においては、
相互作用通路４８０幅すなわち寸法Ｃは約３２＋ＩＩ＋
ａ、典型的なループの幅、たとえば直径りは約Ｉ Ｑ
ｍｍである。それらの寸法によりコンボルバ−の前記ル
ープ３０は約５０オームとなり、ループの抵抗値は約１
５０オームとなる。それらの値は、ループがコンボルバ
−の永久的な部品としてそのまま改質された場合に、コ
ンボルバ−の性能に大きな影響を及ぼさない関係の値で
ある。
次に、基板７０の上に配置されゾζコンボルバ−の一部
を示す第３図を参照する。この図に示されているコンボ
ルバ−構造体はのど部７２ａを有する薄膜パラボラ・ホ
ーン７２と、アーム８０ 、８２の上にそわ７ぞれ配置
される出力ポードア６．７８を有する薄膜相互作用通路
７４七を備える。前言１゜したように、ホーン７２と相
互作用通路７４０間に段つきの間隙９０が設けらノする
。その段つきの間隙を横切って、長手軸６８に沿ってホ
ーン７２を通る表面音響波が相互作用通路７４に結合さ
ノする。また、前記したように、薄膜ループ８４が間隙
９０を１ｕ、気的に側路する。ループ８４は長手軸６８
に直角な脚８４ａ、８４ｂと、そ１１．らの端部を連結
する薄膜部分８４Ｃとより成る。この実施例においては
、脚８４ｂもポート７８のだめの分岐すなわちアーム８
２である。ループの一部のためにポート分岐を用いるこ
の技術は、ポートが間隙に近ジ３して配置される場合に
用いることができる。
を示す第３図を参照する。この図に示されているコンボ
ルバ−構造体はのど部７２ａを有する薄膜パラボラ・ホ
ーン７２と、アーム８０ 、８２の上にそわ７ぞれ配置
される出力ポードア６．７８を有する薄膜相互作用通路
７４七を備える。前言１゜したように、ホーン７２と相
互作用通路７４０間に段つきの間隙９０が設けらノする
。その段つきの間隙を横切って、長手軸６８に沿ってホ
ーン７２を通る表面音響波が相互作用通路７４に結合さ
ノする。また、前記したように、薄膜ループ８４が間隙
９０を１ｕ、気的に側路する。ループ８４は長手軸６８
に直角な脚８４ａ、８４ｂと、そ１１．らの端部を連結
する薄膜部分８４Ｃとより成る。この実施例においては
、脚８４ｂもポート７８のだめの分岐すなわちアーム８
２である。ループの一部のためにポート分岐を用いるこ
の技術は、ポートが間隙に近ジ３して配置される場合に
用いることができる。
第１図は表面音響波装置のコンボルバ−として第１へ成
された本発明の装置の簡略化し／こ平面図、０２図は本
発明の装置を用いる実際のコンボルバ−の一部の平面図
、第３図は不発、明の装（ト？のわずかに異なる形の平
面図である。 １０・・・・表面音響波装置、１３・・・・基板、１６
・・・・ホーン、１６ａ・・・・間隙、２８・・・・相
互作用通路、３０・・・・薄膜ループ、３０ａ、３０ｂ
−−−・脚。 特訂出ＩＲＱ 人 ザ・ペンデイツクス・コーポ
レーション代理人 山川政樹（を切・１名）
された本発明の装置の簡略化し／こ平面図、０２図は本
発明の装置を用いる実際のコンボルバ−の一部の平面図
、第３図は不発、明の装（ト？のわずかに異なる形の平
面図である。 １０・・・・表面音響波装置、１３・・・・基板、１６
・・・・ホーン、１６ａ・・・・間隙、２８・・・・相
互作用通路、３０・・・・薄膜ループ、３０ａ、３０ｂ
−−−・脚。 特訂出ＩＲＱ 人 ザ・ペンデイツクス・コーポ
レーション代理人 山川政樹（を切・１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１基板（１３）の表面上に配置される少くとも１つ
の薄膜＋Ｕ構造体１６．１８）を有し、それらの構造体
（１６，１８’）の間には間隙（１６ａ）が存在し、第
１の前記構造体（１６）横切る音響波は前記間隙（１１
３ａ）を横切って第２の前記構造体（１８）へ伝えら汎
るように柘成さノする表面音響波装９． （’１０）に
おいて、表［ｉ音響波装置（１０）の製造中に生ずる前
記間隙（１６ａ）中のクラックを無くすために、前記間
隙（，１６ａ）を′心気的に側路するループ（３のから
なる要素を備えることを特徴とする表面音響波装置角、
。 （２、特許請求の範囲第１項記載の表面音響波装置（１
０）であって、この装ｗ、（１０）は長手軸（１９）を
有し、表面音響波はその長手軸を全体として横切シ、前
記４ループ（３０）は前Ｍｅ長手軸（１９）に全体とし
て垂直に配置される脚（３０ａ、３０ｂ）を有すること
を特徴とする表面音響波装置。 （３）特許請求の範囲第１項記載の表面音響波装置（１
０）であって、前記ループ（３０）は薄膜構造体である
ことを特徴とする表面音響波装置ｉｉ′ｆ、、。 （４）特許請求の範囲第１，２またＱ」：３項記載の表
面音響波装＠ｔＣ１（１）であって、前記ループ（３０
）の抵抗鎖目前記表面音響波装置（’１０’ｌの出力イ
ンピーダンスよりはるかに高いことを特徴とする表面音
響波装置。 （５）特許請求の範囲第１ 、２４：たは３項記載の表
面音響波装置（１０）であって、この表面音響波装置ｒ
１０）の出力インピーダンスは前８１１４ループ（３０
）の抵抗値のたかだか３分の１であることを特徴とする
表面音調２波装↑汽。 （６）基板（１３）を有し、その基板（１３）の上には
狭い間隙（１６ａ）により分離された少くとも第１の薄
膜構造体（１６）と第２の薄膜構造体（２８）が付着さ
れる表面音響波装置（１０）を製造する方法において、
前記狭い間隙（ＩＧａ）を側路する薄膜ループ（３０）
を前記基板（１３）の上に付着することを特徴とする表
面音響波装ｆＥｔ（１０）を製造する方法、１（力 特
許請求の範囲第６項記載の表面音響波装置（１０）製造
する方法であって、前記表面音響波装置（１０）はコン
ボルバ−であり、前記第１の薄膜構造体はホーン構造体
（１６）であり、前記第２の構造体は相互作用通路（２
８）であることを特徴とする表面音響波装置（１０）を
製造する方法。 （８）％許請求の範囲第６項記載の表面音響波装置（１
０）製造する方法であって、前記ループ（３０）の抵抗
値は前記表面音響波装置（１０）の出力インピーダンス
より大幅に高いことを特徴とする表面音響波装置（，１
０）を製造する方法。 （９）特許請求の範囲第６項記載の表面音響波装置（１
０）製造する方法であって、前記表面音響波装置（１０
）の出力インピーダンスは前記ループ（３０）の抵抗値
のたかだか３分の１であることを特徴とする表面音響波
装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/404,785 US4410824A (en) | 1982-08-03 | 1982-08-03 | Means for preventing cracks in the gap region of a surface acoustic wave device |
| US404785 | 2003-04-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5949010A true JPS5949010A (ja) | 1984-03-21 |
Family
ID=23601021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58141802A Pending JPS5949010A (ja) | 1982-08-03 | 1983-08-02 | 表面音響波装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4410824A (ja) |
| EP (1) | EP0100739A3 (ja) |
| JP (1) | JPS5949010A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1982001790A1 (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Lewis Meirion F | Improvements in or relating to methods of producing devices comprising metallised regions on dielectric substrates |
| KR860000162B1 (ko) * | 1984-05-14 | 1986-02-27 | 금성계전 주식회사 | 탄성표면파 장치 |
| JPH08288787A (ja) * | 1995-04-10 | 1996-11-01 | Canon Inc | 弾性表面波素子装置、スペクトラム拡散通信装置およびこれを用いたシステム |
| EP2393124B1 (en) * | 2009-02-02 | 2017-10-25 | LG Chem, Ltd. | Solar cell back sheet and method for preparing same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3840825A (en) * | 1973-08-03 | 1974-10-08 | Hughes Aircraft Co | Composite acoustic surface wave devices with bridge-like coupling film |
| US4063202A (en) * | 1976-05-05 | 1977-12-13 | Rockwell International Corporation | Band-pass filter with surface acoustic wave devices |
| US4181904A (en) * | 1978-08-09 | 1980-01-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Acoustic-wave convolvers utilizing diffused waveguides and beam compression techniques |
| JPS55157321U (ja) * | 1979-04-02 | 1980-11-12 | ||
| GB2088167B (en) * | 1980-11-17 | 1984-06-20 | Secr Defence | Preventing damaging electric fields eg in saw devices |
-
1982
- 1982-08-03 US US06/404,785 patent/US4410824A/en not_active Expired - Fee Related
-
1983
- 1983-08-02 JP JP58141802A patent/JPS5949010A/ja active Pending
- 1983-08-02 EP EP83401595A patent/EP0100739A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4410824A (en) | 1983-10-18 |
| EP0100739A2 (en) | 1984-02-15 |
| EP0100739A3 (en) | 1987-01-28 |
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